[go: up one dir, main page]

CN109545810A - 一种平板探测器及其制备方法 - Google Patents

一种平板探测器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109545810A
CN109545810A CN201811384620.4A CN201811384620A CN109545810A CN 109545810 A CN109545810 A CN 109545810A CN 201811384620 A CN201811384620 A CN 201811384620A CN 109545810 A CN109545810 A CN 109545810A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
conversion layer
flat panel
panel detector
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811384620.4A
Other languages
English (en)
Inventor
占香蜜
侯学成
李成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811384620.4A priority Critical patent/CN109545810A/zh
Publication of CN109545810A publication Critical patent/CN109545810A/zh
Priority to US16/526,852 priority patent/US11237281B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H10F39/1898—Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • A61B6/4233—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector using matrix detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G01T1/2023—Selection of materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G21K2004/02—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens characterised by the external panel structure

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种平板探测器及其制备方法，属于平板探测技术领域，其可解决现有的非晶硅平板探测器填充率低、光吸收面积小、探测灵敏度低的问题。本发明的平板探测器利用可见光传导层面积较大的入光面收集来自可见光传导层的出光部的可见光，并等比例缩小后，由面积较小的出光面射入光敏元件，这样相当于提高了光敏元件对X射线转换层的可见光的吸收率，提高了探测灵敏度。该平板探测器用于医疗领域应用中，还可降低病人吸收的X射线辐射剂量，同时保护了医务人员。

Description

一种平板探测器及其制备方法
技术领域
本发明属于平板探测技术领域，具体涉及一种平板探测器及其制备方法。
背景技术
非晶硅平板探测器在医疗成像及工业检测领域有着广泛的应用，由于其需要借助TFT和PIN光电二极管共同完成光的吸收、转换与信号读取的功能，而a-Si TFT固有尺寸导致此类探测器存在填充率低的缺点。这样会降低PIN光敏元件的光吸收面积，从而降低探测灵敏度。
发明内容
本发明针对现有的非晶硅平板探测器填充率低、光吸收面积小、探测灵敏度低的问题，提供一种平板探测器及其制备方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是：
一种平板探测器，包括：
X射线转换层，用于将X射线转换为可见光；
光电转化层，所述光电转化层包括多个转化单元，每个转化单元包括光敏元件和与所述光敏元件连接的读取电路，所述光敏元件用于接收来自可见光传导层的出光部的可见光，并将可见光转换为电信号，所述读取电路用于读取所述光敏元件的电信号；
设于所述X射线转换层与光电转化层之间的可见光传导层，所述可见光传导层包括入光部和出光部，所述入光部相较于所述出光部更靠近X射线转换层设置，所述入光部的入光面的面积大于所述出光部的出光面的面积，所述可见光传导层用于将由X射线转换层入射到其中的可见光等比例缩小后传导至光敏元件。
可选的是，所述可见光传导层包括与每个转化单元的光敏元件一一对应设置的纤维光锥，所述纤维光锥具有相对的大端和小端，所述大端为入光部，所述小端为出光部。
可选的是，所述纤维光锥的锥壁上设有反射层。
可选的是，所述反射层由金属材料构成。
可选的是，所述光敏元件包括光电二极管，所述纤维光锥的小端在X射线转换层上的正投影与光电二极管在X射线转换层上的正投影重合。
可选的是，所述读取电路包括非晶硅薄膜晶体管。
可选的是，所述非晶硅薄膜晶体管与光电二极管至X射线转换层上的正投影无交叠，所述非晶硅薄膜晶体管与X射线转换层之间设有遮光层。
可选的是，所述光电二极管与非晶硅薄膜晶体管的漏极通过导线连接。
可选的是，所述X射线转换层由碘化铯闪烁晶体阵列或GOS(Gd2O2S:Tb)颗粒构成。
本发明还提供一种上述的平板探测器的制备方法，包括以下制备步骤：
依次形成光电转化层、可见光传导层以及X射线转换层。
可选的是，所述金属反射层是利用磁控溅射或电镀的方法在纤维光锥的锥壁上沉积金属材料以形成金属反射层。
附图说明
图1为本发明的实施例1的平板探测器的结构示意图；
图2为本发明的实施例2的平板探测器的一种结构示意图；
图3为本发明的实施例2的平板探测器的另一种结构示意图；
图4为本发明的实施例2的纤维光锥的结构示意图；
图5为本发明的实施例2的纤维光锥的俯视示意图；
图6为本发明的实施例2的纤维光锥的仰视示意图；
图7为本发明的实施例2的转化单元的俯视示意图；
图8为本发明的实施例2的转化单元的仰视示意图；
其中，附图标记为：1、X射线转换层；10、闪烁晶体阵列；2、光电转化层；20、转化单元；21、光敏元件；22、读取电路；23、遮光层；24、钝化层；3、可见光传导层；30、纤维光锥；31、大端；32、小端；33、反射层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种平板探测器，如图1所述，包括X射线转换层1，光电转化层2，以及可见光传导层3，其中，可见光传导层3设于所述X射线转换层1与光电转化层2之间；X射线转换层1用于将X射线转换为可见光；所述光电转化层2包括多个转化单元20，每个转化单元20包括光敏元件21和与所述光敏元件21连接的读取电路22，所述光敏元件21用于接收来自可见光传导层3的出光部的可见光，并将可见光转换为电信号，所述读取电路22用于读取所述光敏元件21的电信号；所述可见光传导层3包括入光部和出光部，所述入光部相较于所述出光部更靠近X射线转换层1设置，所述入光部的入光面的面积大于所述出光部的出光面的面积，所述可见光传导层3用于将由X射线转换层1入射到其中的可见光等比例缩小后传导至光敏元件21。
本实施例的平板探测器利用可见光传导层3面积较大的入光面收集来自可见光传导层3的出光部的可见光，并等比例缩小后，由面积较小的出光面射入光敏元件21，这样相当于提高了光敏元件21对X射线转换层1的可见光的吸收率，提高了探测灵敏度。该平板探测器用于医疗领域应用中，还可降低病人吸收的X射线辐射剂量，同时保护了医务人员。
实施例2：
本实施例提供一种平板探测器，如图2-图8所示，包括X射线转换层1，光电转化层2，以及可见光传导层3，其中，可见光传导层3设于所述X射线转换层1与光电转化层2之间；所述光电转化层2包括多个转化单元20，每个转化单元20包括光敏元件21和与所述光敏元件21连接的读取电路22，所述可见光传导层3包括与每个转化单元20的光敏元件21一一对应设置的纤维光锥30，如图4所示，所述纤维光锥30具有相对的大端31和小端32，大端31为入光部，所述小端32为出光部，所述大端31相较于小端32更靠近X射线转换层1设置，所述大端31的入光面的面积大于小端32的出光面的面积，所述纤维光锥30可将由X射线转换层1入射到其中的可见光等比例缩小后传导至光敏元件21。
本实施例中X射线转换层1将入射的X射线转换为550nm左右波长的可见光，纤维光锥30将上述可见光等比例缩小后经由小端32传导至光敏元件21，光敏元件21接收来自可见光传导层3的出光部的可见光，并将可见光转换为电信号，所述读取电路22用于读取所述光敏元件21的电信号。
本实施例中的纤维光锥30是由直径为5μm-6μm的光导纤维规则排列，并且一端的每根纤维均匀拉伸成锥型的图像传输器件，具有将图像放大和缩小的作用。具体的，纤维光锥30是一种可以提供放大或缩小的、无畸变图像传输的传像器件，其放大和缩小倍数等于光锥两端面直径之比。与其他纤维光学元件相类，光锥中的每根光学纤维都具有光绝缘性，能够独立传光，不受临近光学纤维的影响。图像紧贴于光锥的一端，则被组成光锥的数千万根光纤分解为与其相对应的像元；规则排列的光纤将所携带的像元信息一一对应地传递到光锥的另一端；像元在传递过程中随光纤直径的变化被放大或缩小，在出射端面按原排列方式组合成像。在此不限定纤维光锥30的具体形状，其可以是圆形光锥、方形光锥。
作为本实施例中的一种可选实施方案，如图3、图4所示，所述纤维光锥30的锥壁上设有反射层33。
其中，反射层33的作用是：阻止可见光在相邻的纤维光锥30之间的横向扩散，防止相邻的光锥之间的光产生串扰。
在一个实施例中，所述反射层33由金属材料构成。
也就是说，反射层33的金属材料可选用Al材料，金属Al的反射率较高，且涂层工艺简单。
在一个实施例中，如图5、图6所示，所述X射线转换层1由碘化铯闪烁晶体阵列10或GOS(Gd2O2S:Tb)颗粒构成。
具体的，碘化铯闪烁晶体阵列10括多个独立的针状碘化铯闪烁晶体，所述的针状具体可以是圆柱体形状或接近于圆柱体的形状，在此不限定X射线转换层1的具体厚度，通常碘化铯闪烁晶体阵列10形成的X射线转换层1的厚度为100-1000微米。
在一个实施例中，所述光敏元件21包括光电二极管，如图7、图8所示，所述纤维光锥30的小端32在X射线转换层1上的正投影与光电二极管在X射线转换层1上的正投影重合。
其中，光电二极管在可见光照射的作用下，将可见光转换为正负电荷电信号。
在一个实施例中，所述读取电路22包括非晶硅薄膜晶体管。
也就是说，读取电路22中利用非晶硅薄膜晶体管进行控制，将光电二极管的转化的电信号结果读出至信号储存单元(图中未显示)中，并经过进一步放大、模/数转换等处理后，最终获得图像信息。
在一个实施例中，所述非晶硅薄膜晶体管与光电二极管至X射线转换层1上的正投影无交叠。
其中，在平板探测器制备过程中，先形成非晶硅薄膜晶体管，然后再在形成光电二极管，若非晶硅薄膜晶体管与光电二极管至X射线转换层1上的正投影交叠，相当于在非晶硅薄膜晶体管上制备光电二极，则后续形成光电二极管的过程中可能会对非晶硅薄膜晶体管造成不良影响，将二者错开，可以保护非晶硅薄膜晶体管不被损坏。
在一个实施例中，所述光电二极管与非晶硅薄膜晶体管的漏极通过金属层导线连接。
也就是说，相当于将非晶硅薄膜晶体管的漏极延伸，从而方便与光电二极管连接，并且延伸的金属层表面光滑有较少的刻蚀损伤，有利于形成高质量的光电二极管，且能避免光电二极管膜层的剥离脱落现象。
在一个实施例中，所述非晶硅薄膜晶体管与X射线转换层1之间设有遮光层23。
为了进一步保护非晶硅薄膜晶体管，在其上方设置了遮光层，防止其受光线照射。光电转化层2还包括与光电二极管连接的信号线，该信号线设于光电二极管与可见光传导层3之间，通常该信号线由金属制成，更进一步的，遮光层23也由金属制成，并且遮光层可与信号线同层，即信号线可与遮光层23采用一次构图工艺形成。
在一个实施例中，在遮光层背离非晶硅薄膜晶体管的一侧设有钝化层。
也就是说，在非晶硅薄膜晶体管以及光电二极管与可见光传导层3之间设置钝化层以使光电转化层2平坦化并起到保护作用。
在本实施例对应的附图中，显示了附图所示各结构层的大小、厚度等仅为示意。在工艺实现中，各结构层在衬底上的投影面积可以相同，也可以不同。
实施例3：
本实施例提供一种上述的平板探测器的制备方法，如图3所示，包括以下制备步骤：
S01、形成非晶硅薄膜晶体管；具体的，可以在衬底上形成顶栅型或底栅型非晶硅薄膜晶体管已完成读取电路22的制作。
S02、完成上述步骤的衬底上沉积形成第一金属层并通过过孔与上述薄膜晶体管的漏极进行搭接，作为漏极的延长，并能保证其上方膜层的沉积质量以及避免膜层剥离脱落的现象；
S03、完成上述步骤的衬底上形成光电二极管作为光敏元件21，一次沉积钝化层或涂布树脂，并制备与光电二极管通过过孔进行连接的信号线；需要说明的是，在此可以在光线二极管上方形成第二金属层，并通过一次构图工艺同时形成信号线和非晶硅薄膜晶体管的遮光层23。
S04、涂布树脂材料或沉积其他透明钝化层膜层，形成钝化层24。
S05、将纤维光锥30的小端32耦合在光线二极管的正上方，其中，维光锥的小端32与光线二极管的尺寸相匹配，即二者相对的面的面积相同。
作为本实施例的一种优选方案，该步骤还包括在纤维光锥30的锥壁形成金属的反射层33的步骤，具体的，可以利用磁控溅射或电镀的方法在纤维光锥30的锥壁上沉积金属材料以形成金属反射层33。
S06、在纤维光锥30的大端31上，蒸镀或贴合CsI或GOS等闪烁体材料，依次排列形成阵列作为X射线转换层1。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：
X射线转换层，用于将X射线转换为可见光；
光电转化层，所述光电转化层包括多个转化单元，每个转化单元包括光敏元件和与所述光敏元件连接的读取电路，所述光敏元件用于接收来自可见光传导层的出光部的可见光，并将可见光转换为电信号，所述读取电路用于读取所述光敏元件的电信号；
设于所述X射线转换层与光电转化层之间的可见光传导层，所述可见光传导层包括入光部和出光部，所述入光部相较于所述出光部更靠近X射线转换层设置，所述入光部的入光面的面积大于所述出光部的出光面的面积，所述可见光传导层用于将由X射线转换层入射到其中的可见光等比例缩小后传导至光敏元件。
2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述可见光传导层包括与每个转化单元的光敏元件一一对应设置的纤维光锥，所述纤维光锥具有相对的大端和小端，所述大端为入光部，所述小端为出光部。
3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述纤维光锥的锥壁上设有金属反射层。
4.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述光敏元件包括光电二极管，所述纤维光锥的小端在X射线转换层上的正投影与光电二极管在X射线转换层上的正投影重合。
5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述读取电路包括非晶硅薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述非晶硅薄膜晶体管与光电二极管至X射线转换层上的正投影无交叠，所述非晶硅薄膜晶体管与X射线转换层之间设有遮光层。
7.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述光电二极管与非晶硅薄膜晶体管的漏极通过导线连接。
8.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述X射线转换层由碘化铯闪烁晶体阵列或Gd2O2S:Tb颗粒构成。
9.一种权利要求1-8任一项所述的平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
依次形成光电转化层、可见光传导层以及X射线转换层。
10.根据权利要求9所述的平板探测器的制备方法，其特征在于，所述平板探测器为权利要求3所述的平板探测器，所述金属反射层是利用磁控溅射或电镀的方法在纤维光锥的锥壁上沉积金属材料以形成金属反射层。
CN201811384620.4A 2018-11-20 2018-11-20 一种平板探测器及其制备方法 Pending CN109545810A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811384620.4A CN109545810A (zh) 2018-11-20 2018-11-20 一种平板探测器及其制备方法
US16/526,852 US11237281B2 (en) 2018-11-20 2019-07-30 Flat-panel detector comprising light-transmission layer between ray-conversion layer and photoelectric conversion layer and method of manufacturing flat-panel detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811384620.4A CN109545810A (zh) 2018-11-20 2018-11-20 一种平板探测器及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109545810A true CN109545810A (zh) 2019-03-29

Family

ID=65848995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811384620.4A Pending CN109545810A (zh) 2018-11-20 2018-11-20 一种平板探测器及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11237281B2 (zh)
CN (1) CN109545810A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110770606A (zh) * 2019-06-28 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 辐射检测和制造辐射检测器的方法
WO2022001440A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及其制造方法
WO2022022110A1 (zh) * 2020-07-29 2022-02-03 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及成像系统
CN114122034A (zh) * 2021-04-19 2022-03-01 友达光电股份有限公司 X光感测装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7046698B2 (ja) * 2018-04-24 2022-04-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法
CN110049255B (zh) * 2019-04-19 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 可变光阑及控制方法
US20220120921A1 (en) * 2020-10-16 2022-04-21 Brown Universtiy High resolution x-ray detector system
CN114520239B (zh) * 2020-11-20 2025-05-13 京东方科技集团股份有限公司 X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012851A (ja) * 1996-06-18 1998-01-16 Hamamatsu Photonics Kk 放射線撮像装置
CN1257415A (zh) * 1998-03-25 2000-06-21 三菱电机株式会社 高分辨率实时x射线图像装置
CN101509977A (zh) * 2008-02-12 2009-08-19 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
JP2012159483A (ja) * 2011-02-03 2012-08-23 Sony Corp 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム
CN105304656A (zh) * 2014-06-23 2016-02-03 上海箩箕技术有限公司 光电传感器
CN107195647A (zh) * 2017-04-25 2017-09-22 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种非晶硅平板探测器及其制备方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864146A (en) * 1996-11-13 1999-01-26 University Of Massachusetts Medical Center System for quantitative radiographic imaging
US6031892A (en) * 1989-12-05 2000-02-29 University Of Massachusetts Medical Center System for quantitative radiographic imaging
US5150394A (en) * 1989-12-05 1992-09-22 University Of Massachusetts Medical School Dual-energy system for quantitative radiographic imaging
US5059800A (en) * 1991-04-19 1991-10-22 General Electric Company Two dimensional mosaic scintillation detector
EP0704131B1 (en) * 1993-06-16 2001-07-18 Cambridge Imaging Limited Imaging system
US5391879A (en) * 1993-11-19 1995-02-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation detector
JPH07211877A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像検出器及び放射線像検出装置
US5572034A (en) * 1994-08-08 1996-11-05 University Of Massachusetts Medical Center Fiber optic plates for generating seamless images
DE9421296U1 (de) * 1994-10-17 1996-02-22 Kovacs, Sandor, 81377 München Röntgenaufnahmegerät
US5563414A (en) * 1994-11-03 1996-10-08 Siemens Aktiengesellschaft X-ray image sensor
US5715292A (en) * 1994-11-25 1998-02-03 Loral Fairchild Corporation Digital sensor cassette for mammography
US5636299A (en) * 1994-12-28 1997-06-03 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Hybrid luminescent device and method for imaging penetrating radiation
US5594253A (en) * 1994-12-28 1997-01-14 Lockheed Missiles And Space Company, Inc. Hybrid luminescent device for imaging of ionizing and penetrating radiation
US6005911A (en) * 1995-11-17 1999-12-21 Trex Medical Corporation Large area array, single exposure digital mammography
JP3836208B2 (ja) * 1997-04-09 2006-10-25 浜松ホトニクス株式会社 医療用小型ｘ線画像検出装置
US6087665A (en) * 1997-11-26 2000-07-11 General Electric Company Multi-layered scintillators for computed tomograph systems
US6448544B1 (en) * 1998-06-08 2002-09-10 Brandeis University Low noise, high resolution image detection system and method
JP3582825B2 (ja) * 1998-12-14 2004-10-27 浜松ホトニクス株式会社 光学素子及びこれを用いた放射線検出器
US6472665B1 (en) * 1999-02-12 2002-10-29 Konica Corporation Radiation image detector and radiation image forming system
WO2000049840A1 (en) * 1999-02-19 2000-08-24 The Research Foundation Of State University Of New York Radiographic imaging apparatus and method for vascular interventions
JP3276614B2 (ja) * 1999-04-22 2002-04-22 浜松ホトニクス株式会社 光学素子、放射線イメージセンサ及び光学素子の製造方法
JP3595759B2 (ja) * 1999-07-02 2004-12-02 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP2001074847A (ja) * 1999-07-08 2001-03-23 Canon Inc 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP3347708B2 (ja) * 1999-08-04 2002-11-20 キヤノン株式会社 ２次元画像入力装置及びそれを用いた画像処理システム
EP2290952A3 (en) * 2000-07-27 2011-08-17 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus
JP4681774B2 (ja) * 2001-08-30 2011-05-11 キヤノン株式会社 撮像素子、その撮像素子を用いた撮像装置、及びその撮像装置を用いた撮像システム
JP3647440B2 (ja) * 2002-05-28 2005-05-11 キヤノン株式会社 Ｘ線撮影装置
US7135686B1 (en) * 2002-11-19 2006-11-14 Grady John K Low noise x-ray detector for fluoroscopy
US7692156B1 (en) * 2006-08-23 2010-04-06 Radiation Monitoring Devices, Inc. Beam-oriented pixellated scintillators for radiation imaging
US8519338B2 (en) * 2007-08-23 2013-08-27 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona X-ray detector including scintillator, a lens array, and an image intensifier
JP5766710B2 (ja) * 2010-10-26 2015-08-19 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置およびプログラム
CN107280700B (zh) * 2016-03-31 2023-06-20 通用电气公司 Ct成像设备及方法、用于ct成像设备的x射线收发组件
US11103207B1 (en) * 2017-12-28 2021-08-31 Radiation Monitorng Devices, Inc. Double-pulsed X-ray source and applications

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012851A (ja) * 1996-06-18 1998-01-16 Hamamatsu Photonics Kk 放射線撮像装置
CN1257415A (zh) * 1998-03-25 2000-06-21 三菱电机株式会社 高分辨率实时x射线图像装置
CN101509977A (zh) * 2008-02-12 2009-08-19 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
JP2012159483A (ja) * 2011-02-03 2012-08-23 Sony Corp 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム
CN105304656A (zh) * 2014-06-23 2016-02-03 上海箩箕技术有限公司 光电传感器
CN107195647A (zh) * 2017-04-25 2017-09-22 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种非晶硅平板探测器及其制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110770606A (zh) * 2019-06-28 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 辐射检测和制造辐射检测器的方法
WO2020258282A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Radiation detection and method of fabricating radiation detector
CN110770606B (zh) * 2019-06-28 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 辐射检测和制造辐射检测器的方法
WO2022001440A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及其制造方法
CN113933324A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及其制造方法
CN113933324B (zh) * 2020-06-29 2023-07-14 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及其制造方法
US12072452B2 (en) 2020-06-29 2024-08-27 Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. Flat panel detector and manufacturing method thereof
WO2022022110A1 (zh) * 2020-07-29 2022-02-03 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及成像系统
CN114122034A (zh) * 2021-04-19 2022-03-01 友达光电股份有限公司 X光感测装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200158892A1 (en) 2020-05-21
US11237281B2 (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109545810A (zh) 一种平板探测器及其制备方法
US8581254B2 (en) Photodetector having improved quantum efficiency
CN105324683B (zh) 具有嵌入在tft平板中的cmos传感器的x射线成像器
CN102949197B (zh) 放射线检测器和放射线图像摄影装置
TWI464442B (zh) 雙幕數位放射線照相影像偵測陣列
CN101893717A (zh) 闪烁体面板以及闪烁体组合板
KR102563942B1 (ko) 하이브리드 액티브 매트릭스 평판 감지기 시스템 및 방법
US9219176B2 (en) Radial ray detector and method for manufacturing the same
US20130048861A1 (en) Radiation detector, radiation detector fabrication method, and radiographic image capture device
JP2003521671A (ja) 放射線検出用複合ナノ発光体スクリーン
US9176239B2 (en) Radiological image conversion panel, method of manufacturing the same, and radiological image detection apparatus
JP2011114229A (ja) 放射線センサおよび放射線画像撮影装置
CN107742628A (zh) 柔性闪烁屏、放射线图像传感器及其制备方法
CN107195647A (zh) 一种非晶硅平板探测器及其制备方法
US20130048862A1 (en) Radiation detector, radiation detector fabrication method, and radiographic image capture device
CN107799539A (zh) 一种光电探测结构及其制备方法
CN201852941U (zh) 辐射探测器及其成像装置和电极结构
US20220381929A1 (en) Ray detector substrate, ray detector and ray detection method
CN104241436B (zh) 一种x射线探测基板及其制备方法、x射线探测设备
US20190361133A1 (en) Photoelectric detection structure and preparation method thereof
JP2547908B2 (ja) 放射線検出装置
US7772558B1 (en) Multi-layer radiation detector and related methods
JP2002202373A (ja) 平面検出器及びその製造方法
CN111863849B (zh) 一种x射线平板探测器及其制备方法
CN102636802A (zh) 放射图像检测设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190329