CN109300926B - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法，其包括：使用多穿透率的半色调光罩在光阻层上形成位于栅极正上方的凹槽和位于基板中间区域上方的第一通孔，并去除光阻层的边缘部分，通过第一通孔将光阻层分割成在栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域。通过使用一道多穿透率的半色调光罩，将光阻层分割成在栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域，将光电二极管阵列的制程的光罩与显示面板的制作工艺中第二道光罩相融合，从而达到了减少光罩，节约制程成本的目的。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
在现如今社会，显示面板无处不在，不论是电视、电脑、智能手机等，都离不开显示面板的支撑。在现有的显示面板中，薄膜晶体管的制作和光电二极管的制作均采用相应的光罩制程，而制作光罩耗费时间，且价格昂贵，所以，如何减少光罩和降低制程成本一直是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，可达到减少光罩，节约制程成本的目的。
一方面，本发明实施例提供了一种显示面板制作方法，该方法包括：
提供一层基板，在所述基板上形成栅极；
在所述栅极上依次覆盖栅极绝缘层、半导体层、接触层、第二金属层、光电二极管层，并在所述光电二极管层表面覆盖光阻层；
通过多穿透率的半色调光罩在所述光阻层上形成位于所述栅极正上方的凹槽和位于所述基板中间区域上方的第一通孔，并去除光阻层的边缘部分，通过所述第一通孔将光阻层分割成在所述栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域；
对未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻至暴露出所述栅极绝缘层；
导通所述凹槽部位形成暴露所述光电二极管层的第二通孔；
对所述第二通孔处进行蚀刻直至暴露出所述半导体层，以形成通过所述接触层与半导体层相接触的源极和漏极；
去除所述第一区域剩余的光阻层以及所述第一区域的所述光电二极管层；
去除所述第二区域的所述光阻层，并在所述基板上方裸露的表面覆盖钝化层；
在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔；
在所述第一电极过孔和所述第二电极过孔处形成像素电极。
另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板制作方法，该方法包括：
在所述基板上覆盖第一金属层，通过第一道光罩对所述第一金属层进行蚀刻以形成栅极；
在所述栅极上依次覆盖栅极绝缘层、半导体层、接触层、第二金属层、光电二极管层，并在所述光电二极管层表面覆盖光阻层；
通过多穿透率的半色调光罩在所述光阻层上形成位于所述栅极正上方的凹槽和位于所述基板中间区域上方的第一通孔，并去除光阻层的边缘部分，通过所述第一通孔将光阻层分割成在所述栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域；
对未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻至暴露出所述栅极绝缘层；
通过所述多穿透率的半色调光罩对第一区域表面的所述光阻层进行处理，让所述凹槽部位导通以形成暴露出所述光电二极管层的第二通孔；
对所述第二通孔处进行蚀刻直至暴露出所述半导体层，以形成通过所述接触层与半导体层相接触的源极和漏极；
去除所述第一区域剩余的光阻层以及所述第一区域的所述光电二极管层；
去除所述第二区域的所述光阻层，并在所述基板上方裸露的表面覆盖钝化层；
在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔；
在所述钝化层表面覆盖透明电极层，所述透明电极层穿过所述第一电极过孔和所述第二电极过孔分别与所述漏极和所述光电二极管层接触，通过第四次光罩在所述透明电极层上蚀刻形成像素电极；
所述多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处穿透率成线性变化。
又一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
基板；
栅极，位于所述基板表面，所述栅极上覆盖有栅极绝缘层；
半导体层，所述半导体层位于所述栅极绝缘层上，其包括位于所述栅极上方第一区域的第一区域半导体层和位于与所述第一区域相间隔的第二区域的第二区域半导体层；
接触层，所述接触层位于所述第一区域和第二区域的半导体层上，所述第一区域的接触层分为与上表面源极相接触的源极接触层，以及与上表面漏极相接触的漏极接触层，所述源极和所述漏极分别通过所述源极接触层和所述漏极接触层与所述半导体层相接触，所述第二区域的接触层上方依次覆盖有第二金属层和光电二极管层；
钝化层，覆盖于所述基板上方所有裸露的表面，所述钝化层表面开设有通向所述漏极和所述光电二极管层的过孔；
像素电极，所述像素电极覆盖在所述钝化层表面，并通过所述过孔与所述漏极和所述光电二极管层相连。
本发明实施例的显示面板的制作方法，通过使用一道多穿透率的半色调光罩，将光阻层分割成在栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域，将光电二极管阵列的制程的光罩与显示面板的制作工艺中第二道光罩相融合，从而达到了减少光罩，节约制程成本的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的示意流程图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤101的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤102及对应多穿透率半色调光罩的示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤103的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤104的示意图；
图6为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤105的示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤106的示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤107和108的示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的步骤109的示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种显示面板的多穿透率半色调光罩的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
参见图1，其为本发明实施例一提供的一种显示面板制作方法的示意流程图，如图所示，该方法包括以下步骤S101～S110：
步骤S101：如图2所示，提供一层基板100，在基板100上形成栅极200。
具体地，在基板100上覆盖第一金属层(未在图中示出)，通过第一道光罩(未在图中示出)制程对第一金属层进行蚀刻以形成栅极200。
步骤S102：如图3所示，在栅极200上依次覆盖栅极绝缘层300、半导体层400、接触层500、第二金属层600、光电二极管层700，并在光电二极管层700表面覆盖光阻层800。
步骤S103：如图4所示，通过多穿透率的半色调光罩M在光阻层800上形成位于栅极200正上方的凹槽810和位于基板100中间区域上方的第一通孔820，并去除光阻层的边缘部分，通过第一通孔820将光阻层800分割成第一区域110第二区域120。
具体地，参见图4和图11所示，多穿透率的半色调光罩M分为M1-M7的7个区域，其中M1、M5和M7区域为完全穿透，M1和M7区域在光罩制程用以去除光阻层的边缘部分，M2和M4区域具有一定的穿透率且穿透率相同，M2和M4区域的穿透率小于M3区域的穿透率，M3区域和M2、M4区域用以形成在栅极200一侧的第一区域110和位于栅极200正上方的凹槽810，M6区域穿透率为0，其用以形成位于栅极另一侧的第二区域120。
步骤S104：如图5所示对未被光阻层800覆盖的区域进行蚀刻至暴露出栅极绝缘层300。
步骤S105：如图6所示，导通凹槽810部位形成暴露光电二极管层700的第二通孔830。
具体地，通过多穿透率的半色调光罩M对第一区域110表面的光阻层800进行处理，让凹槽810部位导通以形成暴露出光电二极管层700的第二通孔830。光电二极管可例如为P-I-N结光电二极管。
步骤S106：如图7所示，对第二通孔830处进行蚀刻直至暴露出半导体层400，以形成通过接触层500与半导体层400相接触的源极610和漏极620。
步骤S107：如图8所示，去除第一区域110剩余的光阻层800以及第一区域110的光电二极管层700。
步骤S108：如图8所示，去除第二区域120的光阻层800，并在基板100上方裸露的表面覆盖钝化层900。
步骤S109：如图9所示，在钝化层900表面形成对应漏极620的第一电极过孔910和对应光电二极管层700的第二电极过孔920。
具体地，通过第三道光罩(图中未示出)对钝化层900的预定位置进行蚀刻，直至暴露出漏极620和光电二极管层700，以形成外部通向漏极620和光电二极管层700的通孔，即对应漏极620的第一电极过孔910和对应光电二极管层700的第二电极过孔920。
步骤S110：如图10所示，在第一电极过孔910和第二电极过孔920处形成像素电极999。
具体地，在钝化层900表面覆盖透明电极层(图中未示出)，透明电极层穿过第一电极过孔910和第二电极过孔920分别与漏极620和光电二极管层700接触，通过第四次光罩(图中未示出)在透明电极层上蚀刻形成像素电极999。
具体地，通过使用一道多穿透率的半色调光罩，将光阻层分割成在栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域，将光电二极管阵列的制程的光罩与显示面板的制作工艺中第二道光罩相融合，从而达到了减少光罩，节约制程成本的目的。
进一步地，多穿透率的半色调光罩M在不同穿透率的每段区域相连处穿透率成线性变化。
具体地，如图11所示，在每区段的连接处，如M2和M3区域的连接处，M2区域和M3区域的穿透率不一样，连接处采用线性变化的穿透率可以使曝光后的光阻层图案的边缘成上窄下宽的倾斜截面，如此，在对光阻层下方的材料层进行蚀刻时，可对出现的蚀刻截面内凹情况进行补偿，倾斜截面的光阻层边缘对材料层的蚀刻截面起到一个补偿保护的作用。
参见图10所示，为本发明实施例提供的一种显示面板，包括基板100、栅极200、栅极绝缘层300、半导体层400、接触层500、源极610、漏极620、第二金属层600光电二极管层700、钝化层900以及像素电极999，栅极200位于基板100表面，栅极200上覆盖有栅极绝缘层300；半导体层400位于栅极绝缘层300上，其包括位于栅极200上方第一区域110的第一区域半导体层和位于与第一区域110相间隔的第二区域120的第二区域半导体层；接触层500位于第一区域110和第二区域120的半导体层400上，第一区域110的接触层500分为与上表面源极610相接触的源极接触层，以及与上表面漏极620相接触的漏极接触层，源极610和漏极620分别通过源极接触层和漏极接触层与半导体层400相接触，第二区域120的接触层500上方依次覆盖有第二金属层600和光电二极管层700；钝化层900覆盖于基板100上方所有裸露的表面，钝化层900表面开设有通向漏极620和光电二极管层700的过孔；像素电极999覆盖在钝化层900表面，并通过过孔与漏极620和光电二极管层700相连。源极、漏极和光电二极管层通过一道多穿透率半色调光罩形成。
具体地，通过使用一道多穿透率的半色调光罩，将光阻层分割成在栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域，将光电二极管阵列的制程的光罩与显示面板的制作工艺中第二道光罩相融合，从而达到了减少光罩，节约制程成本的目的。
进一步地，多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处穿透率成线性变化。
具体地，如图11所示，在每区段的连接处，如M2和M3区域的连接处，M2区域和M3区域的穿透率不一样，连接处采用线性变化的穿透率可以使曝光后的光阻层图案的边缘成上窄下宽的倾斜截面，如此，在对光阻层下方的材料层进行蚀刻时，可对出现的蚀刻截面内凹情况进行补偿，倾斜截面的光阻层边缘对材料层的蚀刻截面起到一个补偿保护的作用。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法，仅仅是示意性的，可以通过其它的方式实现。
需要说明的是，本发明实施例中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括:
提供一层基板，在所述基板上形成栅极；
在所述栅极上依次覆盖栅极绝缘层、半导体层、接触层、第二金属层、光电二极管层，并在所述光电二极管层表面覆盖光阻层；
通过多穿透率的半色调光罩在所述光阻层上形成位于所述栅极正上方的凹槽和位于所述基板中间区域上方的第一通孔，并去除光阻层的边缘部分，通过所述第一通孔将光阻层分割成在所述栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域；
对未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻至暴露出所述栅极绝缘层；
导通所述凹槽部位形成暴露所述光电二极管层的第二通孔；
对所述第二通孔处进行蚀刻直至暴露出所述半导体层，以形成通过所述接触层与半导体层相接触的源极和漏极；
去除所述第一区域剩余的光阻层以及所述第一区域的所述光电二极管层；
去除所述第二区域的所述光阻层，并在所述基板上方裸露的表面覆盖钝化层；
在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔；
在所述第一电极过孔和所述第二电极过孔处形成像素电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述提供一层基板，在所述基板上形成栅极包括：
在所述基板上覆盖第一金属层，通过第一道光罩对所述第一金属层进行蚀刻以形成栅极。
3.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述导通所述凹槽部位形成暴露所述光电二极管层的第二通孔包括：
通过所述多穿透率的半色调光罩对第一区域表面的所述光阻层进行处理，让所述凹槽部位导通以形成暴露出所述光电二极管层的第二通孔。
4.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔包括：
通过第三道光罩对所述钝化层的预定位置进行蚀刻，直至暴露出所述漏极和所述光电二极管层，以形成外部通向所述漏极和所述光电二极管层的通孔。
5.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极过孔和所述第二电极过孔处形成像素电极包括：
在所述钝化层表面覆盖透明电极层，所述透明电极层穿过所述第一电极过孔和所述第二电极过孔分别与所述漏极和所述光电二极管层接触，通过第四次光罩在所述透明电极层上蚀刻形成像素电极。
6.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处，穿透率成线性变化。
7.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：
在基板上覆盖第一金属层，通过第一道光罩对所述第一金属层进行蚀刻以形成栅极；
在所述栅极上依次覆盖栅极绝缘层、半导体层、接触层、第二金属层、光电二极管层，并在所述光电二极管层表面覆盖光阻层；
通过多穿透率的半色调光罩在所述光阻层上形成位于所述栅极正上方的凹槽和位于所述基板中间区域上方的第一通孔，并去除光阻层的边缘部分，通过所述第一通孔将光阻层分割成在所述栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域；
对未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻至暴露出所述栅极绝缘层；
通过所述多穿透率的半色调光罩对第一区域表面的所述光阻层进行处理，让所述凹槽部位导通以形成暴露出所述光电二极管层的第二通孔；
对所述第二通孔处进行蚀刻直至暴露出所述半导体层，以形成通过所述接触层与半导体层相接触的源极和漏极；
去除所述第一区域剩余的光阻层以及所述第一区域的所述光电二极管层；
去除所述第二区域的所述光阻层，并在所述基板上方裸露的表面覆盖钝化层；
在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔；
在所述钝化层表面覆盖透明电极层，所述透明电极层穿过所述第一电极过孔和所述第二电极过孔分别与所述漏极和所述光电二极管层接触，通过第四次光罩在所述透明电极层上蚀刻形成像素电极；
所述多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处穿透率成线性变化。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
栅极，位于所述基板表面，所述栅极上覆盖有栅极绝缘层；
半导体层，所述半导体层位于所述栅极绝缘层上，其包括位于所述栅极上方第一区域的第一区域半导体层和位于与所述第一区域相间隔的第二区域的第二区域半导体层；
接触层，所述接触层位于所述第一区域和第二区域的半导体层上，所述第一区域的接触层分为与上表面源极相接触的源极接触层，以及与上表面漏极相接触的漏极接触层，所述源极和所述漏极分别通过所述源极接触层和所述漏极接触层与所述半导体层相接触，所述第二区域的接触层上方依次覆盖有第二金属层和光电二极管层；
钝化层，覆盖于所述基板上方所有裸露的表面，所述钝化层表面开设有通向所述漏极和所述光电二极管层的过孔；
像素电极，所述像素电极覆盖在所述钝化层表面，并通过所述过孔与所述漏极和所述光电二极管层相连；
其中，所述源极、漏极和所述光电二极管层通过一道多穿透率半色调光罩形成。
9.根据权利要求8所述的一种显示面板，其特征在于，所述多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处穿透率成线性变化。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811169412.2A CN109300926B (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种显示面板及其制作方法 |
| US16/328,787 US10840276B2 (en) | 2018-10-08 | 2018-11-28 | Display panel and method for manufacturing the same |
| PCT/CN2018/117990 WO2020073448A1 (zh) | 2018-10-08 | 2018-11-28 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811169412.2A CN109300926B (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109300926A CN109300926A (zh) | 2019-02-01 |
| CN109300926B true CN109300926B (zh) | 2020-01-21 |
Family
ID=65161860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811169412.2A Active CN109300926B (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种显示面板及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109300926B (zh) |
| WO (1) | WO2020073448A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111293080B (zh) * | 2020-02-18 | 2024-05-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN114551481A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-05-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2018
- 2018-10-08 CN CN201811169412.2A patent/CN109300926B/zh active Active
- 2018-11-28 WO PCT/CN2018/117990 patent/WO2020073448A1/zh not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109300926A (zh) | 2019-02-01 |
| WO2020073448A1 (zh) | 2020-04-16 |
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|---|---|---|---|
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| GR01 | Patent grant |