CN109285874A - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决发光单元中的电极与辅助电极之间不能有效连接的问题。该阵列基板包括：设置于像素阵列上方的像素界定层，以及由像素界定层围设的多个发光单元；其中，发光单元包括位于像素阵列上方依次设置的像素电极、发光层、阴极；阵列基板还包括：位于像素阵列上、且位于像素界定层区域的辅助电极；阵列基板在辅助电极的上方设置有通孔，阴极和发光层的延伸部延伸至通孔中；阵列基板在通孔中设置有导电柱，且导电柱贯穿发光层的延伸部，辅助电极通过所述导电柱与所述阴极连接。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

其中，OLED器件作为一种电流驱动组件，当外部线路过长或过细时,则会造成严重的电压梯度，进而导致显示不均；现有技术中，一般通过对OLED器件的电极增加辅助电极，来减小因线路过长导致的电压梯度，但是OLED器件的电极与辅助电极之间容易因OLED器件中的有机发光材料而不能有效的连接。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够解决发光单元中的电极与辅助电极之间不能有效连接的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括设置于像素阵列上方的像素界定层，以及由所述像素界定层围设的多个发光单元；其中，所述发光单元包括位于像素阵列上方依次设置的像素电极、发光层、阴极；所述阵列基板还包括：位于所述像素阵列上、且位于所述像素界定层区域的辅助电极；所述阵列基板在所述辅助电极的上方设置有通孔，所述阴极和所述发光层的延伸部延伸至所述通孔中；所述阵列基板在所述通孔中设置有导电柱，且所述导电柱贯穿所述发光层的延伸部，所述辅助电极通过所述导电柱与所述阴极连接。

在一些实施例中，所述导电柱的顶部高于所述发光层的延伸部的顶部且与所述阴极接触。

在一些实施例中，所述导电柱的顶部高于所述发光层的延伸部的顶部10nm～100nm。

在一些实施例中，所述导电柱的材料包括导电纳米颗粒。

在一些实施例中，所述导电柱为圆柱结构，其直径为1μm～8μm。

在一些实施例中，所述导电柱的高度为100nm～500nm。

在一些实施例中，所述发光单元为有机发光二极管单元。

本发明的实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在形成有像素阵列的基板上形成辅助电极；在形成有所述辅助电极的基板上依次形成像素电极、像素界定层；其中，所述像素界定层在设置有所述辅助电极的区域设置有通孔，以暴露出对应该通孔位置处的所述辅助电极；在所述通孔内形成导电柱；在形成有所述导电柱的基板上形成发光层，其中，所述发光层的延伸部延伸至所述通孔中，且所述导电柱贯穿所述发光层的延伸部；所述发光层的延伸部的顶部不高于所述导电柱的顶部；在形成有所述发光层的基板上形成阴极，且所述阴极覆盖所述导电柱的顶部。

在一些实施例中，所述在所述通孔内形成导电柱包括：在所述通孔内，采用喷墨打印工艺与干燥工艺同时进行，形成导电柱。

本发明的实施例还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：设置于像素阵列上方的像素界定层，以及由像素界定层围设的多个发光单元；其中，发光单元包括位于像素阵列上方依次设置的像素电极、发光层、阴极；阵列基板还包括：位于像素阵列上、且位于像素界定层区域的辅助电极；阵列基板在辅助电极的上方设置有通孔，阴极和发光层的延伸部延伸至通孔中；阵列基板在通孔中设置有导电柱，且导电柱贯穿发光层的延伸部，辅助电极通过所述导电柱与所述阴极连接。

综上所述，本发明中，通过在通孔内设置导电柱，且该导电柱贯穿发光层在通孔内的延伸部，使得阴极能够通过该导电柱与辅助电极连接，从而避免了因发光层的隔绝，导致阴极与辅助电极之间不能有效连接的弊端。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例中提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作流程图；

图5a为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5b为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5c为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5d为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5e为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5f为本发明实施例中提供的一种阵列基板的制作过程中的示意图之一。

附图标记：

01-阵列基板；10-像素阵列；20-辅助电极；30-导电柱；100-发光层；101-像素电极；102-阴极；U-发光单元；PLN-平坦层；B-挡墙；PDL-像素界定层；H-通孔；S-延伸部。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本发明实施例提供一种相关技术中的阵列基板，如图1所示，该阵列基板01中包括设置于像素阵列10上方的像素界定层PDL，以及由像素界定层PDL中的挡墙B(Bank)围设的多个发光单元U；该发光单元U包括：位于像素阵列10上方依次设置的像素电极101、发光层100、阴极102。

其中，可以理解的是，像素界定层PDL由横纵交错的挡墙B构成，并且由挡墙B来界定各发光单元U的具体位置，图1中仅示意的画出了像素界定层PDL中的一个挡墙B的剖面图。另外，像素阵列10包括设置在衬底基板上的像素驱动电路阵列。

在一些实施例中，上述发光单元U可以为有机发光二极管(OLED)单元，并且像素电极101是针对单个OLED器件设置的单独电极，阴极102为针对所有的OLED器件设置的一体结构的面状电极(也即公共电极)。以下实施例均是以此为例，对本发明做进一步的说明。

实际中，为了避免因外部线路过细过长，导致阴极102与外部电路之间造成严重的电压梯度，进而对显示造成不良影响，因此，如图1所示，通过在阵列基板01中，在位于像素阵列10与发光单元U之间、对应像素界定层PDL区域设置有辅助电极20，通过将阴极102与辅助电极20进行电连接，以通过辅助电极20向阴极102输入信号，从而减小阴极102上产生的电压梯度，进而增加发光单元的发光效率。

针对阴极102与辅助电极20的连接方式而言，如图1所示，为了不对显示造成影响，一般在辅助电极20的上方设置通孔H，以将阴极102通过该通孔H与辅助电极20连接。

当然，可以理解的是，为了保证像素电极101与辅助电极20的正常进行电信号传输，一般的在像素电极101与辅助电极20会设置有绝缘的平坦层PLN，因此，对于上述辅助电极20的上方设置通孔H而言，一般为设置于辅助电极20上方的像素界定层PDL以及平坦层PLN上的通孔。

另外，由于上述通孔H的形成，在OLED器件中发光层100之前，从而使得在形成发光层100时，该发光层100的延伸部S会填充在通孔H内，进而导致在通孔内，发光层的延伸部会隔绝阴极与辅助电极之间的有效连接(可以参考图1)。

可以理解的是，位于通孔H内的发光层的延伸部本身不具备发光的条件，并不能进行发光，只是在制作时不可避免的形成于通孔H内。

在此基础上，本发明实施例提供一种能够避免前述因发光层延伸部S的隔绝，导致阴极102与辅助电极20之间不能有效连接的阵列基板；如图2所示，该阵列基板01在通孔H内设置有贯穿发光层的延伸部S的导电柱30，以使得阴极102通过导电柱30与辅助电极20连接。

其中，需要说明的是，对于上述“在通孔H内设置有贯穿发光层的延伸部S的导电柱30”而言，可以理解的是，必然存在发光层100的厚度小于或等于导电柱30的高度，具体的设置结构可以如下：

在一些实施例中，如图2所示的，在通孔H内，导电柱30背离像素阵列10一侧的顶部与发光层102的延伸部S背离像素阵列10一侧的顶部平齐。

在另一些实施例中，如图3所示的，在通孔H内，导电柱30背离像素阵列10一侧的顶部高于发光层102的延伸部S背离像素阵列10一侧的顶部。

示意的，在一些实施例中，导电柱30背离像素阵列10一侧的顶部高于发光层102的延伸部S背离像素阵列10一侧的顶部的距离D可以为10nm～100nm。

当然，实际中，为了尽可能的保证阴极102与辅助电极20的有效连接，一般优选的，如图3所示的，在通孔H内，导电柱30背离像素阵列10一侧的顶部高于发光层102的延伸部S背离像素阵列10一侧的顶部。

另外，在一些实施例中，可以如图2或图3所示，导电柱30与阴极102、辅助电极20直接接触，从而将两者进行连接；在另一些实施例中，导电柱30也可以通过其他的导电连接部与阴极102和/或辅助电极20间接连接；本发明对此不做限定，实际中可以根据具体的阵列基板类型，选择设置导电柱30与阴极102、辅助电极20的连接方式。当然，对于常规的阵列基板，一般优选的，如图2或图3所示，可以设置导电柱30与阴极102、辅助电极20直接接触的连接方式。

需要说明的是，“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，M和/或N，可以表示：单独存在M，同时存在M和N，单独存在N这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

综上所述，本发明中，通过在通孔H内，设置导电柱30，且该导电柱30贯穿发光层100的延伸部，使得阴极102能够通过该导电柱30与辅助电极20连接，从而避免了因发光层的隔绝，导致阴极102与辅助电极20之间不能有效连接的弊端。

另外，本发明中，通过在通孔H内设置导电柱30将阴极102与辅助电极20连接，从而能够在无需去除通孔H内的发光层100(一般去除通孔H内的发光层100需要采用激光去除工艺，成本较高)的前提下，也能达到阴极102与辅助电极20的有效连接。

在一些实施例中，上述导电柱30的材料包括导电纳米颗粒；具体的，由于工艺需求，实际中，多采用喷墨打印工艺形成上述导电柱30，而采用喷墨打印工艺时的打印墨水中的溶质一般采用导电纳米颗粒，从而形成主要由导电纳米颗粒构成的导电柱30。

示意的，上述导电纳米颗粒可以为金属纳米颗粒，也可以为ITO(氧化铟锡)纳米颗粒，还可以为IZO(氧化铟锌)纳米颗粒等，本发明对此不做具体限定。

另外，对于上述导电柱30的具体形状，本发明做不限定，可以为圆柱结构，也可以为三棱柱结构，还可以为四棱柱结构等，实际中可以根据需要选择设置。

在一些实施例中，可以设置该导电柱30为圆柱结构，其直径为1μm～8μm。

在一些实施例中，上述导电柱30的高度可以为100nm～500nm；例如可以为100nm、400nm等，具体可以根据发光层的厚度进行选择设置，只要保证导电柱能够贯通发光层的延伸部即可。

具体的，通过设置导电柱30的高度大于100nm，以保证导电柱30能够有效的贯通发光层的延伸部；通过设置导电柱30的高度小于500nm，保证阴极102与导电柱30之间的有效连接，避免因导电柱30高出发光层的延伸部的表面的距离过大，可能造成阴极在导电柱30的位置发生断裂的弊端。

例如，在一些实施例中，针对单色的OLED器件(仅包括一个发光层)而言，可以设置导电柱30的高度为100nm或者150nm；在另一些实施例中，针对白光的OLED器件(包括多个发光层)而言，可以设置导电柱30的高度为350nm或者400nm。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，如图4所示，该制作方法包括：

步骤S101、参考图5a，在形成有像素阵列10的基板上形成辅助电极20。

可以理解的是，为了保证像素电极101与后续形成的辅助电极20能够正常进行电信号传输，参考图5b，一般的在像素电极101与辅助电极20会制作有绝缘的平坦层PLN，并且该平坦层PLN在对应后续形成的像素界定层PDL中挡墙B的位置形成有通孔。

步骤S102、参考图5c，在形成有辅助电极20的基板上依次形成像素电极101、像素界定层PDL；其中，像素界定层PDL在设置有辅助电极20的区域设置有通孔H，以暴露出对应该通孔H位置处的辅助电极20。

可以理解的是，上述形成有辅助电极20的基板上还形成有绝缘的平坦层PLN的情况下，参考图5b和图5c，上述通孔H为贯穿平坦层PLN和像素界定层PDL的通孔，以暴露出对应该通孔H位置处的辅助电极20。

步骤S103、参考图5d，在通孔H内形成导电柱30。

在此情况下，导电柱30在通孔内，直接与辅助电极20连接。

步骤S104、参考图5e或图5f，在形成有导电柱30的基板上形成发光层100，其中，发光层的延伸部S延伸至通孔H中，且导电柱30贯穿发光层的延伸部S，且发光层的延伸部S的顶部不高于导电柱30的顶部。

在此情况下，在实际的制作工艺中，通过控制工艺设计，以保证发光层100的厚度小于或等于导电柱30的高度，从而达到导电柱30在通孔H内，发光层的延伸部S的顶部不高于导电柱30的顶部；也即保证了导电柱30的顶部未被发光层的延伸部S完全覆盖，其具有裸露的部分。

步骤S105、参考图2或图3，在形成有发光层100的基板上形成阴极102，且阴极102覆盖导电柱30的顶部。

在此情况下，阴极102将在通孔内导电柱30的裸露表面覆盖，也即阴极102与导电柱30直接连接，从而使得阴极102通过导电柱30与辅助电极20连接。

其中，依次设置的像素电极101、阴极102以及两者之间的发光层100形成了发光单元U。该发光单元U可以是有机发光二极管单元。

这样一来，上述形成的阴极直接通过通孔内贯穿发光层的导电柱与辅助电极连接，从而避免了因发光层的隔绝，导致阴极与辅助电极之间不能有效连接的弊端。

进一步的，上述步骤S104中，在通孔H内形成导电柱30可以包括：

在通孔H内，采用喷墨打印工艺与干燥工艺同时进行，形成导电柱30。

具体的，基于喷墨打印工艺的需求，一般采用打印工艺形成导电柱30时，多采用导电纳米颗粒；并且为了避免形成的导电柱30过粗(也即横截面的外接圆的直径较大)，导致后续形成发光层100时，发光层100的延伸部S可能会覆盖导电柱30的表面，造成阴极102与导电柱30不能有效连接。本发明优选的，在采用喷墨打印工艺的同时，进行干燥工艺，以形成较细的导电柱30。

示意的，形成的导电柱30的横截面的外接圆的直径为1μm～8μm。具体的，在该导电柱30为圆柱体的情况下，该导电柱30的直径为1μm～8μm；例如，可以是5μm。

当然，对于该制作方法中其他的相关内容，可以对应的参考前述阵列基板实施例中的对应部分，此处不再赘述；对于前述阵列基板实施例中的其他设置结构，可以参考上述制作方法对应制备，调整相应的制作步骤，此处不再一一赘述。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板，例如该显示面板可以应用至显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括设置于像素阵列上方的像素界定层，以及由所述像素界定层围设的多个发光单元；其中，所述发光单元包括位于像素阵列上方依次设置的像素电极、发光层、阴极；其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述像素阵列上、且位于所述像素界定层区域的辅助电极；

所述阵列基板在所述辅助电极的上方设置有通孔，所述阴极和所述发光层的延伸部延伸至所述通孔中；

所述阵列基板在所述通孔中设置有导电柱，且所述导电柱贯穿所述发光层的延伸部，所述辅助电极通过所述导电柱与所述阴极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电柱的顶部高于所述发光层的延伸部的顶部且与所述阴极接触。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电柱的顶部高于所述发光层的延伸部的顶部10nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电柱的材料包括导电纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电柱为圆柱结构，其直径为1μm～8μm。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电柱的高度为100nm～500nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元为有机发光二极管单元。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在形成有像素阵列的基板上形成辅助电极；

在形成有所述辅助电极的基板上依次形成像素电极、像素界定层；其中，所述像素界定层在设置有所述辅助电极的区域设置有通孔，以暴露出对应该通孔位置处的所述辅助电极；

在所述通孔内形成导电柱；

在形成有所述导电柱的基板上形成发光层，其中，所述发光层的延伸部延伸至所述通孔中，且所述导电柱贯穿所述发光层的延伸部；所述发光层的延伸部的顶部不高于所述导电柱的顶部；

在形成有所述发光层的基板上形成阴极，且所述阴极覆盖所述导电柱的顶部。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述通孔内形成导电柱包括：

在所述通孔内，采用喷墨打印工艺与干燥工艺同时进行，形成导电柱。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。