[go: up one dir, main page]

CN109212895A - 光掩模坯料和光掩模 - Google Patents

光掩模坯料和光掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN109212895A
CN109212895A CN201810683268.8A CN201810683268A CN109212895A CN 109212895 A CN109212895 A CN 109212895A CN 201810683268 A CN201810683268 A CN 201810683268A CN 109212895 A CN109212895 A CN 109212895A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photomask
substrate
layer
refractive index
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810683268.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109212895B (zh
Inventor
小泽良兼
高坂卓郎
稻月判臣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN109212895A publication Critical patent/CN109212895A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109212895B publication Critical patent/CN109212895B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • H10P76/4085—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。

Description

光掩模坯料和光掩模
相关申请的交叉引用
本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求2017年6月29日在日本提交的专利申请No.2017-127637的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及光掩模坯料，其用作用于半导体集成电路等的微细加工的光掩模的材料，并且涉及光掩模。
背景技术
关于用于各种用途的半导体集成电路，为了改善集成度并且减小功耗，已进行了较精细的电路设计。因此，在使用用于形成电路的光掩模的光刻技术中，微细加工技术的发展已从45nm节点发展到32nm节点，进而发展到20nm以下节点。为了获得较精细的图像，开始使用具有较短波长的曝光光源，并且在目前最先进的实际加工工艺中，将ArF准分子激光(193nm)用于曝光光源。进而，为了获得较精细的图像，在发展高分辨率技术，并且使用液体浸没式曝光、变形照明、辅助图案等。关于光刻中使用的光掩模，除了包括半透明部分和遮光部分的二元光掩模以外，作为利用光的干涉的相移型光掩模，已开发出半色调相移掩模、Levenson型相移掩模、无铬型相移掩模等。
用作这样的光掩模的材料的光掩模坯料在使曝光光透射的透明衬底上设置有无机膜，例如遮蔽曝光光的遮光膜和改变曝光光的相位的相移膜。通过对光掩模坯料上形成的无机膜例如遮光膜和相移膜进行图案化，从而制备光掩模。作为无机膜，例如，作为遮光膜，通常使用含有铬的铬基膜或者含有钼和硅的钼/硅基膜。
引用列表
专利文献1：JP-A 2012-32823
发明内容
通常，MoSi基遮光膜包括用于减小反射率的减反射层和用于确保预定的OD(光密度)的遮光层。在这种情况下，为了抑制使用掩模曝光中的光的反射，在遮光层上设置具有较高氧化或氮化程度的减反射层。但是，在这样的减反射层中，N、O和Si的结合性能高，因此该层具有缓慢的蚀刻速率。另一方面，含有大量未键合的Si的遮光层具有快速的蚀刻速率。因此，在将这两层的层叠产物蚀刻时，在这两层之间产生水平差，在极端的实例中，产生掏蚀(undercut)。进而，当加工透明衬底时，在减反射层与遮光层之间产生蚀刻速率之差，因此在掩模加工或缺陷校正中的蚀刻工序中掩模图案的截面形状劣化。
特别地，在使用193nm的ArF准分子激光的20nm以下节点的这代中，粗糙度对线宽具有显著的影响，例如，在减反射层与遮光层之间的界面处产生蚀刻速率的差异，因此掩模图案的截面形状劣化并且粗糙度变大。在极端的实例中，如果将减反射层剥离，则出现没有得到所需的图案的问题。同时，从掩模加工或曝光的观点出发，优选较薄的膜。但是，如果使膜变薄，则反射率升高以增大曝光中反射光的影响，因此需要在某种程度上抑制反射率。
本发明的目的在于提供具有MoSi基遮光膜的光掩模坯料和光掩模，该MoSi基遮光膜确保必要的反射率并且在掩模加工或缺陷校正中的蚀刻工序中具有令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。
本发明人已发现在包括透明衬底和遮光膜并且曝光光为ArF准分子激光的光掩模坯料中，在如下其中该遮光膜含有钼、硅和氮并且远离该衬底的一侧的遮光膜的对于曝光光的反射率为40％以下的构成中，将该遮光膜形成为单层或由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，并且在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，另一方面，在该遮光膜为多层时，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。由此，能够提供具有MoSi基遮光膜的光掩模坯料和光掩模，在掩模加工或缺陷校正的蚀刻工序中该遮光膜具有令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状，完成了本发明。
一方面，本发明提供光掩模坯料，包括：
透明衬底；和
含有钼、硅和氮的遮光膜，其中
曝光光为ArF准分子激光，
将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，
远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，
在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且
在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。
在优选的实施方式中，该遮光膜为由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成的单层，该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
在优选的实施方式中，该遮光膜为由在厚度方向上组成连续变化的组成梯度层组成的单层，在该遮光膜中，该衬底侧的表面处的折射率n低于远离该衬底的一侧的表面处的折射率n，并且该衬底侧的表面处的消光系数k高于远离该衬底的一侧的表面处的消光系数k。典型地，该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
在优选的实施方式中，该遮光膜为多层，在该遮光膜中，最接近该衬底的一侧的层的折射率n低于最远离该衬底的一侧的层的折射率n，并且最接近该衬底的一侧的层的消光系数k高于最远离该衬底的一侧的层的消光系数k。典型地，i)该多层只由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成，ii)在该遮光膜中，最接近该衬底的面处的折射率n最低，并且最接近该衬底的层具有最高消光系数k并且具有50nm以下的厚度，或者iii)该折射率n均为2.3以下并且该消光系数k均为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
在优选的实施方式中，在该遮光膜的各个层的所有组成中，钼和硅的总含量为55-75原子％，氮的含量为25-45原子％，并且钼与钼和硅之和的比率为20原子％以下。
在优选的实施方式中，该遮光膜与该衬底接触地形成并且相对于该曝光光的波长的光密度OD为2.8以上，或者将该遮光膜形成在该衬底上(插入一个或两个以上的其他膜)，并且遮光膜和其他膜的整体相对于该曝光光的波长的光密度OD为2.8以上。典型地，该其他膜仅包括具有与该遮光膜不同的蚀刻特性的蚀刻阻挡膜、仅包含具有与该遮光膜相同的蚀刻特性的相移膜、或者包含该蚀刻阻挡膜和该相移膜两者。
在优选的实施方式中，该光掩模坯料包括与远离该衬底的一侧的遮光膜接触的硬掩模膜，该硬掩模膜具有与该遮光膜不同的蚀刻特性。
在另一方面，本发明提供通过使用该光掩模坯料而制备的光掩模。
发明的有利效果
能够提供具有MoSi基遮光膜的光掩模坯料和光掩模，在掩模加工或缺陷校正中的蚀刻工序中该遮光膜呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。
附图说明
图1为表示本发明的光掩模坯料的一个实例的横截面图。
图2为表示本发明的光掩模坯料的另一实例的横截面图。
具体实施方式
本发明的光掩模坯料包括透明衬底(对于曝光光透明的衬底)和含有钼、硅和氮的遮光膜。本发明的光掩模坯料和光掩模使用ArF准分子激光(波长为193nm)作为曝光光(用于使用光掩模曝光的光)。
作为透明衬底，尽管对衬底的种类和尺寸并无特别限制，但应用对于作为曝光波长使用的波长透明的石英衬底，例如，优选SEMI标准中规定的称为6025衬底的6英寸见方且0.25英寸厚的透明衬底。用SI单位表示，6025衬底也写作152mm见方且6.35mm厚的透明衬底。
遮光膜由单层或多层(例如2-10层)组成。例如，如图1中所示，单层的光掩模坯料具体地包括透明衬底1和在透明衬底1上形成的遮光膜2，并且多层的光掩模坯料包括透明衬底1和遮光膜2，遮光膜2包括从透明衬底1侧依次在透明衬底1上形成的第一层21和第二层22。在由单层组成的遮光膜的情况下，该遮光膜可以是组成在厚度方向上恒定的单一组成层或者组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层。同时，在由多层组成的遮光膜的情况下，该遮光膜由选自组成在厚度方向上恒定的单一组成层和组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层中的两层以上组成，并且可以是只是单一组成层的组合、只是组成梯度层的组合以及单一组成层和组成梯度层的组合中的任一种。组成梯度层可以是构成元素在厚度方向上增加或减少的层，但从减小远离透明衬底的一侧的遮光膜的对于曝光光的反射率的观点出发，优选氮的含量朝着远离透明衬底的方向增大的组成梯度。
遮光膜含有钼、硅和氮。遮光膜的材料具体地包括由钼、硅和氮组成的氮化钼硅(MoSiN)，由钼、硅、氮以及氧和碳中的一者或两者组成的钼硅氮化合物例如氮氧化钼硅(MoSiNO)、氮碳化钼硅(MoSiNC)、和氮氧碳化过渡金属硅(MoSiNOC)。
在遮光膜的各个层的任何组成中，钼和硅的总含量优选为55原子％以上，特别是60原子％以上并且75原子％以下，特别是70原子％以下。此外，在遮光膜的各个层的任何组成中，氮的含量优选为25原子％以上，特别是28原子％以上，特别是30原子％以上且45原子％以下，特别是35原子％以下。此外，在遮光膜的各个层的任何组成中，钼与钼和硅之和的比率优选为20原子％以下，特别是18原子％以下。钼与钼和硅之和的比率通常为10原子％以上。
远离透明衬底的一侧的遮光膜对于曝光光的反射率为40％以下，并且该反射率优选为38％以下，特别是35％以下。在本发明的遮光膜中，特别地，使氮含量增大，由此将远离透明衬底的一侧的遮光膜对于曝光光的反射率抑制到40％以下，特别地38％以下，特别地35％以下，同时确保光密度OD(其为光掩模坯料所需的遮光性能)并且防止重影图案的产生。此外，降低钼的含量比来改善耐环境性、可洗性和耐激光照射性。
在遮光膜由单层组成的情况下，在该层中，或者在遮光膜由多层组成的情况下，在这些层的任何层中，遮光膜对于曝光光的折射率优选为2.3以下，特别是2.2以下。在遮光膜由单层组成的情况下，在该层中，或者在遮光膜由多层组成的情况下，在这些层的任何层中，遮光膜对于曝光光的消光系数k优选为1.3以上，特别是1.5以上。随着折射率降低，能够使反射率进一步减小，并且随着消光系数k增大，每单位膜厚度的光密度OD能够增大，即，能够使膜厚度进一步减小。关于遮光膜的厚度(整个遮光膜的厚度)，考虑减小三维效应并且缩短图案形成中所需的时间，厚度越薄越好，并且厚度优选为80nm以下，更优选为60nm以下。对遮光膜的厚度(整个遮光膜的厚度)并无特别限制，但通常为40nm以上。
在遮光膜为由在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层组成的单层的情况下，它的有利之处在于蚀刻后掩模图案的截面形状令人满意。同时，该遮光膜能够形成为由在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成的单层，但从确保掩模图案的令人满意的截面形状的观点出发，由于需要使遮光膜的厚度方向上的蚀刻速率之差小，因此使透明衬底侧的表面与远离透明衬底的一侧的表面之间的对于曝光光的折射率n之差为0.2以下，优选0.1以下，并且使透明衬底侧的表面与远离透明衬底的一侧的表面之间的对于曝光光的消光系数k之差为0.5以下，优选0.2以下。
在这种情况下，优选透明衬底侧的表面处的折射率n低于远离透明衬底的一侧的表面处的折射率n，并且透明衬底侧的表面处的消光系数k高于远离透明衬底的一侧的表面处的消光系数k。
此外，遮光膜能够形成为由选自在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层和在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层中的两层以上组成的多层，而且在这种情况下，从确保掩模图案的令人满意的截面形状的观点出发，由于需要使遮光膜的厚度方向上的蚀刻速率之差小，因此在该多层的所有层的透明衬底侧的表面处和远离透明衬底的一侧的表面处的对于曝光光的折射率n中，使最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，优选0.1以下，并且在该多层的所有层的透明衬底侧的表面处和远离透明衬底的一侧的表面处的对于曝光光的消光系数k中，使最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下，优选0.2以下。
这种情况下，优选最接近透明衬底的一侧的层的折射率n低于最远离透明衬底的一侧的层的折射率n，并且最接近透明衬底的一侧的层的消光系数k高于最远离透明衬底的一侧的层的消光系数k。
在遮光膜为多层的情况下，特别是在遮光膜中，优选最接近透明衬底的一侧的表面(即，最接近透明衬底的一侧的层的最接近透明衬底的面)处的折射率n最低。此外，具有最高消光系数k的层具有优选50nm以下、特别地30nm以下、尤其是10nm以下且2nm以上的厚度。具有最高消光系数k的层优选配置在最接近透明衬底的一侧，通过该配置，有助于蚀刻终点的检测。在具有最高消光系数k的层中，例如，可以使钼的含量高于其他层，优选使其高1原子％以上，更优选5原子％以上。
遮光膜可与透明衬底接触地形成或者形成在透明衬底上，并在它们之间插入一个或两个以上的其他层。在遮光膜与透明衬底接触地形成的情况下，遮光膜的相对于曝光光的波长的光密度OD优选为2.8以上，特别是2.9以上，尤其是3以上。同时，在与遮光膜和透明衬底之间插入的其他膜例如相移膜和蚀刻阻挡膜一起形成遮光膜时，遮光膜和其他膜(在透明衬底与遮光膜之间形成的所有其他膜)的相对于曝光光的波长的整体光密度OD优选为2.8以上，特别是2.9以上，尤其是3以上。
优选通过溅射法(采用该方法能够容易地得到均匀性优异的膜)形成遮光膜的单层或者多层的每一层，并且能够使用DC溅射和RF溅射的任何方法。根据层构成或组成来适当地选择靶和溅射气体。作为靶，可使用钼靶、含有硅的靶(例如硅化钼靶、硅靶、氮化硅靶)、和含有硅和氮化硅两者的靶。能够通过将含有氮气体作为反应性气体用于溅射气体并且通过进行反应性溅射(适当地调节引入量)来调节氮的含量。作为反应性气体，具体地，能够使用氮气(N2气)、氧化氮气体(NO气、N2O气、NO2气)等，并且根据需要能够进一步使用氧气(O2气)、氧化碳气体(CO气、CO2气)等。进而，对于溅射气体，作为稀有气体，能够使用惰性气体例如氦气、氖气和氩气，并且对于惰性气体而言，氩气适合。溅射压力通常为0.01Pa以上，特别是0.03Pa以上且10Pa以下，尤其是0.1Pa以下。
可对本发明的光掩模坯料进行热处理，在形成遮光膜后在比由光掩模坯料制备光掩模的图案化工序中施加的温度高的温度例如150℃以上进行该热处理。热处理的气氛可以是惰性气体的气氛，例如氦气和氩气，可以是含氧气氛，例如氧气气氛，或者可以在真空下。
此外，为了抑制遮光膜的膜品质变化，能够设置表面氧化物层作为遮光膜的表面侧(远离透明衬底的一侧)的最外表面的层。表面氧化物层的氧含量可以为20原子％以上，进而可以为50原子％以上。作为形成表面氧化物层的方法，具体地，除了通过大气氧化(自然氧化)的氧化以外，主动氧化处理的方法可以包括例如采用臭氧气体或臭氧水处理硅基材料的膜的方法、在含氧气氛例如氧气气氛中通过烘箱加热、灯退火、激光加热等来加热至300℃以上的方法或者通过溅射等形成氧化物膜的方法。表面氧化物层的厚度优选为10nm以下，特别是5nm以下，尤其是3nm以下，并且通常1nm以上的厚度确保作为氧化物膜的效果。能够通过在溅射工序中增加氧的量来形成表面氧化物层，但为了形成具有较少缺陷的层，优选通过上述的大气氧化或氧化处理来形成。
在遮光膜的最远离透明衬底的一侧形成表面氧化物层。在遮光膜为单层的情况下，作为其最远离透明衬底的一侧的一部分形成表面氧化物层，在遮光膜为多层的情况下，作为最远离透明衬底的一侧的层的最远离透明衬底的一侧的一部分形成表面氧化物层。作为遮光膜的一部分形成表面氧化物层，表面氧化物层的厚度包括在整个遮光膜的厚度内，并且整个遮光膜为光密度OD的对象。但是，表面氧化物层自身无需满足表面氧化物层以外的层的特征例如上述的组成、折射率和消光系数k。
在遮光膜与透明衬底接触地形成的情况下或者在遮光膜形成在透明衬底上并且它们之间插入蚀刻阻挡膜的情况下，本发明的光掩模坯料能够应用二元型光掩模坯料。在遮光膜形成在透明衬底上并且它们之间插入相移膜或者蚀刻阻挡膜和相移膜的情况下，光掩模坯料能够应用相移型光掩模坯料。在遮光膜形成在透明衬底上并且它们之间插入蚀刻阻挡膜和相移膜作为其他膜的情况下，从透明衬底起可将它们以蚀刻阻挡膜和相移膜的顺序或者以相移膜和蚀刻阻挡膜的顺序形成。二元型光掩模(二元掩模)和相移型光掩模(相移掩模)能够分别由二元型光掩模坯料和相移型光掩模坯料制备。
通过形成蚀刻阻挡膜能够精确地控制蚀刻。蚀刻阻挡膜可以是具有不同于遮光膜的蚀刻特性的任何膜，并且优选为耐受应用于含硅材料的蚀刻的使用氟系气体的氟系干蚀刻的膜，并且由能够通过使用含氧的氯系气体(氯-氧气)的氯系干蚀刻而蚀刻的材料形成。作为这样的膜，优选含铬材料的膜。蚀刻阻挡膜可由单层或多层组成。含铬材料具体地包括铬金属和铬化合物，例如氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氧氮化铬(CrON)、氧碳化铬(CrOC)、氮碳化铬(CrNC)和氧氮碳化铬(CrONC)。
在蚀刻阻挡膜为由铬化合物组成的膜的情况下，铬含量优选为30原子％以上，特别是35原子％以上且小于100原子％，特别是99原子％以下，特别是90原子％以下。氮的含量优选为50原子％以下，特别是40原子％以下，优选1原子％以上。氧的含量优选为60原子％以下，特别是55原子％以下，优选1原子％以上。碳的含量优选为30原子％以下，特别是20原子％以下，优选为1原子％以上。这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95原子％以上，特别是99原子％以上，特别是100原子％。蚀刻阻挡膜的厚度通常为1nm以上，特别是2nm以上且20nm以下，特别是10nm以下。此外，能够使蚀刻阻挡膜作为透明衬底的蚀刻阻挡膜发挥功能，或者也作为相移膜的蚀刻阻挡膜发挥功能。
对相移膜的透射率并无特别限制，即使透射率几乎为100％，也可使用半色调相移膜(例如，对于曝光光的透射率为5-30％)。相移膜优选由具有与遮光膜相同的蚀刻特性的材料形成，具体地由能够通过使用氟系气体的氟系干蚀刻而蚀刻的材料形成，进而更优选为由耐受使用含氧的氯系气体(氯-氧气)的氯系干蚀刻的材料形成的膜。
相移膜可以由单层或多层组成。相移膜优选为由含硅材料形成的膜，并且含硅材料包括例如含硅化合物，例如含有硅和选自氧和氮中的一种以上的含硅化合物，具体地氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)等，和过渡金属硅化合物，例如含有过渡金属(Me)、硅和选自氧、氮和碳中的一种以上的过渡金属硅化合物，具体地过渡金属硅氧化物(MeSiO)、过渡金属硅氮化物(MeSiN)、过渡金属硅碳化物(MeSiC)、过渡金属硅氧氮化物(MeSiON)、过渡金属硅氧碳化物(MeSiOC)、过渡金属硅氮碳化物(MeSiNC)、过渡金属硅氧氮碳化物(MeSiONC)等。适合的过渡金属(Me)包括选自钛(Ti)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)和钨(W)中的一种以上，从干蚀刻加工性的观点出发，特别优选钼(Mo)。
将相移膜的厚度调节为相对于使用光掩模时的曝光光使相位迁移预定量(通常150°以上，特别地170°以上且200°以下，特别地190°以下，通常约180°)的厚度。具体地，适合的厚度为例如50nm以上，特别是60nm以上且100nm以下，特别是80nm以下。
本发明的光掩模坯料可具有硬掩模膜，该硬掩模膜具有不同于遮光膜的蚀刻特性，其与远离透明衬底的一侧的遮光膜接触。硬掩模膜能够使抗蚀剂膜变薄并且精确地形成较精细的图案。硬掩模膜在遮光膜的蚀刻中用作辅助膜并且有助于密度依赖性(负载作用的减小)等的改善。硬掩模膜优选为特别耐受应用于含硅材料的蚀刻的使用氟系气体的氟系干蚀刻的膜，并且由能够通过使用含氧的氯系气体(氯-氧气)的氯系干蚀刻而蚀刻的材料形成。作为这样的膜，优选含铬材料的膜。硬掩模膜可以由单层或多层组成。含铬材料具体地包括铬金属和铬化合物，例如氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氧氮化铬(CrON)、氧碳化铬(CrOC)、氮碳化铬(CrNC)和氧氮碳化铬(CrONC)。
在硬掩模膜为由铬化合物组成的膜的情况下，铬的含量优选为30原子％以上，特别是35原子％以上且小于100原子％，特别是99原子％以下，特别是90原子％以下。氮的含量优选为50原子％以下，特别是40原子％以下，优选1原子％以上。氧的含量优选为60原子％以下，特别是40原子％以下，优选1原子％以上。碳的含量优选为30原子％以下，特别是20原子％以下，更优选为1原子％以上。这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95原子％以上，特别是99原子％以上，特别是100原子％。硬掩模膜的厚度通常为1nm以上，特别是2nm以上且30nm以下，特别是20nm以下。硬掩模膜可以在遮光膜的图案形成后完全被除去，或者可以在图案形成后部分地或全部地残留以作为用于弥补遮光性能的膜或作为导电膜发挥功能。本发明的光掩模坯料可以包括蚀刻阻挡膜和硬掩模膜这两者。
通过使用例如铬靶或由铬与选自氧、氮和碳中的任一种或两种以上组成的靶以及含有稀有气体(惰性气体)例如氦气、氖气和氩气的溅射气体，根据待形成的膜的组成适当地添加选自例如含氧气体、含氮气体和含碳气体中的反应性气体，通过反应性溅射能够形成由含铬材料组成的膜。
通过使用选自例如硅靶、过渡金属靶、过渡金属硅靶中的靶以及含有稀有气体(惰性气体)例如氦气、氖气和氩气的溅射气体，根据待形成的膜的组成适当地添加选自例如含氧气体、含氮气体和含碳气体中的反应性气体，通过反应性溅射能够形成由含硅材料组成的膜。
相移型光掩模坯料例如包括：包括在透明衬底上依次形成的相移膜和遮光膜的相移型光掩模坯料；包括在透明衬底上依次形成的相移膜、遮光膜和硬掩模膜的相移型光掩模坯料；包括在透明衬底上依次形成的相移膜、蚀刻阻挡膜和遮光膜的相移型光掩模坯料；和包括在透明衬底上依次形成的相移膜、蚀刻阻挡膜、遮光膜和硬掩模膜的相移型光掩模坯料。
本发明的光掩模使用该光掩模坯料并且能够通过常规的程序制备。例如，在二元型光掩模的情况下，其能够通过以下工序制备。首先，向在透明衬底上与透明衬底接触地形成遮光膜的二元型光掩模坯料的遮光膜上，施涂抗蚀剂例如化学增幅型抗蚀剂以形成抗蚀剂膜，并且用电子束等对该抗蚀剂膜进行绘图，然后显影以形成预定的抗蚀剂图案。然后，使用该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，通过氟系干蚀刻将该遮光膜图案化，并且通过常规的程序将该抗蚀剂图案除去，于是得到二元型光掩模。
实施例
以下参照实施例和比较例对本发明具体地说明，但本发明并不限于下述的实施例。
实施例1
在溅射装置的腔室中安装152mm见方且6.35mm厚的6025石英衬底，将MoSi靶和Si靶用作溅射靶并且将氩气和氮气(N2气)用作溅射气体，将施加于MoSi靶的功率设定为150W，将施加于Si靶的功率设定为1,850W，将氩气的流量设定为20sccm，并且将氮气的流量设定为16sccm，形成由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层的单层遮光膜。于是，得到了二元光掩模坯料。
遮光膜的对于ArF准分子激光的光密度OD为3.1，其膜厚度为54nm，并且在其组成中，Si、Mo和N的含量分别为62原子％、8原子％和30原子％。此外，相对于ArF准分子激光，折射率n为1.7，消光系数k为2.0，并且远离石英衬底的一侧的反射率为37％。接下来，在使用XeF2作为蚀刻气体的缺陷校正装置中对遮光膜进行蚀刻，于是遮光膜具有令人满意的截面形状而没有在该膜的最外层上残留没有被蚀刻的屋檐状部分。
实施例2
在溅射装置的腔室中安装152mm见方且6.35mm厚的6025石英衬底，将MoSi靶和Si靶用作溅射靶并且将氩气和氮气(N2气)用作溅射气体，将施加于MoSi靶的功率设定为300W，将施加于Si靶的功率设定为1,850W，将氩气的流量设定为20sccm，并且将氮气的流量设定为16sccm，形成了由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层的第一层(5nm厚)，然后只将施加于MoSi靶的功率变为150W并且形成了由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层的第二层(55nm厚)以形成遮光膜，该遮光膜由两个单一组成层组成，所述两个单一组成层各自由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成。于是，得到了二元光掩模坯料。
遮光膜的对于ArF准分子激光的光密度OD为3.2，其膜厚度为57nm，并且在第一层的组成中，Si、Mo和N的含量分别为60原子％、10原子％和30原子％，并且在第二层的组成中，Si、Mo和N的含量分别为62原子％、8原子％和30原子％。此外，相对于ArF准分子激光，第一层中折射率n为1.7并且第二层中折射率n为1.7，第一层中消光系数k为2.1并且在第二层中消光系数k为1.9，并且远离石英衬底的一侧的反射率为37％。接下来，在使用XeF2作为蚀刻气体的缺陷校正装置中对遮光膜进行蚀刻，于是遮光膜具有令人满意的截面形状而没有在该膜的最外层上残留没有被蚀刻的屋檐状部分。
比较例1
在溅射装置的腔室中安装152mm见方且6.35mm厚的6025石英衬底，将MoSi靶和Si靶用作溅射靶并且将氩气和氮气(N2气)用作溅射气体，将施加于MoSi靶的功率设定为575W，将施加于Si靶的功率设定为1,925W，将氩气的流量设定为20sccm，并且将氮气的流量设定为20sccm，形成了由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层的第一层(42nm厚)，然后只将氮气的流量变为70sccm，并且形成了由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成的单一组成层的第二层(18nm厚)以形成遮光膜，该遮光膜由两个单一组成层组成，所述两个单一组成层各自由MoSiN组成并且在厚度方向上具有恒定组成。于是，得到了二元光掩模坯料。
遮光膜的对于ArF准分子激光的光密度OD为3.1，其膜厚度为60nm，并且在第一层的组成中，Si、Mo和N的含量分别为56原子％、17原子％和27原子％，并且在第二层的组成中，Si、Mo和N的含量分别为46原子％、10原子％和44原子％。此外，相对于ArF准分子激光，第一层中折射率n为2.0并且第二层中折射率n为2.2，第一层中消光系数k为2.0并且在第二层中消光系数k为0.94，并且远离石英衬底的一侧的反射率为11％。接下来，在使用XeF2作为蚀刻气体的缺陷校正装置中对遮光膜进行蚀刻，于是遮光膜在第二层的远离石英衬底的一侧具有屋檐状部分并且具有有缺陷的截面形状。

Claims (13)

1.光掩模坯料，包括：
透明衬底；和
包含钼、硅和氮的遮光膜，其中
曝光光为ArF准分子激光，
将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，
远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，
在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且
在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。
2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成的单层，该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成连续变化的组成梯度层组成的单层，在该遮光膜中，该衬底侧的表面处的折射率n低于远离该衬底的一侧的表面处的折射率n，并且该衬底侧的表面处的消光系数k高于远离该衬底的一侧的表面处的消光系数k。
4.根据权利要求3所述的光掩模坯料，其中该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
5.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为多层，在该遮光膜中，最接近该衬底的一侧的层的折射率n低于最远离该衬底的一侧的层的折射率n，并且最接近该衬底的一侧的层的消光系数k高于最远离该衬底的一侧的层的消光系数k。
6.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中该多层只由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成。
7.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中在该遮光膜中，最接近该衬底的面处的折射率n最低，并且最接近该衬底的层具有最高消光系数k并且具有50nm以下的厚度。
8.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中该折射率n均为2.3以下并且该消光系数k均为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。
9.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中在该遮光膜的各个层的所有组成中，钼和硅的总含量为55-75原子％，氮的含量为25-45原子％，并且钼与钼和硅之和的比率为20原子％以下。
10.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜与该衬底接触地形成并且相对于该曝光光的波长的光密度OD为2.8以上，或者将该遮光膜形成在该衬底上而插入一个或两个以上的其他膜，并且遮光膜和其他膜的相对于该曝光光的波长的整体光密度OD为2.8以上。
11.根据权利要求10所述的光掩模坯料，其中该其他膜仅包括具有与该遮光膜不同的蚀刻特性的蚀刻阻挡膜、仅包括具有与该遮光膜相同的蚀刻特性的相移膜、或者包括该蚀刻阻挡膜和该相移膜两者。
12.根据权利要求1所述的光掩模坯料，包括与远离该衬底的一侧的遮光膜接触的硬掩模膜，其具有与该遮光膜不同的蚀刻特性。
13.通过使用根据权利要求1所述的光掩模坯料制备的光掩模。
CN201810683268.8A 2017-06-29 2018-06-28 光掩模坯料和光掩模 Active CN109212895B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017127637A JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2017-06-29 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP2017-127637 2017-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109212895A true CN109212895A (zh) 2019-01-15
CN109212895B CN109212895B (zh) 2024-11-22

Family

ID=62563020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810683268.8A Active CN109212895B (zh) 2017-06-29 2018-06-28 光掩模坯料和光掩模

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10782609B2 (zh)
EP (1) EP3422099B1 (zh)
JP (1) JP6729508B2 (zh)
KR (1) KR102293214B1 (zh)
CN (1) CN109212895B (zh)
SG (1) SG10201804507PA (zh)
TW (1) TWI735788B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752087A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 信越化学工业株式会社 相移掩模坯料和相移掩模

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811037B (zh) 2016-07-27 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
JP6759486B2 (ja) * 2018-02-27 2020-09-23 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
KR102772142B1 (ko) * 2018-03-14 2025-02-26 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
TWI845579B (zh) 2018-12-21 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TWI818151B (zh) 2019-03-01 2023-10-11 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室及其操作方法
TWI870386B (zh) * 2019-03-01 2025-01-21 美商應用材料股份有限公司 Ｅｕｖ遮罩基材及其製造方法
TWI842830B (zh) 2019-03-01 2024-05-21 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室與沉積交替材料層的方法
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI845677B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
TW202122909A (zh) 2019-10-25 2021-06-16 美商應用材料股份有限公司 減少極紫外遮罩毛坯缺陷之方法
JP7280171B2 (ja) * 2019-12-05 2023-05-23 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
JP7337014B2 (ja) * 2020-03-23 2023-09-01 キオクシア株式会社 パターン形成方法、フォトマスク作成方法及びフォトマスク
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11940725B2 (en) * 2021-01-27 2024-03-26 S&S Tech Co., Ltd. Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR102400200B1 (ko) * 2021-04-30 2022-05-18 에스케이씨솔믹스 주식회사 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 반도체소자의 제조방법
KR102400198B1 (ko) * 2021-04-30 2022-05-18 에스케이씨솔믹스 주식회사 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 반도체소자의 제조방법
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110212392A1 (en) * 2008-10-29 2011-09-01 Hoya Corporation Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
EP2418542A2 (en) * 2010-08-04 2012-02-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Binary photomask blank and binary photomask making method
US20130095415A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-18 S&S Tech Co., Ltd. Blankmask and photomask using the same
JP2013178371A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Hoya Corp 薄膜付き基板の薄膜の除去方法、転写用マスクの製造方法、基板の再生方法、及びマスクブランクの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948770B1 (ko) * 2008-06-27 2010-03-24 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법
JP5412507B2 (ja) * 2009-03-31 2014-02-12 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクおよび転写用マスク
EP2453464A1 (en) * 2009-07-08 2012-05-16 Asahi Glass Company, Limited Euv-lithography reflection-type mask blank
JP5653888B2 (ja) * 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP4930737B2 (ja) 2011-09-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法
US8921014B2 (en) * 2011-10-14 2014-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography mask and method of forming a lithography mask
TW201537281A (zh) * 2014-03-18 2015-10-01 Hoya Corp 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法
KR102261621B1 (ko) * 2014-12-26 2021-06-04 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102785194B1 (ko) * 2015-11-27 2025-03-25 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막을 구비한 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110212392A1 (en) * 2008-10-29 2011-09-01 Hoya Corporation Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
EP2418542A2 (en) * 2010-08-04 2012-02-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Binary photomask blank and binary photomask making method
US20130095415A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-18 S&S Tech Co., Ltd. Blankmask and photomask using the same
JP2013088814A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 S&S Tech Corp ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスク
JP2013178371A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Hoya Corp 薄膜付き基板の薄膜の除去方法、転写用マスクの製造方法、基板の再生方法、及びマスクブランクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752087A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 信越化学工业株式会社 相移掩模坯料和相移掩模

Also Published As

Publication number Publication date
JP6729508B2 (ja) 2020-07-22
KR102293214B1 (ko) 2021-08-24
EP3422099B1 (en) 2022-04-20
TW201921097A (zh) 2019-06-01
CN109212895B (zh) 2024-11-22
TWI735788B (zh) 2021-08-11
JP2019012132A (ja) 2019-01-24
SG10201804507PA (en) 2019-01-30
US20190004420A1 (en) 2019-01-03
KR20190002334A (ko) 2019-01-08
US10782609B2 (en) 2020-09-22
EP3422099A1 (en) 2019-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109212895A (zh) 光掩模坯料和光掩模
JP5602930B2 (ja) マスクブランクおよび転写用マスク
US8268515B2 (en) Mask blank and method of manufacturing a transfer mask
KR101681335B1 (ko) 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법과, 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101333929B1 (ko) 포토마스크 블랭크, 포토마스크와 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN106547167B (zh) 光掩模坯、制备方法和光掩模
TW201003297A (en) Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
JP5666218B2 (ja) マスクブランク、転写用マスク、および転写用マスクセット
KR20180075495A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
TW201642022A (zh) 光罩基板（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｂｌａｎｋ）、光罩之製造方法及遮罩圖案形成方法
JP6927177B2 (ja) 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク
KR20160137980A (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR20170122181A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
JP6791031B2 (ja) フォトマスクブランク及びその製造方法
JP3993005B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
CN110603489B (zh) 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法
JP7255512B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
JP4014922B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
CN115769144B (zh) 掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法
KR101751542B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 전사용 마스크 세트

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant