CN109216405A - Amoled用金属掩膜板的制造方法 - Google Patents
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- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括：形成具有导电图形电极层的基板；对基板进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板；将AMOLED用金属掩膜板从基板分离；以及对基板重复进行电铸生长形成AMOLED用金属掩膜板。本发明提供的AMOLED用金属掩膜板的制造方法生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，属于AMOLED显示技术领域。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器采用OLED用作发光光源，在显示性能方面与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)相比，具有显示反应速度快、超宽视角、超高对比度和饱和度、色域宽广(色彩覆盖率能达到NTSC110％)的优点。在显示屏结构上，AMOLED主动发光，耗电为LCD的60％，不需要背光模组，显示屏可以做到超薄柔性的优点。AMOLED结构比LCD简单，然而在现阶段，AMOLED的制造成本仍然高于LCD，高成本是制约AMOLED显示器进一步扩展的重要因素之一。
AMOLED与LCD面板在制造工艺上最大的差别就是需要采用有机发光材料作为发光源的有机成膜技术。真空蒸镀法是目前最为成熟，也是现有绝大部分量产的小尺寸AMOLED产品采用的有机成膜技术。在蒸镀过程中，需要使用FMM(Fine pitch Metal Mask/orShield Mask，精密金属镂空掩膜版)用于镀膜遮挡，产生像素图形，然后在真空环境下将有机材料加热使之蒸发并通过金属镂空掩膜版在基板上选择沉积成膜。金属镂空掩膜板属于AMOLED制程中的核心模具和耗材。
传统的大开口尺寸的金属掩膜板一般采用机械加工法，根据开口的图形尺寸进行钻、剪、锉、磨的加工方法。小开口金属镂空掩膜板使用化学蚀刻方法。随着显示技术发展和小面板对高分辨的要求，对掩膜板的精度提出了更高的要求，精密电铸的方法逐渐成为制备高精度金属掩膜板的优选方法。精密电铸的制造方法一般是制备图形掩膜板，然后在基板上涂胶，进行一次或多次紫外对准曝光，之后利用胶层的限制作用进行选择性电铸；整个工艺过程复杂，基板每次需重新制备，周期长，成本高，不利于工业化应用和推广。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。
本发明实施例提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括：形成具有导电图形电极层的基板；对基板进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板；将AMOLED用金属掩膜板从基板分离；以及对基板重复进行电铸生长形成AMOLED用金属掩膜板。
进一步地，形成具有导电图形电极层的基板的方法包括：提供衬底基材并在衬底基材上形成导电层；在导电层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光显影形成具有图案的光阻层；对导电层进行蚀刻形成具有图案的导电图形电极层；以及洗去导电图形电极层上的光阻层以形成具的导电图形电极层的基板。
进一步地，在导电层上形成光刻胶层之前还包括对导电层表面进行清洗处理。
进一步地，对基板进行电铸生长之前还包括对基板进行清洁和表面钝化处理。
进一步地，对基板重复进行电铸生长之前还包括对基板进行清洁和表面钝化处理。
进一步地，导电图形电极层的厚度为20～200纳米。
进一步地，导电图形电极层包括多个导电子图形，相邻的导电子图形之间的距离为D；AMOLED用金属掩膜板包括多个掩膜子图形，掩膜子图形的高度为d，其中：d<D/2。
进一步地，掩膜子图形的高度d的范围为5～30微米。
进一步地，形成具有导电图形电极层的基板的方法采用打印、选择性沉积中的一种。
本发明较佳实施例提供利用可重复使用的基板制备AMOLED用金属掩膜板的制造方法。该基板直接使用可导电的导电图形电极层，表面无光阻，经过表面处理之后可在此基板上电铸出符合要求的高精度AMOLED用金属掩膜板。AMOLED用金属掩膜板剥离后，基板可重复使用，该制造方法生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。
附图说明
图1至8为本发明较佳实施例的AMOLED用金属掩膜板的制造方法各步骤的剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明较佳实施例的AMOLED用金属掩膜板的制造方法包括如下步骤：
如图1所示，提供衬底基材110并在衬底基材110上形成导电层120′。
衬底基材110例如是玻璃、硅片、金属板等平整材料制成。采用蒸镀、溅射或化学沉积等方法在衬底基材110上附着一层导电层120′。
导电层120′的材料和厚度可根据后期所形成的图案及电铸所用的材料按需设置。导电层120′的材料例如是金属或氧化物。导电层120′的厚度例如为20～200纳米。
如图2所示，在导电层120′上形成光刻胶层130′。
在导电层120′上形成光刻胶层130′之前还包括对导电层120′的表面进行去油污、去颗粒等清洗处理。
如图3所示，利用掩膜板140对光刻胶层130′进行曝光。本实施例中，光刻胶层130′的材料是正性光刻胶材料，所选用的掩膜板140的图案与所需保留的图案一致，但并不以此为限。
如图4所示，对曝光后的光刻胶层130′进行显影形成具有图案的光阻层130。具体地，利用显影液洗去光刻胶层130′中被曝光的部分，未被曝光的部分保留下来形成具有图案的光阻层130。
如图5所示，利用光阻层130的阻挡作用对导电层120′进行蚀刻形成具有图案的导电图形电极层120。
导电层120′的材质的选择会影响刻蚀精准性以及后期的电铸性能。材料特性、表面处理、机械强度会影响到分离效果和可重复使用性。导电层120′的材料例如是铜、镍或其它非金属导电材料。
具体地，根据导电层120′材料，选用合适的刻蚀试剂(如弱酸或混合酸)，依据上层的光阻层130的图形对导电层120′进行化学蚀刻，得到与光阻层130的图案一致的导电图形电极层120。所形成的导电图形电极层120的厚度与导电层120′的厚度一致。
如图6所示，洗去导电图形电极层120上的光阻层130，形成具有导电图形电极层120的基板100。所形成的基板100包括衬底基材110和设置在衬底基材110上的导电图形电极层120。
导电图形电极层120包括多个导电子图形121，本实施例中，相邻的两个导电子图形121之间的距离为D。
本实施例中，形成上述的具有导电图形电极层120的基板100采用蚀刻的方法，先在衬底基材110设置一整层的层导电层120′，通过蚀刻图案化形成导电图形电极层120，属于减材的方法。其它实施例中，也可采用打印、选择性沉积等方法通过在衬底基材110上增材设置导电图形电极层120。
如图7所示，对基板100进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板200。
具体地，导电图形电极层120通电后，电铸材料在导电图形电极层120的每个一导电子图形121形成一个掩膜子图形210。值得注意的是在电铸过程中，由于电铸材料基本按照各向同性进行生长，掩膜子图形210在垂直于衬底基材110方向长高的同时也会沿平行于衬底基材110的方向长宽，为防止在相邻的两个掩膜子图形210的图案相互连接，因此相邻的两个导电子图形121之间的距离为D与掩膜子图形210的高度d(因为导电子图形121的厚度较薄，这里忽略导电子图形121的厚度)之间必须满足下公式：d<D/2。掩膜子图形210的高度d(也即是AMOLED用金属掩膜板200的厚度)的范围一般为5～30微米。
本实施例中，对基板100进行电铸生长之前还包括对基板100进行清洁和表面钝化处理，处理过后再对基板100进行电铸。
如图8所示，将AMOLED用金属掩膜板200从基板100分离，分离后得到基板100和AMOLED用金属掩膜板200。
对分离后的基板100再次进行清洁和表面钝化处理，便可重复在基板100进行电铸生长再次形成AMOLED用金属掩膜板200(如图7所示)。
本发明提供了一种利用可重复使用的基板100制备AMOLED用金属掩膜板200的制造方法。该基板100直接使用可导电的导电图形电极层120，表面无光阻，经过表面处理之后可在此基板100上电铸出符合要求的高精度AMOLED用金属掩膜板200。AMOLED用金属掩膜板200剥离后，基板100可重复使用，该制造方法生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，包括：
形成具有导电图形电极层(120)的基板(100)；
对所述基板(100)进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板(200)；
将所述AMOLED用金属掩膜板(200)从所述基板(100)分离；以及
对所述基板(100)重复进行电铸生长形成所述AMOLED用金属掩膜板(200)。
2.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，形成具有导电图形电极层(120)的基板(100)的方法包括：
提供衬底基材(110)并在所述衬底基材(110)上形成导电层(120′)；
在所述导电层(120′)上形成光刻胶层(130′)，对所述光刻胶层(130′)进行曝光显影形成具有图案的光阻层(130)；
对所述导电层(120′)进行蚀刻形成具有图案的所述导电图形电极层(120)；以及
洗去所述导电图形电极层(120)上的光阻层(130)以形成具的所述导电图形电极层(120)的所述基板(100)。
3.根据权利要求2所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述导电层(120′)上形成所述光刻胶层(130′)之前还包括对所述导电层(120′)表面进行清洗处理。
4.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，对所述基板(100)进行电铸生长之前还包括对所述基板(100)进行清洁和表面钝化处理。
5.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，对所述基板(100)重复进行电铸生长之前还包括对所述基板(100)进行清洁和表面钝化处理。
6.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，所述导电图形电极层(120)的厚度为20～200纳米。
7.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，所述导电图形电极层(120)包括多个导电子图形(121)，相邻的所述导电子图形(121)之间的距离为D；AMOLED用金属掩膜板(200)包括多个掩膜子图形(210)，所述掩膜子图形(210)的高度为d，其中：d<D/2。
8.根据权利要求7所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，所述掩膜子图形(210)的高度d的范围为5～30微米。
9.根据权利要求1所述的AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，形成具有所述导电图形电极层(120)的所述基板(100)的方法采用打印、选择性沉积中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710525447.4A CN109216405A (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | Amoled用金属掩膜板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710525447.4A CN109216405A (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | Amoled用金属掩膜板的制造方法 |
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|---|---|
| CN109216405A true CN109216405A (zh) | 2019-01-15 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710525447.4A Pending CN109216405A (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | Amoled用金属掩膜板的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
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Address after: 215026, Suzhou, Jiangsu province Suzhou Industrial Park, Su Hong Road, North Bell Street, No. 478 Applicant after: SUZHOU SUDAVIG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Applicant after: Suzhou University Address before: 215026, Suzhou, Jiangsu province Suzhou Industrial Park, Su Hong Road, North Bell Street, No. 478 Applicant before: SVG OPTRONICS, Co.,Ltd. Applicant before: Suzhou University |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190115 |