[go: up one dir, main page]

CN109192700A - 一种tft阵列基板的断线修复方法 - Google Patents

一种tft阵列基板的断线修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109192700A
CN109192700A CN201811193754.8A CN201811193754A CN109192700A CN 109192700 A CN109192700 A CN 109192700A CN 201811193754 A CN201811193754 A CN 201811193754A CN 109192700 A CN109192700 A CN 109192700A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
tft array
array substrate
repairing
broken
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811193754.8A
Other languages
English (en)
Inventor
刘兆松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201811193754.8A priority Critical patent/CN109192700A/zh
Priority to PCT/CN2018/117577 priority patent/WO2020077742A1/zh
Priority to US16/331,157 priority patent/US10686029B1/en
Publication of CN109192700A publication Critical patent/CN109192700A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0241—Manufacture or treatment of multiple TFTs using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/236—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers using printing techniques, e.g. applying the etch liquid using an ink jet printer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10W20/067—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供了一种TFT阵列基板的断线修复方法，所述方法包括：提供一具有断裂信号走线的TFT阵列基板；在位于所述TFT阵列基板上的修复线和信号走线重叠区域的边缘处的第一绝缘层上开设一过孔；通过喷墨打印方式在所述过孔上打印墨水，所述墨水完全覆盖所述过孔，所述墨水包含金属纳米颗粒；对所述墨水进行固化处理，使所述修复线与所述信号走线相连。有益效果：本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法，将断线区域边缘的绝缘层烧穿，并填充固化后的金属纳米颗粒来实现断裂的信号走线与修复线的连接，进一步提升了断线处的修复效果，更进一步提升了修复良率。

Description

一种TFT阵列基板的断线修复方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的断线修复方法。
背景技术
目前在AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)显示中，信号走线主要是用来提供视频信号以驱动像素电路，但由于其制作过程中，基板表面的高低起伏，环境微粒、蚀刻工艺等影响，信号走线很容易发生断线，进而导致大量线缺的产生。并且，随着AMOLED面板尺寸的增大，分辨率的提高，需要制作数量更多的信号走线，使线宽更窄，工艺难度更大，断线更容易发生，最终影响产品的良率和生成成本。
现有的修复信号走线断线的方法通常是引入修复线，修复线讯号由驱动芯片电路提供，修复线与信号走线交错，中间隔有绝缘层，一旦信号走线出现断路，利用激光将信号走线与修复线相熔，实现由修复线提供讯号至断线处，消除断线带来的显示不良的影响；但是单纯使用激光烧熔信号走线与修复线之间的绝缘层，实现两者之间的连接，很难把握度的问题，烧熔过了，会把整个区域打穿，烧熔不足，不足以使得修复线和信号走线相连，影响修复效果。
综上所述，现有的TFT阵列基板的断线修复方法，利用激光将信号走线与修复线相熔时，烧熔过了会把整个走线区域打穿，烧熔不足会使修复线和信号走线相连，进一步影响了断线修复效果，更进一步影响了显示屏的显示效果。
发明内容
本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法，能够改良大尺寸OLED显示面板信号走线的修复方式，以解决现有的TFT阵列基板的断线修复方法，使用激光将信号走线与修复线相熔时，烧熔过了会把整个走线区域打穿，烧熔不足会使修复线和信号走线相连，进一步影响了断线修复效果，更进一步影响了显示屏的显示效果的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法，包括：
S10，提供一TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上具有断裂的信号走线，所述TFT阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的所述信号走线、覆盖在所述衬底及所述信号走线上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的修复线、覆盖在所述第一绝缘层及所述修复线上的第二绝缘层；
S20，在位于所述修复线和所述信号走线重叠区域的边缘处的所述第一绝缘层上开设一过孔；
S30，通过喷墨打印方式在所述过孔上打印墨水，所述墨水完全覆盖所述过孔，所述墨水包含金属纳米颗粒；
S40，对所述墨水进行固化处理，使所述修复线与所述信号走线相连。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S20中，利用激光打孔形成所述过孔。
根据本发明一优选实施例，所述过孔贯穿所述第二绝缘层及所述第一绝缘层并止于所述信号走线。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S30中，所述金属纳米颗粒的材质为银。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S40中，所述固化处理是对所述金属纳米颗粒进行热处理。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S10中，所述修复线的材质为钨或钼。
根据本发明一优选实施例，所述第一绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅中的一种或二种的组合，所述第二绝缘层的材质与所述第一绝缘层的材质相同。
根据本发明一优选实施例，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
根据本发明一优选实施例，所述信号走线的材质为钼和铝中的一种或二者的组合。
根据本发明一优选实施例，所述信号走线包括数据线以及栅极线。
本发明的有益效果为：本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法，将断线区域边缘的绝缘层烧穿，并填充固化后的金属纳米颗粒来实现断裂的信号走线与修复线的连接，进一步提升了断线处的修复效果，更进一步提升了修复良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明TFT阵列基板的断线修复方法流程图。
图2A-2D为图1所述TFT阵列基板的断线修复方法示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的TFT阵列基板的断线修复方法，由于在使用激光将信号走线与修复线相熔时，烧熔过了会把整个走线区域打穿，烧熔不足会使修复线和信号走线相连，进一步影响了断线修复效果，更进一步影响了显示屏的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法流程，所述方法包括：
S10，如图2A所示，提供一TFT阵列基板10，所述TFT阵列基板10上具有断裂的信号走线12，所述TFT阵列基板10包括衬底11、设置于所述衬底11上的所述信号走线12、覆盖在所述衬底11及所述信号走线12上的第一绝缘层13、设置在所述第一绝缘层13上的修复线14、覆盖在所述第一绝缘层13及所述修复线14上的第二绝缘层15。
具体的，所述S10还包括：
首先提供一衬底11，在所述衬底11上铺设所述信号走线12，所述信号走线12的材质为钼和铝中的一种或二者的组合。所述信号走线12包括数据线以及栅极线，多条所述数据线以及多条所述栅极线平行间隔排布，多条所述数据线以及多条所述栅极线在空间垂直交错形成若干阵列排布的子像素区域。
然后设置第一绝缘层13覆盖在所述衬底11及所述信号走线12上，所述第一绝缘层13的材质为氧化硅或氮化硅中的一种或二种的组合。之后，在所述第一绝缘层13的表面设置修复线14，所述修复线14的材质为钨或钼。最后设置第二绝缘层15覆盖在所述第一绝缘层13及所述修复线14上。所述第二绝缘层15的材质与所述第一绝缘层13的材质相同，所述第二绝缘层15的厚度大于所述第一绝缘层13的厚度，如图2A所示。
S20，在位于所述修复线14和所述信号走线12重叠区域的边缘处的所述第一绝缘层13上开设一过孔20。
具体的，所述S20还包括：
所述信号走线12发生断裂后，使用激光将所述修复线14和所述信号走线12重叠区域的边缘处的所述第一绝缘层13烧穿，形成过孔20，所述过孔20贯穿所述第二绝缘层14及所述第一绝缘层13并止于所述信号走线12，所述过孔20暴露出所述信号走线12，如图2B所示。
S30，通过喷墨打印方式在所述过孔20上打印墨水，所述墨水完全覆盖所述过孔20，所述墨水包含金属纳米颗粒。
具体的，所述S30还包括：
使用喷墨打印方式在所述过孔20上打印墨水，使所述墨水完全填满所述过孔20。其中，所述墨水包含有导电性较好的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的材质为银，如图2C所示。
S40，对所述墨水进行固化处理，使所述修复线与所述信号走线相连。
具体的，所述S40还包括：
将所述过孔20上填满的所述墨水进行热处理，使所述金属纳米颗粒固化，由于固化后的所述金属纳米颗粒良好的导电性，更好地实现了所述修复线14与所述信号走线12相连。
本发明的有益效果为：本发明提供一种TFT阵列基板的断线修复方法，将断线区域边缘的绝缘层烧穿，并填充固化后的金属纳米颗粒来实现断裂的信号走线与修复线的连接，进一步提升了断线处的修复效果，更进一步提升了修复良率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，包括：
S10，提供一TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上具有断裂的信号走线，所述TFT阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的所述信号走线、覆盖在所述衬底及所述信号走线上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的修复线、覆盖在所述第一绝缘层及所述修复线上的第二绝缘层；
S20，在位于所述修复线和所述信号走线重叠区域的边缘处的所述第一绝缘层上开设一过孔；
S30，通过喷墨打印方式在所述过孔上打印墨水，所述墨水完全覆盖所述过孔，所述墨水包含金属纳米颗粒；
S40，对所述墨水进行固化处理，使所述修复线与所述信号走线相连。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S20中，利用激光打孔形成所述过孔。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述过孔贯穿所述第二绝缘层及所述第一绝缘层并止于所述信号走线。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S30中，所述金属纳米颗粒的材质为银。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述固化处理是对所述金属纳米颗粒进行热处理。
6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S 10中，所述修复线的材质为钨或钼。
7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅中的一种或二种的组合，所述第二绝缘层的材质与所述第一绝缘层的材质相同。
8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
9.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述信号走线的材质为钼和铝中的一种或二者的组合。
10.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述信号走线包括数据线以及栅极线。
CN201811193754.8A 2018-10-15 2018-10-15 一种tft阵列基板的断线修复方法 Pending CN109192700A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811193754.8A CN109192700A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种tft阵列基板的断线修复方法
PCT/CN2018/117577 WO2020077742A1 (zh) 2018-10-15 2018-11-27 一种tft阵列基板的断线修复方法
US16/331,157 US10686029B1 (en) 2018-10-15 2018-11-27 Method for repairing disconnecting signal line of thin film transistor (TFT) array substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811193754.8A CN109192700A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种tft阵列基板的断线修复方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109192700A true CN109192700A (zh) 2019-01-11

Family

ID=64944804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811193754.8A Pending CN109192700A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种tft阵列基板的断线修复方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10686029B1 (zh)
CN (1) CN109192700A (zh)
WO (1) WO2020077742A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110854127A (zh) * 2019-10-16 2020-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN110972406A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 广东工业大学 一种用于精细线路的修复方法
CN116652372A (zh) * 2023-07-28 2023-08-29 苏州科韵激光科技有限公司 一种叠层线路激光修复方法及设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201845156U (zh) * 2010-10-15 2011-05-25 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板和液晶显示面板
CN102431289A (zh) * 2010-08-09 2012-05-02 Ntn株式会社 图案修正装置及图案修正方法
CN108351572A (zh) * 2016-10-14 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其修复方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004054069A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Advanced Display Inc 表示装置及び表示装置の断線修復方法
TW594881B (en) * 2003-07-01 2004-06-21 Au Optronics Corp Method of repairing thin film transistor circuit on display panel by local thin film deposition
CN101441373A (zh) * 2007-11-23 2009-05-27 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置的断线的修复方法
CN100555051C (zh) * 2007-12-28 2009-10-28 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置阵列基板及其缺陷修补方法
KR20110101000A (ko) * 2010-03-05 2011-09-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 레이저 리페어방법
CN201886251U (zh) * 2010-12-24 2011-06-29 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板
KR20140057794A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로, 이를 이용한 표시 패널 구동 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN104503176B (zh) * 2014-12-25 2017-03-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN109154729B (zh) * 2016-10-10 2022-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其信号线的修复方法、显示装置
CN107145019A (zh) * 2017-07-03 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板
CN107589603B (zh) * 2017-08-25 2019-08-23 惠科股份有限公司 一种有源矩阵衬底及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102431289A (zh) * 2010-08-09 2012-05-02 Ntn株式会社 图案修正装置及图案修正方法
CN201845156U (zh) * 2010-10-15 2011-05-25 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板和液晶显示面板
CN108351572A (zh) * 2016-10-14 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其修复方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110854127A (zh) * 2019-10-16 2020-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN110972406A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 广东工业大学 一种用于精细线路的修复方法
US11212921B2 (en) 2019-12-04 2021-12-28 Guangdong University Of Technology Method for repairing a fine line
CN116652372A (zh) * 2023-07-28 2023-08-29 苏州科韵激光科技有限公司 一种叠层线路激光修复方法及设备
CN116652372B (zh) * 2023-07-28 2024-03-22 苏州科韵激光科技有限公司 一种叠层线路激光修复方法及设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020077742A1 (zh) 2020-04-23
US20200168690A1 (en) 2020-05-28
US10686029B1 (en) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103794617B (zh) 发光二极管显示面板及其制作方法
CN105679795B (zh) 显示面板及显示装置
CN103217843B (zh) 阵列基板及其制造方法和液晶面板
CN109154729B (zh) 显示面板及其信号线的修复方法、显示装置
CN109192700A (zh) 一种tft阵列基板的断线修复方法
CN108933154A (zh) 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN109979973A (zh) Oled显示装置及制备方法
CN108281468A (zh) 一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置
CN105047609A (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置
CN105789225A (zh) 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
WO2016041283A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示设备
CN211789021U (zh) 显示面板和显示装置
CN113433745A (zh) 显示面板及拼接显示屏
CN108711565A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板
CN102466931B (zh) 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN110187575A (zh) 阵列基板及阵列基板母板
CN106648212B (zh) 一种显示基板、装置及制作方法
CN104777687B (zh) 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
WO2021031337A1 (zh) 显示装置及其制备方法
CN103439844A (zh) 阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法
CN103926773B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
JP2010072512A5 (zh)
CN105607367A (zh) 显示面板、显示装置以及断线修复方法
CN109411518B (zh) 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
CN105446036A (zh) 一种液晶显示面板及其修复方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190111

RJ01 Rejection of invention patent application after publication