CN109196336A - 利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统 - Google Patents

Abstract

提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。

Description

利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年6月2日提交的题为“利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统(DARK FIELD WAFER NANO-DEFECT INSPECTION SYSTEM WITH SINGULAR BEAMS)”的美国临时专利申请第62/344,575号(参考文献编号：TTI-245US1-PRO)的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

本公开内容涉及光学晶片缺陷检查系统和相关方法。光学晶片检查方法可以大致分为两类：明场方法和暗场方法。本文描述的是暗场方法。

晶片上的纳米缺陷的光学检测是非常具有挑战性的问题。研究人员一直在尝试许多不同的方法来增大缺陷信噪比(SNR)并提高处理能力，以使得在制造装置中的检查工具上能够检测尺寸小于20nm的缺陷。这些方法包括使用短波长光照射、不同偏振态、更强光源、不同入射角(AOI)，使用高质量成像子系统、孔成形，使用低噪声传感器等。

前述“背景技术”描述是出于一般地呈现本公开内容的背景的目的。该背景技术中描述的本发明人的工作进行的程度以及描述的各方面既不可以限定为在提交时的现有技术，也不能明确地或隐含地视为本发明的现有技术。

发明内容

本发明的一方面包括用于检查基底的方法，其包括：用奇异激光束(singularlaser beam)照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹在所述照射斑的至少一部分之上延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。

本发明的另一方面包括用于检查基底的系统。所述系统包括：用于接收所述基底的基底台；激光光源；用于将来自所述激光光源的光引导至所述基底的表面的照射光学件，其中所述照射光学件被配制成形成用于照射所述基底的奇异激光束；以及光学检测系统，所述光学检测系统用于通过检测来自在所述基底上的被照射的纳米缺陷的散射光来检测所述被照射的纳米缺陷。

本发明的又一方面包括用于检查基底的装置。所述装置包括：照射系统，所述照射系统用于由激光光源形成奇异激光束，并且用于将所述奇异激光束引导至所述基底；以及光学检测系统，所述光学检测系统用于通过检测来自在所述基底上的被照射的纳米缺陷的散射光来检测所述被照射的纳米缺陷。

前述段落以一般性介绍的方式提供，并且不旨在限制所附权利要求的范围。通过参考结合附图的以下详细说明将更好地理解所描述的实施方案以及进一步的优点。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，对本公开内容的更完整的理解以及其许多伴随的优点变得更好理解，因此将容易地获得对本公开内容的更完整的理解以及其许多伴随的优点，其中：

图1是根据一个实施例的检查系统的侧视示意图；

图2A是示出根据一个实施例的由准直高斯光束形成的驻波的示意图；

图2B是示出根据一个实施例的由355nm准直高斯光束形成的驻波的示意图；

图3是示出根据一个实施例的位于暗条纹中的纳米颗粒的示意图；

图4是示出根据一个实施例的奇异光束中的相位跃变的示意图；

图5A是示出根据一个实施例的由准直奇异光束形成的驻波的示意图；

图5B是示出根据一个实施例的由355nm准直奇异光束形成的驻波的示意图；

图6是示出根据一个实施例的位于明条纹中的纳米颗粒的示意图；

图7是示出根据一个实施例如何由准直高斯光束形成准直奇异激光束的示意图；

图8是示出根据一个实施例的准直奇异激光束的相位的示意图；

图9是示出根据一个实施例的具有多相位跃变的奇异光束的示意图；

图10是示出根据一个实施例的检查系统的成像系统的示意图；以及

图11是示出根据另一实例的检查系统的成像系统的示意图。

具体实施方式

现在参照附图，其中在数个视图中相同的附图标记表示相同或相应的部件，以下描述涉及用于基底(即，晶片)检查的检查系统、传感器和相关方法。检查系统是暗场系统，其中不收集来自基底的镜面反射光，并且仅通过成像路径通过检测器来捕获来自缺陷的散射光。

在整个说明书中对“一个实施方案”或“实施方案”的引用意指结合该实施方案描述的特定特征、结构、材料或特性包括在至少一个实施方案中，但不表示它们存在于每个实施方案中。因此，在整个说明书中在各个位置出现的短语“在一个实施方案中”不一定是指相同实施方案。此外，在一个或更多个实施方案中，特定特征、结构、材料或特性可以以任何合适的方式组合。应注意，在说明书中使用的编号的附图标记可以参照出现在一个或更多个在先和/或在后的附图中的相同编号的附图标记，因为本文使用了相同编号的附图标记来表示说明书和附图中的类似项。

图1是根据一个实施例的检查系统100的侧视示意图。检查系统100包括照射系统102和成像系统104。检查系统100包括配置成接收基底108(例如，半导体晶片、集成电路)的台106。通过移动台106和/或整个光学系统(即，照射系统102和成像系统104)通过扫描成像系统104的跨越整个基底的视场(FOV)来完成基底纳米缺陷检查。台106可以包括用于固定基底108的吸盘，例如静电吸盘、真空吸盘。台106可以是精密台，其可以由控制器110控制以跨越整个基底108扫描入射光束。在一个实施方案中，被检查的基底108由安装在气浮工作台(air-bearing stage)上的真空销吸盘保持。气浮工作台允许基底108移动以定位基底108上的照射斑。控制器110可以是通用计算机。

照射系统102被配置成以可变入射角(AOI)将至少一个奇异激光束引导至基底108。基于由本文下述常规激光源的特殊机制产生奇异光束。奇异光束是指高斯-拉盖尔光束或高斯-拉盖尔光束的修改形式的组合。如以下进一步描述的，利用奇异光束的照射使得由基底108的表面上的纳米缺陷或形成在基底108上的层中嵌入的纳米缺陷散射的光信号增强。此外，与相同功率的高斯光束相比，奇异光束在基底表面的至少一部分上提供更高的照射强度。

照射系统102可以包括光源112。光源112可以是一个或更多个激光光源，所示光源可以具有在光谱的一个或更多个部分如极紫外(EUV)、深紫外(DUV)、紫外(UV)和可见部分的不同波长。奇异激光束的波长可选择性地切换。在EUV、DUV、UV和可见光波长范围内切换/选择照射波长的能力提供了避免由于在检查期间过量给予高能光子而暴露于DUV或UV光所引起的基底层损坏的方式。在一个实施方案中，激光源可以是具有266nm波长的钕掺杂的钇铝石榴石(Nd:YAG)激光器(即，第四谐波输出)或具有355nm波长的Nd:YAG(即，第三谐波输出)。

奇异激光束具有可以旋转以在基底108的表面构建s或p照射的线偏振态。在一个实施方案中，奇异激光束可以具有圆偏振。可以使用可切换的四分之一波来将线偏振变换为圆偏振。照射光束的入射角可以基于应用需求进行配置。AOI可以由近法向入射角变为入射余角。换言之，基于被检查的基底108的类型，改变AOI和偏振态以使信噪比(SNR)最大化。奇异激光束的AOI可以为约1°至约90°。在一个实施方案中，奇异激光束的AOI在约5°至约85°的范围内。照射系统102包括照射光学件126。照射光学件126可以包括被配置成将奇异光束聚焦在基底108上的一个或更多个透镜。来自照射光学件126的照射斑的尺寸可以在2μm至10μm的范围内。一个或更多个透镜的有效焦距(EFL)可以为50mm。照射光学件126可以包括放大倍率为3.7倍至27.4倍的光束扩展器。为了为照射光束提供可调节角度，照射系统102可以布置在机械台上。此外，照射系统102可以包括用于调节入射角的电光调制器。

在一个实施方案中，照射系统102被配置成分别从基底108的中心的左侧和右侧产生两条照射路径。沿两条路径的光束可以是相同的。

使用成像系统104来垂直于基底表面建立精确成像路径。成像系统104可以包括物镜116、可配置的成像孔118、中继光学件120和检测器阵列122。物镜116可以是在多个波长处具有色差校正的透射型或者无色差的反射型。在一个实施方案中，优化物镜116以使在至少两种不同波长的光的色差最小化。将物镜116配置成检测来自检测区域114的光。可配置的成像孔118可以采用不同的形状以使缺陷信号最大化并阻挡不需要的光到达检测器阵列122。中继光学件120可以包括一组透镜、补偿器和带通滤波器(例如，带通滤波器128)。中继光学件120配置为改变放大倍率并校正残留像差以在检测器阵列122处产生高质量图像。选择带通滤波器128的光波长通带以阻挡来自基底108的干扰光发射。带通滤波器有助于防止荧光到达检测器阵列122。成像系统104可以包括用于检测来自在基底108上的纳米缺陷的散射光期间保持聚焦的高速自动聚焦系统。换言之，自动聚焦系统在基底扫描期间使成像系统104的FOV中的区域保持聚焦。成像系统104可以具有大数值孔径(numericalaperture，NA)。例如，成像系统104的NA可以为0.6。成像系统的示例性实施方案如图10和11所示。

将具有对弱光信号的高灵敏度和超低噪声的检测器阵列122用于检查系统100中来增大整体系统处理能力。例如，可以使用光电倍增管(PMT)阵列。在一个实施方案中，检测器阵列122可以是时间延迟积分(TDI)电荷耦合器件(CCD)阵列。光信号在检测器阵列122处被转换成光电信号然后被放大。在一个实施方案中，可以使用单检测器阵列122。

接下来，检测到的信号发送到图像计算机124以进行信号处理并确定在成像系统104的视场中是否出现缺陷。图像计算机124可以对由来自照射斑的散射光获得的光信号进行处理。图像计算机124可以是通用计算机。

在一个实施方案中，检查系统100可以包括用于为基底108提供受控气氛的吹扫室。例如，当使用DUV范围内的波长时，吹扫室可以用氮气进行吹扫以保护基底108。

检查系统100的纳米颗粒(或其他纳米缺陷)的检测灵敏度与通过颗粒(或缺陷)的散射光的强度直接相关。由于颗粒(或缺陷)比光波长小得多，因此散射光的强度可以根据瑞利(Rayleigh)散射理论计算。散射光的强度可以表示为：

其中I是缺陷上的照射光的强度，λ是光的波长。

当准直激光束以倾斜入射角照射基底108的表面时，由于直接照射和由基底108反射的重叠波阵面而在基底108的表面上方形成驻波。如果照射使用准直高斯光束，则所得到的驻波具有如图2A所示的形状，其中在基底108与物镜116之间的三角形区域内产生相长干涉(明条纹)和相消干涉(暗条纹)。由于在基底108表面处的相移，驻波具有锁定在基底108的表面上的暗条纹。

条纹区域表示相位锁定到基底108的表面的驻波图案。对于s偏振，在反射时存在180°相移，因此基底108的表面通常在第一暗区中。条纹间距可以使用以下来计算：

h＝λ/2cos(θ) (2)

其中h为条纹间距，θ为入射角，λ为照射光束的波长。表面驻波的振幅可以表示为：

I(x,θ)＝I_tsin((2π/λ)x)cosθ (3)

其中x是距基底的表面的距离，I_t＝4I_i。

图2B示出由355nm准直高斯光束形成的在基底表面上方的具有平坦波阵面的驻波。图3示出驻波的靠近基底108的放大图。基底表面处的光强度非常弱(即，接近于零)。如果纳米颗粒302(或缺陷)位于基底表面上，则照射到纳米颗粒302上的光非常弱，因此来自纳米颗粒302的散射光低。图2A和图3中的x和y轴以μm计。

如果缺陷位于三角形区域内部并且缺陷大(即，长)到足以与明条纹相互作用，则缺陷的散射光更可能通过成像路径被检测器阵列122捕获。换言之，当缺陷存在于驻波区域中并且该缺陷的至少一部分暴露于明条纹时，来自所述缺陷的散射光比位于暗条纹中的缺陷更强。当成像系统104和低噪声阵列检测器122收集到更强的散射光时，可以形成具有更高SNR的缺陷信号。AOI和偏振态的改变可以改造驻波的节距(pitch)和/或对比度，从而在检查系统100中收集到最大化的缺陷信号，并且实现更好的整体缺陷灵敏度。检测器阵列122产生被称为缺陷信号的光电流。如果缺陷信号强于背景噪声(例如，系统的电噪声)，则认为缺陷信号是可检测的。

然而，大多数纳米缺陷的尺寸小。纳米缺陷在基底108的表面上方仅为数纳米并且通常位于其中纳米颗粒302的照射强度接近于零的暗条纹内，如图3所示。此外，纳米缺陷的散射截面通常非常小。将这两个因素加在一起使得产生的缺陷信号通常非常弱并且不能超过背景噪声。这就是为什么检测纳米缺陷非常困难的原因。

为了提高基底108表面上的纳米缺陷的检测灵敏度，本文所述检查系统100使用奇异激光束照射。奇异激光束具有被相位差分开的至少两个光束部分。相位差可以是π弧度。图4示出了其中沿光束截面的中心线发生π相位跃变的奇异光束的一个实例。奇异激光束部分的相位差使用相位掩模或相位延迟器形成。奇异激光束形成的一个示例性实施方案如图7所示。当奇异照射光束接触到基底108的表面上时，照射光束在基底108与物镜116之间形成独特的驻波，如图5A所示。在附图中，奇异照射光束由具有指向基底的箭头的两条平行的实线表示。两条平行实线之间的中心虚线表示奇异照射光束的中心。

驻波的一部分具有锁定在基底108的表面处的明条纹500。明条纹500在来自奇异照射光束的照射斑的至少一部分之上延伸。当纳米缺陷与明条纹500(即更强的照射)相互作用时，来自纳米缺陷的散射光信号可能是位于暗条纹(例如，使用高斯照射)中的散射光信号的数倍，如以下进一步描述的。这种机制有助于提高纳米缺陷检查的整体信噪比。

对于入射奇异光束，存在两个具有相反相位的相邻光束。翻转驻波图案，其中在入射光束的中心处发生相长干涉，并且条纹间距可以表示为h＝λ/2cos(θ)。因此，形成明条纹区502，如示出了355nm准直奇异入射光束的图5B所示。图5B中的x轴表示以微米计的水平距离。y轴表示以微米计的距离基底的距离。所得驻波可以表示为：

I*(x，θ)＝I_tcos((2π/λ)x)cosθ (4)

图6示出了由于准直奇异光束的在基底108附近的驻波的放大图。如果纳米颗粒302如图6所示位于明条纹上，则照射到纳米颗粒302上的光强度可以是如以下进一步示出的高斯光束的强度的3至4倍。由于纳米颗粒302上的强照射，可以使用成像系统104来检测更强的散射信号(例如，通过应用式(3))。x轴表示以微米计的水平距离。y轴表示以微米计的距基底的距离。

在入射角θ下的奇异光束和高斯光束之间的照射强度之比可以表示为：

I_奇异/I_高斯＝[Iicos((2π/λ)x)coxθ]/[I_tsin((2π/λ)x)cosθ]＝cot((2π/λ)x) (5)

其中x是基底表面上方的距离。因此，

I_奇异/I_高斯<1，对于x>λ/8

I_奇异/I_高斯＝1，对于x＝λ/8

I_奇异/I_高斯>1，对于x<λ/8。

作为实例，对于位于基底表面上方并且被准直355nm激光束照射的17nm纳米颗粒，奇异光束相比于高斯光束(即，无改变的准直355nm激光束)在颗粒表面上产生三倍的光强度(即，使用式(5))。

通过优化入射角、偏振态和成像孔的形状来通过本文所述的方法检测在许多不同基底层顶部的或嵌入先前层中的纳米缺陷。特别地，检查系统100和相关方法可以检测20nm至5nm的范围内的节点。

存在许多形成奇异激光束的不同方式。为了在被照射区域内获得均匀的强度分布，首先采用光束成形过程来产生平顶激光束，然后将其发送通过相位掩模，其中间线处具有π相位跃变。

可以通过将特别设计的相位掩模插入常规高斯激光束来产生具有一个或更多个相位跃变的奇异激光束。图7示出了穿过相位板704的高斯光束。相位板704的台阶高度为d＝λ/2(n-1)，其中λ是照射光的波长，n是折射率。示意图700示出了穿过相位板704之前的光束形状。示意图702示出了穿过相位板704之后的光束形状(即，奇异光束的光束形状)。图8示出了奇异光束的相位。奇异光束的相移为约180°。图8中的x轴以微米计。x轴表示垂直于入射光束方向的方向。图8中的y轴是弧度。

图4示出了具有一个π相位跃变的奇异照射光束。在一个实施方案中，可以在跨越光束的截面上产生具有多个相位跃变的奇异照射光束，如图9所示。可以通过将特别设计的相位掩模插入常规高斯激光束来产生具有多个相位跃变的奇异照射光束。使用具有多个相位跃变的奇异照射光束来在基底108的表面上形成具有多个明条纹部分的驻波。如果位于基底表面上的纳米颗粒(或缺陷)通过这样的驻波扫描并且散射信号在一段时间内在检测器122处进行积分，则与一个相位跃变的情况相比，可以进一步改善颗粒检测灵敏度。

图10是示出根据一个实施方案的成像系统104的示意图。在一个实施方案中，物镜116可以使用折射光学件。物镜116的任务是聚集来自检测区域114反射光(本文称为聚集的光束)，因此聚集的光束可以传输到检测器阵列122，如本文中先前所述。物镜116可以包括第一透镜1002、第二透镜1004和第三透镜1006。第一透镜1002和第二透镜1004被配置为使聚集的光束扩展。透镜1002、1004和1006可以是配置成减小球面像差的非球面透镜。然后，聚集的光束可以穿过被配置成反射具有与光源112的波长相对应的波长的光(例如，266nm或355nm)的二向色滤波器/镜1008。然后，耦合透镜1010用于将光聚焦到小孔1012中。两个耦合透镜1014和1016用于将聚集的光束聚焦到阵列检测器122中。在一个实施方案中，透镜1010、1014和1016可以是平凸透镜。

在一个实施方案中，物镜116可以是反射物镜1102(例如，两个镜)，如图11所示。然后，聚集的光束可以穿过被配置成限制聚集的光束的直径的孔1104。反射物镜1102距基底的肩部1106距离可以在1mm至100mm的范围内。例如，距离可以是76.8mm。然后，聚集的光束穿过二向色滤波器1108。然后，聚集的光束通过分束器1110和管透镜1112。管透镜1112被配置成将聚集的光束聚焦到检测器122中。诸如白色发光二极管(LED)1114的附加光源可以用于基底对准。LED光穿过第二孔1118并穿过透镜1116。

为了光谱的UV部分(即355nm和更小)中的更好的性能，诸如石英、熔凝二氧化硅、CaF₂的UV级材料用于所有光学部件。

接下来，参照图1，描述根据示例性实施方案的图像计算机124的硬件说明。图像计算机124还可以执行控制器110的功能和处理。图像计算机124包括执行本文描述的并行数据处理和工艺数据的多核CPU，并且指令可以存储在存储器中。这些工艺和指令还可以存储在存储介质盘(例如硬盘驱动器(HDD)或固态驱动器或便携式存储介质)上，或者可以远程存储。此外，所要求保护的优势不受存储有本发明工艺的指令的计算机可读介质的形式的限制。例如，指令可以存储在CD、DVD、FLASH存储器、RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、硬盘或控制器与其进行通信的任何其他信息处理器件(例如服务器或计算机)中。

此外，所要求保护的优势可以提供为与CPU和诸如Microsoft Windows、UNIX、Solaris、LINUX、Apple MAC-OS和本领域技术人员已知的其他系统的操作系统一起执行的实用应用程序、后台守护程序或操作系统的组件或其组合。

为了实现图像计算机124，可以通过本领域技术人员已知的多种不同电路元件来实现硬件元件。例如，CPU可以为来自美国Intel的Xenon或Core处理器或来自美国AMD的Opteron处理器，或者可以为本领域技术人员将认识到的其他处理器类型。或者，如本领域技术人员将认识到的，CPU可以在FPGA、ASIC、PLD上或使用离散逻辑电路来实现。此外，CPU可以实施为并行协作工作的多个处理器，以执行上述发明工艺的指令。

显然，根据上述教导许多修改和变化都是可能的。因此，应理解在所附权利要求的范围内，本发明可以以不同于本文具体描述的方式来实施。

因此，前述讨论仅公开和描述了本发明的示例性实施方案。如本领域技术人员将理解的，在不脱离本发明的精神或其基本特征的情况下，本发明可以以其他特定形式实施。因此，本发明的公开内容旨在说明，而不是限制本发明的范围以及其他权利要求。包括本文教导的任何易于辨别的变体的本公开内容部分地限定前述权利要求术语的范围，使得将没有创造性主题献给公众。

Claims (20)

1.一种用于检查基底的方法，包括：

用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹在所述照射斑的至少一部分之上延伸；以及

通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述奇异激光束具有被相位差分开的至少两个光束部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述相位差是π弧度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述奇异激光束的相位差使用相位掩模或相位延迟器形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述奇异激光束在所述基底表面具有s偏振取向或者在所述基底表面具有p偏振取向。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述奇异激光束在所述基底表面的入射角为约1°至约90°。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述奇异激光束包括在光谱的极紫外部分(EUV)、深紫外部分(DUV)、紫外部分(UV)或可见部分中的光波长，或者其两者或更多者的组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学检测系统被配置成检测在基本垂直于所述基底的方向上的来自所述纳米缺陷的散射光。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学检测系统包括：

物镜；

可配置的成像孔；

中继光学件；

带通滤波器；和

检测器阵列。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述检测器阵列包括光电倍增管(PMT)阵列或时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)阵列。

11.根据权利要求9所述的方法，其中优化所述物镜以使色差最小化。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述光学检测系统还包括：

用于在检测来自在所述基底上的纳米缺陷的散射光期间保持聚焦的自动聚焦系统。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述光学检测系统还包括：

图像计算机，所述图像计算机用于对由来自被照射的纳米缺陷的散射光获得的光学信号进行信号处理，以及用于确定在所述光学检测系统的视场中是否存在纳米缺陷。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米缺陷包括位于所述基底上的缺陷和位于形成在所述基底上的所有层上的缺陷。

15.一种用于检查基底的系统，包括：

用于接收所述基底的基底台；

激光光源；

用于将来自所述激光光源的光引导至所述基底的表面的照射光学件，其中所述照射光学件被配置成形成用于照射所述基底的奇异激光束；以及

光学检测系统，所述光学检测系统用于通过检测来自在所述基底上的被照射的纳米缺陷的散射光来检测所述被照射的纳米缺陷。

16.根据权利要求15所述的系统，还包括：

吹扫室，其中所述基底台置于所述吹扫室中。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述光学检测系统包括：

物镜；

可配置的成像孔；

中继光学件；

带通滤波器；和

检测器阵列。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述检测器阵列包括光电倍增管(PMT)阵列或时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)阵列。

19.根据权利要求17所述的系统，其中所述光学检测系统还包括：

用于在检测来自在所述基底上的纳米缺陷的散射光期间保持聚焦的自动聚焦系统。

20.一种用于检查基底的装置，包括：

照射系统，所述照射系统用于由激光光源形成奇异激光束和将所述奇异激光束引导至所述基底；以及

光学检测系统，所述光学检测系统用于通过检测来自在所述基底上的被照射的纳米缺陷的散射光来检测所述被照射的纳米缺陷。