CN109103208A - 一种影像传感芯片的封装方法及封装结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种影像传感芯片的封装方法及封装结构，其中，所述影像传感芯片的封装方法在进行透光盖板和衬底的粘接过程中，使得透光盖板的第一粘接膜层完全感光区和非感光区，使得透光盖板和影像传感芯片之间形成了无空腔的结构，保证了透光盖板和影像传感芯片之间具有足够的粘接强度，从而在后续单颗影像传感芯片和基板进行注塑工艺，形成塑封层的过程中，由于透光盖板和影像传感芯片之间的粘接强度较强，无需进行多次的注塑工艺，可以直接一次性形成塑封层，不仅简化了塑封层的形成工序，而且无需将第一粘接膜层仅仅控制在感光区周缘，降低了影像传感芯片和透光盖板的粘接精度，进而降低了影像传感芯片的封装难度。

Description

一种影像传感芯片的封装方法及封装结构

技术领域

本申请涉及光学探测装置技术领域，更具体地说，涉及一种影像传感芯片的封装方法及封装结构。

背景技术

影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换为电信号的电子器件。影像传感芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作。在影像传感芯片制作完成后，再通过对影像传感芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构，以用于诸如数码相机、数码摄像机等的电子设备中。

在对影像传感芯片进行封装时，需要将影像传感芯片与透光盖板先进行粘接，然后进行打线和塑封等工艺，以实现对影像传感芯片的封装，提升影像传感芯片的防水防尘性能。但受限于封装结构及其形成工艺的限制，现有技术中的塑封层需要进行多次的注塑工艺，不仅工序较为复杂，而且对于影像传感芯片和透光盖板的粘接精度要求较高，使得影像传感芯片的封装难度较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种影像传感芯片的封装方法及封装结构，以实现简化塑封层的形成工序，并且降低对于影像传感芯片和透光盖板的粘接精度的目的，从而降低影像传感芯片的封装难度。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种影像传感芯片的封装方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个阵列排布的功能区和位于相邻功能区之间的切割道，所述功能区上形成有影像传感芯片，所述影像传感芯片包括感光区和包围所述感光区的非感光区，所述非感光区上设置有第一焊垫；

提供透光盖板，所述透光盖板一侧具有第一粘接膜层；

利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底，所述第一粘接膜层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光区和所述非感光区在所述衬底上的正投影；

对所述透光盖板进行处理，以至少部分暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫；

沿所述切割道对所述衬底进行切割，以获得单颗影像传感芯片；

提供基板，将所述基板与所述影像传感芯片的衬底的第二表面贴合，所述基板上设置有第二焊垫；

对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接，将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接；

进行注塑工艺形成塑封层，所述塑封层包覆所述影像传感芯片并暴露所述透明盖板的顶表面。

可选的，所述对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接，将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接包括：

对所述基板与所述影像传感芯片进行打线处理，以形成连接所述第一焊垫与所述第二焊垫的金属线。

可选的，所述利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底之前还包括：

形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层。

可选的，所述感光区上设置有多个微透镜；

所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖所述感光区，且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。

可选的，所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖所述感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

可选的，所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖多个所述感光区以及所述非感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率小于所述第一粘接膜层的折射率。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.4。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.2。

可选的，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于60％。

可选的，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于75％。

可选的，所述对所述透光盖板进行处理，以至少部分暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫包括：

对所述透光盖板进行半切处理，以去除所述透光盖板位于所述非感光区中的部分，并暴露出位于所述非感光区中的第一粘接膜层；

至少部分去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层，以至少部分暴露出所述第一焊垫。

可选的，所述至少部分去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层，以至少部分暴露出所述第一焊垫包括：

对位于所述非感光区的第一粘接膜层进行等离子体处理或激光刻蚀处理，以至少部分暴露出所述第一焊垫。

可选的，所述进行注塑工艺形成塑封层之后还包括：

在所述基板背离所述影像传感芯片一侧形成与所述第二焊垫电连接的球栅阵列封装结构或栅格阵列封装结构。

一种影像传感芯片的封装结构，包括：

基板，所述基板上设置有第二焊垫；

位于所述基板上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括感光区和非感光区，所述非感光区上设置有第一焊垫；

位于影像传感芯片背离基板一侧的粘接结构，所述粘接结构覆盖所述感光区和非感光区，且至少部分暴露出所述第一焊垫；

位于所述粘接结构背离所述基板一侧的透明盖板；

连接所述第一焊垫和所述第二焊垫的电连接结构；

包覆所述影像传感芯片并暴露出所述透明盖板的顶表面的塑封层。

可选的，所述粘接结构包括：

至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层；

覆盖所述第二粘接膜层的第一粘接膜层。

可选的，所述感光区上设置有多个微透镜；

所述第二粘接膜层为覆盖所述感光区，且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。

可选的，所述第二粘接膜层为覆盖多个所述感光区以及所述非感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

可选的，所述第二粘接膜层为覆盖所述感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率小于所述第一粘接膜层的折射率。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率的小于或等于1.4。

可选的，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.2。

可选的，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于60％。

可选的，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于75％。

可选的，还包括：

位于所述基板背离所述影像传感芯片一侧的球栅阵列封装结构或栅格阵列封装结构。

可选的，所述电连接结构为金属线。

从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种影像传感芯片的封装方法及封装结构，其中，所述影像传感芯片的封装方法在进行透光盖板和衬底的粘接过程中，使得透光盖板的第一粘接膜层完全感光区和非感光区，使得透光盖板和影像传感芯片之间形成了无空腔的结构，保证了透光盖板和影像传感芯片之间具有足够的粘接强度，从而在后续单颗影像传感芯片和基板进行注塑工艺，形成塑封层的过程中，由于透光盖板和影像传感芯片之间的粘接强度较强，无需进行多次的注塑工艺，可以直接一次性形成塑封层，不仅简化了塑封层的形成工序，而且无需将第一粘接膜层仅仅控制在感光区周缘，降低了影像传感芯片和透光盖板的粘接精度，进而降低了影像传感芯片的封装难度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为衬底的俯视结构示意图；

图2为图1沿PP’线的剖面结构示意图；

图3为一种在衬底上形成第二粘接膜层的剖面结构示意图；

图4为另一种在衬底上形成第二粘接膜层的剖面结构示意图；

图5为又一种在衬底上形成第二粘接膜层的剖面结构示意图；

图6为再一种在衬底上形成第二粘接膜层的剖面结构示意图；

图7为在图6基础上粘接透明盖板后的剖面结构示意图；

图8为对透明盖板进行半切处理后的剖面结构示意图；

图9为对第一粘接膜层进行处理后的剖面结构示意图；

图10为对衬底进行切割后的单颗影像传感芯片的剖面结构示意图；

图11为图10的俯视结构示意图；

图12为粘接基板后的影像传感芯片的剖面结构示意图；

图13为打线处理后的影像传感芯片的剖面结构示意图；

图14为进行塑封处理后的影像传感芯片的剖面结构示意图；

图15为一种形成球栅阵列封装结构后的影像传感芯片的剖面结构示意图；

图16为另一种形成球栅阵列封装结构后的影像传感芯片的剖面结构示意图；

图17为又一种形成球栅阵列封装结构后的影像传感芯片的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

参考图1-图17，图1-图17为本申请实施例提供的影像传感芯片的封装方法的制备流程示意图，所述影像传感芯片的封装方法包括：

S101：提供衬底100，所述衬底100包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个阵列排布的功能区和位于相邻功能区之间的切割道20，所述功能区上形成有影像传感芯片12，所述影像传感芯片12包括感光区123和包围所述感光区123的非感光区124，所述非感光区124上设置有第一焊垫122；参考图1和图2，图1为衬底100的俯视结构示意图，图2为图1中沿PP’线的剖面结构示意图。

所述衬底100可以是硅衬底或其他材料的半导体衬底，在后续的步骤中，沿切割道20对衬底100进行切割后，所述衬底100的第二表面即为影像传感芯片12的第二表面。

S102：提供透光盖板15，所述透光盖板15一侧具有第一粘接膜层14。

所述透光盖板15优选为玻璃盖板。

S103：利用所述第一粘接膜层14粘接所述透光盖板15与所述衬底100，所述第一粘接膜层14在所述衬底100上的正投影覆盖所述感光区123和所述非感光区124在所述衬底100上的正投影；

经过步骤S103后的衬底100及其表面结构的示意图参考图7，在图7中除了示出透光盖板15以及第一粘接膜层14外，还示出了感光区123上设置的多个微透镜121，以及至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131，第二粘接膜层131的形成工艺在透光盖板15与衬底100粘接之前，即所述利用所述第一粘接膜层14粘接所述透光盖板15与所述衬底100之前还包括：

形成至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131。

本申请的一些可选实施例提供了几种形成至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131的具体实施方式，分别参考图3-图6，在图3中，所述形成至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131包括：

形成覆盖所述感光区123，且与所述微透镜121表面形貌一致的光学胶层。

在图4和图5中，所述形成至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131包括：

形成覆盖多个所述感光区123以及所述非感光区124的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

由于所述影像传感芯片12的第一焊垫122在后续的工艺过程中需要与第一焊垫122进行电性连接，以实现基板11和影像传感芯片12的电连接，因此在形成了覆盖所述感光区123和非感光区124的光学胶层之后(如图4)，还需要对光学胶层进行处理，以至少部分暴露出所述第一焊垫122。

在图6中，所述形成至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131包括：

形成覆盖所述感光区123的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

在图6中，形成仅覆盖所述感光区123的光学胶层的工艺可以是利用掩膜板对非感光区124进行遮挡，从而实现仅在感光区123上形成光学胶层的工艺，但在本申请的其他实施例中，还可以是在形成覆盖感光区123和非感光区124的第二粘接膜层131后，对非感光区124中的第二粘接膜层131进行刻蚀处理，以去除位于非感光区124中的第二粘接膜层131。采用的刻蚀处理工艺可以是等离子体刻蚀工艺，也可以是激光刻蚀工艺，本申请对此并不做限定。

可选的，所述第二粘接膜层131的折射率小于所述第一粘接膜层14的折射率，这样可以实现位于感光区123中的微透镜121的聚光作用，具体地，光线透过第一粘接膜层14到达第二粘接膜层131的接触面时，由于第一粘接膜层14的折射率大于第二粘接膜层131的折射率，光线实质上是从光密介质向光疏介质进行传播，当光线的入射角大于一定值时，会出现全反射现象，从而实现将入射到微透镜121的光线的入射角度限定在一定范围内的目的，进而实现微透镜121的聚光作用。

可选的，所述第二粘接膜层131的折射率小于或者等于1.4，优选的，第二粘接膜层131的折射率小于或者等于1.2，即越接近1效果越好。第一粘接膜层14的透光率大于或者等于60％，优选的，第一粘接膜层14的透光率大于或者等于75％，即第一粘接膜层14具有高透光率。优选的，第二粘接膜层131的厚度在1μm-2μm之间，第一粘接膜层14的厚度的取值范围为20μm-60μm，透光盖板15的厚度的取值范围为100μm-300μm。

还需要说明的是，在步骤S103中，由于第一粘接膜层14完全覆盖非感光区124和位于感光区123上的第二粘接膜层131，无需精确地分布在感光区123的周缘，降低了第一粘接膜层14的设置难度。

S104：对所述透光盖板15进行处理，以至少部分暴露出位于所述非感光区124中的第一焊垫122；

参考图8和图9，步骤S104具体包括：对所述透光盖板15进行半切处理，以去除所述透光盖板15位于所述非感光区124中的部分，并暴露出位于所述非感光区124中的第一粘接膜层14；

至少部分去除位于所述非感光区124中的第一粘接膜层14，以至少部分暴露出所述第一焊垫122。

在图9中，完全去除掉了位于非感光区124中的第一粘接膜层14，使所述第一焊垫122完全暴露出来。但在本申请的其他实施例中，还可以保留部分位于非感光区124中的第一粘接膜层14，甚至可以保留部分覆盖所述第一焊垫122的第一粘接膜层14，只要不妨碍第一焊垫122在后续工艺中与基板11的电连接即可。

可选的，所述至少部分去除位于所述非感光区124中的第一粘接膜层14，以至少部分暴露出所述第一焊垫122包括：

对位于所述非感光区124的第一粘接膜层14进行等离子体处理或激光刻蚀处理，以至少部分暴露出所述第一焊垫122。

S105：沿所述切割道20对所述衬底100进行切割，以获得单颗影像传感芯片12；

经过步骤S105后的衬底100及其表面结构参考图10和图11，图10为单颗影像传感芯片12的剖面结构示意图，图11为单颗影像传感芯片12的俯视结构示意图。

在对衬底100进行切割时，优选采用两次切割过程进行，具体地，第一次切割沿切割道20进行切割，深度控制在切至部分第一粘接膜层14即可，切割至部分第一粘接膜层14代表并未将第一粘接膜层14分离。因此衬底100与第一粘接膜层14之间设置有互联层，因互联层的材质较脆，并且延展性和韧性较差，第一次切割的第一切刀为硬度较大的刀，在第二次切割时降低切刀的硬度，以降低对互联层的伤害，避免互联层开裂。

S106：提供基板11，将所述基板11与所述影像传感芯片12的衬底100的第二表面贴合，所述基板11上设置有第二焊垫111；

经过步骤S106后的影像传感芯片12的剖面结构示意图参考图12，

S107：对所述基板11与所述影像传感芯片12进行电连接，将所述第一焊垫122与所述第二焊垫111电性连接；

经过步骤S107后的影像传感芯片12的剖面结构示意图参考图13，在图13中所述对所述基板11与所述影像传感芯片12进行电连接，将所述第一焊垫122与所述第二焊垫111电性连接包括：

对所述基板11与所述影像传感芯片12进行打线处理，以形成连接所述第一焊垫122与所述第二焊垫111的金属线16。

S108：进行注塑工艺形成塑封层17，所述塑封层17包覆所述影像传感芯片12并暴露所述透明盖板的顶表面。

经过步骤S108后的影像传感芯片12的剖面结构示意图参考图14，由于所述第一粘接膜层14无需包覆所述金属线16，使得作为所述第一粘接膜层14的材料无需同时兼顾透光性和对金属线16良好的包覆性能，只需要具有良好的透光性即可，降低了第一粘接膜层14的形成材料的选择难度。

并且由于第一粘接膜层14完全感光区123和非感光区124，使得透光盖板15和影像传感芯片12之间形成了无空腔的结构，保证了透光盖板15和影像传感芯片12之间具有足够的粘接强度，从而在后续单颗影像传感芯片12和基板11进行注塑工艺，形成塑封层17的过程中，由于透光盖板15和影像传感芯片12之间的粘接强度较强，无需进行多次的注塑工艺，可以直接一次性形成塑封层17，不仅简化了塑封层17的形成工序，而且无需将第一粘接膜层14仅仅控制在感光区123周缘，降低了影像传感芯片12和透光盖板15的粘接精度，进而降低了影像传感芯片12的封装难度。

参考图15-图17，所述进行注塑工艺形成塑封层17之后还包括：

在所述基板11背离所述影像传感芯片12一侧形成与所述第二焊垫111电连接的球栅阵列封装结构112或栅格阵列封装结构。

图15-图17中示出了包括接触端子的球栅阵列封装结构112(Ball Grid Array，BGA)，在本申请的其他实施例中，也可以是形成在基板11背离所述影像传感芯片12一侧由平面焊垫构成的栅格阵列封装结构(Land Grid Array，LGA)。

在图15中，所述影像传感芯片12的第二粘接膜层131为覆盖所述感光区123的光学胶层，且所述光学胶层具有平整平面。

在图16中，所述影像传感芯片12的第二粘接膜层131为覆盖所述感光区123，且与所述微透镜121表面形貌一致的光学胶层。

在图17中，所述影像传感芯片12只在感光区123一侧的非感光区124中设置有第一焊垫122，在两侧的非感光区124中均设置第一焊垫122的影像传感芯片12而言，有利于进一步降低影像传感芯片12的体积，实现影像传感芯片12的小型化。

基于上述封装方法的实施例，相应的，本申请实施例还提供了一种影像传感芯片12的封装结构，如图15-图17所示，该封装结构包括：

基板11，所述基板11上设置有第二焊垫111；

位于所述基板11上的影像传感芯片12，所述影像传感芯片12包括感光区123和非感光区124，所述非感光区124上设置有第一焊垫122；

位于影像传感芯片12背离基板11一侧的粘接结构，所述粘接结构覆盖所述感光区123和非感光区124，且至少部分暴露出所述第一焊垫122；

位于所述粘接结构背离所述基板11一侧的透明盖板；

连接所述第一焊垫122和所述第二焊垫111的电连接结构；

包覆所述影像传感芯片12并暴露出所述透明盖板的顶表面的塑封层17。

所述粘接结构包括：

至少覆盖所述感光区123的第二粘接膜层131；

覆盖所述第二粘接膜层131的第一粘接膜层14。

在图15-图17中，连接所述第一焊垫122和所述第二焊垫111的电连接结构为金属线16，此外，还示出了位于感光区123中的多个微透镜121；

可选的，所述第二粘接膜层131的折射率小于所述第一粘接膜层14的折射率，这样可以实现位于感光区123中的微透镜121的聚光作用，具体地，光线透过第一粘接膜层14到达第二粘接膜层131的接触面时，由于第一粘接膜层14的折射率大于第二粘接膜层131的折射率，光线实质上是从光密介质向光疏介质进行传播，当光线的入射角大于一定值时，会出现全反射现象，从而实现将入射到微透镜121的光线的入射角度限定在一定范围内的目的，进而实现微透镜121的聚光作用。

可选的，所述第二粘接膜层131的折射率小于或者等于1.4，优选的，第二粘接膜层131的折射率小于或者等于1.2，即越接近1效果越好。第一粘接膜层14的透光率大于或者等于60％，优选的，第一粘接膜层14的透光率大于或者等于75％，即第一粘接膜层14具有高透光率。优选的，第二粘接膜层131的厚度在1μm-2μm之间，第一粘接膜层14的厚度的取值范围为20μm-60μm，透光盖板15的厚度的取值范围为100μm-300μm。

还需要说明的是，由于第一粘接膜层14完全覆盖非感光区124和位于感光区123上的第二粘接膜层131，无需精确地分布在感光区123的周缘，降低了在制备工序中第一粘接膜层14的设置难度。

在图15中，所述影像传感芯片12的第二粘接膜层131为覆盖所述感光区123的光学胶层，且所述光学胶层具有平整平面。

在图16中，所述影像传感芯片12的第二粘接膜层131为覆盖所述感光区123，且与所述微透镜121表面形貌一致的光学胶层。

在图17中，所述影像传感芯片12只在感光区123一侧的非感光区124中设置有第一焊垫122，在两侧的非感光区124中均设置第一焊垫122的影像传感芯片12而言，有利于进一步降低影像传感芯片12的体积，实现影像传感芯片12的小型化。

另外，在本申请的其他实施例中，所述第二粘接膜层131还可以为覆盖多个所述感光区123以及所述非感光区124的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。在这些实施例中，所述第二粘接膜层131部分覆盖所述非感光区124，以至少部分暴露出所述第一焊垫122，以便于第一焊垫122和第二焊垫111的电连接。

可选的，该封装结构还包括：位于所述基板11背离所述影像传感芯片12一侧的球栅阵列封装结构112或栅格阵列封装结构。

图15-图17中示出了包括接触端子的球栅阵列封装结构112(Ball Grid Array，BGA)，在本申请的其他实施例中，也可以是形成在基板11背离所述影像传感芯片12一侧由平面焊垫构成的栅格阵列封装结构(Land Grid Array，LGA)。

综上所述，本申请实施例提供了一种影像传感芯片12的封装方法及封装结构，其中，所述影像传感芯片12的封装方法在进行透光盖板15和衬底100的粘接过程中，使得透光盖板15的第一粘接膜层14完全感光区123和非感光区124，使得透光盖板15和影像传感芯片12之间形成了无空腔的结构，保证了透光盖板15和影像传感芯片12之间具有足够的粘接强度，从而在后续单颗影像传感芯片12和基板11进行注塑工艺，形成塑封层17的过程中，由于透光盖板15和影像传感芯片12之间的粘接强度较强，无需进行多次的注塑工艺，可以直接一次性形成塑封层17，不仅简化了塑封层17的形成工序，而且无需将第一粘接膜层14仅仅控制在感光区123周缘，降低了影像传感芯片12和透光盖板15的粘接精度，进而降低了影像传感芯片12的封装难度。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (26)

1.一种影像传感芯片的封装方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个阵列排布的功能区和位于相邻功能区之间的切割道，所述功能区上形成有影像传感芯片，所述影像传感芯片包括感光区和包围所述感光区的非感光区，所述非感光区上设置有第一焊垫；

提供透光盖板，所述透光盖板一侧具有第一粘接膜层；

利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底，所述第一粘接膜层在所述衬底上的正投影覆盖所述感光区和所述非感光区在所述衬底上的正投影；

对所述透光盖板进行处理，以至少部分暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫；

沿所述切割道对所述衬底进行切割，以获得单颗影像传感芯片；

提供基板，将所述基板与所述影像传感芯片的衬底的第二表面贴合，所述基板上设置有第二焊垫；

对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接，将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接；

进行注塑工艺形成塑封层，所述塑封层包覆所述影像传感芯片并暴露所述透明盖板的顶表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接，将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接包括：

对所述基板与所述影像传感芯片进行打线处理，以形成连接所述第一焊垫与所述第二焊垫的金属线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底之前还包括：

形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述感光区上设置有多个微透镜；

所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖所述感光区，且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖所述感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括：

形成覆盖多个所述感光区以及所述非感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率小于所述第一粘接膜层的折射率。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.4。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.2。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于60％。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于75％。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述透光盖板进行处理，以至少部分暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫包括：

对所述透光盖板进行半切处理，以去除所述透光盖板位于所述非感光区中的部分，并暴露出位于所述非感光区中的第一粘接膜层；

至少部分去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层，以至少部分暴露出所述第一焊垫。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述至少部分去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层，以至少部分暴露出所述第一焊垫包括：

对位于所述非感光区的第一粘接膜层进行等离子体处理或激光刻蚀处理，以至少部分暴露出所述第一焊垫。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行注塑工艺形成塑封层之后还包括：

在所述基板背离所述影像传感芯片一侧形成与所述第二焊垫电连接的球栅阵列封装结构或栅格阵列封装结构。

15.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板上设置有第二焊垫；

位于所述基板上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括感光区和非感光区，所述非感光区上设置有第一焊垫；

位于影像传感芯片背离基板一侧的粘接结构，所述粘接结构覆盖所述感光区和非感光区，且至少部分暴露出所述第一焊垫；

位于所述粘接结构背离所述基板一侧的透明盖板；

连接所述第一焊垫和所述第二焊垫的电连接结构；

包覆所述影像传感芯片并暴露出所述透明盖板的顶表面的塑封层。

16.根据权利要求15所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述粘接结构包括：

至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层；

覆盖所述第二粘接膜层的第一粘接膜层。

17.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述感光区上设置有多个微透镜；

所述第二粘接膜层为覆盖所述感光区，且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。

18.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第二粘接膜层为覆盖多个所述感光区以及所述非感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

19.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第二粘接膜层为覆盖所述感光区的光学胶层，所述光学胶层具有平整平面。

20.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率小于所述第一粘接膜层的折射率。

21.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率的小于或等于1.4。

22.根据权利要求21所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.2。

23.根据权利要求16所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于60％。

24.根据权利要求23所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一粘接膜层的透光率大于或等于75％。

25.根据权利要求15所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括：

位于所述基板背离所述影像传感芯片一侧的球栅阵列封装结构或栅格阵列封装结构。

26.根据权利要求15所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述电连接结构为金属线。