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CN109089406A - 一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法 - Google Patents

一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法 Download PDF

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CN109089406A
CN109089406A CN201811211627.6A CN201811211627A CN109089406A CN 109089406 A CN109089406 A CN 109089406A CN 201811211627 A CN201811211627 A CN 201811211627A CN 109089406 A CN109089406 A CN 109089406A
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姚艳芳
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WUJIANG YOUXIN NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd
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WUJIANG YOUXIN NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd
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    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明公开了一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材，基材的上侧设有高透光树脂层，在高透光树脂层内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒，还公开了一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，本发明一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，采用微纳加工的方式制作透明结构基材，并使用凹版印刷的原理在结构内部形成金属网格结构，使其具有高透过型，金属结构具有高耐候性；采用环境友好型生产制造工艺，且制作的金属线条线宽最细可达到1um，具有很好的视觉效果；采用导磁与导电纳米材料相结合的组成方式使可有效提高屏蔽效果，拓宽屏蔽范围；采用多种网格设计与模拟电路吸收阵列相结合，使其具有高效的屏蔽及吸收效果。

Description

一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽膜技术领域，具体是一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法。
背景技术
常规的电磁屏蔽视窗，多采用铜刻蚀、感光银等方式将金属网格集成于透明基底材料表面，采用内夹金属丝网的屏蔽玻璃，产品的透光度低、屏蔽波段窄，难以满足从低频10KHz到高频18GHz宽屏段电磁屏蔽性能的要求，屏蔽性能不完善，综合性能不佳。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材，所述基材的上侧设有高透光树脂层，在高透光树脂层内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒，在高透光树脂层上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层、纳米金属导磁材料层和黑化纳米材料层。
进一步的，所述基材1的材质为PET、PC、PEN、PP和PS中的一种。
进一步的，所述高透光树脂层中的高透光树脂的材质为PETG和TPU中的一种。
进一步的，所述纳米金属导电材料层为纳米铜导电油墨层。
进一步的，所述纳米金属导磁材料层为纳米导磁油墨层。
进一步的，所述黑化纳米材料层为黑化油墨层。
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层内部形成纳米导磁待料颗粒。
进一步的，所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生。
进一步的，所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印。
进一步的，所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、采用微纳加工的方式制作透明结构基材，并使用凹版印刷的原理在结构内部形成金属网格结构，使其具有高透过型，金属结构具有高耐候性。
2、采用环境友好型生产制造工艺，且制作的金属线条线宽最细可达到1um，具有很好的视觉效果。
3、采用导磁与导电纳米材料相结合的组成方式使可有效提高屏蔽效果，拓宽屏蔽范围。
4、采用多种网格设计与模拟电路吸收阵列相结合，使其具有高效的屏蔽及吸收效果。
附图说明
图1为一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的结构示意图。
图中：
1-基材1、2-高透光树脂层、3-纳米导磁材料颗粒、4-纳米金属导电材料层、5-纳米金属导磁材料层、6-黑化纳米材料层。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，以下实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
实施例1
请参阅图1，一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材1，所述基材1的上侧设有高透光树脂层2，在高透光树脂层2内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒3，在高透光树脂层2上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层4、纳米金属导磁材料层5和黑化纳米材料层6；
所述基材1的材质为PET；
所述高透光树脂层2中的高透光树脂的材质为PETG；
所述纳米金属导电材料层4为纳米铜导电油墨层；
所述纳米金属导磁材料层5为纳米导磁油墨层；
所述黑化纳米材料层6为黑化油墨层；
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材1；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层2；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层2上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层2内部形成纳米导磁待料颗粒3；
所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生；
所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印；
所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
本实施例中，基材为PET，高透光树脂层材质为PETG，金属结构具有高耐候性、耐化学性和坚韧性。
实施例2
请参阅图1，一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材1，所述基材1的上侧设有高透光树脂层2，在高透光树脂层2内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒3，在高透光树脂层2上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层4、纳米金属导磁材料层5和黑化纳米材料层6；
所述基材1的材质为PC；
所述高透光树脂层2中的高透光树脂的材质为PETG；
所述纳米金属导电材料层4为纳米铜导电油墨层；
所述纳米金属导磁材料层5为纳米导磁油墨层；
所述黑化纳米材料层6为黑化油墨层；
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材1；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层2；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层2上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层2内部形成纳米导磁待料颗粒3；
所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生；
所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印；
所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
本实施例中，基材为PC，高透光树脂层材质为PETG，具有高耐候性和化学稳定性，且具有高透明度。
实施例3
请参阅图1，一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材1，所述基材1的上侧设有高透光树脂层2，在高透光树脂层2内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒3，在高透光树脂层2上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层4、纳米金属导磁材料层5和黑化纳米材料层6；
所述基材1的材质为PEN；
所述高透光树脂层2中的高透光树脂的材质为TPU；
所述纳米金属导电材料层4为纳米铜导电油墨层；
所述纳米金属导磁材料层5为纳米导磁油墨层；
所述黑化纳米材料层6为黑化油墨层；
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材1；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层2；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层2上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层2内部形成纳米导磁待料颗粒3；
所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生；
所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印；
所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
本实施例中，基材为PEN，高透光树脂层材质为TPU，具有较佳的耐热性和耐紫外线辐射性能，还具有较佳的耐磨性能和较佳的透明度。
实施例4
请参阅图1，一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材1，所述基材1的上侧设有高透光树脂层2，在高透光树脂层2内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒3，在高透光树脂层2上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层4、纳米金属导磁材料层5和黑化纳米材料层6；
所述基材1的材质为PP；
所述高透光树脂层2中的高透光树脂的材质为PETG；
所述纳米金属导电材料层4为纳米铜导电油墨层；
所述纳米金属导磁材料层5为纳米导磁油墨层；
所述黑化纳米材料层6为黑化油墨层；
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材1；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层2；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层2上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层2内部形成纳米导磁待料颗粒3；
所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生；
所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印；
所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
本实施例中，基材为PP，高透光树脂层材质为PETG，具有高耐候性和化学稳定性。
实施例5
请参阅图1，一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材1，所述基材1的上侧设有高透光树脂层2，在高透光树脂层2内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒3，在高透光树脂层2上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层4、纳米金属导磁材料层5和黑化纳米材料层6；
所述基材1的材质为PS；
所述高透光树脂层2中的高透光树脂的材质为TPU；
所述纳米金属导电材料层4为纳米铜导电油墨层；
所述纳米金属导磁材料层5为纳米导磁油墨层；
所述黑化纳米材料层6为黑化油墨层；
一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材1；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层2；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层2上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层2内部形成纳米导磁待料颗粒3；
所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生；
所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印；
所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
本实施例中，基材为PS，高透光树脂层材质为TPU，具有高透光性，光通过率高，且具有较稳定的化学性能。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (10)

1.一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材（1），其特征在于，所述基材（1）的上侧设有高透光树脂层（2），在高透光树脂层（2）内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒（3），在高透光树脂层（2）上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层（4）、纳米金属导磁材料层（5）和黑化纳米材料层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基材1的材质为PET、PC、PEN、PP和PS中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述高透光树脂层（2）中的高透光树脂的材质为PETG和TPU中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米金属导电材料层（4）为纳米铜导电油墨层。
5.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米金属导磁材料层（5）为纳米导磁油墨层。
6.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述黑化纳米材料层（6）为黑化油墨层。
7.一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1、根据需要选择合适的材料作为基材（1）；
S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层（2）；
S3、根据需要制作模具；
S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层（2）上进行纹理转印形成凹槽结构；
S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；
S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层（2）内部形成纳米导磁待料颗粒（3）。
8.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生。
9.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印。
10.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。
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