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CN109075204A - 薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示装置、及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示装置、及其制造方法 Download PDF

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CN109075204A
CN109075204A CN201680001043.9A CN201680001043A CN109075204A CN 109075204 A CN109075204 A CN 109075204A CN 201680001043 A CN201680001043 A CN 201680001043A CN 109075204 A CN109075204 A CN 109075204A
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Abstract

本申请公开了一种薄膜晶体管，其包括基体衬底；位于所述基体衬底上的有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区；位于沟道区远离基体衬底一侧的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层远离沟道区一侧的栅极；所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。

Description

薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示 装置、及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术；具体地涉及一种薄膜晶体管，具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示装置，及其制造方法。
背景技术
显示设备，例如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)已得到广泛地使用。LCD和OLED显示设备使用薄膜晶体管(TFT)控制显示面板中的像素。TFT的实例包括非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT、和金属氧化物TFT。薄膜晶体管可分为顶栅型或底栅型。
发明内容
一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括基体衬底；位于所述基体衬底上的有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区；位于沟道区远离基体衬底一侧的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层远离沟道区一侧的栅极；其中所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。
可选地，源极接触区和沟道区之间的分界、以及漏极接触区和沟道区之间的分界基本上与栅绝缘层和栅极的边缘对齐。
任选地，栅极在基体衬底上的投影基本上与沟道区的投影重叠，并且栅极在基体衬底上的投影和沟道区的投影彼此基本上具有相同的范围。
任选地，所述有源层包括位于远离基体衬底一侧的第一金属子层、和第二金属子层；第一金属子层与源极接触区在基体衬底上的投影基本上具有相同的范围；并且所述第二金属子层与漏极接触区在基体衬底上的投影基本上具有相同的范围。
任选地，所述栅绝缘层具有第一部分，其厚度沿着从沟道区向源极接触区的第一方向逐渐变小；第二部分，其厚度沿着从沟道区向漏极接触区的第二方向逐渐变小；以及位于第一部分和第二部分之间的第三部分，其厚度基本保持不变。
可选地，栅绝缘层具有基本上为倒梯形的形状；倒梯形形状的短底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。
可选地，栅绝缘层的厚度在约2.0微米至约2.5微米范围内。
任选地，所述硅氧烷类有机材料具有式I的结构：
n为正整数；X为氧或碳；且Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
任选地，所述硅氧烷类有机材料具有式II的结构：
Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
任选地，薄膜晶体管还包括位于栅极和有源层远离基体衬底一侧的绝缘层；延伸穿过绝缘层的源通孔和漏通孔；位于绝缘层远离基体衬底的一侧的源极和漏极；其中所述源极通过源通孔与所述源极接触区电连接，所述漏极通过漏通孔与所述漏极接触区电连接。
另一方面，本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其包括：在基体衬底上形成有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区和漏极接触区；在沟道区远离基体衬底的一侧形成栅绝缘层；以及在栅绝缘层远离沟道区的一侧形成栅极；其中所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。
任选地，形成所述有源层的步骤包括形成位于远离基体衬底一侧的第一金属子层和第二金属子层；第一金属子层与源极接触区在基体衬底上的投影基本上具有相同的范围；并且所述第二金属子层与漏极接触区在基体衬底上的投影基本上具有相同的范围。
任选地，形成栅绝缘层的步骤包括：在有源层远离基体衬底的一侧形成包含硅氧烷类有机材料的第一光阻层；所述第一光阻层是负光阻层；使用第一掩模板对所述负光阻层进行曝光从而形成第一光阻层的曝光部分和未曝光部分；以及显影曝光的第一光阻层以去除所述第一光阻层的未曝光部分，从而获得对应于所述栅绝缘层的图案。
任选地，形成所述第一金属子层、第二金属子层和栅极的步骤在一个工艺中完成，其包括：在栅绝缘层和有源层远离基体衬底的一侧形成包含第二光阻材料的第二光阻层；使用第二掩模板对第二光阻层进行曝光；显影曝光的第二光阻层以得到包括第一部分和第二部分的光阻图案，所述第一部分对应于所述栅绝缘层和有源层，所述第二部分位于第一部分之外；除去位于第一部分中的第二光阻材料；在所述栅绝缘层、有源层和第二光阻层远离基体衬底的一侧沉积形成导电材料层；以及去除位于第二部分的第二光阻层和导电材料层，从而形成第一金属子层、第二金属子层和栅极。
任选地，去除位于第二部分的第二光阻层和导电材料层的步骤通过使用剥离溶剂的剥离方法进行。
任选地，所述方法还包括：在栅极和有源层远离基体衬底的一侧形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层的源通孔和漏通孔；在绝缘层远离基体衬底的一侧形成源极和漏极；其中所述源极通过源通孔与所述源极接触区电连接，所述漏极通过漏通孔与所述漏极接触区电连接。
任选地，形成所述栅极和有源层，使得栅极在基体衬底上的投影基本上与沟道区的投影重叠，并且栅极在基体衬底上的投影和沟道区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围。
任选地，形成所述栅绝缘层，使之具有厚度沿着从沟道区向源极接触区的第一方向逐渐变小的第一部分，厚度沿着从沟道区向漏极接触区的第二方向逐渐变小的第二部分，以及位于第一部分和第二部分之间、厚度基本保持不变第三部分。
可选地，形成所述栅绝缘层，使之具有基本上为倒梯形的形状；并且所述倒梯形形状的短底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。
任选地，第一光阻层包括包含具有式I结构的硅氧烷类有机材料：
n为正整数；X为氧或碳；且Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
任选地，所述具有式I结构的硅氧烷类有机材料经光敏官能团共价改性。
任选地，所述第一光阻层包括具有式II结构的硅氧烷类有机材料：
Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
任选地，所述具有式II结构的硅氧烷类有机材料经光敏官能团共价改性。
另一方面，本发明提供了一种阵列基板，其包括本文所述的、或按照本文所述方法制成的薄膜晶体管。
另一方面，本发明提供了一种显示面板，其包括本文所述的阵列基板。
另一方面，本发明提供了一种显示装置，其包括本文所述的显示面板。
附图说明
以下附图仅出于说明目的作为根据公开的各个实施方案的示例，并非意于限制本发明的范围。
图1为常规薄膜晶体管的结构示意图。
图2为根据本发明部分实施方案中的薄膜晶体管的结构示意图。
图3为根据本发明部分实施方案中的栅绝缘层的结构示意图。
图4为根据本发明部分实施方案中的薄膜晶体管的结构示意图。
图5A-5E示出根据本发明部分实施方案的制造薄膜晶体管的方法。
具体实施方式
现结合以下实施方案对本发明进行更具体的说明。请注意，本文中以下对部分实施方案的记载仅出于说明和描述的目的。并非意在穷举或将本发明限制于所公开的具体形式。
图1为常规薄膜晶体管的结构示意图。参照图1，所述薄膜晶体管为常规的顶栅型薄膜晶体管。常规顶栅型薄膜晶体管包括：基体衬底BS、位于基体衬底BS上的钝化层PVX、位于钝化层PVX远离基体衬底BS的一侧的有源层AL、位于有源层AL远离钝化层PVX的一侧的栅绝缘层GI、位于栅绝缘层GI远离有源层的一侧的栅极G、源极S和漏极D、以及延伸穿过栅绝缘层GI的第一通孔V1和第二通孔V2，所述源极S通过第一通孔V1与有源层AL电连接的源极S、和通过第二通孔V2与有源层AL电连接的漏极D。有源层AL包括源极接触区SCR、漏极接触区DCR、以及介于源极接触区SCR和漏极接触区DCR之间的沟道区CR。
通常，通过首先在栅绝缘层GI上沉积金属层然后在金属层上沉积光阻层，从而形成栅极G、源极S和漏极D。在所述光阻层上使用掩膜板以实现金属层的图案化，例如，通过形成对应于源极S、漏极D和栅极G的光阻图案并且使用湿蚀刻对底层金属层进行蚀刻。
由于湿蚀刻过程中的临界尺寸偏差，所形成的栅极通常比沟道区CR小。正因为如此，有源层AL包括位于沟道区CR两侧的两个偏移区OR。由于顶栅型薄膜晶体管中偏移区OR与源极接触区SCR直接接触并相邻，偏移区OR的存在导致较高的开/关电流比，并且导致薄膜晶体管在“开”期间降低的电流。顶栅型薄膜晶体管的另一个问题和有源层AL与源极S和漏极D之间的接触区域的接触电阻有关。
因此，本发明特别提供了一种薄膜晶体管，具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示装置，及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题。
一方面，本发明提供了一种基本上无偏移区的薄膜晶体管。在部分实施方案中，所述薄膜晶体管包括基体衬底；位于所述基体衬底上的有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区；位于沟道区远离基体衬底一侧的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层远离沟道区一侧的栅极。
任选地，该薄膜晶体管中的栅绝缘层是由硅氧烷类有机材料制成。任选地，所述硅氧烷类有机材料为由硅氧烷类可固化有机材料(例如，紫外可固化复合材料)制备的硅氧烷类有机材料。任选地，所述硅氧烷类有机材料为由硅氧烷类可光固化树脂材料制备的硅氧烷类有机材料。
图2为根据本发明部分实施方案中的薄膜晶体管的结构示意图。参照图2，该实施方案中的薄膜晶体管包括基体衬底BS、位于基体衬底BS上的钝化层PVX、位于钝化层PVX远离基体衬底BS的一侧的有源层AL。该薄膜晶体管中的有源层AL包括源极接触区SCR、漏极接触区DCR、以及位于源极接触区SCR和漏极接触区DCR之间的沟道区CR。如图2所示，该薄膜晶体管还包括位于沟道区CR远离基体衬底BS一侧的栅绝缘层GI、和位于栅绝缘层GI远离沟道区CR的一侧的栅极G。
在部分实施方案中，与常规的顶栅型薄膜晶体管相比，该顶栅型薄膜晶体管基本上无偏移区，从而实现大大改善的电特性。参照图2，源极接触区SCR与沟道区CR之间的边界基本上与栅极G的第一边缘对齐。任选地，源极接触区SCR与沟道区CR之间的边界也基本上与栅绝缘层GI的第一边缘对齐。同样地，漏极接触区DCR与沟道区CR之间的边界基本上与栅极G的第二边缘对齐。任选地，漏极接触区DCR与沟道区CR之间的边界也基本上与栅绝缘层GI的第二边缘对齐。任选地，栅极G的第一边缘和第二边缘位于栅极G相对的两侧。任选地，栅绝缘层GI的第一边缘和第二边缘位于栅绝缘层GI相对的两侧。
在部分实施方案中，栅极G沿着由源极接触区SCR至漏极接触区DCR的方向上的宽度基本上与沟道区CR的宽度相同。任选地，栅绝缘层GI沿着由源极接触区SCR至漏极接触区DCR的方向上的宽度基本上与沟道区CR的宽度相同。
在部分实施方案中，栅极G在基体衬底BS上的投影基本上与沟道区CR在基体衬底BS上的投影重叠。任选地，基体衬底BS上的栅极G的投影与沟道区CR的投影彼此基本上具有相同的范围，即栅极G的面积与沟道区的面积大致相同。
在部分实施方案中，基体衬底BS上的栅绝缘层GI的投影基本上与沟道区CR的投影重叠。任选地，基体衬底BS上的栅绝缘层GI的投影与沟道区CR的投影彼此基本上具有相同的范围，即栅绝缘层GI的面积与沟道区的面积大致相同。
栅绝缘层GI可以制成任何合适的形状和尺寸。合适的形状的示例包括矩形、梯形和倒梯形的形状。图3为根据本发明部分实施方案中的栅绝缘层的结构示意图。参照图3，实施方案中栅绝缘层GI具有第一部分P1、第二部分P2、和第三部分P3。第一部分P1的厚度沿着从沟道区CR至源极接触区SCR的第一方向上减小。
第二部分P2的厚度沿着从沟道区CR至漏极接触区DCR的第二方向上减小。第三部分P3位于第一部分P1和第二部分P2之间。第三部分P3具有基本上不变的厚度。
参照图3，栅绝缘层GI具有长底部LB和短底部SB，所述长底部位于沟道区CR邻近栅极G的一侧，短底部位于栅极G邻近沟道区CR的一侧。在部分实施方案中，长底部LB沿着由源极接触区SCR至漏极接触区DCR的方向上的宽度基本上与沟道区CR的宽度相同。
参照图3，栅绝缘层GI具有两条侧边：第一侧边S1和第二侧边S2。任选地，第一侧边S1和第二侧边S2是直线的。任选地，第一侧边S1和第二侧边S2是曲线的。任选地，第一侧边S1和第二侧边S2有相同的长度。任选地，栅绝缘层GI具有大致倒梯形的形状，并且所述倒梯形形状的短底部SB位于栅极层G邻近沟道区CR的一侧。任选地，栅绝缘层的总厚度在约2.0微米至约2.5微米范围内。任选地，栅绝缘层的第三部分P3的总厚度在约2.0微米至约2.5微米范围内。
任选地，栅绝缘层具有大致为梯形的形状；并且所述梯形形状的长底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。任选地，栅绝缘层具有一个基本上为矩形的形状。
图4为根据本发明部分实施方案中的薄膜晶体管的结构示意图。参照图4，该实施方案的薄膜晶体管的有源层AL包括位于远离基体衬底BS一侧的第一金属子层M1和第二金属子层M2。第一金属子层M1位于源极接触区SCR内，而第二金属子层M2位于漏极接触区DCR内。任选地，基体衬底BS上第一金属子层M1的投影与源极接触区SCR的投影彼此基本上具有相同的范围。任选地，基体衬底BS上第二金属子层M2的投影与漏极接触区DCR的投影彼此基本上具有相同的范围。通过第一金属子层M1和第二金属子层M2，可以显著地降低源极接触区SCR和漏极接触区DCR内有源层AL的接触电阻，进一步改善薄膜晶体管的电特性。
参照图2和图4，这些实施方案中的薄膜晶体管还包括位于栅极G和有源层AL的远离基体衬底BS的一侧的绝缘层IN；延伸穿过绝缘层IN的源通孔V1和漏通孔V2；以及位于绝缘层IN远离基体衬底的一侧的源极S和漏极D。源极S通过源通孔V1与有源层AL的源极接触区SCR电连接。漏极D通过漏通孔V2与有源层AL的漏极接触区DCR电连接。
参照图4，这些实施方案中的薄膜晶体管还包括位于栅极G和有源层AL的远离基体衬底BS的一侧的绝缘层IN；延伸穿过绝缘层IN的源通孔V1和漏通孔V2；以及位于绝缘层IN远离基体衬底的一侧的源极S和漏极D。源极S通过源通孔V1与源极接触区SCR中的第一金属子层M1电连接。漏极D通过漏通孔V2与漏极接触区SCR中的第二金属子层M2电连接。
各种合适硅氧烷类有机材料可以用于制造栅绝缘层。任选地，所述栅绝缘层是由硅氧烷类可固化有机材料材料(例如，紫外可固化复合材料)制备。任选地，所述硅氧烷类有机材料为硅氧烷类树脂材料。任选地，所述栅绝缘层由硅氧烷类光固化树脂材料制成。适当的硅氧烷类有机材料的示例包括，但不限于倍半硅氧烷或直链聚合硅氧烷化合物。倍半硅氧烷的示例包括，但不限于笼型倍半硅氧烷、部分笼型倍半硅氧烷、梯形倍半硅氧烷、和具有无规结构的倍半硅氧烷。线性聚合硅氧烷化合物的示例包括，但不限于聚硅氧烷和聚碳硅烷。
在部分实施方案中，硅氧烷类有机材料具有式I的结构：
其中，n为正整数；X为氧或碳。在部分实施方案中，Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。任选地，n在1至1000范围内，例如1至500、1至200、1至100、1至50、或1至20。
在部分实施方案中，Y1和Y2中的一个为光敏官能团，而另一个选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基团、和基团组成的组。任选地，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
在部分实施方案中，Y1和Y2中的一个选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基、和基组成的组；另一个则选自烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基、和基组成的组，并且进一步地经光敏官能团共价改性。任选地，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3、和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。任选地，未反应的光敏官能团为使硅氧烷类有机材料具有负光阻性的官能团。任选地，未反应的光敏官能团为使硅氧烷类有机材料具有正光阻性的官能团。任选地，所述光敏官能团是任选地，所述光敏官能团是任选地，所述光敏官能团为具有一个或多个环氧基的基团。任选地，所述光敏官能团为具有一个或多个可聚合双键的基团。
在部分实施方案中，硅氧烷类有机材料具有式II的结构：
在部分实施方案中，Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
在部分实施方案中，Y1和Y2中的一个为光敏官能团，另一个选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基、和基组成的组。任选地，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3、和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。在部分实施方案中，Y1和Y2中的一个选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基、和基组成的组；另一个则选自烷基、羟基、烷氧基、芳基、-OR1基、和基组成的组，并且进一步地经光敏官能团共价改性。任选地，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3、和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。任选地，未反应的光敏官能团为使硅氧烷类有机材料具有负光阻性的官能团。任选地，未反应的光敏官能团为使硅氧烷类有机材料具有正光阻性的官能团。任选地，所述光敏官能团是任选地，所述光敏官能团是任选地，所述光敏官能团为具有一个或多个环氧基的基团。任选地，所述光敏官能团为具有一个或多个可聚合双键的基团。
另一方面，本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法。在部分实施方案中，该方法包括：在基体衬底上形成有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、以及漏极接触区；在沟道区远离基体衬底的一侧形成栅绝缘层；以及在栅绝缘层远离沟道区的一侧形成栅极。任选地，所述栅绝缘层使用硅氧烷类有机材料制成。
在部分实施方案中，按照本方法制成的顶栅型薄膜晶体管基本上无偏移区，从而实现了显著改善的电特性。在部分实施方案中，制造所述薄膜晶体管，使得源极接触区与沟道区之间的边界基本上与栅极的第一边缘对齐。
任选地，制造所述薄膜晶体管，使得源极接触区与沟道区之间的边界基本上与栅绝缘层的第一边缘对齐。任选地，制造所述薄膜晶体管，使得漏极接触区与沟道区之间的边界基本上与栅极的第二边缘对齐。任选地，制造所述薄膜晶体管，使得漏极接触区与沟道区之间的边界基本上与栅绝缘层的第二边缘对齐。
在部分实施方案中，制造所述薄膜晶体管，使得所述栅极沿从源极接触区至漏极接触区的方向上的宽度基本上与沟道区的宽度相同。
任选地，制造所述薄膜晶体管，使得所述栅绝缘层沿从源极接触区至漏极接触区的方向上的宽度基本上与沟道区的宽度相同。
在部分实施方案中，制造所述薄膜晶体管，使得基体衬底上栅极的投影与沟道区的投影基本上重叠。
任选地，制造所述薄膜晶体管，使得基体衬底上的栅极的投影与沟道区的投影彼此基本上具有相同的范围，即所述栅极的面积基本上与沟道区的面积相同。
在部分实施方案中，制造所述薄膜晶体管，使得位于基体衬底上的栅绝缘层的投影基本上与沟道区的投影重叠。任选地，制造所述薄膜晶体管，使得基体衬底上栅绝缘层的投影与沟道区的投影彼此基本上在同样的范围，即栅绝缘层的面积基本上与沟道区的面积相同。
在部分实施方案中，所述方法还包括：在所述栅极和有源层远离基体衬底的一侧形成绝缘层；形成延伸穿过所述绝缘层的源通孔和漏通孔；以及在绝缘层远离基体衬底的一侧形成源极和漏极。形成所述源极，使之通过源通孔与源极接触区电连接。形成所述漏极，使之通过漏通孔与漏极接触区电连接。任选地，形成所述源极，使之通过源通孔与源极接触区的第一金属子层电连接。任选地，所述漏极通过漏通孔与漏极接触区的第二金属子层电连接。
可以将所述栅绝缘层制成具有任何适当的形状(例如，矩形形状、梯形形状、和倒梯形形状)和尺寸。任选地，形成所述栅绝缘层使之具有大致倒梯形的形状；并且所述倒梯形形状的短底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。
在部分实施方案中，形成有源层的步骤包括：在远离基体衬底的一侧形成位于源极接触区内的第一金属子层和位于漏极接触区内的第二金属子层。任选地，形成所述第一金属子层和第二金属子层，使得第一金属子层和源极接触区在基体衬底上的投影二者基本在同一个范围，以及第二金属子层和漏极接触区在基体衬底上的投影二者基本上在同一个范围。通过形成位于源极接触区内的第一金属子层和位于漏极接触区内的第二金属子层，可以显著地降低源极接触区和漏极接触区内的有源层的接触电阻，进一步提高薄膜晶体管的电特性。
图5A-5E示出根据本发明部分实施方案的制造薄膜晶体管的方法。参照图5A，所述方法包括在基体衬底BS上形成有源层AL，该有源层AL具有源极接触区SCR、漏极接触区DCR、以及介于源极接触区SCR和漏极接触区DCR之间的沟道区CR。
参照图5B，该方法包括在有源层AL远离基体衬底BS的一侧形成含有硅氧烷类有机材料的栅绝缘层GI的步骤。任选地，用于形成栅绝缘层GI的材料为含有硅氧烷类有机材料的光阻材料，例如，含有硅氧烷类有机材料的负性光阻材料。任选地，形成栅绝缘层GI的步骤包括在有源层AL远离基体衬底BS的一侧形成含有硅氧烷类有机材料的第一光阻层。
所述第一光阻层为负性光阻层，例如，光阻层被曝光的部分留在基体衬底上。通常，由负性光阻获得的光阻图案具有底切轮廓，例如，倒置的梯形。
然后使用掩膜板对负性光阻层进行曝光，形成负性光阻层的曝光部分和未曝光部分。再对负性光阻层进行显影以除去负性光阻层的未曝光部分。保留负性光阻层的曝光部分。然后对剩余的光阻层进行烘焙，从而得到对应于栅绝缘层GI的光阻图案。如图5B所示，根据该步骤形成的栅绝缘层GI具有大致倒梯形的形状，适合用于实施后续剥离工序以形成栅极、第一金属层和第二金属层。
参照图5C，该方法进一步包括在栅绝缘层GI和有源层AL远离基体衬底BS的一侧形成导电性材料层CML。具体地，该方法包括：在栅绝缘层GI和有源层AL远离基体衬底BS的一侧形成包含第二光阻材料的第二光阻层PR2；使用第二掩模板对第二光阻层PR2进行曝光；对曝光后的第二光阻层PR2进行显影以获得具有第一部分和第二部分的光阻图案，所述第一部分对应于所述栅绝缘层GI和有源层AL，所述第二部分位于第一部分之外；除去位于第一部分中的第二光阻材料(如图5C)。然后将导电材料沉积在第一部分和第二部分，例如，沉积至第二部分内的第二光阻层PR2、源极接触区SCR、和栅绝缘层GI远离基体衬底BS的一侧，由此形成导电性材料层CML。
参照图5D，该方法进一步包括去除位于第二部分的第二光阻层PR2和导电材料层CML，从而形成第一金属子层M1、第二金属子层M2、和栅极G。任选地，通过剥离法去除位于第二部分的第二光阻层PR2和导电材料层CML。例如，使用剥离溶剂去除位于第二部分的第二光阻层PR2和导电材料层CML。合适的剥离溶剂的示例包括但不限于N-甲基吡咯烷酮(NMP)。
参照图5E，该方法还包括在栅极G和有源层AL远离基体衬底BS的一侧形成绝缘层IN；以及形成延伸穿过所述绝缘层的源通孔V1和漏通孔V2。参照图4，该方法还包括在绝缘层IN远离基体衬底的一侧形成源极S和漏极D。形成所述源极S，使之通过源通孔V1与源极接触区SCR电连接。形成所述漏极D，使之通过漏通孔V2与漏极接触区DCR电连接。
在部分实施方案中，未从源极接触区SCR和漏极接触区DCR中除去第二光阻层PR2。其结果是，如此制得的薄膜晶体管不包括第一金属子层和第二金属子层(例如，图2中所示的薄膜晶体管)。
在部分实施方案中，栅绝缘层由包含硅氧烷类有机材料的光阻材料制成。任选地，所述栅绝缘层由硅氧烷类可固化有机材料材料(例如，紫外可固化复合材料)制成。任选地，所述栅绝缘层由硅氧烷类可固化树脂材料制成。任选地，所述栅绝缘层由硅氧烷类可光固化树脂材料制成。任选地，所述光阻材料是正性光阻材料。任选地，所述光阻材料是负性光阻材料。任选地，所述光阻材料是硅氧烷类有机材料和光阻剂的混合物。任选地，硅氧烷类有机材料本身是光阻材料。任选地，光阻材料为官能化的硅氧烷类有机材料，例如，经感光官能团共价改性的硅氧烷类有机材料。适于制造所述混合物或所述官能化硅氧烷类有机材料的合适的硅氧烷类有机材料的示例包括但不限于，倍半硅氧烷或直链聚硅氧烷化合物。倍半硅氧烷的示例包括，但不限于笼型倍半硅氧烷、部分笼型倍半硅氧烷、梯形倍半硅氧烷、和具有无规结构的倍半硅氧烷。线性聚合硅氧烷化合物的示例包括，但不限于聚硅氧烷和聚碳硅烷。
在部分实施方案中，光阻材料为硅氧烷类有机材料和正性光阻材料(如醌二叠氮和酚醛清漆树脂)的混合物。在部分实施方案中，光阻材料为经过具有正性光阻性能的感光官能团共价改性的硅氧烷类有机材料。这类官能团的示例包括但不限于，
在部分实施方案中，光阻材料为硅氧烷类有机材料和负性光阻材料(如SU-8和KTFR抗蚀剂)的混合物。在部分实施方案中，光阻材料为经过具有负性光阻性能的感光官能团共价改性的硅氧烷类有机材料。这类官能团的示例包括但不限于，一个或多个环氧基团以及具有一个或多个可聚合双键的官能团。曝光时，硅氧烷类有机材料通过混合物中的负性光阻材料或感光官能团交联。
各种合适的电极材料和各种合适的制造方法可以用于形成栅极、第一金属子层和第二金属子层。例如，可以通过如溅射或气相沉积或溶液涂布将电极材料沉积在衬底上；并进行构图。用于形成栅极、第一金属子层和第二金属子层的合适的电极材料的示例包括，但不限于铝、钼、铝钕(AlNd)、铜、钼铌(MoNb)以及它们的合金。
各种合适的电极材料和各种合适的制造方法可以用于形成源极和漏极。例如，可以通过如溅射或气相沉积或溶液涂布将电极材料沉积在衬底上；并进行构图。用于形成源极和漏极的合适的电极材料的示例包括，但不限于铝、钼、铝钕(AlNd)、铜、钼铌(MoNb)以及它们的合金。
各种合适的半导体材料和各种合适的制造方法可用于形成有源层。例如，可以通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法将半导体材料沉积在衬底上。用于形成有源层的合适的半导体材料的示例包括，但不限于金属氧化物(例如ITO、IZTO、IGTO)，无定形硅，多晶硅，等等。
各种合适的绝缘材料和各种合适的制造方法可用于形成绝缘层。例如，可以通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法将绝缘材料沉积在衬底上。用于形成绝缘层的合适的绝缘材料的示例包括，但不限于氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNy，例如Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、和聚酰亚胺。
另一方面，本发明提供了一种具有本文所述的或按照本文所述方法制成的薄膜晶体管的阵列基板。
另一方面，本发明提供了一种具有本文所述的阵列基板的显示面板。
另一方面，本发明提供了一种具有本文所述的显示面板的显示装置。合适的显示装置的示例包括，但不限于电子纸张、移动电话、平板电脑、电视、监视器、笔记本电脑、数字相册、GPS、等等。
对本发明实施方案的上述记载是出于说明和描述的目的。其并非意在穷举本发明，或者将本发明限制到精确的形式或所公开的示例性实施方案。因此，上述记载应当被视为说明性的而非限制性的。显然，许多修改和变型对本领域技术人员而言是显而易见的。选择这些实施方案并对其进行记载的目的是为了更好地解释本发明的本质及其实际应用，从而使本领域技术人员能够理解本发明的多种实施方案以及适合于特定应用或可预期的实施的多种改进。意在通过随附的权利要求书及其等同物限定本发明的范围，除非另有说明，其中的所有术语均为表示其最广泛的合理含义。因此，术语“本发明”、“该发明”或类似的表述并不一定将权利要求范围限制至具体的实施方案，对本发明示例性实施方案的参考并不意味着对本发明的限制，也不能推断有这样的限制。本发明仅受随附的权利要求书的主旨和范围的限制。此外，这些权利要求可能使用“第一”，“第二”等指代词，后面跟随名词或部件。这样的术语应当被理解为一种命名法，并且不应被解释为对由这种命名法修饰的元件的数量的限制，除非给出了具体数目。所述的任何优点和益处可能并非适用于本发明所有的实施方案。应当理解的是，在不脱离随附的权利要求书所限定的本发明范围的情况下，本领域技术人员可以对所述的实施方案加以变化。此外，发明人无意向公众奉献本发明的任何元件和组件，无论所述元件或组件是否明确地记载在随附权利要求书中。

Claims (26)

1.一种薄膜晶体管，包括：
基体衬底；
位于基体衬底上的有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区；
位于沟道区远离基体衬底的一侧的栅绝缘层；和
位于栅绝缘层远离沟道区的一侧的栅极；
其中，所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源极接触区和所述沟道区之间的边界及所述漏极接触区和所述沟道区之间的边界基本上与所述栅绝缘层和栅极的边缘对齐。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极在基体衬底上的投影基本上与所述沟道区在基体衬底上的投影重叠，所述栅极在基体衬底上的投影与所述沟道区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括位于远离所述基体衬底一侧的第一金属子层和第二金属子层；
第一金属子层和源极接触区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围，以及
第二金属子层和漏极接触区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅绝缘层具有第一部分，其厚度沿着从沟道区向源极接触区的第一方向逐渐变小；第二部分，其厚度沿着从沟道区向漏极接触区的第二方向逐渐变小；以及位于第一部分和第二部分之间的第三部分，其厚度基本保持不变。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述栅绝缘层具有基本上为倒梯形的形状；倒梯形形状的短底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅绝缘层的厚度在约2.0μm至约2.5μm范围内。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述硅氧烷类有机材料具有式I所示的结构：
n为正整数；X为氧或碳；且Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述硅氧烷类有机材料具有式II所示的结构：
Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括位于栅极和有源层的远离基体衬底的一侧的绝缘层；延伸穿过绝缘层的源通孔和漏通孔；以及位于绝缘层远离基体衬底的一侧的源极和漏极；
其中所述源极通过源通孔与所述源极接触区电连接，以及
所述漏极通过漏通孔与所述漏极接触区电连接。
11.一种阵列基板，其包括权利要求1至10中任一项所述的薄膜晶体管。
12.一种显示面板，其包括权利要求11所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其包括权利要求12所述的显示面板。
14.一种制造薄膜晶体管的方法，其包括：
在基体衬底上形成有源层，该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区；
在沟道区远离基体衬底的一侧形成栅绝缘层；和
在栅绝缘层远离沟道区的一侧形成栅极；
其中，所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述有源层的步骤包括形成位于远离所述基体衬底一侧的第一金属子层和第二金属子层；
第一金属子层和源极接触区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围，以及
第二金属子层和漏极接触区在基体衬底上的投影彼此基本上具有相同的范围。
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述栅绝缘层的步骤包括在有源层远离基体衬底的一侧形成包含硅氧烷类有机材料的第一光阻层；所述第一光阻层为负性光阻层；
使用第一掩膜板对所述负性光阻层进行曝光，从而产生第一光阻层的曝光部分和非曝光部分；以及
对曝光后的第一光阻层进行显影以除去第一光阻层的未曝光部分，从而获得对应于所述栅绝缘层的图案。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述形成第一金属子层、第二金属子层和栅极的步骤在一个工序中进行，其包括：
在栅绝缘层和有源层远离基体衬底的一侧形成包含第二光阻材料的第二光阻层；
使用第二掩膜板对第二光阻层进行曝光；
对曝光后的第二光阻层进行显影以获得包括第一部分和第二部分的光阻图案，所述第一部分对应于栅绝缘层和有源层，第二部分位于第一部分之外；去除位于第一部分内的第二光阻材料；
在栅绝缘层、有源层和第二光阻层远离基体衬底的一侧沉积导电材料层；以及
去除位于第二部分内的第二光阻层和导电材料层，从而形成第一金属子层、第二金属子层、和栅极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中去除位于第二部分的第二光阻层和导电材料层的步骤通过使用剥离溶剂的剥离方法进行。
19.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在栅极和有源层远离基体衬底的一侧形成绝缘层；
形成延伸穿过所述绝缘层的源通孔和漏通孔；以及
在所述绝缘层远离基体衬底的一侧形成源极和漏极；
其中形成所述源极使之通过源通孔与所述源极接触区电连接，形成所述漏极使之通过漏通孔与所述漏极接触区电连接。
20.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述栅极和所述有源层使得所述栅极在基体衬底上的投影与所述沟道区在基体衬底上的投影基本上重叠；以及
所述栅极在基体衬底上的投影与所述沟道区在基体衬底上的投影彼此基本上在相同的范围。
21.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述栅绝缘层，使之具有厚度沿着从沟道区向源极接触区的第一方向逐渐变小的第一部分，厚度沿着从沟道区向漏极接触区的第二方向逐渐变小的第二部分，以及位于第一部分和第二部分之间、厚度基本保持不变第三部分。
22.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述栅绝缘层，使之具有基本上为倒梯形的形状；并且所述倒梯形形状的短底部位于栅极层邻近沟道区的一侧。
23.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一光阻层包含具有式I结构的硅氧烷类有机材料：
n为正整数；X为氧或碳；且Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述具有式I结构的硅氧烷类有机材料经光敏官能团共价改性。
25.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一光阻层包含具有式II结构的硅氧烷类有机材料：
Y1和Y2各自选自由氢原子、烷基、羟基、烷氧基、芳基、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、-OR1基团、和基团组成的组；其中，R1选自由氢原子、烷基、和芳基组成的组，R2、R3和R4各自选自由氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、卤原子、丙烯酰基、缩水甘油基、乙烯基、苯基、和三烷基甲硅烷氧基组成的组。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述具有式II结构的硅氧烷类有机材料经光敏官能团共价改性。
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