CN109002587A - 一种双面版图设计方法、双面版图及双面版图切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种双面版图设计方法,属于薄膜电路加工技术领域。该方法包括:对需要排版的设计图形进行组合,4个外形相同的设计图形构成一个单元,一个单元中的4个设计图形的图形区关于横轴和纵轴对称;将设计图形分别放置于一个单元的四个图形区,使其与图形区外形重合,一个单元中任意两个设计图形布置在正面版图,其余两个设计图形布置在反面版图,正面设计图形与反面设计图形的投影关于横轴和纵轴对称,反面有效图形区与正面有效图形区不重叠;将多个单元进行阵列排版,完成整块版图的正反面图形设计。采用上述实施例,减少了划切切割道的数量,减少了外形切割的时间,提高了外形切割的效率,提高了尖角位置的外形质量。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜电路加工技术领域,特别涉及一种版图设计方法,还涉及一种按照该方法涉及的双面版图,还涉及一种对该双面版图进行切割的方法。
背景技术
在微波毫米波薄膜电路中,需要先对设计电路进行排版设计,然后再进行加工制作,在版图设计过程中,需要综合考虑基片的利用率、制程的可操作性和方便性、后期外形切割的效率等方面。
正确的版图设计可以有力地保证薄膜电路后期工作中物理设计和实施的顺利进行,在保证电子器件的优良性、提升工作效率等方面,版图设计的质量是十分重要的影响因素。但是针对某些不规则图形的版图设计,如图1所示设计图形,通常的版图排版方式如图2所示,在电路制程中,切割外形时,需要先利用激光机切割斜边的外形,然后再利用划片机沿X、Y轴的划切标记进行划切,从而得到所需要的外形。这种排版方式虽然能保证基片被充分利用,但是切割效率低,而且划切可能会造成尖角位置的外形产生缺陷。若要保证切割的外形质量,那么就不能按图2所示排布方式排布相同数量的电路,从而导致基片的利用率降低。
因此,如何保证薄膜电路版图设计利用率和外形质量的同时,又满足切割过程的可操作性和效率,是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种双面版图设计方法、双面版图及双面版图切割方法,保证薄膜电路版图设计利用率和外形质量的同时,又满足切割过程的可操作性和效率。
根据本发明的第一方面,提供了一种双面版图设计方法。
在一些可选实施例中,所述双面版图设计方法包括如下步骤:
对需要排版的设计图形进行组合,4个外形相同的设计图形构成一个单元,一个单元中的4个设计图形的图形区关于横轴和纵轴对称;
将设计图形分别放置于一个单元的四个图形区,使其与图形区外形重合,一个单元中任意两个设计图形布置在正面版图,其余两个设计图形布置在反面版图,正面设计图形与反面设计图形的投影关于横轴和纵轴对称,反面有效图形区与正面有效图形区不重叠;
将多个单元进行阵列排版,完成整块版图的正反面图形设计。
采用上述可选实施例,减少了划切切割道的数量,而激光加工的路程与以往的排版方式是相同的,所以减少了外形切割的时间,提高了外形切割的效率。
根据本发明的第二方面,提供了一种双面版图。
在一些可选实施例中,所述双面版图按照所述双面版图设计方法进行设计。
根据本发明的第三方面,提供了一种双面版图切割方法。
在一些可选实施例中,所述双面版图切割方法用于加工所述双面版图,在加工电路外形时,先利用激光机沿切割轨迹进行切割,切割完毕后,再用划切机根据划切标记沿划切方向进行划切。
采用上述可选实施例,尖角位置全部采用激光切割,能够保证一致的切割误差和尖角外形成型,提高了尖角位置的外形质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为不规则形状设计图形示意图;
图2为现有的不规则形状的版图排版方式示意图;
图3为双面版图设计方法的组合单元图形区一个可选实施方式的示意图;
图4为双面版图设计方法的正面图形单元一个可选实施方式的示意图;
图5为正面版图阵列排版的一个可选实施方式的示意图;
图6为双面版图设计方法的反面图形单元一个可选实施方式的示意图;
图7为双面版图切割方法的外形切割轨迹的一个可选实施例的示意图;
图8为双面版图设计方法的一个可选实施例的流程图;
其中,701、702为正面设计图形、703、704为反面设计图形、707为划切标记、705为激光切割轨迹线、706为划切方向、801为正面图形单元、802为反面图形单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图8示出了所述双面版图设计方法的一个可选实施例。
该可选实施例中,所述双面版图设计方法包括如下步骤:
步骤101,对需要排版的设计图形进行组合,4个外形相同的设计图形构成一个单元,一个单元中的4个设计图形的图形区关于横轴和纵轴对称。
图3示出了所述步骤101的一个可选实施方式。
该可选实施方式中,设计图形为非矩形不规则形状图形,例如图4中所示设计图形701,以设计图形701的外形为原始图形区A,首先将图形区A沿x轴进行轴对称,形成图形区B,然后将图形区A和图形区B沿y轴进行轴对称,形成图形区C和图形区D,从而得到4个外形相同的图形区A、B、C、D。当然,也可以首先将图形区A沿y轴进行轴对称旋转分布,形成图形区D,然后将图形区A和D沿x轴进行轴对称旋转分布,形成图形区B和C,从而得到4个外形相同的图形区A、B、C、D。
步骤102,将设计图形分别放置于一个单元的四个图形区A、B、C、D,使其与图形区A、B、C、D外形重合,一个单元中任意两个设计图形布置在正面版图,其余两个设计图形布置在反面版图,正面设计图形与反面设计图形的投影关于横轴和纵轴对称,反面有效图形区与正面有效图形区不重叠。
图3、图4和图6示出了所述步骤102的一个可选实施方式。
该可选实施方式中,先将设计图形701放置于图形区A,使其与图形区A外形重合,将设计图形沿中心基点旋转180度,将旋转180度后的设计图形702放置于图形区C,使其与图形区C外形重合,图形区A和图形区C的设计图形组合成为正面图形单元801;将正面图形单元801沿x轴进行轴对称,得到分别位于图形区B和图形区D的设计图形的投影,根据该投影在反面版图布置设计图形703和设计图形704,组合成反面图形单元802,正面图形单元801和反面图形单元802构成一个单元。
步骤103,将多个单元进行阵列排版,完成整块版图的正反面图形设计。
图5示出了正面版图阵列排版的一个可选实施方式。
该可选实施方式中,反面有效图形区为图形区B、D,正对正面的非图形区域,正面有效图形区为图形区A、C,正对反面的非图形区;正反面阵列单元数一致,且与正反面图形通过对准标记进行对准,完成正反面图形版图设计。
可选地,版图阵列排版规则为:版图有效图形区域长、宽分别为d和w,所述正面图形单元(例如正面图形单元801)和反面图形单元(例如反面图形单元802)的长、宽分别为d1和w1,切割缝宽为f,确定版图阵列的行数、列数的最大值Mh、Nh,Mh1=[d/(d1+f)],Nh1=[w/(w1+f)],[]表示向下取整数,Mh1、Nh1取整数,Mh2=[d/(w1+f)],Nh2=[w/(d1+f)],[]表示向下取整数,Mh2、Nh2取整数,确定版图阵列单元数的最大值Gh,Gh=max{Mh1×Nh1,Mh2×Nh2},其中max{}表示取两个乘积中的最大值,版图阵列的行数、列数取单元数最大时计算的行数和列数。
以前的版图阵列方式,划切切割道数量为(Mh+Nh+2),根据上述可选实施例的双面版图设计方法,可以使得微波毫米波薄膜电路在外形加工过程中,保证电路的数量不会变化的前提下,图形的斜边处均采用激光切割,不再使用划切机切割,划切切割道数量为(Mh/2+Nh+2),因此减少了划切切割道的数量,而激光加工的路程与以往的排版方式是相同的,所以减少了外形切割的时间,提高了外形切割的效率。
本发明还提出了一种双面版图,该双面版图按照上述方法进行设计。
图7示出了双面版图切割方法的一个可选实施例。
该可选实施例中,如图7所示,在加工电路外形时,先利用激光机沿切割轨迹705进行切割,切割完毕后,再用划切机根据划切标记704沿划切方向706进行划切。划切标记为“十”字标记,每个划切标记位于X、Y方向切割道的中心位置,且标记的宽度略小于切割道的宽度。
以前的版图排版方式中,图形尖角位置的切割,需要先利用激光切割外形的斜边,然后再使用划切机切割,划切机切割会产生偏移误差,切割道向斜边方向偏移,极其有可能切到尖角位置,破坏了该区域的外形,根据上述可选实施例的双面版图切割方法,尖角位置全部采用激光切割,能够保证一致的切割误差和尖角外形成型,提高了尖角位置的外形质量。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种双面版图设计方法,其特征在于,包括如下步骤:
对需要排版的设计图形进行组合,4个外形相同的设计图形构成一个单元,一个单元中的4个设计图形的图形区关于横轴和纵轴对称;
将设计图形分别放置于一个单元的四个图形区,使其与图形区外形重合,一个单元中任意两个设计图形布置在正面版图,其余两个设计图形布置在反面版图,正面设计图形与反面设计图形的投影关于横轴和纵轴对称,反面有效图形区与正面有效图形区不重叠;
将多个单元进行阵列排版,完成整块版图的正反面图形设计。
2.如权利要求1所述的一种双面版图设计方法,其特征在于,所述阵列排版规则为:
版图有效图形区域长、宽分别为d和w,所述正面图形单元和反面图形单元的长、宽分别为d1和w1,切割缝宽为f,确定版图阵列的行数、列数的最大值,对于正面版图,Mh1=[d/(d1+f)],Nh1=[w/(w1+f)],[]表示向下取整数,对于反面版图,Mh2=[d/(w1+f)],Nh2=[w/(d1+f)],[]表示向下取整数;确定版图阵列单元数的最大值Gh,Gh=max{Mh1×Nh1,Mh2×Nh2},其中max{}表示取两个乘积中的最大值,版图阵列的行数、列数取单元数最大时计算的行数和列数。
3.一种双面版图,该双面版图按照如权利要求1或2中所述方法进行设计。
4.一种双面版图切割方法,用于加工如权利要求3所述双面版图,其特征在于,在加工电路外形时,先利用激光机沿切割轨迹进行切割,切割完毕后,再用划切机根据划切标记沿划切方向进行划切。
5.如权利要求4所述的一种双面版图切割方法,其特征在于,
划切标记为“十”字标记,每个划切标记位于X、Y方向切割道的中心位置,且标记的宽度略小于切割道的宽度。
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