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CN108828908B - 一种显影液处理装置 - Google Patents

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CN108828908B
CN108828908B CN201810679597.5A CN201810679597A CN108828908B CN 108828908 B CN108828908 B CN 108828908B CN 201810679597 A CN201810679597 A CN 201810679597A CN 108828908 B CN108828908 B CN 108828908B
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贺妍
孙德瑞
刘丹
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Shanghai Demai Shiou Technology Co.,Ltd.
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Shanghai Demai Shiou Chemical Co ltd
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
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Abstract

本发明提供了一种显影液处理装置，用于光刻工艺中，所述显影液处理装置包括：显影液喷头，所述显影液喷头由喷头主体、主进液口、辅助进液口、主液腔、辅助液腔、主喷出口，辅助喷出口组成；处理腔室，所述处理腔室为圆桶状，所述显影液喷头安装在处理腔室的顶部中心；晶圆基台，所述晶圆基台用于固定待显影的晶圆，所述晶圆基台能够带动晶圆旋转，所述基台的上表面与显影液喷头的下表面具有特征的距离；显影液存储装置，所述显影液存储装置用于显影液的存储；显影液回收装置，设置在晶圆基台的下方，回收显影液；本发的明显影液处理装置的喷头所喷出的显影液在处理腔室中均匀分布。

Description

一种显影液处理装置
技术领域
本发明涉及一种半导体液体处理设备，具体涉及一种显影液处理装置，用于光刻工艺中。
背景技术
现有技术中用于光刻曝光后的显影液处理装置，通常采用浸泡或喷洒的设置将显影液施加到曝光的光刻胶上，浸泡设置在显影工艺过程中显影的速度较慢，而现有的喷洒装置在显影过程中会产生显影液喷洒的不均匀，尤其是显影液喷头喷出面边缘处显影液的分布不均匀造成光刻图形显影的不均匀，进而降低了半导体工艺的加工精度。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种显影液处理装置，用于光刻工艺中，所述显影液处理装置包括：显影液喷头，所述显影液喷头由喷头主体、主进液口、辅助进液口、主液腔、辅助液腔、主喷出口，辅助喷出口组成；处理腔室，所述处理腔室为圆桶状，所述显影液喷头安装在处理腔室的顶部中心，所述处理腔室为密闭腔室，并且处理腔室能够控制腔室中的气氛；晶圆基台，所述晶圆基台用于固定待显影的晶圆，所述晶圆基台能够带动晶圆旋转，所述基台的上表面与显影液喷头的下表面具有特征的距离；显影液存储装置，所述显影液存储装置用于显影液的存储，所述显影液存储装置分别通过主进液口和辅助进液口将显影液输送到主液腔和辅助液腔；所述主进液口和辅助进液口设置有流量控制器，分别用于控制输送到主液腔和辅助液腔显影液的流量；显影液回收装置，设置在晶圆基台的下方，回收显影液；显影液过滤装置，用于过滤回收的显影液中的杂质，并将处理过显影液输送到显影液存储装置中；控制装置，所述控制装置用于控制存储装置注入主进液口和辅助进液口的流量，控制晶圆基台与显影液喷头的距离，圆基台的旋转速度。
根据本发明的实施例，所述主液腔主体为圆柱形，在与主喷出口连接处的直径线性减小至主喷出口。
根据本发明的实施例，所述主喷出口的直径非线性增大。
根据本发明的实施例，所述辅助喷出口与辅助液腔连接。
根据本发明的实施例，所述辅助喷出口为多个，从辅助液腔向下螺旋倾斜延伸。
根据本发明的实施例，所述辅助喷出口均匀分布在主喷出口的外侧。
根据本发明的实施例，所述辅助喷出口顺时针或逆时针螺旋延伸。
本发明的优点如下：
（1）本发的明显影液处理装置的喷头所喷出的显影液在处理腔室中均匀分布；
（2）本发的明显影液处理装置通过分别控制主喷出口与辅助喷出口喷出的显影液的流量进一步提高喷出显影液的均匀性；
（3）本发的明显影液处理装置能够将使用过的显影液回收过滤循环使用，提高显影液的利用率。
附图说明
图1为显影液处理装置喷头的剖面图；
图2为显影液处理装置喷头的仰视图。
具体实施方式
实施例
参见图1和图2，本发明的显影液处理装置包括：显影液喷头，所述显影液喷头由喷头主体、主进液口1、辅助进液口2、主液腔3、辅助液腔4、主喷出口5，辅助喷出口6组成，主液腔3主体为圆柱形，在与主喷出口5连接处的直径线性减小至主喷出口5，所述主喷出口5的直径非线性增大，所述辅助喷出口6与辅助液腔4连接，辅助喷出口6为多个，从辅助液腔4向下螺旋倾斜延伸，所述辅助喷出口6均匀分布在主喷出口5的外侧，所述辅助喷出口6顺时针或逆时针螺旋延伸；处理腔室，所述处理腔室为圆桶状，所述显影液喷头安装在处理腔室的顶部中心，所述处理腔室为密闭腔室，并且处理腔室能够控制腔室中的气氛；晶圆基台，所述晶圆基台用于固定待显影的晶圆，所述晶圆基台能够带动晶圆旋转，所述基台的上表面与显影液喷头的下表面具有特征的距离；显影液存储装置，所述显影液存储装置用于显影液的存储，所述显影液存储装置分别通过主进液口和辅助进液口将显影液输送到主液腔和辅助液腔；所述主进液口和辅助进液口设置有流量控制器，分别用于控制输送到主液腔和辅助液腔显影液的流量；显影液回收装置，设置在晶圆基台的下方，回收显影液；显影液过滤装置，用于过滤回收的显影液中的杂质，并将处理过显影液输送到显影液存储装置中；控制装置，所述控制装置用于控制存储装置注入主进液口和辅助进液口的流量，控制晶圆基台与显影液喷头的距离，圆基台的旋转速度。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种显影液处理装置，用于光刻工艺中，所述显影液处理装置包括：
显影液喷头，所述显影液喷头由喷头主体、主进液口、辅助进液口、主液腔、辅助液腔、主喷出口、辅助喷出口组成，所述主液腔的主体为圆柱形，所述辅助液腔环绕于所述圆柱形的侧面，且所述辅助液腔与所述主液腔的位置相对固定；所述主进液口和辅助进液口设置有流量控制器，分别用于控制输送到主液腔和辅助液腔显影液的流量；
处理腔室，所述处理腔室为圆桶状，所述显影液喷头安装在处理腔室的顶部中心，所述处理腔室为密闭腔室，并且处理腔室能够控制腔室中的气氛；
晶圆基台，所述晶圆基台用于固定待显影的晶圆，所述晶圆基台能够带动晶圆旋转，所述基台的上表面与显影液喷头的下表面具有特征的距离；
显影液存储装置，所述显影液存储装置用于显影液的存储，所述显影液存储装置分别通过主进液口和辅助进液口将显影液输送到主液腔和辅助液腔；
显影液回收装置，设置在晶圆基台的下方，回收显影液；
显影液过滤装置，用于过滤回收的显影液中的杂质，并将处理过显影液输送到显影液存储装置中；
控制装置，所述控制装置用于控制存储装置注入主进液口和辅助进液口的流量，控制晶圆基台与显影液喷头的距离，控制晶圆基台的旋转速度。
2.根据权利要求1所述的显影液处理装置，其特征在于：所述主液腔的主体在与主喷出口连接处的直径线性减小至主喷出口。
3.根据权利要求1或2所述的显影液处理装置，其特征在于：所述主喷出口的直径非线性增大。
4.根据权利要求1或2所述的显影液处理装置，其特征在于：所述辅助喷出口与辅助液腔连接。
5.根据权利要求1或2所述的显影液处理装置，其特征在于：所述辅助喷出口为多个，从辅助液腔向下螺旋倾斜延伸。
6.根据权利要求5所述的显影液处理装置，其特征在于：所述辅助喷出口均匀分布在主喷出口的外侧。
7.根据权利要求6所述的显影液处理装置，其特征在于：所述辅助喷出口顺时针或逆时针螺旋延伸。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110012604A (zh) * 2019-04-01 2019-07-12 上达电子（深圳）股份有限公司 一种用于cof湿制程的液浮喷盘

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003103030A1 (fr) * 2002-06-04 2003-12-11 Tokyo Electron Limited Dispositif et procede de traitement de substrat, et injecteur y relatif
CN103116251A (zh) * 2013-01-18 2013-05-22 清华大学深圳研究生院 抗变形排孔显影喷嘴及其制备方法
CN104345580A (zh) * 2013-08-05 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN105045049A (zh) * 2015-07-31 2015-11-11 清华大学深圳研究生院 一种具有排气通道的显影喷嘴
CN105404102A (zh) * 2014-09-04 2016-03-16 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN105487353A (zh) * 2014-10-13 2016-04-13 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种液体涂布装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003103030A1 (fr) * 2002-06-04 2003-12-11 Tokyo Electron Limited Dispositif et procede de traitement de substrat, et injecteur y relatif
CN103116251A (zh) * 2013-01-18 2013-05-22 清华大学深圳研究生院 抗变形排孔显影喷嘴及其制备方法
CN104345580A (zh) * 2013-08-05 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN105404102A (zh) * 2014-09-04 2016-03-16 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN105487353A (zh) * 2014-10-13 2016-04-13 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种液体涂布装置
CN105045049A (zh) * 2015-07-31 2015-11-11 清华大学深圳研究生院 一种具有排气通道的显影喷嘴

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