CN108570877A - 一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法。该方法将采用对位芳纶纤维、对位芳纶浆粕、玻璃纤维等高效结合，通过偶联剂化学键合、高效分散和适度的纤维表界面部分溶解与焊接，同时结合芳纶纤维与玻璃纤维的各自材料性能优势，使得对位芳纶绝缘片或纸具备一定的强度和孔隙率，当充分吸收胶液和浸胶过程完成后，对位芳纶绝缘片或纸形成“零孔隙”致密结构的复合体，再经过普通熟化工艺使其对位芳纶绝缘片或纸相互交联反应，形成高性能的对位芳纶基半固化片，经过试制覆铜板的热膨胀系数、T‑288测试、玻璃转化点、热分解温度、板弯翘度、表面剥离强度、热冲击、浸锡性能、介电常数、介电损耗因子等电路板生产指标全部应用技术要求。该专利技术方法具有工艺简单、产品性能优异、环境友好和成本低等特点，在高频高速电路板领域具有非常广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种对位芳纶基半固化片，特别是涉及应用于电子信号高频高速传输的刚性或柔性电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法；对位芳纶基半固化片可应用在耐高温、绝缘和电路板等领域，包括航空航天、高频高速电路板、军事防御、军舰、变压器、船舶、导弹、雷达等高科技领域。
背景技术
对位芳纶基半固化片作为一种新型的高绝缘性能特种新材料，近些年来在军事、民用领域的重要应用逐步扩大。虽然我国芳纶绝缘纸产业近些年来获得了较快速的发展，但国内大部分企业仍处于小试和中试阶段，与国外发达国家的技术水平仍差距很大，部分关键技术仍为国外有关公司垄断。
目前主要的芳纶绝缘纸主要通过造纸湿法抄造工艺制造。其主要原料有两类：一类是分子链排列呈锯齿状的间位芳纶纤维，我国称之为芳纶1313；一类是分子链排列呈直线状的对位芳纶纤维，我国称之为芳纶1414。由间位芳纶纤维所抄造的芳纶绝缘纸耐高温性能与绝缘性能均不如对位芳纶纤维所制得的芳纶纸，因此选择间位芳纶制造对位芳纶基半固化片具有很多应用的局限性。然而对位芳纶纤维由于其结构的稳定性、疏水性和易絮凝等特点，导致其所制得的纸均匀度差甚至成纸困难。而目前国内外对此采取的技术手段主要为表面改性，主要是表面涂层法、化学改性和物理改性。目前采用较多的方式有三种：第一种是采用磷酸处理，通过在芳纶纤维表面蚀刻出凹凸不平的表面来使得纤维之间相互连接，产生一定程度上的结合，但是目前磷酸处理时间和处理程度无法精确控制，工业化难度大。第二种是采用等离子法处理纤维，与磷酸处理法类似，也是在纤维上面产生大大小小的孔洞结构，但是目前该方法耗能太大，也难以工业化。第三种就是直接抄造法，中国发明专利申请CN201310114147.9公开了一种印刷电路基板用对位芳纶纸基材料的制备方法，采用加分散剂直接分散疏解芳纶纤维抄造成纸的方式，最后再热压成型。该方法由于前期纤维没有经过特殊处理，纤维之间的结合力很差，纸张的强度全靠后期高温高压溶解芳纶浆粕来实现，而芳纶浆粕加入量太多会影响芳纶纸的热力学性能如热膨胀率，降解温度等，以及树脂的浸胶效果，芳纶纸的孔隙率太小会导致浸胶量少和浸胶量不均匀，这些都会导致产品不能适用于下一步加工，因此只能用于低档次的电路板，无法用于高频电路板。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术中对位芳纶纤维的抄片不均匀、疏水性、易絮凝、介电性能弱等几个关键技术难题内容，提供一种工艺简单、产品性能优异、环境友好和成本低廉的新型对位芳纶基半固化片的制造方法，制备出高强度、耐高温、阻燃、耐热冲击、超低介电绝缘性能的对位芳纶基半固化片，经生产调试可广泛应用于电子信号高频高速传输（1-10 GHz）领域的刚性或柔性电路板的制造。
目前对位芳纶绝缘片或纸的主要用途是用于耐高温的绝缘材料和过滤材料，例如用于变压器内部以及高铁和飞机的绝缘层以及一些耐高温过滤领域，这些对位芳纶绝缘片或纸都是采用高温高压的工艺，直接让芳纶浆粕熔融交联在一起，造成其孔隙率均较低，本发明对位芳纶基半固化片应用于高频线路板基板，要求对位芳纶绝缘片或纸快速吸收高分子树脂和控制上胶量的问题，低孔隙率的对位芳纶绝缘片或纸不利于上胶，同时也极大影响对位芳纶绝缘片或纸的介电性能，因此为了保证对位芳纶绝缘片或纸达到浸胶要求，必须赋予对位芳纶绝缘片或纸一定强度的同时，还需保证其相应的孔隙率和特殊的网状纤维结构，以达到理想的上胶量、耐高温、热冲击性能及热膨胀率等达标，本发明在前期的预处理阶段，通过偶联剂化学键合、高效分散和适度的纤维表界面部分溶解与焊接，同时结合芳纶纤维与玻璃纤维的各自材料性能优势，使得对位芳纶绝缘片或纸具备一定的强度和孔隙率，当充分吸收胶液和浸胶过程完成后，对位芳纶绝缘片或纸形成“零孔隙”致密结构的复合体，再经过普通熟化工艺使其对位芳纶绝缘片或纸相互交联反应，形成高性能的对位芳纶基半固化片，经过试制覆铜板的热膨胀系数、T-288测试、玻璃转化点、热分解温度、板弯翘度、表面剥离强度、热冲击、浸锡性能、介电常数、介电损耗因子等电路板生产指标全部达到应用技术要求。
本发明的原理在于先用酸或碱预处理液对芳纶纤维的表面进行深度处理使其纤维表面结构松散和润涨，通过偶联剂化学键合、高效分散，在抄造成纸片后，本发明通过对纸片实施高温高压条件下进行适度的纤维表界面部分溶解和自焊接，通过部分溶解和焊接过程实现对纸片内部的孔隙和纤维网状结构的调节与控制，适度的纤维表界面部分溶解与焊接，同时结合芳纶纤维与玻璃纤维的各自材料性能优势，使得对位芳纶绝缘片或纸具备一定的强度和孔隙率，当充分吸收胶液和浸胶过程完成后，对位芳纶绝缘片或纸形成“零孔隙”致密结构的复合体，再经过普通熟化工艺使其对位芳纶绝缘片或纸相互交联反应，形成高性能的对位芳纶基半固化片。
本发明发现纯粹的对位芳纶纸在热膨胀系数方面不理想，采用玻璃纤维和少量间位芳纶纤维按一定比例混合可以调节该指标，后来经过改进发现不加间位芳纶纤维同样可以达到效果。
本发明的目的通过如下技术方案实现：
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将芳纶纤维、玻璃纤维裁剪至长度分别2～5cm或5～8cm中的一种或二种或几种长度纤维的混合；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将芳纶浆粕分散于水中，将纤维分散液通过压力筛进一步筛分，取通过10～200目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度80～120℃条件下干燥至含水率低于3%；
（4）预处理液的配置：将亚磷酸、氢氧化钠、氨水、磷酸、盐酸、柠檬酸中的任何一种溶解于水中，在温度10℃～100℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的1%～50%的预处理溶液；
（5） 预处理工艺过程：将步骤（3）中的任何一种、两种或以上的混合物在步骤（4）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为10秒～90分钟，处理温度为30～120℃；
（6）芳纶纤维表界面改性：将步骤（5）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用偶联剂进行表界面改性处理，处理温度为20～200℃，处理时间为10秒～240分钟；
（7）抄片工艺：将经步骤（6）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕中的任何一种或混合物清洗以去除多余的偶联剂，后用水稀释成浆浓为0.05～0.5%的纤维分散液，并加入分散剂，采用分散机或疏解机疏解3000～100000转，用自动抄纸机真空抄造成片材；
（8）纸张干燥：将经步骤（7）制得的对位芳纶基绝缘片在50～200℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率低于15%；
（9）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（8）得到的对位芳纶基绝缘片在一定压力、温度条件下进行致密化处理，以获得一定孔隙率及透气度的纤维层状结构，温度为20～300℃，压力为1～50Mpa，时间为1分钟～60分钟。得到对位芳纶基绝缘片；
（10）将步骤（9）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将绝缘树脂与固化剂按照配比混合，熟化1～12h，加入一定的有机溶剂和偶联剂，在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍步骤（10）制取的对位芳纶基绝缘片1～60秒并取出，在70～300℃进行半固化处理，处理时间为1～60分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
（1）本发明的一种高频高速电路板用高性能对位芳纶基半固化片的制造方法，具有工艺简单、产品性能优异、环境友好和成本低廉等特点；
（2）本发明的一种高频高速电路板用高性能对位芳纶基半固化片的制造方法制备出的芳纶绝缘纸具有高强度、耐高温、耐热冲击、高阻燃和电绝缘性能优良等特点；
（3）该技术方法采用的对位芳纶纤维含量远远高于现有制备技术，通过高温高压使芳纶纤维表界面部分溶解和自焊接，填补孔隙结构，使纸张结构致密化且平整光亮，最终制得一种对位芳纶基半固化片。
附图说明：
图1上是芳纶基绝缘片实物图片，是纤维经过抄造后成型后的基片；
图1下是压板后的芳纶基覆铜板，是芳纶绝缘片经过浸胶压板后的成品；
图2是浸胶后的芳纶基半固化片，是芳纶基绝缘片经过浸胶干燥但还未压片的半成品。
具体实施方式
为了更加深入理解本发明，下面结合实施例对本发明作进一步的说明，需要说明的是，本发明要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。
下面实施例中，热膨胀系数测试采用GB/T 16535-2008标准测试；T-288热降解性能测试采用GB/T 11998-1989测试标准；剥离转化点测试和热分解温度采用GB/T 27761-2011测试标准；剥离强度测试采用GB/T 2791-1995国家标准测试；热冲击和浸锡采用GB/T15727-1995测试标准；抗张强度测试采用ISO7500-1标准测试；介电常数和介质损耗因子测试采用GB/T 1693-2007标准测试。
实施例1
一种高频电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级7637型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和6cm的混合纤维，其质量比例为20%：80%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过20～100目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为60%：5%：35%；
（5）预处理液的配置：将磷酸溶解于水中，在温度80℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的10%的预处理溶液；
（6）预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为30分钟，处理温度为90℃；
（7）纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维、浆粕进行干燥处理，再用甲基三甲氧基硅烷(型号6070)偶联剂进行表界面搅拌处理，处理温度为100℃，处理时间为30分钟；
（8）抄造工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.1%的纤维分散液，并加入聚氧化乙烯（PEO）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的2.5%。采用分散机疏解80000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在180℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为9.0%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为200℃和压力为12Mpa条件下压制时间为15分钟条件下进行芳纶表界面部分溶解与焊接，以获得纤维网状结构，得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为135g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将环氧树脂与氯化铵按照质量分数为4:1配比混合，熟化10h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和甲基三甲氧基硅烷(6070型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构，在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片30秒并取出，在120℃进行半固化处理，处理时间为30分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦2.842%；（2）T-288为9.41min未爆板；（3）玻璃转化点TG为169.2℃-165.32℃；（4）热分解温度为365.20℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为9.5 Lb/9.7Lb；（6）热冲击（288℃）循环10次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为300s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.0；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0058。
经过上述步骤的技术处理与抄造，有效解决了对位芳纶绝缘片或纸难以高效吸收高分子树脂和控制上胶量的问题，通过偶联剂化学键合、高效分散和适度的纤维表界面部分溶解与焊接，同时结合芳纶纤维与玻璃纤维的各自材料性能优势，使得对位芳纶绝缘片或纸具备一定的强度和孔隙率，当充分吸收胶液和浸胶过程完成后，对位芳纶绝缘片或纸形成“零孔隙”致密结构的复合体，再经过普通熟化工艺使其对位芳纶绝缘片或纸相互交联反应，形成高性能的对位芳纶基半固化片；经过检测，其主要性能指标如表1所示，主要包括热膨胀系数、T-288测试、玻璃转化点、热分解温度、表面剥离强度、热冲击、浸锡性能、介电常数、介电损耗因子，其性能指标明显优于现有商品化芳纶基绝缘半固化片（CEM-3半固化片，惠州合正电子有限公司，半固化片型号M-528，如表1所示）；经过表1对比分析可以看出，本实施例对位芳纶基半固化片比现有商品化芳纶基绝缘半固化片（CEM-3半固化片，惠州合正电子有限公司，半固化片型号M-528）具有显著的优势。例如：本实施例1对位芳纶基半固化片热性能（主要包括热膨胀系数、热冲击、T-288、玻璃转化点、热分解温度、热冲击和浸锡）显著高于现有商品化芳纶基绝缘半固化片，表明其相配套的预处理技术和芳纶纤维与玻璃纤维掺杂可有效实现组成各材料的极好的相容性和结构规整性，而热学性能对于覆铜板或高频高速基板的各项性能具有至关重要的影响。经过本实施例技术处理后，其半固化片材与铜箔的粘结强度大大提高到9.5 Lb/9.7Lb，对于研制高品质的高频高速基本具有十分关键的作用，因为芳纶绝缘片由于本身的化学惰性，不易改性，导致其和铜箔的结合力较差，较低的剥离强度往往会导致后续蚀刻加工以及钻孔过程中铜箔脱落，从而导致电路板失效。对于热膨胀系数和热冲击性能，这两个指标也是和芳纶的改性效果息息相关的，由于芳纶受热会产生热收缩，铜箔受热会膨胀，因此在受热过程中由于热膨胀系数的不同会向相反的方向运动，产生的拉扯力会直接导致板材爆板，因而芳纶基半固化片和铜箔如何达到一个平衡体系是需要考虑各种改性条件的；本实施例得到的对位芳纶基半固化片具有非常优异的介电性能，其在电子信号传输速度为10.0GHz条件下的介电常数和介质损耗因子远远低于现有商品化芳纶基绝缘半固化片高频板和低频板的最主要区别就在于频率，也就是和介电常数以及介质损耗因子相关，介电常数直接决定了电路板能够响应多高的频率，频率越高单位时间传输的数据越多同时也不容易被干扰，介质损耗因子直接决定了信号的衰减和完整性，介质损耗因子太高对导致信号丢失或者传输距离降低。
表1本实施例对位芳纶基半固化片与传统商品化芳纶基绝缘半固化片性能测试结果
实施例2
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维裁剪至长度分别4cm和7cm的混合纤维，其质量比例为30%：70%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过40～90目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维、浆粕原料的质量比例为65%：0%：35%；
（5）预处理液的配置：将氨水溶解于水中，在温度50℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的12%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为45分钟，处理温度为50℃；
（7）纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ―氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550型号)偶联剂进行表界面搅拌处理，处理温度为90℃，处理时间为130分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（8）处理后的芳纶纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为质量浓度0.2%的纤维分散液，并加入非离子聚丙烯酰胺（PAM）分散剂，加入量为芳纶纤维、芳纶浆粕总质量的1.5%。采用分散机疏解90000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸片干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在190℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为10%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为210℃，压力为15Mpa，时间为12分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为100g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将聚酰亚胺树脂与4,4’-二氨基二苯砜(DDS) 按照质量分数为4:1配比混合，熟化2h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和甲基三甲氧基硅烷(6070型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构，在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片40秒并取出，在230℃进行半固化处理，处理时间为15分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦3.242%；（2）T-288为8.4min未爆板；（3）玻璃转化点TG为165.2℃-167.4℃；（4）热分解温度为365.20℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为8.5 Lb/9.1Lb；（6）热冲击（288℃）循环11次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为350s无异常；介电常数（10.0GHz）为3.6；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0068。
实施例3
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级1506型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和7cm的混合纤维，其质量比例为25%：75%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过20～100目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为50%：10%：40%；
（5）预处理液的配置：将磷酸溶解于水中，在温度80℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的25%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为45分钟，处理温度为50℃；
（7）芳纶纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ―氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550型号)偶联剂及其乙醇混合液（质量比为1:100）进行表界面搅拌处理，处理温度为90℃，处理时间为130分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.2%的纤维分散液，并加入非离子聚丙烯酰胺（PAM）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕总质量的1.5%。采用分散机疏解90000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在190℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为10%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为190℃，压力为16Mpa，时间为15分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构，得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为75g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将聚苯醚树脂与三烯基异氰脲酸酯按照质量分数为4:1配比混合，熟化2h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和甲基三甲氧基硅烷(KH 550型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构，在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片40秒并取出，在230℃进行半固化处理，处理时间为30分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦2.952%；（2）T-288为9.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为164.2℃-165.4℃；（4）热分解温度为369.20℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为8.8 Lb/9.6Lb；（6）热冲击（288℃）循环10次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为355s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.1；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0055。
实施例4
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级1506型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和7cm的混合纤维，其质量比例为20%：80%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过10～90目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为40%：20%：40%；
（5）预处理液的配置：将盐酸溶解于水中，在温度60℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的45%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为45分钟，处理温度为120℃；
（7）芳纶纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用N-2-（氨乙基）-3-氨丙基三甲氧基硅烷(KH792型号)偶联剂及其乙醇、水混合液（质量比为1:100：100）进行表界面搅拌处理，处理温度为190℃，处理时间为180分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.2%的纤维分散液，并加入聚乙二醇（PEG）分散剂，加入量为芳纶纤维、芳纶浆粕总质量的1.5%。采用分散机疏解90000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在190℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为10%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为100℃，压力为10Mpa，时间为20分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为45g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将氰酸酯树脂与二月桂酸二丁基锡按照质量分数为4:1配比混合，熟化6h，加入加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和N-2-（氨乙基）-3-氨丙基三甲氧基硅烷(KH792型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片40秒并取出，在200℃进行半固化处理，处理时间为40分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦2.242%；（2）T-288为10.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为168.2℃-169.4℃；（4）热分解温度为362.7℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为10.5 Lb/11.1Lb；（6）热冲击（288℃）循环13次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为360s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.3；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0071。
实施例5
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级7615型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和7cm的混合纤维，其质量比例为10%：90%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过20～190目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为40%：10%：50%；
（5）预处理液的配置：将氢氧化钠溶解于水中，在温度70℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的25%的预处理溶液；
（6）预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为45分钟，处理温度为120℃；
（7）芳纶纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂及其水混合液（质量比为1:100）进行表界面搅拌处理，处理温度为110℃，处理时间为240分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.3%的纤维分散液，并加入聚氧化乙烯（PEO）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的1.5%。采用分散机疏解80000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在190℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为10%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为100℃，压力为10Mpa，时间为20分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为145g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将热塑性酚醛树脂与六次甲基四胺按照质量分数为10:1配比混合，熟化1h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片50秒并取出，在230℃进行半固化处理，处理时间为15分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦2.242%；（2）T-288为10.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为168.2℃-169.4℃；（4）热分解温度为362.7℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为10.5 Lb/11.1Lb；（6）热冲击（288℃）循环13次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为360s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.3；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0071。
实施例6
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将芳纶纤维（包含对位芳纶和间位芳纶）、电子级1080型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和7cm的混合纤维，其质量比例为70%：30%。其中芳纶纤维中对位芳纶纤维与间位芳纶纤维的质量比为90%：10%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过30～180目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、电子级1080型玻璃纤维及对位芳纶浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为80%：10%：10%；
（5）预处理液的配置：将亚磷酸溶解于水中，在温度80℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的15%的预处理溶液；
（6）预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行预处理，处理时间为145分钟，处理温度为80℃；
（7）芳纶纤维表界面改性：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ―(2,3-环氧丙氧) 丙基三甲氧基硅烷(KH 560型号)偶联剂及其乙醇混合液（质量比为1:200）进行表界面搅拌处理，处理温度为110℃，处理时间为240分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.3%的纤维分散液，并加入聚氧化乙烯（PEO）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的2.5%。采用分散机疏解90000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（8）制得的对位芳纶基绝缘片在180℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为9%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片预料在温度为220℃，压力为12Mpa，时间为15分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为175g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将三聚氰胺树脂加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和γ―(2,3-环氧丙氧) 丙基三甲氧基硅烷(KH 560型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片30秒并取出，在80℃进行半固化处理，处理时间为30分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦4.942%；（2）T-288为6.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为135.2℃-141.3℃；（4）热分解温度为358.6℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为11.4 Lb/11.8Lb；（6）热冲击（288℃）循环15次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为369s 无异常；介电常数（10.0GHz）为2.9；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0058。
实施例7
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级1080型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和7cm的混合纤维，其质量比例为60%：40%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过20～150目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为30%：20%：50%；
（5）预处理液的配置：将氨水溶解于水中，在温度90℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的45%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行超声波预处理，处理时间为145分钟，处理温度为90℃；
（7）芳纶纤维表界面改性化：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂及其乙醇混合液（质量比为1:100）进行表界面搅拌处理，处理温度为80℃，处理时间为120分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.3%的纤维分散液，并加入阳离子聚丙烯酰胺（PAM）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的3.5%。采用分散机疏解100000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（9）制得的对位芳纶基绝缘片在150℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为3%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片在温度为250℃，压力为15Mpa，时间为15分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为185g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将将环氧树脂改性聚苯醚树脂与双氰胺固化剂按照质量分数为10:1配比混合，熟化2h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片30秒并取出，在138℃进行半固化处理，处理时间为40分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦2.942%；（2）T-288为8.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为161.8℃-169.6℃；（4）热分解温度为348.8℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为10.6 Lb/10.2Lb；（6）热冲击（288℃）循环12次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为361s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.1；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0055。
实施例8
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级1080型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和6cm的混合纤维，其质量比例为80%：20%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过10～120目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为60%：5%：35%；
（5）预处理液的配置：将磷酸溶解于水中，在温度70℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的45%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行超声波预处理，处理时间为100分钟，处理温度为80℃；
（7）芳纶纤维表界面改性化：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂及其乙醇混合液（质量比为1:200）进行表界面搅拌处理，处理温度为70℃，处理时间为100分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.25%的纤维分散液，并加入阳离子聚丙烯酰胺（PAM）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的2.5%。采用分散机疏解80000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（9）制得的对位芳纶基绝缘片在110℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为3%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片在温度为220℃，压力为12Mpa，时间为10分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为45g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将将环氧树脂改性聚苯醚树脂与双氰胺固化剂按照质量分数为10:1配比混合，熟化2h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片30秒并取出，在138℃进行半固化处理，处理时间为40分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦3.245%；（2）T-288为9.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为166.7℃-169.5℃；（4）热分解温度为355.7℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为11.5 Lb/12.2Lb；（6）热冲击（288℃）循环11次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为355s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.5；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0075。
实施例9
一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，包括如下步骤和工艺条件：
（1）芳纶纤维的裁剪：将对位芳纶纤维、电子级7637型玻璃纤维裁剪至长度分别3cm和6cm的混合纤维，其质量比例为90%：10%；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕分散于水中，将其分散液通过压力筛进一步筛分，取通过10～120目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度100℃条件下干燥至含水率为2%或以下；
（4）在步骤（3）中芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料的质量比例为60%：0%：40%；
（5）预处理液的配置：将磷酸溶解于水中，在温度70℃条件下配置成固含量占水溶液质量分数的45%的预处理溶液；
（6） 预处理工艺过程：将步骤（4）中的混合物在步骤（5）中所配置的预处理液进行超声波预处理，处理时间为100分钟，处理温度为80℃；
（7）芳纶纤维表界面改性化：将步骤（6）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂及其乙醇混合液（质量比为1:200）进行表界面搅拌处理，处理温度为70℃，处理时间为100分钟；
（8）抄片工艺：将经步骤（7）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕中进行清洗以去除多余的偶联剂等残余物，后用水稀释成浆浓为0.25%的纤维分散液，并加入阳离子聚丙烯酰胺（PAM）分散剂，加入量为芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的2.5%。采用分散机疏解80000转，用自动抄纸机真空抄造成型；
（9）纸张干燥：将经步骤（9）制得的对位芳纶基绝缘片在110℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率为3%；
（10）芳纶表界面部分溶解与焊接工艺：将经步骤（9）得到的对位芳纶基绝缘片在温度为220℃，压力为12Mpa，时间为10分钟条件下进行致密化处理，以获得纤维层状结构。得到对位芳纶基绝缘片。所制取的对位芳纶基绝缘片的克重为45g/m2；
（11）将步骤（10）制作的对位芳纶基绝缘片进行半固化工艺处理。将将环氧树脂改性聚苯醚树脂与双氰胺固化剂按照质量分数为10:1配比混合，熟化2h，加入质量比为75:1的丙酮有机溶剂和γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)偶联剂加以调节环氧树脂黏度和改性其界面结构。在上述反应物质通过真空高速混合后，浸渍对位芳纶基绝缘片30秒并取出，在138℃进行半固化处理，处理时间为40分钟，即获得对位芳纶基半固化片。
经检测对位芳纶基半固化片的技术指标为：（1）热膨胀系数（CTE）≦3.221%；（2）T-288为9.6min未爆板；（3）玻璃转化点TG为166.8℃-168.2℃；（4）热分解温度为355.8℃；（5）与铜箔胶合的剥离强度（Lb/in）为12.1 Lb/12.5Lb；（6）热冲击（288℃）循环11次无异常；（7）浸锡（T=288℃）为365s 无异常；介电常数（10.0GHz）为3.0；介质损耗因数（10.0GHz）为0.0058。
Claims (8)
1.一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于包括如下步骤和工艺条件：
（1）纤维的裁剪：将芳纶纤维和玻璃纤维裁剪至长度分别2～5cm或5～8cm中的一种或二种长度纤维的混合；所述芳纶纤维为对位芳纶纤维，或者是所述芳纶纤维为对位芳纶纤维和间位芳纶纤维；
（2）芳纶浆粕的筛选与配合：将对位芳纶浆粕或间位芳纶浆粕分散于水中，通过压力筛进一步筛分，取通过10～200目的芳纶浆粕作为原料；
（3）将步骤（1）、（2）中得到的芳纶纤维、玻璃纤维及浆粕原料在温度80～120℃条件下干燥至含水率低于3%；芳纶纤维、玻璃纤维和芳纶浆粕的重量比值为（10～90%）：（0～20%）：（1～50%）；
（4）预处理液的配置：将亚磷酸、氢氧化钠、氨水、磷酸、盐酸和柠檬酸中的一种或多种溶解于水中，在温度10℃～100℃条件下配置成固含量占水溶液质量1%～50%的预处理溶液；
（5）预处理：将步骤（3）所得产物置于步骤（4）中所配置的预处理液中进行预处理，预处理时间为10秒～90分钟，预处理温度为30～120℃；
（6）芳纶纤维表界面功能化：将步骤（5）所获得的预处理后的芳纶纤维、玻璃纤维和浆粕进行干燥处理，再用偶联剂进行表界面功能化处理，处理温度为20～200℃，处理时间为10秒～240分钟；
（7）抄造工艺：将经步骤（6）处理后的芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕用水清洗，以去除多余的偶联剂，后用水稀释成浆浓度为0.05～0.5%的纤维分散液，并加入分散剂，采用分散机或疏解机以3000～100000r/min转速疏解，用自动抄纸机真空抄造成型；
（8）纸张干燥：将经步骤（7）制得的对位芳纶基绝缘片在50～200℃条件下干燥，干燥后绝缘片含水率低于3%；
（9）压片工艺：将经步骤（8）得到的对位芳纶基绝缘片在温度为20～300℃，压力为1～50Mpa，处理时间为1～60分钟的条件下进行致密和表面部分溶解化处理，以获得透气度为2～30ml/min的纤维层状结构的对位芳纶基绝缘片；
（10）将步骤（9）制作的对位芳纶基绝缘片进行浸渍绝缘树脂处理；将绝缘树脂与固化剂按照1：0.2～1：0.5配比混合，均匀混合后加入相当于绝缘树脂和固化剂总质量1%～10%的丙酮以及0.1%～10%的偶联剂，配置树脂溶液；将制取的对位芳纶基绝缘片浸渍于树脂溶液中1～60秒，置入70～300℃烘干箱中进行干燥处理，得到对位芳纶基半固化片。
2.根据权利要求1所述的高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于：采用的对位芳纶纤维是聚对苯二甲酰对苯二胺，采用的间位芳纶纤维是聚间苯二甲酰对苯二胺；对位芳纶浆粕（聚对苯二甲酰对苯二胺）、间位芳纶浆粕（聚间苯二甲酰间苯二胺）中的任何一种或两者混合物；
采用的玻璃纤维是电子级无碱玻璃纤维或纤维布或纤维垫，规格为7637，7630，7628，7615，1506，2116，2113，3313，1080，106，104型号的任何一种或两种以上的混合纤维；
芳纶纤维和玻璃纤维纤维为两者长度的混合物时，长度为2～5cm与长度为5～8cm的两类纤维质量比值为（10～80%）：（10～60%）。
3.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于，所述的硅烷偶联剂为甲基三甲氧基硅烷(6070型号)、γ―氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550型号)、γ―(2,3-环氧丙氧) 丙基三甲氧基硅烷(KH 560型号)、γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)、N-2-（氨乙基）-3-氨丙基三甲氧基硅烷(KH792型号)中的一种或多种；偶联剂的加入量为对位芳纶纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕总质量的0.1～10%。
4.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于，所述的分散剂为聚氧化乙烯（PEO）、聚乙二醇（PEG）和聚丙烯酰胺（PAM）中一种或多种的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于，所述的预处理和用偶联剂进行表界面功能化处理都包括浸泡、搅拌、微波处理和超声波处理中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于，所述的绝缘树脂包括环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、异氰酸酯树脂和三聚氰胺树脂中的任何一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于，所述有机溶剂主要包括丙酮、丁酮、乙醚中的任何一种，主要用于稀释绝缘树脂或降低树脂黏度。
8.根据权利要求1所述的一种高频高速电路板用对位芳纶基半固化片的制造方法，其特征在于在树脂中也要加入相适应的偶联剂，主要包括：硅烷偶联剂甲基三甲氧基硅烷(6070型号)、γ―氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550型号)、γ―(2,3-环氧丙氧) 丙基三甲氧基硅烷(KH 560型号)、γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷(KH 570型号)、N-2-（氨乙基）-3-氨丙基三甲氧基硅烷(KH792型号)中的任何一种或两种混合或者两种以上的混合；
通过专利制造的对位芳纶基半固化片不仅用于制造硬质的高频高速电路板，还用于制造软质或柔性高频高速电路板。
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