[go: up one dir, main page]

CN108389826A - 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法 - Google Patents

用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108389826A
CN108389826A CN201810139334.5A CN201810139334A CN108389826A CN 108389826 A CN108389826 A CN 108389826A CN 201810139334 A CN201810139334 A CN 201810139334A CN 108389826 A CN108389826 A CN 108389826A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
glue
crystal grain
point
expanding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810139334.5A
Other languages
English (en)
Inventor
曹玉飞
邱智中
蔡吉明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd filed Critical Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201810139334.5A priority Critical patent/CN108389826A/zh
Publication of CN108389826A publication Critical patent/CN108389826A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P72/7402
    • H10P72/7416
    • H10P72/742

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本发明属于半导体领域,尤其涉及用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法,在其一实施例中包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。本发明将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层,当扩膜时,晶粒则置于点状胶上,并通过点状胶粘附于基体膜上,该基体膜受外力拉伸时,点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小,从而在后续去除晶粒时,晶粒上粘附的胶较少,从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。

Description

用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体领域,尤其涉及一种防止晶粒因扩膜而造成胶脏污染的用于晶粒扩膜的薄膜以及该薄膜的制作方法。
背景技术
在半导体器件的制作过程中,当由晶圆切割为晶粒的过程中或切割完成后经常使用粘贴薄膜(如在LED芯片中,通常使用蓝膜胶带或白膜胶带)承接并进行扩膜。
参看附图1和2,通常粘贴薄膜10的单面或者双面均匀地分布有粘性胶20,晶粒30即通过粘附于粘性胶20上而固定于粘贴薄膜10上进行扩膜。而当扩膜时,粘性胶20受外力F拉伸,其易粘附于晶粒30表面而不易去除,从而产生胶污染问题,而受到胶污染的晶粒在光电性及封装等方面都会有负面影响。
发明内容
为解决现有技术中晶粒扩膜时引起的胶污染问题,本发明在其一方面提供了用于晶粒扩膜的薄膜,包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,其特征在于:所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
优选的,所述粘合层上还设置有多孔膜,所述多孔膜具有复数个孔洞,所述孔洞的位置与点状胶位置对应。
优选的,所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。
优选的,所述片状胶与点状胶一体成型。
优选的,所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm,间距范围为0.1-10μm。
优选的,所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。
优选的,所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。
优选的,所述点状胶规则或者不规则排列。
优选的,所述基体膜和多孔膜的材料相同或者不同,为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。
优选的,所述基体膜和多孔膜的厚度相同或者不同。
优选的,所述点状胶的上表面与多孔膜上表面齐平或者高于多孔膜的上表面。
为制作上述的用于晶粒扩膜的薄膜,本发明提供了如下制作方法,在其一制作方法中,包括如下步骤:
S11、提供一基体膜;
S21、于所述基体膜上设置网状材料层;
S31、于所述网状材料层上涂覆粘合层;
S41、去除网状材料层,于所述基体膜上形成由复数个不连续排列的点状胶组成的粘合层,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
在其二制作方法中,用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S12、提供一基体膜;
S22、于所述基体膜上涂覆粘合层;
S32、将多孔膜设置于粘合层表面,多孔膜具有复数个孔洞;
S42、对多孔膜施加一定压力,所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
其中,所述步骤S42中,全部所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶。或者,部分所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶,剩余部分粘合层形成片状胶,所述片状胶粘附基体膜和多孔膜并与点状胶一体成型。
本发明将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层,当扩膜时,晶粒则置于点状胶上,并通过点状胶粘附于基体膜上,该基体膜受外力拉伸时,点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小,从而在后续去除晶粒时,晶粒上粘附的胶较少,从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。
附图说明
图1为现有技术中用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。
图2为现有技术中用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。
图3为本发明之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。
图4为本发明之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。
图5为本发明之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法流程图。
图6为本发明之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。
图7为本发明之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。
图8为本发明之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。需说明的是,本发明的附图均采用非常简化的非精准比例,仅用以方便、明晰的辅助说明本发明。
实施例1
参看附图3~4用于晶粒扩膜的薄膜,包括基体膜100以及位于其上的粘合层200,粘合层200由复数个不连续排列的点状胶201组成,点状胶201的尺寸小于晶粒300的尺寸。即,单个晶粒300通过多个点状胶201粘附于基体膜100上。点状胶的尺寸为微米级,具体范围为0.1-10μm,间距范围为0.1-10μm。点状胶201的形状可以为圆形、方形、三角形或者不规则形,本发明并不作特别限制,本实施例中优选为圆形点状胶201。点状胶201的材料为亚克力胶或橡胶,点状胶201具有粘性,其将晶粒粘附于基体膜100上。点状胶201规则或者不规则排列,本实施例优选为规则排列。基体膜100的材料为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。
参看附图5,用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S11、提供一基体膜100;
S21、于基体膜100上设置网状材料层;
S31、于网状材料层上涂覆粘合层200;
S41、去除网状材料层,于基体膜100上形成由复数个不连续排列的点状胶201组成的粘合层200,点状胶201的尺寸小于晶粒的尺寸。
本发明将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶201组成的粘合层200,当扩膜时,晶粒300则置于点状胶201上,并通过点状胶201粘附于基体膜100上,该基体膜100受外力拉伸时,点状胶201随基体膜100被拉伸而产生的形变量较小,从而在后续去除晶粒300时,晶粒300上粘附的胶则较少,从而改善晶粒300在扩膜时的胶污染问题。
实施例2
参看附图6~7,本实施例提供的用于晶粒扩膜的薄膜,其制作方法更简便。与实施例的区别在于,本实施例粘合层200上还设置有多孔膜400,多孔膜400具有复数个孔洞,并且孔洞的位置与点状胶201位置对应。多孔膜400通过点状胶201粘附于基体膜100上,多孔膜400与基体膜100的非点状胶位置无粘合层200。具体的基体膜100、点状胶201如实施例1所述,此处不再赘述。
其中,基体膜100和多孔膜400的材料可以相同或者不同,均为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种,其厚度可以相同或者不同。点状胶201的上表面与多孔膜400上表面齐平或者高于多孔膜400的上表面,为方便点状胶201粘附晶粒300,本实施例中点状胶201的上表面高于多孔膜400的上表面。
参看附图8,用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S12、提供一基体膜100;
S22、于所述基体膜上涂覆粘合层200;
S32、将多孔膜400设置于粘合层200表面,多孔膜400具有复数个孔洞;
S42、对多孔膜400施加一定压力,粘合层200由孔洞内向多孔膜400一侧突出形成不连续排列的点状胶201,点状胶201的尺寸小于晶粒300的尺寸。
本实施例中,步骤S42对多孔膜400施加的压力较大,全部粘合层200由孔洞内向多孔膜400一侧突出形成不连续排列的点状胶201,多孔膜400与基体膜100的非点状胶位置无粘合层200,多孔膜400通过点状胶201粘附于基体膜100上。
本实施例中的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,于基体膜100上通过粘合层200粘附多孔膜400,对多孔膜400施加一定的压力,即可将粘合层200从孔洞内挤出形成点状胶201,无需去除多孔膜400,即可制作具有点状胶201的用于晶粒扩膜的薄膜,制作方法简单、易操作。
实施例3
本实施例与实施2的区别在于,步骤S42对多孔膜400施加的压力较小,部分粘合层200由孔洞内向多孔膜400一侧突出形成不连续排列的点状胶201,剩余部分粘合层200形成片状胶,片状胶粘附基体膜100和多孔膜400并与点状胶201一体成型。
该方法所制作的用于晶粒扩膜的薄膜,在结构上,基体膜100与多孔膜400之间则具有粘合基体膜100与多孔膜400的片状胶。片状胶与点状胶201一体成型,材料为亚克力胶或橡胶。
应当理解的是,上述具体实施方案为本发明的优选实施例,本发明的范围不限于该实施例,凡依本发明所做的任何变更,皆属本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.用于晶粒扩膜的薄膜,包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,其特征在于:所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
2.根据权利要求1所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述粘合层上还设置有多孔膜,所述多孔膜具有复数个孔洞,所述孔洞的位置与点状胶位置对应。
3.根据权利要求2所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。
4.根据权利要求3所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述片状胶与点状胶一体成型。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm,间距范围为0.1-10μm。
6.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。
7.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。
8.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶规则或者不规则排列。
9.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜与多孔膜的材料相同或不同,为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。
10.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜和多孔膜的厚度相同或者不同。
11.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的上表面与多孔膜上表面齐平或者高于多孔膜的上表面。
12.用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S11、提供一基体膜;
S21、于所述基体膜上设置网状材料层;
S31、于所述网状材料层上涂覆粘合层;
S41、去除网状材料层,于所述基体膜上形成由复数个不连续排列的点状胶组成的粘合层,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
13.用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S12、提供一基体膜;
S22、于所述基体膜上涂覆粘合层;
S32、将多孔膜设置于粘合层表面,多孔膜具有复数个孔洞;
S42、对多孔膜施加一定压力,所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
14.根据权利要求13所述的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,其特征在于:所述步骤S42中,全部所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶。
15.根据权利要求13所述的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,其特征在于:所述步骤S42中,部分所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶剩余部分粘合层形成片状胶,所述片状胶粘附基体膜和多孔膜并与点状胶一体成型。
CN201810139334.5A 2018-02-11 2018-02-11 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法 Pending CN108389826A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810139334.5A CN108389826A (zh) 2018-02-11 2018-02-11 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810139334.5A CN108389826A (zh) 2018-02-11 2018-02-11 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108389826A true CN108389826A (zh) 2018-08-10

Family

ID=63068545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810139334.5A Pending CN108389826A (zh) 2018-02-11 2018-02-11 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108389826A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101157830A (zh) * 2006-10-04 2008-04-09 日东电工株式会社 激光加工用粘合片
CN101383277A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 株式会社迪思科 扩展方法及扩展装置
JP2009130332A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
US20130178017A1 (en) * 2010-06-08 2013-07-11 Stmicroelectronics (Tours) Sas Method for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer
CN106206397A (zh) * 2016-08-05 2016-12-07 厦门市三安光电科技有限公司 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101157830A (zh) * 2006-10-04 2008-04-09 日东电工株式会社 激光加工用粘合片
CN101383277A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 株式会社迪思科 扩展方法及扩展装置
JP2009130332A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
US20130178017A1 (en) * 2010-06-08 2013-07-11 Stmicroelectronics (Tours) Sas Method for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer
CN106206397A (zh) * 2016-08-05 2016-12-07 厦门市三安光电科技有限公司 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206322700U (zh) 柔性显示器
CN110014717A (zh) 曲面贴合装置及其贴合方法
CN105140165B (zh) 芯片接合切割片材
CN106206397B (zh) 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法
KR20140047150A (ko) 레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법
WO2020237857A1 (zh) 液晶显示母板结构及其切割方法
CN105233888A (zh) 玻璃-pdms薄膜-玻璃夹心微流控芯片的制作方法
CN107077021B (zh) 基板接合方法和由该基板接合方法制备的显示基板
CN106711091A (zh) 一种mems晶圆切割方法及mems芯片制作方法
CN106328575A (zh) 一种柔性显示面板的剥离方法和装置
CN105396631A (zh) 一种立体的微流控芯片及其制备方法
CN208136144U (zh) 一种拉丝效果离型膜
CN108389826A (zh) 用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
CN107731749A (zh) 一种封装薄膜及其制备方法和一种oled显示装置
TWI234234B (en) Method of segmenting a wafer
CN113619260A (zh) 一种复合式镭射网版制造方法
CN203521391U (zh) 一种柔性基板预制组件
TWI824525B (zh) 防止黏膠層污染捲帶之製造方法及其捲帶
KR20140122465A (ko) 탈부착용 점착 패드 및 그 제조 방법
CN108899308B (zh) 半导体封装工艺及半导体封装体
CN100550310C (zh) 晶片切割的方法
CN107464780B (zh) 一种优化侧壁金属化基板金属毛刺的切割方法
WO2016024446A1 (ja) フレキソ印刷版の製造方法、および液晶表示素子の製造方法
CN204434535U (zh) 晶圆黏接薄膜结构
CN110791220A (zh) 用于柔性显示器的透明聚酰亚胺复合膜及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180810

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication