[go: up one dir, main page]

CN108336044A - 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片 - Google Patents

一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN108336044A
CN108336044A CN201810075077.3A CN201810075077A CN108336044A CN 108336044 A CN108336044 A CN 108336044A CN 201810075077 A CN201810075077 A CN 201810075077A CN 108336044 A CN108336044 A CN 108336044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
layer
circuit
fixed
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810075077.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108336044B (zh
Inventor
周元忠
冯方舟
仲昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanxi Yuxiang Information Technology Co Ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201810075077.3A priority Critical patent/CN108336044B/zh
Publication of CN108336044A publication Critical patent/CN108336044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108336044B publication Critical patent/CN108336044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H10W40/22—
    • H10W72/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层、第一铜片、塑料体、凹陷槽、固定孔、固定底板、LOGO标志、第二铜片、线路表面保护层、焊盘、芯片源电极、芯片栅电极、芯片表面保护层、线路层、金属线、集成电路芯片、金属层、芯片本体、芯片沟槽，本发明的有益效果：通过芯片沟槽内线路层将所形成的漏极引到芯片本体正面，从而实现了在芯片本体正面通过焊盘与外界进行互联，从而缩短了芯片本体与外界互联距离，也增强了芯片导电、导热效果，具有生产效率高、封装成本低的特点。

Description

一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
技术领域
本发明是一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，属于双极集成电路芯片领域。
背景技术
目前常规双极IC产品大部分采用了上下PN结对通隔离工艺进行岛与岛的相互隔离，虽然降低了上隔离的横向扩散尺寸，但在高压产品中，如图1为常规双极IC产品的断面图所示，由于外延层厚度较厚，实际上上隔离与磷桥横向距离A仍然较宽，而岛内磷桥到上隔离，磷桥到基区，基区到上隔之间仍然依靠横向尺寸实现相互电隔离。外延越厚，其横向扩散的尺寸也随之增加，严重增加了产品设计尺寸，不利于降低加工成本。
但是，现有的技术无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了性能提升，不便于推广使用。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，以解决现有的技术无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了性能提升，不便于推广使用的问题。
为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层、第一铜片、塑料体、凹陷槽、固定孔、固定底板、LOGO标志、第二铜片，所述的塑料体采用焊接方式固定设于固定底板上端，所述的固定底板上端固定设有多个活动装设固定孔的凹槽，所述的固定孔与固定底板为一体化成型结构，所述的LOGO标志左侧采用粘接方式固定粘贴于塑料体右侧，所述的塑料体前后两端固定设有活动装设凹陷槽的凹槽，所述的凹陷槽与塑料体为一体化成型结构，所述的隔层共设有两个且尺寸一致，所述的隔层水平焊接于塑料体上端，所述的第一铜片与第二铜片尺寸一致，所述的第一铜片共设有两个且采用焊接方式固定设于塑料体上端，所述的塑料体与第一铜片采用过盈配合连接，所述的第二铜片设有两个以上且水平焊接于隔层上端，所述的隔层与第二铜片采用过盈配合连接，所述的第一铜片与第二铜片采用电连接，所述的塑料体由线路表面保护层、焊盘、芯片源电极、芯片栅电极、芯片表面保护层、线路层、金属线、集成电路芯片、金属层、芯片本体、芯片沟槽组成，所述的线路表面保护层固定设于金属层上端，所述的金属层与线路表面保护层为一体化成型结构，所述的焊盘设有两个以上且尺寸一致，所述的焊盘底部水平焊接于线路表面保护层外表面，所述的线路层固定设于金属层与线路表面保护层内，所述的线路层与金属层互联，所述的芯片沟槽固定设于线路层与金属层内，所述的芯片沟槽与线路层侧壁相连，所述的芯片表面保护层固定设于芯片沟槽外壁，所述的芯片源电极与芯片栅电极固定设于芯片本体上方，所述的芯片源电极与芯片栅电极、芯片表面保护层固定填充于芯片沟槽内，所述的芯片源电极与芯片栅电极与芯片本体采用过盈配合连接，所述的芯片本体内固定设有集成电路芯片，所述的的芯片本体与集成电路芯片采用间隙配合，所述的集成电路芯片两端通过金属线与电连接。
进一步地，所述的集成电路芯片由非导电胶层、第一铜凸块、芯片电路面层、电路集成层、第二铜凸块、绝缘层、导电粒子、第一铝电极、固定基板、导电胶、第二铝电极组成。
进一步地，所述的固定基板为最基层，所述的第一铝电极与第二铝电极尺寸一致，所述的第一铝电极与第二铝电极水平设于固定基板上方。
进一步地，所述的非导电胶层固定设于第一铝电极与第二铝电极上方，所述的芯片电路面层与绝缘层尺寸一致，所述的芯片电路面层与绝缘层相嵌合。
进一步地，所述的芯片电路面层与绝缘层固定设于非导电胶层上方，所述的绝缘层上方固定设有电路集成层，所述的电路集成层与芯片电路面层、绝缘层采用过盈配合连接。
进一步地，所述的非导电胶层内固定设有第一铜凸块与第二铜凸块，所述的第一铜凸块与第二铜凸块尺寸一致，所述的第一铜凸块与第二铜凸块一端延伸至与芯片电路面层相联通。
进一步地，所述的第一铜凸块与第二铝电极之间固定设有导电粒子，所述的导电胶固定填充于固定基板上方，所述的导电粒子与第一铜凸块与第二铝电极采用电连接。
有益效果
本发明一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，通过芯片沟槽内线路层将所形成的漏极引到芯片本体正面，从而实现了在芯片本体正面通过焊盘与外界进行互联，从而缩短了芯片本体与外界互联距离，也增强了芯片导电、导热效果，具有生产效率高、封装成本低的特点。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片的结构示意图；
图2为本发明一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片的塑料体内部结构图；
图3为本发明集成电路芯片的内部结构图；
图4为图2中的A。
图中：隔层-1、第一铜片-2、塑料体-3、凹陷槽-4、固定孔-5、固定底板-6、LOGO标志-7、第二铜片-8、线路表面保护层-301、焊盘-302、芯片源电极-303、芯片栅电极-304、芯片表面保护层-305、线路层-306、金属线-307、集成电路芯片-308、金属层-309、芯片本体-310、芯片沟槽-311、非导电胶层-3081、第一铜凸块-3082、芯片电路面层-3083、电路集成层-3084、第二铜凸块-3085、绝缘层-3086、导电粒子-3087、第一铝电极-3088、固定基板-3089、导电胶-30810、第二铝电极-30811。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
请参阅图1-图4，本发明提供一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片技术方案：其结构包括隔层1、第一铜片2、塑料体3、凹陷槽4、固定孔5、固定底板6、LOGO标志7、第二铜片8，所述的塑料体3采用焊接方式固定设于固定底板6上端，所述的固定底板6上端固定设有多个活动装设固定孔5的凹槽，所述的固定孔5与固定底板6为一体化成型结构，所述的LOGO标志7左侧采用粘接方式固定粘贴于塑料体3右侧，所述的塑料体3前后两端固定设有活动装设凹陷槽4的凹槽，所述的凹陷槽4与塑料体3为一体化成型结构，所述的隔层1共设有两个且尺寸一致，所述的隔层1水平焊接于塑料体3上端，所述的第一铜片2与第二铜片8尺寸一致，所述的第一铜片2共设有两个且采用焊接方式固定设于塑料体3上端，所述的塑料体3与第一铜片2采用过盈配合连接，所述的第二铜片8设有两个以上且水平焊接于隔层1上端，所述的隔层1与第二铜片8采用过盈配合连接，所述的第一铜片2与第二铜片8采用电连接，所述的塑料体3由线路表面保护层301、焊盘302、芯片源电极303、芯片栅电极304、芯片表面保护层305、线路层306、金属线307、集成电路芯片308、金属层309、芯片本体310、芯片沟槽311组成，所述的线路表面保护层301固定设于金属层309上端，所述的金属层309与线路表面保护层301为一体化成型结构，所述的焊盘302设有两个以上且尺寸一致，所述的焊盘302底部水平焊接于线路表面保护层301外表面，所述的线路层306固定设于金属层309与线路表面保护层301内，所述的线路层306与金属层309互联，所述的芯片沟槽311固定设于线路层306与金属层309内，所述的芯片沟槽311与线路层306侧壁相连，所述的芯片表面保护层305固定设于芯片沟槽311外壁，所述的芯片源电极303与芯片栅电极304固定设于芯片本体310上方，所述的芯片源电极303与芯片栅电极304、芯片表面保护层305固定填充于芯片沟槽311内，所述的芯片源电极303与芯片栅电极304与芯片本体310采用过盈配合连接，所述的芯片本体310内固定设有集成电路芯片308，所述的的芯片本体310与集成电路芯片308采用间隙配合，所述的集成电路芯片308两端通过金属线307与电连接，所述的集成电路芯片308由非导电胶层3081、第一铜凸块3082、芯片电路面层3083、电路集成层3084、第二铜凸块3085、绝缘层3086、导电粒子3087、第一铝电极3088、固定基板3089、导电胶30810、第二铝电极30811组成，所述的固定基板3089为最基层，所述的第一铝电极3088与第二铝电极30811尺寸一致，所述的第一铝电极3088与第二铝电极30811水平设于固定基板3089上方，所述的非导电胶层3081固定设于第一铝电极3088与第二铝电极30811上方，所述的芯片电路面层3083与绝缘层3086尺寸一致，所述的芯片电路面层3083与绝缘层3086相嵌合，所述的芯片电路面层3083与绝缘层3086固定设于非导电胶层3081上方，所述的绝缘层3086上方固定设有电路集成层3084，所述的电路集成层3084与芯片电路面层3083、绝缘层3086采用过盈配合连接，所述的非导电胶层3081内固定设有第一铜凸块3082与第二铜凸块3085，所述的第一铜凸块3082与第二铜凸块3085尺寸一致，所述的第一铜凸块3082与第二铜凸块3085一端延伸至与芯片电路面层3083相联通，所述的第一铜凸块3082与第二铝电极30811之间固定设有导电粒子3087，所述的导电胶30810固定填充于固定基板3089上方，所述的导电粒子3087与第一铜凸块3082与第二铝电极30811采用电连接。
本专利所述的集成电路芯片308是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件。
在进行使用时，通过形成与芯片沟槽311直接相连的线路层306以及金属层309作为集成电路芯片308的漏极，得到了比较大的漏极面积，提升了集成电路芯片308的电流承载能力，芯片本体310下方金属层309起到散热片作用，提高了芯片本体310工作时的散热效果，并且芯片沟槽311内线路层306将所形成的漏极引到芯片本体310正面，从而实现了在芯片本体310正面通过焊盘302与外界进行互联，从而缩短了芯片本体310与外界互联距离，也增强了芯片导电、导热效果，具有生产效率高、封装成本低的特点。
本发明解决现有的技术无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了性能提升，不便于推广使用的问题，本发明通过上述部件的互相组合，从而缩短了芯片本体与外界互联距离，也增强了芯片导电、导热效果，具有生产效率高、封装成本低的特点。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层(1)、第一铜片(2)、塑料体(3)、凹陷槽(4)、固定孔(5)、固定底板(6)、LOGO标志(7)、第二铜片(8)，其特征在于：
所述的塑料体(3)采用焊接方式固定设于固定底板(6)上端，所述的固定底板(6)上端固定设有多个活动装设固定孔(5)的凹槽，所述的固定孔(5)与固定底板(6)为一体化成型结构，所述的LOGO标志(7)左侧采用粘接方式固定粘贴于塑料体(3)右侧，所述的塑料体(3)前后两端固定设有活动装设凹陷槽(4)的凹槽，所述的凹陷槽(4)与塑料体(3)为一体化成型结构，所述的隔层(1)共设有两个且尺寸一致，所述的隔层(1)水平焊接于塑料体(3)上端，所述的第一铜片(2)与第二铜片(8)尺寸一致，所述的第一铜片(2)共设有两个且采用焊接方式固定设于塑料体(3)上端，所述的塑料体(3)与第一铜片(2)采用过盈配合连接，所述的第二铜片(8)设有两个以上且水平焊接于隔层(1)上端，所述的隔层(1)与第二铜片(8)采用过盈配合连接，所述的第一铜片(2)与第二铜片(8)采用电连接；
所述的塑料体(3)由线路表面保护层(301)、焊盘(302)、芯片源电极(303)、芯片栅电极(304)、芯片表面保护层(305)、线路层(306)、金属线(307)、集成电路芯片(308)、金属层(309)、芯片本体(310)、芯片沟槽(311)组成；
所述的线路表面保护层(301)固定设于金属层(309)上端，所述的金属层(309)与线路表面保护层(301)为一体化成型结构，所述的焊盘(302)设有两个以上且尺寸一致，所述的焊盘(302)底部水平焊接于线路表面保护层(301)外表面，所述的线路层(306)固定设于金属层(309)与线路表面保护层(301)内，所述的线路层(306)与金属层(309)互联，所述的芯片沟槽(311)固定设于线路层(306)与金属层(309)内，所述的芯片沟槽(311)与线路层(306)侧壁相连，所述的芯片表面保护层(305)固定设于芯片沟槽(311)外壁，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)固定设于芯片本体(310)上方，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)、芯片表面保护层(305)固定填充于芯片沟槽(311)内，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)与芯片本体(310)采用过盈配合连接，所述的芯片本体(310)内固定设有集成电路芯片(308)，所述的的芯片本体(310)与集成电路芯片(308)采用间隙配合，所述的集成电路芯片(308)两端通过金属线(307)与电连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的集成电路芯片(308)由非导电胶层(3081)、第一铜凸块(3082)、芯片电路面层(3083)、电路集成层(3084)、第二铜凸块(3085)、绝缘层(3086)、导电粒子(3087)、第一铝电极(3088)、固定基板(3089)、导电胶(30810)、第二铝电极(30811)组成。
3.根据权利要求2所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的固定基板(3089)为最基层，所述的第一铝电极(3088)与第二铝电极(30811)尺寸一致，所述的第一铝电极(3088)与第二铝电极(30811)水平设于固定基板(3089)上方。
4.根据权利要求2所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的非导电胶层(3081)固定设于第一铝电极(3088)与第二铝电极(30811)上方，所述的芯片电路面层(3083)与绝缘层(3086)尺寸一致，所述的芯片电路面层(3083)与绝缘层(3086)相嵌合。
5.根据权利要求2所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的芯片电路面层(3083)与绝缘层(3086)固定设于非导电胶层(3081)上方，所述的绝缘层(3086)上方固定设有电路集成层(3084)，所述的电路集成层(3084)与芯片电路面层(3083)、绝缘层(3086)采用过盈配合连接。
6.根据权利要求2所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的非导电胶层(3081)内固定设有第一铜凸块(3082)与第二铜凸块(3085)，所述的第一铜凸块(3082)与第二铜凸块(3085)尺寸一致，所述的第一铜凸块(3082)与第二铜凸块(3085)一端延伸至与芯片电路面层(3083)相联通。
7.根据权利要求2所述的一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其特征在于：所述的第一铜凸块(3082)与第二铝电极(30811)之间固定设有导电粒子(3087)，所述的导电胶(30810)固定填充于固定基板(3089)上方，所述的导电粒子(3087)与第一铜凸块(3082)与第二铝电极(30811)采用电连接。
CN201810075077.3A 2018-01-25 2018-01-25 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片 Active CN108336044B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810075077.3A CN108336044B (zh) 2018-01-25 2018-01-25 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810075077.3A CN108336044B (zh) 2018-01-25 2018-01-25 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108336044A true CN108336044A (zh) 2018-07-27
CN108336044B CN108336044B (zh) 2019-10-08

Family

ID=62926481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810075077.3A Active CN108336044B (zh) 2018-01-25 2018-01-25 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108336044B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068921A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型電子部品
CN101404265A (zh) * 2008-11-10 2009-04-08 福建福顺半导体制造有限公司 集成电路半导体器件
CN102917303A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 无锡芯奥微传感技术有限公司 塑料壳封装麦克风
CN204596789U (zh) * 2015-05-06 2015-08-26 嘉兴斯达微电子有限公司 带卡环结构外壳的功率半导体模块
CN205542761U (zh) * 2016-04-13 2016-08-31 无锡新洁能股份有限公司 功率模块
CN107359143A (zh) * 2017-07-17 2017-11-17 上海道之科技有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管模块
CN206774518U (zh) * 2017-03-29 2017-12-19 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种高散热能力的小型贴片固态继电器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068921A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型電子部品
CN101404265A (zh) * 2008-11-10 2009-04-08 福建福顺半导体制造有限公司 集成电路半导体器件
CN102917303A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 无锡芯奥微传感技术有限公司 塑料壳封装麦克风
CN204596789U (zh) * 2015-05-06 2015-08-26 嘉兴斯达微电子有限公司 带卡环结构外壳的功率半导体模块
CN205542761U (zh) * 2016-04-13 2016-08-31 无锡新洁能股份有限公司 功率模块
CN206774518U (zh) * 2017-03-29 2017-12-19 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种高散热能力的小型贴片固态继电器
CN107359143A (zh) * 2017-07-17 2017-11-17 上海道之科技有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN108336044B (zh) 2019-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201412704Y (zh) 一种集成led芯片的光源
CN109817591B (zh) 一种高功率密度igbt模块的双面水冷散热结构及加工工艺
CN105070695A (zh) 双面散热电动汽车功率模块
CN107170714A (zh) 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
CN113782504B (zh) 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法
CN206864452U (zh) 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
CN116314066A (zh) 一种功率设备和功率模组
CN106208623A (zh) 电源模块
CN108091753A (zh) 一种光源元件
CN101692448A (zh) 多芯片led集中封装散热结构及其封装技术
CN101509651A (zh) 照明led高效散热光源基板及制造方法
CN218568825U (zh) 一种利于散热的新能源汽车用场效应管
CN106449552A (zh) 双面直接冷却散热结构的功率模块
CN112018049A (zh) 一种芯片封装结构及一种电子设备
CN206412334U (zh) 一种双面直接冷却散热结构的功率模块
CN208368501U (zh) Igbt模块封装结构及冷却系统
CN101582414A (zh) 功率端子直接键合的功率模块
CN108336044B (zh) 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
CN203521408U (zh) 基于镀银铝基板的led光源
CN107275295A (zh) 一种功率集成器件、封装方法及电源装置
CN102820277B (zh) 一种igbt模块的覆铜陶瓷基板结构
CN201412705Y (zh) 高效散热led照明光源
CN201629332U (zh) 多芯片led封装散热结构
CN112310029A (zh) 衬板和基体集成的功率半导体器件及其制造方法
CN116544197A (zh) 功率器件封装结构及封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20190909

Address after: No. 69 Dachang Road, Tanghuai Park, Taiyuan, 030000 Shanxi Comprehensive Reform Demonstration Area

Applicant after: SHANXI YUXIANG INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: Hongshan Road 410003 in Hunan province Changsha Kaifu District, No. 98, Department of mechanical and electrical engineering Changsha University

Applicant before: Zhou Yuan Zhong

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant