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CN108296216A - 一种硅片清洗方法 - Google Patents

一种硅片清洗方法 Download PDF

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CN108296216A
CN108296216A CN201810288202.9A CN201810288202A CN108296216A CN 108296216 A CN108296216 A CN 108296216A CN 201810288202 A CN201810288202 A CN 201810288202A CN 108296216 A CN108296216 A CN 108296216A
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CN
China
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cleaning
silicon wafer
pure water
clean
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Withdrawn
Application number
CN201810288202.9A
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Inventor
胡汉涛
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Huzhou Five Stone Technology Co Ltd
Original Assignee
Huzhou Five Stone Technology Co Ltd
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H10P72/0411—

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：（1）、预清洗；（2）、药液清洗、纯水漂洗、化学液清洗、纯水漂洗；（3）、将硅片放入装有浓度为1‑5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；（5）、放入烘箱进行干燥。本发明提供一种硅片清洗方法，以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底，影响成品率及产品质量的问题。

Description

一种硅片清洗方法
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种硅片清洗方法。
背景技术
超声波清洗由于其清洗效率高、能够节约药液等特点在在湿法工艺中得到了广泛的应用。超声波在湿法清洗工艺中的原理，主要是高频振荡信号通过换能器转换成高频机械振荡而传播到清洗药液中，声波在液体中是以正弦曲线纵向传播，强弱相间，弱的声波会对液体产生一定的负压，使得液体体积增加，液体中的分子空隙增大，形成许多微小的气泡，而当强的声波信号作用于液体时，则会对液体产生一定的正压，即液体体积被压缩减小，当液体中气泡的破裂会产生能量极大的冲击波，从而起到清洗的作用。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种硅片清洗方法，以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底，影响成品率及产品质量的问题。
本发明的技术方案：一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；
（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；
（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；
（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1MHz、中频1MHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0-30秒，第二时间段为31-50秒，第三时间段为51-60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；
（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
前述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。
前述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤（2）中，第一次纯水漂洗四次，清洗温度为40℃，第二次纯水漂洗四次，清洗温度为30℃。
本发明的有益效果：能够有效的去除附着在硅片表面的杂质，确保硅片表面的清洁度，从而大大提高了成品率，有效保证了产品的质量。
具体实施方式
下面实施例对本发明作进一步的说明，但并不作为对本发明限制的依据。
实施例：一种硅片清洗方法，包括以下步骤：
（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；
（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；
（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；
（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1MHz、中频1MHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0-30秒，第二时间段为31-50秒，第三时间段为51-60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；
（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。
所述步骤（2）中，第一次纯水漂洗四次，清洗温度为40℃，第二次纯水漂洗四次，清洗温度为30℃。

Claims (3)

1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；
（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；
（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；
（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1MHz、中频1MHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0-30秒，第二时间段为31-50秒，第三时间段为51-60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；
（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。
3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤（2）中，第一次纯水漂洗四次，清洗温度为40℃，第二次纯水漂洗四次，清洗温度为30℃。
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