CN108232023A - 一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层为溶胶‑凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。所述QLED为倒置结构器件，可与成熟的n沟道a‑Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法引入电子传输层修饰层，可以有效降低阴极的功函数，并改善电子传输层的形貌，减少电子传输层对量子点发光层的影响。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
Description
技术领域
本发明涉及光电器件技术领域，具体涉及了一种高效的倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点作为发光层的电致自发光器件。量子点是粒径小于或接近激子波尔半径的半导体纳米晶体，其三个维度的尺度通常在10nm以下，内部的电子和空穴在各个方向上的运动均受到限制。应用于发光领域的量子点一般具有核-壳结构，表面由配体钝化。由于电子和空穴被量子限域，量子点具有分立的能级结构。这种分立的能级结构使得量子点具有独特的光学性质。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出荧光，荧光的波长由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。量子点的发光峰窄、发光颜色随自身尺寸可调、发光效率高，非常适合用作显示器件的发光材料。对比OLED，QLED具有理论发光效率更高、颜色可调、色域更广、色彩饱和度和鲜艳度更好、能耗成本更低等优点，使得量子点电致发光技术成为下一代新型显示技术的有利候选者。
近年来，QLED在材料和器件结构上都取得可很大的进展。其中，器件结构方面倒置QLED器件因其具有许多显著的优势被广泛关注。最突出的就是倒置器件有极佳的占空比，可实现近100﹪的开口率，从而可充分利用像素空间设计多管驱动电路。相比于LTPS工艺成本高、且只能小面积应用的缺点，倒置器件可以和成熟的n沟道a-Si基TFT驱动电路集成，低成本制备大面积显示面板。在技术不断的演进过程中，引入ZnO纳米颗粒、AZO等材料作为电子传输层对倒置QLED发展具有里程碑的意义，制备的QLED器件显示出非常优异的性能。但是，这些材料的制备往往需要通过磁控溅射、原子层沉积等方法，不仅耗时且成本很高。因此，以溶胶-凝胶法等溶液法制备电子传输层薄膜，从而降低QLED成本是非常有必要的。但溶液法制备又面临许多技术难题，例如如何消除或减少上层材料涂布过程中对其下层材料的影响对器件的性能至关重要。
另一方面，QLED器件的光提取是被限制的，器件中层与层之间的折射率不匹配、金属电极表面等离子体激元、基底损耗等都会限制光的取出，从根本上限制了其效率的进一步发展。研究表明，利用光调控技术、界面优化技术等对器件进行优化与改进，可以实现器件性能的极大提升。通过在器件中引入特殊的光学结构能够一定程度上实现光调控，已知的有效光学结构包括微透镜阵列、金属纳米粒子、非周期阵列、光学微腔等。
申请号为200880007531.6的中国专利公开了一种基于核/壳量子点的无机发光装置，包括透明衬底、第一电极、与第一电极相对的第二电极、量子点多晶无机发光层。该发光装置未含有能级匹配的电子、空穴传输层，未含有修饰层及光提取结构，器件性能较差，无法满足实际应用的需要。
申请号为201010171667.X、201410146156.0的中国专利均公开了一种量子点发光器件，并且在器件中引入了电子和空穴传输层，但不含修饰层及光提取结构，且没有对倒置结构器件及其溶液法制备提出解决方案。
2014年，Jin Jang等(ACS Appl.Mater.Interfaces 2014,6,2508-2515)发表文章公开了一种全溶液发制备的倒置结构QLED器件，采用Cs2CO3修饰的AZO阴极，器件性能获得提升。不过由于光提取效率很低，器件性能较差，且含有碱金属的掺杂剂不稳定。
2016年，Shuming Chen等(ACS Appl.Mater.Interfaces 2016,8,5493-5498)发表文章公开一种利用ZnO纳米颗粒的倒置QLED器件，由于电子传输层未进行修饰，光取出受限制，最佳性能的器件EQE仅为2.72％。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明人经过长期的研究创新，发明了一种高效的倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。
本申请涉及一种倒置结构量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层为溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。所述QLED为倒置结构器件，可与成熟的n沟道a-Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。
优选地，所述的电子传输层的上表面还设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。
优选地，所述衬底为玻璃或柔性塑料，或设有TFT驱动电路的玻璃或塑料基板。
优选地，所述阳极和阴极中至少有一种是透明的。
优选地，所述阴极为铟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或，所述的阴极为Al或Ag或Mg或Ca或Ba材料制成的电极。
优选地，所述阳极为铟锡氧化物或氟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或，所述的阳极为Au或Pt或Pd材料制成的电极。
优选地，所述电子传输层材料为ZnO或TiOx，制备方法为溶胶-凝胶法。
优选地，所述空穴传输层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种或多种。
优选地，所述界面修饰层为聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺、9，9-二辛基芴-9，9-双(N，N-二甲基胺丙基)芴中的一种或多种。
优选地，所述量子点发光层中的量子点为红、绿、蓝色量子点中的一种或多种，量子点含有能与表面形成稳定配位的配体，所述的量子点发光层为单层或多层。
本申请还涉及一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，所述的制备方法包括：在衬底上设置阴极层，在带有阴极层的衬底上制作电子传输层，在所述的电子传输层的上表面引入界面修饰层，在具有界面修饰层的电子传输层上依次制作量子点发光层、空穴传输层和阳极。
优选地，所述的制备方法具体为，(1)在衬底上制作阴极层，将带有阴极层的衬底依次置于洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后烘干，然后进行紫外臭氧处理；(2)配制金属氧化物前驱体溶液；(3)在步骤(1)中的衬底上，旋涂步骤(2)中的金属氧化物前驱体溶液，形成电子传输层，在电子传输层上旋涂修饰层薄膜，形成界面修饰层；(4)将步骤(3)的修饰层上旋涂量子点溶液，形成量子点发光层；(5)在量子点发光层上旋涂空穴传输层；(6)在步骤(5)空穴传输层上镀一层金属阳极。
优选地，步骤(3)还包括，在具有界面修饰层的电子传输层上印压出纳米凹凸结构。
优选地，通过化学刻蚀、电子束沉积、蒸发、溅射、激光直写、全息、自组装方法中的任意一种工艺在模板基底上制备纳米凹凸结构，形成具有纳米凹凸结构的压印模板，使用所述的压印模板在具有界面修饰层的电子传输层上印压出纳米凹凸结构。所述纳米软压印工艺包括压印模板与电子传输层平整接触、施加3-10bar压强、对电子传输层紫外或加热固化，脱模等步骤。
优选地，所述的阴极厚度控制在100-200nm；电子传输层厚度控制为40-80nm；界面修饰层厚度控制为4-15nm；纳米凹凸结构周期优选200-600nm之间，槽深在20-30nm之间，占空比0.5-0.6之间。
优选地，量子点发光层厚度控制为30-100nm，空穴传输层厚度为40-100nm，阳极厚度控制为100-200nm。
优选的，所述量子点发光二极管制作方法为溶液法，包括旋转涂布、狭缝涂布、刮涂、凹版印刷、丝网印刷、喷墨打印中的一种或多种，兼容卷对卷制备工艺。
优选的，所述量子点发光二极管溶液法制作过程中对量子点材料需进行高温烧结处理，防止上层溶剂的影响。任意一层都需选择特定溶剂以减小涂布过程对下层薄膜的影响。
优选的，所述的有机太阳能电池制作方法中压印模板的材质选自石英、硅、镍、碳素钢、碳化硅、掺铝氧化锌、聚碳酸酯、聚氯乙烯或聚甲基丙烯酸丁酯、聚二甲硅氧烷、聚苯乙烯、丙烯酸或全氟聚醚中的一种。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法引入电子传输层修饰层，可以有效降低阴极的功函数，并改善电子传输层的形貌，减少电子传输层对量子点发光层的影响。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
附图说明
附图1是本发明的量子点发光二极管结构示意图；
附图2是本发明量子点发光二极管与n沟道a-Si基TFT驱动电路集成构建
有源驱动阵列QLED(AMQLED)的技术方案示意图；
附图3是本发明纳米压印技术具有纳米凹凸结构的模板示意图；
附图4是具体实施方式下纳米凹凸结构的形状示意图；
附图5是实施例一溶胶-凝胶法ZnO薄膜引入纳米凹凸结构后的扫描电子显微镜结构示意图；
附图6是本发明具体实施例一、实施例二与对比实施例电流密度-电压曲线对比示意图；
附图7是本发明具体实施例一、实施例二与对比实施例亮度-电压曲线对比示意图；
附图8是本发明具体实施例一、实施例二与对比实施例功率效率-电压曲线对比示意图；
附图9是本发明具体实施例一、实施例二与对比实施例电流效率-电压曲线对比示意图；
附图10是本发明具体实施例一、实施例二与对比实施例EL光谱对比示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明提供了一种高效的倒置结构量子点发光二极管及其制作方法。如图1给出了本发明的量子点发光二极管器件结构示意图，包括依次层叠的衬底101、阴极102、电子传输层103、量子点发光层104、空穴传输层105和阳极106。
所述电子传输层为溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜，优选ZnO薄膜，其上表面具有界面修饰层，或设有呈准周期、非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构107，或兼具两者。
所述倒置结构量子点发光二极管，可与成熟的n沟道a-Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。
图2给出了一种利用所述倒置量子点发光二极管与n沟道a-Si基TFT驱动电路集成构建有源驱动阵列QLED(AMQLED)的技术方案。在设有与n沟道a-Si基TFT驱动电路202的基板201上，优选玻璃或透明塑料基板，制作所述倒置结构QLED器件100形成RGB像素阵列，像素阵列各自独立的阴极引线、扫描线、数据线等引线203连接至驱动电路207，然后通过排线205连接至时序控制电路208；像素阵列的公共阳极206通过引线204同样引入时序控制电路，形成有源驱动阵列QLED(QLED)显示面板。QLED器件选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。其中，顶发射QLED可实现近100﹪的开口率，像素排布更密集、显示面板亮度更高。
制作所述集成化QLED器件过程中，阴极102可选择透明的铟锡氧化物、铝锌氧化物或AgNW电极，也可为不透明的Al、Ag、Mg、Ca、Ba低功函数反射电极，厚度优选100-200nm。阳极106可选择透明的铟锡氧化物、氟锡氧化物、铝锌氧化物或AgNW电极，也可为不透明的Au、Pt和Pd等高功函数反射电极，厚度优选100-200nm。但阳极和阴极中至少有一种是透明的。
制作所述集成化QLED器件过程中，电子传输层103材料为ZnO或TiOx软质金属氧化物薄膜，制备方法为溶胶-凝胶法，优选ZnO薄膜，厚度优选40-80nm。在软质的电子传输层上通过如图3所示的压印模板301纳米压印可获得准周期、非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。
压印模板的材质选自石英、硅、镍、碳素钢、碳化硅、掺铝氧化锌、聚碳酸酯、聚氯乙烯或聚甲基丙烯酸丁酯、聚二甲硅氧烷、聚苯乙烯、丙烯酸或全氟聚醚中的一种。在模板上通过化学刻蚀、电子束沉积、蒸发、溅射、激光直写、全息、自组装方法中的任意一种工艺制备与像素大小匹配的纳米凹凸结构阵列302，并制作对准标记303。
电子传输层103界面修饰层为聚乙烯亚胺(PEI)、聚乙氧基乙烯亚胺(PEIE)、9，9-二辛基芴-9，9-双(N，N-二甲基胺丙基)芴(PFN)中的任意一种或多种，厚度优选4-15nm。
空穴传输层105为有机材料聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)中的一种或多种，厚度优选40-100nm。
量子点发光层104中的量子点为红、绿、蓝色量子点中的任意一种或多种，量子点含有能与表面形成稳定配位的配体，该量子点发光层可以为单层也可为多层。
以下将结合实施例和对比例进一步说明本发明的有益效果。
实施例一
在一种实施方式中，压印模板采用软的聚二甲基硅烷(PDMS)，纳米凹凸结构的形状如图4所示，其周期优选400nm，槽深为50nm，占空比为0.6。
一种具有纳米光提取结构的量子点发光二极管，包含在衬底上的ITO透明阴极、ZnO电子传输层、CdSe/ZnS四元梯度合金量子点发光层、PVK/PEDOT：PSS复合空穴传输层和Al金属阳极，各层结构的具体制作工艺优选溶液法旋涂、真空热蒸发等方法，或其他公知方法，优选地，在本实施方式中，器件制作具体工序如下：
(1)衬底和阴极清洗：普通浮法玻璃衬底基片用洗涤剂清洗后，在一面上溅射图案化的ITO薄膜作为透明阴极。将带有ITO的衬底基片依次置于洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇、去离子水中，每次超声清洗10min，清洗完成后置于烘箱中110℃恒温烘干，将衬底基片放入紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理10min；
(2)配制ZnO前驱体溶液：将110mg二水乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O,99.5％,Sigma–Aldrich)溶解在1mL在2－甲氧基乙醇(CH3OCH2CH2OH,99.8％,Sigma–Aldrich)溶液中，然后加入30μL乙醇胺(NH2CH2CH2OH,Sigma–Aldrich)溶液，50℃下搅拌12h，得到ZnO溶胶-凝胶前驱体溶液。
(3)电子传输层制作及结构引入：于空气中在步骤(1)处理好的衬底基片上旋涂一层ZnO前驱体溶液。控制转速为4000rpm、时间为60s，然后置于控温版上并覆盖PDSM压印模板，施加3bar的压强，150℃退火10min，得到厚度为40-60nm的ZnO薄膜以及薄膜上周期约400nm，槽深约20nm，占空比为0.6的准随机纳米凹凸结构。参见图5给出了溶胶-凝胶法ZnO薄膜引入结构后的扫描电子显微镜结构示意。特别的，施加的压强需精确控制以得到低槽深的结构，减少对量子点发光层形貌的影响。
(4)将步骤(3)处理后的基片转移入手套箱，旋涂量子点溶液。其中的量子点为CdSe/ZnS核壳结构，且在CdSe发光核和ZnS壳中加入三元合金过渡组分，实现晶格的逐步过渡，有效降低了量子点晶格缺陷造成的内部压力，从而使量子点具有较高的发光效率和稳定性，其发光峰为529nm，半峰宽约为24nm。量子点分散在正辛烷中，浓度约10mg/ml，旋涂转速为1500rpm，时间为60s。然后150℃高温退火10min，此过程起到高温烧结量子点层的作用，能够大大减少之后溶液旋涂对量子点发光层的影响，最终得到厚度为40-60nm的量子点薄膜。
(5)空穴传输层制作：于手套箱中旋涂PVK的邻二氯苯溶液(浓度为10mg/ml)，旋涂转速为2500rpm，旋涂时间60s，150℃退火10min。然后再旋涂PEDOT:PSS溶液，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间60s，再90℃退火15min。得到厚度约80nm的PVK/PEDOT：PSS复合空穴传输层。
(6)金属阳极制作：将上述步骤(5)处理的基片转移至热蒸镀系统，在真空度≥1×10-4Pa条件下蒸镀一层铝电极，厚度为100-150nm，即得到具有纳米光提取结构的量子点发光二极管。
实施例二
一种具有电子传输层修饰层的量子点发光二极管，包含在衬底上的ITO透明阴极、ZnO电子传输层、PEI修饰层、CdSe/ZnS四元梯度合金量子点发光层、PVK/PEDOT：PSS复合空穴传输层和Al金属阳极，各层结构的具体制作工艺优选溶液法旋涂、真空热蒸发等方法，或其他公知方法，优选地，在本实施方式中，量子点发光二极管制作具体工序如下：
(1)衬底和阴极清洗：同实施例一。
(2)配制ZnO前驱体溶液：同实施例一。
(3)电子传输层制作及修饰：于空气中在步骤(1)处理好的衬底基片上旋涂一层ZnO前驱体溶液。控制转速为4000rpm、时间为60s，120℃退火10min，得到厚度为40-60nm的ZnO薄膜；在ZnO薄膜上旋涂PEI的2－甲氧基乙醇溶液(浓度为0.4wt％)，控制转速为5000rpm、时间为60s，100℃退火10min，得到厚度为4-8nm的修饰层薄膜。
(4)量子点发光层制作：同实施例一。
(5)空穴传输层制作：同实施例一。
(6)金属阳极制作：同实施例一，即得到具有电子传输层修饰层的量子点发光二极管。
对比实施例
一种量子点发光二极管，包含在衬底上的ITO透明阴极、ZnO电子传输层、CdSe/ZnS四元梯度合金量子点发光层、PVK/PEDOT：PSS复合空穴传输层和Al金属阳极，各层结构的具体制作工艺优选溶液法旋涂、真空热蒸发等方法，或其他公知方法，优选地，在本实施方式中，器件制作具体工序如下：
(1)衬底和阴极清洗：同实施例一。
(2)配制ZnO前驱体溶液：同实施例一。
(3)电子传输层制作：于空气中在步骤(1)处理好的衬底基片上旋涂一层ZnO前驱体溶液。控制转速为4000rpm、时间为60s，120℃退火10min，得到厚度为40-60nm的ZnO薄膜。
(4)量子点发光层制作：同实施例一。
(5)空穴传输层制作：同实施例一。
(6)金属阳极制作：同实施例一，即得到量子点发光二极管。
图6-10为实施例所得器件的性能对比示意图，通过引入纳米光提取结构或电子传输层修饰层，器件效率得到了显著提升。应用本发明制备的高性能倒置量子点发光二极管，其器件效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
本发明的量子点发光二极管的纳米凹凸结构对于光线的调控机制为：发光二极管上的纳米凹凸结构则可以使得靠近阴极侧的电场线更加集中，电场强度更大，提高电子的注入降低器件的开启电压；折射率呈梯度变化的准随机结构能够减小层与层之间的折射率失衡，减少光全反射，在宽光谱范围内提高光取出效率。引入电子传输层修饰层可以有效降低阴极的功函数，并改善溶胶-凝胶ZnO的形貌，减少ZnO对量子点发光层的影响。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种倒置结构量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述电子传输层为溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。
2.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述的电子传输层的上表面还设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。
3.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底为玻璃或柔性塑料，或设有TFT驱动电路的玻璃或塑料基板。
4.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极和阴极中至少有一种是透明的。
5.根据权利要求4所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，
所述阴极为铟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或
所述的阴极为Al或Ag或Mg或Ca或Ba材料制成的电极。
6.根据权利要求4所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物或氟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或
所述的阳极为Au或Pt或Pd材料制成的电极。
7.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料为ZnO或TiOx。
8.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层为聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺、9，9-二辛基芴-9，9-双(N，N-二甲基胺丙基)芴中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的一种倒置结构量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点为红、绿、蓝色量子点中的一种或多种，量子点含有能与表面形成稳定配位的配体，所述的量子点发光层为单层或多层。
11.一种如权利要求1～10任一项所述一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：在衬底上设置阴极层，在带有阴极层的衬底上制作电子传输层，在所述的电子传输层的上表面引入界面修饰层，在具有界面修饰层的电子传输层上依次制作量子点发光层、空穴传输层和阳极。
12.根据权利要求11所述的一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的制备方法具体为，
(1)在衬底上制作阴极层，将带有阴极层的衬底依次置于洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后烘干，然后进行紫外臭氧处理；
(2)配制金属氧化物前驱体溶液；
(3)在步骤(1)中的衬底上，旋涂步骤(2)中的金属氧化物前驱体溶液，形成电子传输层，在电子传输层上旋涂修饰层薄膜，形成界面修饰层；
(4)将步骤(3)的修饰层上旋涂量子点溶液，形成量子点发光层；
(5)在量子点发光层上旋涂空穴传输层；
(6)在步骤(5)空穴传输层上镀一层金属阳极。
13.根据权利要求12所述的一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(3)还包括，在具有界面修饰层的电子传输层上印压纳米凹凸结构。
14.根据权利要求13所述的一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的阴极厚度控制在100-200nm；电子传输层厚度控制为40-80nm；界面修饰层厚度控制为4-15nm；纳米凹凸结构周期200-600nm之间，槽深在20-30nm之间，占空比0.5-0.6之间。
15.根据权利要求13所述的一种倒置结构量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，量子点发光层厚度控制为30-100nm，空穴传输层厚度为40-100nm，阳极厚度控制为100-200nm。
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