CN108133886A - 一种dbc基板背面研磨的方法 - Google Patents
一种dbc基板背面研磨的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108133886A CN108133886A CN201711306894.7A CN201711306894A CN108133886A CN 108133886 A CN108133886 A CN 108133886A CN 201711306894 A CN201711306894 A CN 201711306894A CN 108133886 A CN108133886 A CN 108133886A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- brush roll
- grinding
- dbc substrate
- backs
- dbc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P52/00—
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本发明为解决双面覆铜陶瓷基板表面高低不平不良问题，在涂散热涂层工艺之前增加机械研磨工艺，通过选用不同材质刷辊组合，提供一种DBC基板背面研磨的方法，对DBC基板背面铜面进行研磨和抛光，达到整平基板背面的目的。
Description
技术领域
本发明属于DBC基板制造领域，具体涉及一种DBC基板背面研磨的方法。
背景技术
双面覆铜陶瓷基板(DBC基板)用于功率器件封装时，在其正面(线路面)焊接元器件，而背面(散热面)与铜底板焊接，将产生的热量扩散出去。由于DBC基板和铜底板热膨胀系数不同，大面积焊接导致焊接疲劳，造成功率器件热循环能力下降。为提高热循环能力，现在封装时逐步采用一种在DBC基板背面涂散热涂层，将其直接粘合在散热器上的工艺。但这种封装工艺对DBC基板背面表面状态要求较高：表面需平整，无高低不平、板面翘曲要小。见图1。
DBC基板是由铜片与陶瓷在高温下烧结而成的，因高温基板会产生翘曲不良，同时在铜片和陶瓷结合面处有时会产生烧结气泡造成铜片凸起，这些不良造成板面不平。由于散热涂层很薄，无法填满不平板面与散热器之间的间隙，使得DBC基板背面与散热器不能完全贴合，造成产生的热量无法及时扩散，器件容易失效。
现有DBC基板制造行业对DBC基板表面处理主要通过用化学溶剂来实现，这种工序只能去除表面氧化物，无法达到整平表面的目的。
发明内容
本发明为解决DBC基板表面高低不平不良问题，方案为在涂散热涂层工艺之前增加机械研磨工艺，通过选用不同材质刷辊组合，提供一种DBC基板背面研磨的方法，对DBC基板背面铜面进行研磨和抛光，达到整平DBC基板背面的目的。
本发明的技术方案是：一种DBC基板背面研磨的方法，应用于涂散热涂层工艺之前，具体步骤如下：
步骤一、设置硬刷辊一个，基板背面先经硬刷辊研磨一次；
(1)硬刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)背面铜面研磨量控制在10um～30um范围内；
(3)硬刷辊目数：400～900#；电流：0.4～0.9A；
步骤二、设置软刷辊三个，将基板背面再经软刷辊抛光三次；
(1)软刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)软刷辊目数：200～600#；电流：0.6～1.2A；
(3)抛光后粗糙度控制在Ra<2、Rz<16范围内。
进一步的，步骤一中，硬刷辊速度设置为1.5m/min。
进一步的，步骤二中，软刷辊速度设置为1.5m/min。
进一步的，步骤一中，硬刷辊目数：600#。
进一步的，步骤二中，软刷辊目数：300#。
本发明的有益效果是：用硬刷辊对背面铜面进行研磨，通过控制铜面研磨量，来实现降低板面翘曲程度及减小因烧结气泡造成铜片凸起的目的。用软刷辊对已研磨的背面铜面进行抛光。改善表面外观并保持一定粗糙度。
附图说明
图1为DBC基板用于功率器件封装时，在其正面(线路面)焊接元器件，而背面涂散热涂层，将其直接粘合在散热器上的结构示意图。
图中：1为焊接元器件，2为基板正面，3为陶瓷，4为散热器，5为散热涂层，6为基板背面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明.
本发明为解决DBC基板背面高低不平影响与散热器贴合的问题，通过增加机械研磨工艺，来达到整平DBC基板背面的目的。
具体步骤如下：
步骤一、设置硬刷辊一个，基板背面先经硬刷辊研磨一次；
(1)硬刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)背面铜面研磨量控制在10um～30um范围内；
(3)硬刷辊目数：400～900#；电流：0.4～0.9A；
步骤二、设置软刷辊三个，将基板背面再经软刷辊抛光三次；
(1)软刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)软刷辊目数：200～600#；电流：0.6～1.2A；
(3)抛光后粗糙度控制在Ra<2、Rz<16范围内。
通过以上发明实施，可将DBC基板背面高低不平整平，封装时与散热器完全贴合，能够将功率器件产生的热量及时扩散出去。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种DBC基板背面研磨的方法，应用于涂散热涂层工艺之前，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、设置硬刷辊一个，基板背面先经硬刷辊研磨一次；
(1)硬刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)背面铜面研磨量控制在10um～30um范围内；
(3)硬刷辊目数：400～900#；电流：0.4～0.9A；
步骤二、设置软刷辊三个，将基板背面再经软刷辊抛光三次；
(1)软刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；
(2)软刷辊目数：200～600#；电流：0.6～1.2A；
(3)抛光后粗糙度控制在Ra<2、Rz<16范围内。
2.根据权利要求1所述的一种DBC基板背面研磨的方法，其特征在于：步骤一中，硬刷辊速度设置为1.5m/min。
3.根据权利要求1所述的一种DBC基板背面研磨的方法，其特征在于：步骤二中，软刷辊速度设置为1.5m/min。
4.根据权利要求1所述的一种DBC基板背面研磨的方法，其特征在于：步骤一中，硬刷辊目数：600#。
5.根据权利要求1所述的一种DBC基板背面研磨的方法，其特征在于：步骤二中，软刷辊目数：300#。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711306894.7A CN108133886A (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 一种dbc基板背面研磨的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711306894.7A CN108133886A (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 一种dbc基板背面研磨的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108133886A true CN108133886A (zh) | 2018-06-08 |
Family
ID=62390099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711306894.7A Pending CN108133886A (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 一种dbc基板背面研磨的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108133886A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113224008A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-08-06 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种减少dcb产品皱皮疙瘩不良的方法 |
| CN113453437A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-28 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铜陶瓷基板表面缺陷处理的方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1163318A (zh) * | 1996-01-16 | 1997-10-29 | 三井金属矿业株式会社 | 印刷电路板用电解铜箔及其制造方法 |
| CN1880061A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 新日铁化学株式会社 | 覆铜叠层板及其制造方法 |
| CN101662893A (zh) * | 2009-09-04 | 2010-03-03 | 东莞美维电路有限公司 | 具高密集盘中孔的印制线路板的制作方法 |
| CN101716744A (zh) * | 2009-11-12 | 2010-06-02 | 梅州博敏电子有限公司 | 无环盲孔高密度互连印制线路板板面整平的方法 |
| CN101764121A (zh) * | 2010-01-08 | 2010-06-30 | 湖南大学 | 层间绝缘叠层复合材料及其制备方法 |
| CN104072186A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷覆铜板的制备方法 |
| CN104412720A (zh) * | 2012-05-02 | 2015-03-11 | 陶瓷技术有限责任公司 | 由具有金属填充的过孔的陶瓷基底制造陶瓷电路板的方法 |
| CN104538313A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-22 | 南京航空航天大学 | 一种氧化铝陶瓷基板贯穿孔内填充金属铜的方法 |
| CN105845582A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 一种igbt封装用陶瓷基板的制备方法 |
| CN106413273A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-02-15 | 江门崇达电路技术有限公司 | 改善板面铜粒的工艺 |
| CN106535506A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-03-22 | 泰和电路科技（惠州）有限公司 | 过电孔的填孔方法、焊盘的制作方法、焊盘及线路板 |
| CN106658977A (zh) * | 2015-10-29 | 2017-05-10 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 电路板的线路制作方法及利用该方法制作的电路板 |
-
2017
- 2017-12-11 CN CN201711306894.7A patent/CN108133886A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1163318A (zh) * | 1996-01-16 | 1997-10-29 | 三井金属矿业株式会社 | 印刷电路板用电解铜箔及其制造方法 |
| CN1880061A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 新日铁化学株式会社 | 覆铜叠层板及其制造方法 |
| CN101662893A (zh) * | 2009-09-04 | 2010-03-03 | 东莞美维电路有限公司 | 具高密集盘中孔的印制线路板的制作方法 |
| CN101716744A (zh) * | 2009-11-12 | 2010-06-02 | 梅州博敏电子有限公司 | 无环盲孔高密度互连印制线路板板面整平的方法 |
| CN101764121A (zh) * | 2010-01-08 | 2010-06-30 | 湖南大学 | 层间绝缘叠层复合材料及其制备方法 |
| CN104412720A (zh) * | 2012-05-02 | 2015-03-11 | 陶瓷技术有限责任公司 | 由具有金属填充的过孔的陶瓷基底制造陶瓷电路板的方法 |
| CN104072186A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷覆铜板的制备方法 |
| CN104538313A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-22 | 南京航空航天大学 | 一种氧化铝陶瓷基板贯穿孔内填充金属铜的方法 |
| CN106658977A (zh) * | 2015-10-29 | 2017-05-10 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 电路板的线路制作方法及利用该方法制作的电路板 |
| CN105845582A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 一种igbt封装用陶瓷基板的制备方法 |
| CN106413273A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-02-15 | 江门崇达电路技术有限公司 | 改善板面铜粒的工艺 |
| CN106535506A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-03-22 | 泰和电路科技（惠州）有限公司 | 过电孔的填孔方法、焊盘的制作方法、焊盘及线路板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113224008A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-08-06 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种减少dcb产品皱皮疙瘩不良的方法 |
| CN113453437A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-28 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铜陶瓷基板表面缺陷处理的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6017781B2 (ja) | 基板温調固定装置及びその製造方法 | |
| JP6196095B2 (ja) | 静電チャック | |
| CN104752301B (zh) | 一种静电卡盘以及腔室 | |
| JP6099453B2 (ja) | 電子部品搭載基板およびその製造方法 | |
| TW201023248A (en) | Electrostatic chuck with compliant coat | |
| CN104392942A (zh) | 无压低温烧结纳米银焊膏封装大功率igbt器件的方法 | |
| CN108133886A (zh) | 一种dbc基板背面研磨的方法 | |
| Mei et al. | Transient thermal impedance measurements on low-temperature-sintered nanoscale silver joints | |
| TWI811307B (zh) | 陶瓷電路複合結構及其製造方法 | |
| CN104716090B (zh) | 一种tsv晶圆表面抛光方法 | |
| TWI412569B (zh) | 接合材料、接合方法、與接合結構 | |
| JP6633931B2 (ja) | 保持装置および保持装置の製造方法 | |
| CN207602520U (zh) | 一种高功率密度tvs器件 | |
| CN106783719A (zh) | 一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺 | |
| CN106584263B (zh) | 基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片减薄方法 | |
| CN105592578A (zh) | 一种柔性贴合式纳米电热发热薄膜 | |
| JPWO2018016419A1 (ja) | 半導体製造装置用部品の製造方法、および、半導体製造装置用部品 | |
| CN106787948A (zh) | 一种耐高温半导体温差发电器件及制作方法 | |
| JP6580975B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
| CN110642644B (zh) | 一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法 | |
| KR102182699B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법 | |
| JP6580974B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
| JP2013544895A (ja) | ２つの構成部分間の熱伝導装置及び熱伝導装置の製造方法 | |
| JP2018006393A (ja) | 保持装置 | |
| CN110394521B (zh) | 金刚石膜高效散热材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20201120 Address after: Building 3, 181 Shanlian Road, Baoshan District, Shanghai, 200444 Applicant after: Shanghai fulewa Semiconductor Technology Co., Ltd Address before: 200444 Baoshan District, Baoshan City Industrial Park Road, No., Hill Road, No. 181 Applicant before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180608 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |