CN107870294A - 评价装置、半导体装置的评价方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于，提供在半导体装置的电气特性的评价时，能够抑制局部放电的产生，且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印的便利性高的评价装置和半导体装置的评价方法。特征在于，具有：绝缘板；多个探针，它们固定于该绝缘板；绝缘部，其具有可拆卸地与该绝缘板连接的连接部分和与该连接部分相连的前端部分，该前端部分比该连接部分形成得细；绝缘物，其是组合多个该绝缘部，以在俯视观察时包围该多个探针的方式形成的；以及评价部，其使电流流过该多个探针，对被测定物的电气特性进行评价。

Description

评价装置、半导体装置的评价方法

技术领域

本发明涉及在例如半导体晶片或将半导体晶片单片化而得到的芯片的电气特性的评价时使用的评价装置、和使用了该评价装置的半导体装置的评价方法。

背景技术

在对晶片或芯片等半导体装置的电气特性进行评价时，在通过真空吸附等使半导体装置的下表面与卡盘台的表面接触而固定于该表面后，使探针与在半导体装置的上表面的一部分设置的电极接触，进行电输入输出。在大电流沿半导体装置的纵向流动的纵型构造的半导体装置的检查中，卡盘台的表面成为电极。并且，通过将探针多引脚化，从而响应施加大电流及高电压的要求。

在芯片状态的纵型构造的半导体装置的评价过程中，例如，有时在半导体装置的上表面的电极和电位与卡盘台相同的区域之间产生局部放电现象，对半导体装置造成损伤。抑制这样的局部放电是重要的。在漏掉局部放电的产生，将产生了局部放电的半导体装置作为合格品而直接流出至后续工序的情况下，在后续工序中，对产生过局部放电的半导体装置进行提取是非常困难的，因此优选实施能够抑制局部放电的措施。

在专利文献1至3中，公开了抑制局部放电的技术。

专利文献1：日本特开2003-130889号公报

专利文献2：日本特开2001-51011号公报

专利文献3：日本特开2010-10306号公报

在专利文献1中，公开了通过在绝缘性的液体中对半导体装置进行评价，从而防止放电。然而，为了实现这样的方法，需要高价的评价装置。并且，由于是液体中的评价，因此还存在评价所需的时间增大、不适合低成本化这样的问题。另外，在被测定物是晶片测试或芯片测试中的半导体元件的情况下，在评价后还需要完全地将绝缘性的液体从被测定物去除，难以进行该应用。

在专利文献2中，公开了下述技术，即，将硅橡胶抵接至半导体芯片的末端部分而实施检查，防止放电。然而，在专利文献2中存在下述问题，即，由于将硅橡胶抵接至末端部分的区域的整个区域，因此在进行评价时咬入的异物或硅橡胶痕迹即橡胶痕迹转印至半导体芯片表面，在后续工序中产生故障。

在专利文献3中，公开了下述技术，即，与专利文献2同样地，将绝缘部件抵接至被测定物即晶片，防止放电。如上所述，在进行评价时咬入的异物或橡胶痕迹转印至晶片的表面，在后续工序中产生故障。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，提供在半导体装置的电气特性的评价时，能够抑制局部放电的产生，且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印的便利性高的评价装置和半导体装置的评价方法。

本发明涉及的评价装置，其特征在于，具有：绝缘板；多个探针，它们固定于该绝缘板；绝缘部，其具有可拆卸地与该绝缘板连接的连接部分和与该连接部分相连的前端部分，该前端部分比该连接部分形成得细；绝缘物，其是组合多个该绝缘部，以在俯视观察时包围该多个探针的方式形成的；以及评价部，其使电流流过该多个探针，对被测定物的电气特性进行评价。

本发明涉及的半导体装置的评价方法，其特征在于，使固定于绝缘板的多个探针与半导体装置的有源区域接触，且使绝缘物直接或隔着保护部件与末端区域的一部分接触，与此同时，使电流流过该多个探针，对该半导体装置的电气特性进行评价，其中，该末端区域是将该半导体装置的该有源区域包围的部分，该绝缘物可拆卸地与该绝缘板连接，包围该多个探针。

发明的效果

根据本发明，通过将绝缘物的前端部分变细，从而使绝缘物与半导体装置的末端区域的一部分接触，因此在半导体装置的电气特性的评价时，能够抑制局部放电的产生，且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印。另外，通过多个绝缘部构成绝缘物，因此便利性高。

附图说明

图1是实施方式1涉及的评价装置的结构概略图。

图2是半导体装置的俯视图。

图3是探针的主视图。

图4是绝缘物等的仰视图。

图5是表示半导体装置的评价方法的图。

图6是变形例涉及的绝缘物等的仰视图。

图7是实施方式2涉及的绝缘物等的仰视图。

图8是实施方式3涉及的评价装置的剖视图。

图9是实施方式4涉及的绝缘部等的剖视图。

图10是绝缘部的仰视图。

图11是实施方式5涉及的评价装置的剖视图。

图12是绝缘物的仰视图。

图13是绝缘板和绝缘物的俯视图。

标号的说明

5半导体装置，7绝缘物，10探针，16绝缘板，20末端区域

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式涉及的评价装置和半导体装置的评价方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式1.

图1是实施方式1涉及的评价装置的结构概略图。卡盘台3是对半导体装置5进行真空吸附的底座。半导体装置5的保持手段不限定于真空吸附，也可以是静电吸附等。在图1中示出了1个半导体装置5，但也可以将多个半导体装置载置于卡盘台3之上。卡盘台3的表面经由设置于卡盘台侧面的连接部8B和安装于连接部8B的信号线6b，与评价部4电连接。

半导体装置5具有在半导体装置5的纵向，即面外方向上流过大电流的纵型构造。在半导体装置5的上表面形成有电极焊盘18，在半导体装置5的下表面也形成有电极。半导体装置5的中央部是有源区域，其外侧是末端区域20。

图2是半导体装置5的俯视图。半导体装置5并不特别地限定，例如是纵型的IGBT。半导体装置5分为末端区域20和有源区域19。末端区域20为了保持半导体装置5的耐压而设置于半导体装置5的外周部分。有源区域19是被末端区域20包围的区域。在有源区域19形成所希望的元件，即在这里是纵型的IGBT。在有源区域19的表面为了与外部进行电输入输出而设置电极焊盘18。电极焊盘18由具有导电性的材料例如铝制作。就纵型的IGBT而言，在半导体装置5的上表面形成发射极电极和栅极电极，在下表面设置集电极(collector)电极(electrode)，但各电极的位置及个数不限定于此。

返回图1的说明。在卡盘台3的上方设置有绝缘板16。在绝缘板16经由插座而固定有多个探针10。多个探针10设置于绝缘板16的下表面侧。在绝缘板16的上表面设置有与多个探针10电连接的连接部8A。连接部8A与多个探针10例如通过设置于绝缘板16的上表面的金属板等配线连接。多个探针10通过连接部8A和信号线6a而与评价部4电连接。就探针10而言，假想施加例如大于或等于5A的大电流而设置有多个探针10。为了使施加于各探针10的电流密度大致一致，可以将连接部8A、8B设置于下述位置，即，无论经由哪个探针10，从连接部8A至设置于卡盘台3的侧面的连接部8B为止的距离都大致一致的位置。即，优选连接部8A与连接部8B隔着探针10相对。

绝缘板16借助于臂部9能够向任意的方向移动。由此，能够使固定于绝缘板16的探针10与载置于卡盘台3之上的半导体装置5的电极焊盘18接触。在这里，设为通过1个臂部9保持绝缘板16的结构，但也可以通过多个臂部更稳定地保持绝缘板16。另外，也可以并非是通过臂部9使绝缘板16移动，而是使半导体装置5即卡盘台3移动。

图3是表示探针10的动作的图。探针10具有：基体设置部14，其是作为基座形成的，与绝缘板16或设置于绝缘板16的插座连接；前端部12，其具有与设置于半导体装置5的表面的电极焊盘18机械且电接触的接触部11；压入部13，其能够借助组装于基体设置部14的内部的弹簧等弹性部件在z方向伸缩；以及电连接部15，其与前端部12电连通，成为向外部的输出端。探针10由具有导电性的材料形成。探针10例如由铜、钨、或钨铼合金这样的金属材料制作，但不限定于此。从提高导电性或提高耐久性等角度出发，接触部11也可以由例如金、钯、钽或铂等包覆。

如果探针10从如图3的A所示的初始状态开始朝向电极焊盘18沿z负方向下降，则首先，电极焊盘18与接触部11接触。图3的B示出了电极焊盘18已与接触部11接触的情况。之后，如果使探针10进一步下降，则压入部13经由弹性部件被压入至基体设置部14内，使接触部11与电极焊盘18的接触变得可靠。压入部13的压缩后的状态由图3的C示出。

使压入部13在z方向伸缩的基体设置部14内部的弹性部件也可以设置于外部。也可以取代探针10，采用层叠探针或导线探针等在Z轴方向具有伸缩性的探针。另外，不限定于诸如上述的弹簧式的探针10，也可以采用悬臂式的接触探针。

返回图1的说明。在绝缘板16的下表面固定有绝缘物7。绝缘物7以在半导体装置的评价时包围半导体装置5的有源区域19的方式设置于绝缘板16。在图1中示出了绝缘物7包围多个探针10的情况。绝缘物7由具有绝缘性的弹性体制作。绝缘物7的材料是例如硅橡胶。在将绝缘物7的材料设为硅橡胶的情况下，能够通过成型加工简单地制作多个绝缘物7，因此成本低。此外，有时通过例如200℃左右的高温对半导体装置5进行评价，因此绝缘物7优选是能够承受在上述温度下使用的材质。

图4是绝缘板16、绝缘物7及多个探针10的仰视图。绝缘物7是组合了多个绝缘部40、42、44、46而成的。通过多个绝缘部40、42、44、46中的相邻的2个绝缘部彼此面接触，从而构成环状的1个绝缘物7。例如，绝缘部40与绝缘部46在相邻部29无缝地面接触。对于其他相邻的2个绝缘部，也与相邻部29同样地面接触。绝缘物7将固定于插座17的多个探针10包围。在成为评价对象的半导体装置5的外形是正方形的情况下，4个绝缘部40、42、44、46的长边方向的长度相等，它们构成在俯视观察时呈正方形的绝缘物7。

绝缘部40具有下表面23a和斜面23b。绝缘部42具有下表面24a和斜面24b。绝缘部44具有下表面25a和斜面25b。绝缘部46具有下表面26a和斜面26b。下表面23a、24a、25a、26a是与xy平面平行的面。斜面23b、24b、25b、26b分别与下表面23a、24a、25a、26a相连，相对于xy平面倾斜。

在绝缘板16的下表面设置有多个槽部28。该槽部28在x方向和y方向这两个方向上直线地延伸。绝缘物7嵌合于槽部28，从而固定于绝缘板16。在该情况下，存在并未与绝缘物7嵌合的槽部28，它们成为备用槽部。备用槽部是为了在变更绝缘物的形状时与绝缘物嵌合而设置的。优选在x方向上设置多个备用槽部，在y方向上设置多个备用槽部。

图5是图4的A-A线处的剖面图。在图5中也示出了成为评价对象的半导体装置5和其下的卡盘台3。在绝缘板16固定多个插座17，在这些插座17中分别安装探针10。在对半导体装置5的电气特性进行评价时，使多个探针10与在半导体装置5的有源区域19设置的电极焊盘18接触。

绝缘部40具有连接部分33和前端部分23。在连接部分33的上部设置有凸起即嵌合部27。该嵌合部27嵌合于绝缘板16的槽部28，从而使绝缘部40固定于绝缘板16。能够向下方拉拽嵌合部27而使其与槽部28分离。即，连接部分33可拆卸地与绝缘板16连接。

前端部分23是从连接部分33连续出的部分，其下表面23a与卡盘台3的表面相对。通过形成斜面23b，从而前端部分23变得比连接部分33细。前端部分23的下表面23a与半导体装置5的末端区域20相接。下表面23a的x方向的长度比末端区域20的x方向的长度短，因此下表面23a并非是与末端区域20的整体相接，而是与末端区域20的一部分相接。

位于隔着探针10而与绝缘部40相对的位置的绝缘部44具有与绝缘部40同样的形状，因此简单地进行说明。绝缘部44具有连接部分35和前端部分25。连接部分35的上部的嵌合部27嵌合于槽部28，从而使绝缘部44固定于绝缘板16。能够通过向下方拉拽嵌合部27而使其与槽部28分离。即，连接部分35可拆卸地与绝缘板16连接。前端部分25是从连接部分35连续出的部分，其下表面25a与卡盘台3的表面相对。通过形成斜面25b，从而前端部分25变得比连接部分35细。下表面25a与半导体装置5的末端区域20相接。下表面25a的x方向的长度比末端区域20的x方向的长度短，因此下表面25a并非是与末端区域20的整体相接，而是与末端区域20的一部分相接。

对于图4所示的绝缘部42、46，也具有与绝缘部40、44同样的形状，通过与绝缘部40、44相同的要领而固定于绝缘板16，通过与绝缘部40、44相同的要领与末端区域20的一部分相接。因此，通过绝缘部40、42、44、46，提供4个连接部分和4个前端部分。并且，4个连接部分和4个前端部分在俯视观察时包围多个探针10。

接下来，参照图5，对本发明的实施方式涉及的半导体装置的评价方法进行说明。在如本实施方式一样具有多个探针10的情况下，在评价前首先使探针10的接触部11的平行度一致。然后，将半导体装置5向卡盘台3真空吸附。接下来，使探针10与电极焊盘18接触。在探针10与电极焊盘18接触之后或接触同时，将绝缘物7的下表面23a、24a、25a、26a推压至半导体装置5的末端区域20的一部分。此时，下表面23a、24a、25a、26a与末端区域20的外侧的部分接触，但由于斜面23b、24b、25b、26b位于末端区域20的内侧的部分，因此下表面23a、24a、25a、26a不与末端区域20的内侧的部分接触。此外，在探针10与电极焊盘18接触之后或接触同时，将下表面23a、24a、25a、26a推压至末端区域20的一部分是为了使探针10与电极焊盘18可靠地接触。

接下来，对半导体装置的电气特性进行评价。具体地说，评价部4基于预先确定的方案等在多个探针10流过电流，对被测定物即半导体装置5的电气特性进行评价。如果卡盘台3侧是高电位，则卡盘台3的表面和半导体装置5的侧面21成为同电位且为高电位。并且，电极焊盘18成为低电位。通过环状的绝缘物7与半导体装置5的末端区域20的一部分接触，从而能够在扩大了半导体装置5的上表面的电极焊盘18和电位与卡盘台3相同的区域之间的沿面距离的状态下进行评价。因此，能够在半导体装置的电气特性的评价时，抑制局部放电的发生。

为了抑制局部放电，需要扩大沿面距离，但不需要使绝缘物7与末端区域20的整个面接触。如果绝缘物7与末端区域20的接触面积扩大，则相应地，有可能使咬入至两者之间的异物的数量增加，或在末端区域20形成大的硅橡胶的痕迹即橡胶痕迹。异物的咬入和橡胶痕迹的形成成为后续工序中的故障的原因。在这里，在本发明的实施方式1中，通过将绝缘物7的前端变细，使绝缘物7仅与末端区域20的一部分接触，从而抑制了异物的咬入和橡胶痕迹的形成。

在评价之后，驱动臂部9而快速地将绝缘物7、探针10与半导体装置5的上表面分离，抑制橡胶痕迹向半导体装置5的上表面转印。如上所述，能够通过使多个探针10和绝缘物7一起与半导体装置接触，将绝缘物7与末端区域20的接触面积变小，从而抑制局部放电的发生，且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置5的表面转印。

另外，绝缘物7可拆卸地相对于绝缘板16设置，因此能够在绝缘物7产生劣化之前定期地更换绝缘物7。另外，也能够在所评价的半导体装置的末端区域的形状变更的定时，将绝缘物7从绝缘板16拆下，将与末端区域的形状相匹配的绝缘物安装于绝缘板16。

图6是对末端区域的形状与图4不同的半导体装置进行评价时的绝缘物7等的仰视图。图4的绝缘物7由4个绝缘部40、42、44、46构成，因此能够通过变更它们中的任意者而变更绝缘物7的形状。在图6中示出了将图4的绝缘部42、46更换为绝缘部47、48后的绝缘物7。绝缘部47、48比图4的绝缘部42、46长，因此图6的绝缘物7变得横向长。绝缘部47具有下表面34a和斜面34b，绝缘部48具有下表面36a和斜面36b。由下表面23a、34a、25a、36a形成了环状的下表面。

图6的绝缘部44固定于槽部28，该槽部28与在图4中固定有绝缘部44的槽部28相比处于x正方向。图6的下表面23a、34a、25a、36a整体在俯视观察时呈长方形。因此，能够对外形是长方形、沿该外形形成有末端区域20的半导体装置进行评价。如上所述，通过在绝缘板16的下表面设置多个备用的槽部28即备用槽部，从而能够自由地变更绝缘物7的形状。由此，仅替换绝缘部的整体或一部分，就能够对各种形状的半导体装置5进行评价，因此变为低成本。当然，也可以准备与图4、6所示的绝缘物7的形状不同的绝缘物。

多个探针10经由插座17固定于绝缘板16，因此能够容易地拆装多个探针10。因此，例如能够对应于半导体装置5的大小而变更探针10的根数，或更换破损的探针10。

本发明的实施方式1涉及的评价装置和半导体装置的评价方法，使包围多个探针10的绝缘物7与半导体装置的末端区域20的一部分接触，与此同时，使电流流过多个探针10而对半导体装置的电气特性进行评价。实施方式1的评价装置和半导体装置的评价方法能够在不丧失其特征的范围进行各种各样的变形。例如，组合直线状的4个绝缘部而构成了绝缘物7，但也可以由大于或等于5个直线或非直线状的绝缘部构成绝缘物7。通过由多个绝缘部构成绝缘物7，从而能够更换绝缘部的一部分而变更绝缘物7的形状，或仅更换已劣化的绝缘部。另外，也可以通过除了在绝缘部的前端部分设置斜面的方法以外的方法，将与半导体装置的末端区域接触的绝缘物7的下表面的面积变小。

在本发明的实施方式1中，如图5所示，通过将前端部分23、25的内壁面设为斜面23b、25b，从而使前端部分23、25呈前端细的形状。然而，也可以通过其他方法将前端部分变细。例如，也可以将前端部分的内壁面和外壁面双方设为斜面而使前端部分变细。与半导体装置的末端区域的宽度对应地调整将前端部分变细到何种程度。

在半导体装置5的评价时，将探针10和卡盘台3的哪一者设为高电位均可。施加电压的方法由评价项目决定。这些变形也能够适宜地应用于以下的实施方式涉及的评价装置及半导体装置的评价方法。此外，以下的实施方式涉及的评价装置及半导体装置的评价方法与实施方式1的共通点多，因此以与实施方式1的不同点为中心进行说明。

实施方式2.

图7是实施方式2涉及的绝缘物7等的仰视图。绝缘部64、68比绝缘部62、66长。绝缘部62、66的两端与绝缘部64、68的长边方向的侧面接触。绝缘部62具有下表面62a和斜面62b，绝缘部64具有下表面64a和斜面64b，绝缘部66具有下表面66a和斜面66b，绝缘部68具有下表面68a和斜面68b。下表面62a、64a、66a、68a比斜面62b、64b、66b、68b细。此外，与实施方式1同样地，绝缘部62、64、66、68分别具有前端部分和连接部分，斜面62b、64b、66b、68b和下表面62a、64a、66a、68a属于前端部分。

在半导体装置的评价时，下表面62a、66a、下表面64a的除了两端部分以外的部分、及下表面68a的除了两端部分以外的部分与半导体装置的末端区域20的一部分接触。如图7所示，如果准备出长的绝缘部64、68，则例如仅将绝缘部66向绝缘板16的安装位置向x正方向移动，就能够容易地变更下表面的平面形状。即，能够容易地应对测定对象发生了改变，末端区域的形状也发生了变更的情况。如上所述，通过事先将向一个方向延伸的绝缘部长条化，从而能够减少需要预先准备的绝缘部的种类，成本低。

实施方式3.

图8是实施方式3涉及的绝缘部40、44等的剖视图。在将高电压施加于探针10的情况下，优选在探针10的附近的高电位侧扩大沿面距离。因此，在实施方式3中，通过将前端部分23、25的外壁面设为斜面23d、25d，从而使前端部分23、25呈前端细的形状。由此，能够使下表面23c、25c比图5的下表面23a、25a更靠近探针10侧。在该情况下，绝缘部的下表面并非是与末端区域20的最外周部分相接，而是与末端区域20的中央部相接。

对于绝缘部42、46，也设为与本实施方式的绝缘部40、44相同的形状。由此，能够将绝缘物7与末端区域20的接触面积变小，且提高抑制局部放电的效果。

实施方式4.

图9是实施方式4涉及的绝缘部40等的放大图。在构成绝缘物7的绝缘部40处，在其前端部分23的下表面23a设置有对下表面23a进行保护的保护部件80。保护部件80采用下述部件，即，针对与半导体装置5的反复接触而具有耐久性，且具有与半导体装置5的良好的接触性。这样的保护部件80例如是“テフロン(特氟龙)”(注册商标)涂层。

在前端部分23的下表面23a形成有凹部82。图10是前端部分23的仰视图。在前端部分23的下表面23a形成有多个凹部82。不仅是前端部分23，在构成绝缘物7的全部绝缘部的前端部分下表面设置多个凹部82。通过设置多个凹部82，从而能够缩小绝缘物7与末端区域20经由保护部件80接触的面积，因此能够抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置5的表面转印。

为了抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置5的表面转印，应该将图9、10中的下表面23a的x方向长度尽量缩小。即，应该将前端部分23尽量变细。然而，如果将图9、10中的下表面23a的x方向长度缩小至极限，则在将绝缘物7推压至末端区域20时，绝缘物7弯曲、前端部分23倾倒，前端部分23与末端区域20难以稳定地接触。在这里，在本发明的实施方式4中，确保下表面23a的x方向长度，且在下表面23a设置有多个凹部82。由此，能够将绝缘物7与末端区域20的接触面积缩小，且避免前端部分23倾倒。

能够适当地变更凹部82的配置。例如，也可以将凹部配置为在俯视观察时呈交错状。通过将凹部配置为交错状，从而能够在半导体装置的评价时，避免前端部分23倾倒，且将绝缘物7与末端区域20的接触面积缩小。

实施方式5.

图11是表示通过实施方式5涉及的评价装置进行的半导体装置的评价方法的图。在构成绝缘物7的绝缘部40处，通过在该前端部分23的下表面23a形成槽90，从而前端部分23具有2个下表面23a。即，设置有与槽90相比处于探针10侧的下表面23a和与槽90相比远离探针10的下表面23a。在前端部分25的下表面25a形成有槽94。由此，前端部分25具有2个下表面25a。即，存在与槽94相比处于探针10侧的下表面25a和与槽94相比远离探针10的下表面25a。

不仅是前端部分23、25，在构成绝缘物7的全部绝缘部的前端部分下表面形成槽。图12是绝缘物7的仰视图。通过在前端部分24的下表面24a形成槽98，从而前端部分24具有2个下表面24a。通过在前端部分26的下表面26a形成槽99，从而前端部分26具有2个下表面26a。通过在4个前端部分23、24、25、26分别形成槽90、98、94、99，从而设置在俯视观察时呈环状的槽。其结果，设置与槽相比处于探针10侧的环状的下表面100和与槽相比远离探针10的环状的下表面102。

在半导体装置的评价时，下表面100、下表面102与半导体装置的末端区域20接触。如上所述，通过使下表面与末端区域20的2个位置接触，从而能够提高抑制绝缘物7倾倒及歪斜的效果。此外，如果能够设置多个前端部分的下表面，则也可以变更槽的数量及形状。

返回图11的说明。在绝缘板16设置有贯通孔30。在绝缘部40的上表面设置的凸起部88嵌合于该贯通孔30，从而绝缘部40固定于绝缘板16。对于其他绝缘部42、44、46，也通过与绝缘部40相同的方法固定于绝缘板16。在将绝缘部40从绝缘板16卸下时，通过向绝缘部40的凸起部88施加向下的力，从而从贯通孔30拔出凸起部88。

在绝缘物7的内部设置有电磁屏蔽部92、96。电磁屏蔽部92、96是为了去除或降低来自外部的电磁场而设置的。电磁屏蔽部92、96是例如薄的坡莫合金这样的强磁性部件。通过在制作绝缘物7时将电磁屏蔽部92、96一体成型，从而能够容易地在绝缘物7中设置电磁屏蔽部。优选以电磁屏蔽部包围多个探针10的方式，在全部绝缘部中设置电磁屏蔽部。也可以将电磁屏蔽部设置于绝缘物7的表面。在评价时，通过电磁屏蔽部抑制来自外部的电磁场，从而能够抑制由电磁场引起的放电或评价精度的恶化。

图13是绝缘板16和固定于绝缘板16的绝缘部40、42、44、46的俯视图。绝缘部40、42、44、46的大部分处于绝缘板16之下，但在图13中，通过虚线表示绝缘部40、42、44、46的轮廓。绝缘板16的贯通孔30在俯视观察时非环状地设置有多个。即，1个贯通孔30是直线状地形成的孔。在绝缘部40、42、44、46的上表面分别设置有1个凸起部88，它们嵌合于贯通孔30。凸起部88沿绝缘部的长边方向形成得比绝缘部短。如果将贯通孔30设置得长，则相应地绝缘板16之上的电配线布局的自由度下降，因此优选将贯通孔30的面积缩小。

在绝缘部40的端部设置有凹部40a、40b。下面同样地，在绝缘部42的端部设置有凸部42a、42b。在绝缘部44的端部设置有凹部44a、44b。在绝缘部46的端部设置有凸部46a、46b。凸部46a嵌合于凹部40b，从而绝缘部40与绝缘部46无缝隙地密接。凸部42a嵌合于凹部40a，从而绝缘部40与绝缘部42无缝隙地密接。凸部42b嵌合于凹部44a，从而绝缘部42与绝缘部44无缝隙地密接。凸部46b嵌合于凹部44b，从而绝缘部46与绝缘部44无缝隙地密接。

如上所述，通过使一个绝缘部嵌合于另一个绝缘部，从而2个绝缘部无缝隙地密接。因此，在将绝缘物7推压至半导体装置5而使它们接触时，能够抑制在4个相邻部29产生间隙。

为了抑制局部放电，在半导体装置5的附近扩大沿面距离是重要的。因此，优选在相邻部29中的接近半导体装置5的位置将凹部与凸部嵌合。这样，能够在半导体装置5的附近处可靠地防止绝缘物间的间隙。例如，使从绝缘部的上端至凹部与凸部嵌合的嵌合位置为止的距离比从该嵌合位置至绝缘部的下端为止的距离大。此外，也可以通过将多个凹部与多个凸部嵌合，从而使2个绝缘部密接。

也可以将在实施方式1至5中说明的技术特征适当地组合而使用。

Claims (18)

1.一种评价装置，其特征在于，

具有：

绝缘板；

多个探针，它们固定于所述绝缘板；

绝缘部，其具有可拆卸地与所述绝缘板连接的连接部分和与所述连接部分相连的前端部分，所述前端部分比所述连接部分形成得细；

绝缘物，其是组合多个所述绝缘部，以在俯视观察时包围所述多个探针的方式形成的；以及

评价部，其使电流流过所述多个探针，对被测定物的电气特性进行评价。

2.根据权利要求1所述的评价装置，其特征在于，

具有卡盘台，

所述前端部分的下表面与所述卡盘台的表面相对。

3.根据权利要求1或2所述的评价装置，其特征在于，

通过将所述前端部分的内壁面设为斜面，从而所述前端部分成为前端细的形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的评价装置，其特征在于，

通过在所述前端部分的下表面形成槽，从而设置有多个所述下表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的评价装置，其特征在于，

所述前端部分的下表面在俯视观察时呈长方形状。

6.根据权利要求1或2所述的评价装置，其特征在于，

通过将所述前端部分的外壁面设为斜面，从而所述前端部分成为前端细的形状。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的评价装置，其特征在于，

在所述前端部分的下表面形成有凹部。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的评价装置，其特征在于，

所述绝缘物是硅橡胶。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的评价装置，其特征在于，

具有保护部件，该保护部件设置于所述前端部分的下表面，对所述下表面进行保护。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的评价装置，其特征在于，

所述绝缘物嵌合于槽部，所述槽部设置于所述绝缘板的下表面。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的评价装置，其特征在于，

所述绝缘物嵌合于贯通孔，所述贯通孔设置于所述绝缘板。

12.根据权利要求11所述的评价装置，其特征在于，

所述贯通孔非环状地设置有多个。

13.根据权利要求10所述的评价装置，其特征在于，

在所述绝缘板形成有没有与所述绝缘物嵌合的备用槽部。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的评价装置，其特征在于，

所述多个绝缘部中的相邻的两个绝缘部相嵌合。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的评价装置，其特征在于，

具有固定于所述绝缘板的多个插座，

所述多个探针固定于所述多个插座。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的评价装置，其特征在于，

具有设置于所述绝缘物之中或表面的电磁屏蔽部。

17.根据权利要求11所述的评价装置，其特征在于，

在所述绝缘板形成有没有与所述绝缘物嵌合的贯通孔。

18.一种半导体装置的评价方法，其使固定于绝缘板的多个探针与半导体装置的有源区域接触，且使绝缘物直接或隔着保护部件与末端区域的一部分接触，与此同时，使电流流过所述多个探针，对所述半导体装置的电气特性进行评价，其中，所述末端区域是将所述半导体装置的所述有源区域包围的部分，所述绝缘物可拆卸地与所述绝缘板连接，包围所述多个探针。