CN107815257A - 一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层,基材层和胶层,基材层由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 50‑70份,PE 20‑40份,滑石粉5‑10份。本发明的基材层采用改性PO材料,机械强度高,无卤素,满足环保要求,并且耐热性佳,可满足一定的高温作业要求,不含增塑剂,材料无析出小分子风险,材料强度高,延展性好,在140%拉伸率保持各个方向收缩率一致,并且,在一定拉伸率前提下各个方向强度一致;胶层采用压敏型胶替代光敏胶和热敏胶,具有高透明,高耐候性,TG‑20℃左右,工序简单(减少过UV炉或再加热工序),通过简单的贴合与分离即可满足产品应用要求,粘性经时变化小(<20%),无残胶的特点。
Description
技术领域
本发明涉及保护膜技术领域,尤其涉及一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法。
背景技术
随着半导体行业的高速成长,与其配套的材料受到业内的关注。半导体产品的制程可以分为:芯片设计、芯片制造、封装测试。其中在封装测试制程领域会使用到一款切割保护膜,该材料的作用是将切割好的芯片进行有效的分离,以便后续的拾取封装操作。
目前,半导体产品切割后的封装制程用的是PVC基保护膜,产品的结构为背面处理层/PVC层/胶层。该产品的特点是满足切割制程,在一定的扩膜拉伸的强度下材料各个方向(360°)的拉伸长度一致;保护膜粘性稳定,无残胶。但是,PVC基保护膜的基材为PVC材料,而PVC材料中含有卤素,不符合ROHS等环保要求,存在环境安全隐患,在很多地区被严格限制;并且PVC薄膜内的增塑剂易于析出小分子污染元器件。因此,开发出一款无卤素的能够满足现有生产工艺的切割保护膜具有重要意义。
发明内容
鉴于上述现有技术中存在的缺陷,本发明的目的是提出一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层,基材层和胶层,所述基材层由改性PO材料构成,所述改性PO材料由PP和PE共聚而成,所述改性PO材料按重量份数计包括:PP 50-70份,PE 20-40份,滑石粉5-10份。
进一步的,所述基材层为单层结构或多层共挤结构,所述基材层的厚度为50μm-100μm。
进一步的,所述基材层的强度为20N/mm2-50N/mm2。
进一步的,所述基材层为三层共挤结构,包括分别由所述改性PO材料构成的内层,芯层和外层,所述内层的厚度为5μm-10μm,所述芯层的厚度为40μm-80μm,所述外层的厚度为5μm-10μm。
进一步的,所述内层的所述改性PO材料中还包括按重量份数计0.5-2份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
进一步的,所述离型层为非硅非氟离型层,UV固化有机硅离型层,氟素离型层,亚克力聚合有机硅油离型层,或者为蜡油、碳粉或AG构成的涂层型离型层。
进一步的,所述胶层由长期耐候性高粘胶水构成,所述长期耐候性高粘胶水为聚氨酯压敏胶、丙烯酸压敏胶、环氧树脂压敏胶胶、热熔胶、硅胶压敏胶或UV固化胶中的任意一种。
进一步的,所述胶层由丙烯酸压敏胶构成,所述丙烯酸压敏胶包括丙烯酸聚合物和助剂,所述丙烯酸聚合物按重量百分比计包括丙烯酸丁酯60%-80%,丙烯酸乙酯10%-30%和丙烯酸2%-10%,所述助剂包括有机硅助剂、抗氧剂1010、增塑剂DOP、增塑剂DDP、含氟助剂、碳化二亚胺或聚醚多元醇中的一种或多种。
进一步的,所述丙烯酸聚合物按重量百分比计,丙烯酸丁酯∶丙烯酸乙酯∶丙烯酸=75∶20∶5,分子量为50万-100万。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于聚氨酯压敏胶、丙烯酸压敏胶、环氧树脂压敏胶胶、热熔胶、硅胶压敏胶或UV固化胶中的任意一种原料,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层,烘干温度60℃-120℃,得到胶层的干胶厚度为5μm-15μm,直接收卷,使涂布胶层与离型层贴合,置于30℃-80℃下,熟化大于等于24小时。
一种芯片切割用保护膜的使用方法,包括如下步骤:
步骤1)将芯片切割用保护膜与扩膜用铁圆环贴合固定;
步骤2)将切割好的芯片贴于芯片切割用保护膜的胶层;
步骤3)将铁圆环放置于扩膜机上,扩膜机施加一定强度对芯片切割用保护膜进行拉伸扩膜;
步骤4)机器手拾取分离的芯片。
本发明的突出效果为:本发明的一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法具有以下优点:
1、本发明的基材层采用改性PO材料,机械强度高,无卤素,满足环保要求,并且耐热性佳,可满足一定的高温作业要求,不含增塑剂,材料无析出小分子风险,材料强度高,延展性好,在140%拉伸率保持各个方向收缩率一致,并且,在一定拉伸率前提下各个方向强度一致;
2、本发明的胶层采用压敏型胶替代光敏胶和热敏胶,具有高透明,高耐候性,TG-20℃左右,工序简单(减少过UV炉或再加热工序),通过简单的贴合与分离即可满足产品应用要求,粘性经时变化小(<20%),无残胶的特点。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例1
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 50份,PE 40份,滑石粉10份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为50μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为5μm,芯层的厚度为40μm,外层的厚度为5μm。基材层2的强度为20N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计0.5份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为非硅非氟离型层。
胶层3由丙烯酸压敏胶构成,丙烯酸压敏胶包括丙烯酸聚合物和助剂,丙烯酸聚合物按重量百分比计包括丙烯酸丁酯60%,丙烯酸乙酯30%和丙烯酸10%,分子量为50万-100万。助剂包括抗氧剂1010、苯环型异氰酸酯类固化剂等。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于固含量30%的光学级丙烯酸压敏胶100g,使用50g有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入固化量45%的固化剂为苯环型异氰酸酯固化剂0.25g,搅拌20min后制得混合液,加入抗氧剂1010 0.5g,进行搅拌5min后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度60℃,得到胶层的干胶厚度为10μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于40℃下,熟化72小时。
一种芯片切割用保护膜的使用方法,包括如下步骤:
步骤1)将芯片切割用保护膜与扩膜用铁圆环贴合固定;
步骤2)将切割好的芯片贴于芯片切割用保护膜的胶层;
步骤3)将铁圆环放置于扩膜机上,扩膜机施加一定强度对芯片切割用保护膜进行拉伸扩膜;
步骤4)机器手拾取分离的芯片。
实施例2
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 70份,PE 20份,滑石粉10份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为100μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为10μm,芯层的厚度为80μm,外层的厚度为10μm。基材层2的强度为50N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计2份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为UV固化有机硅离型层。
胶层3由丙烯酸压敏胶构成,丙烯酸压敏胶包括丙烯酸聚合物和助剂,丙烯酸聚合物按重量百分比计包括丙烯酸丁酯80%,丙烯酸乙酯18%和丙烯酸2%,分子量为50万-100万。助剂包括有机硅助剂、抗氧剂1010、增塑剂DOP、碳化二亚胺等。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于丙烯酸压敏胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度120℃,得到胶层的干胶厚度为15μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于30℃下,熟化80小时。
实施例3
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 60份,PE 35份,滑石粉5份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为80μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为10μm,芯层的厚度为60μm,外层的厚度为10μm。基材层2的强度为40N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计1.5份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为非硅非氟离型层。
胶层3由丙烯酸压敏胶构成,丙烯酸压敏胶包括丙烯酸聚合物和助剂,丙烯酸聚合物按重量百分比计包括丙烯酸丁酯75%,丙烯酸乙酯20%和丙烯酸5%,分子量为50万-100万。助剂包括抗氧剂1010、增塑剂DDP、含氟助剂、聚醚多元醇等。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于丙烯酸压敏胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度100℃,得到胶层的干胶厚度为5μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于80℃下,熟化24小时。
实施例4
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 60份,PE 30份,滑石粉10份。
其中,基材层2为单层结构,基材层2的厚度为50μm。基材层2的强度为50N/mm2。
离型层1为亚克力聚合有机硅油离型层。
胶层3由长期耐候性高粘胶水构成,长期耐候性高粘胶水为聚氨酯压敏胶。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于聚氨酯压敏胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度100℃,得到胶层的干胶厚度为5μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于80℃下,熟化24小时。
实施例5
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 70份,PE 20份,滑石粉10份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为100μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为10μm,芯层的厚度为80μm,外层的厚度为10μm。基材层2的强度为50N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计2份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为蜡油构成的涂层型离型层。
胶层3由长期耐候性高粘胶水构成,长期耐候性高粘胶水为环氧树脂压敏胶胶。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于环氧树脂压敏胶胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度120℃,得到胶层的干胶厚度为15μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于30℃下,熟化80小时。
实施例6
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 60份,PE 35份,滑石粉5份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为80μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为10μm,芯层的厚度为60μm,外层的厚度为10μm。基材层2的强度为40N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计1.5份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为碳粉构成的涂层型离型层。
胶层3由长期耐候性高粘胶水构成,长期耐候性高粘胶水为热熔胶。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于热熔胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度100℃,得到胶层的干胶厚度为5μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于80℃下,熟化24小时。
实施例7
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 60份,PE 35份,滑石粉5份。
其中,基材层2为单层结构,基材层2的厚度为50μm。基材层2的强度为50N/mm2。
离型层1为AG构成的涂层型离型层。
胶层3由长期耐候性高粘胶水构成,长期耐候性高粘胶水为硅胶压敏胶。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于硅胶压敏胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度120℃,得到胶层的干胶厚度为15μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于30℃下,熟化80小时。
实施例8
如图1所示,本实施例的一种芯片切割用保护膜,依次包括离型层1,基材层2和胶层3,基材层2由改性PO材料构成,改性PO材料由PP和PE共聚而成,改性PO材料按重量份数计包括:PP 60份,PE 35份,滑石粉5份。
其中,基材层2为三层共挤结构,基材层2的厚度为80μm,包括分别由改性PO材料构成的内层,芯层和外层,内层的厚度为10μm,芯层的厚度为60μm,外层的厚度为10μm。基材层2的强度为40N/mm2。内层的改性PO材料中还包括按重量份数计1.5份的强极性助剂,可以通过化学键结合的方式提高胶层与基材层的密着性。
离型层1为氟素离型层。
胶层3由长期耐候性高粘胶水构成,长期耐候性高粘胶水为UV固化胶。
一种芯片切割用保护膜的制备方法,包括如下步骤:
S1:取选自于UV固化胶,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层2,烘干温度100℃,得到胶层的干胶厚度为5μm,直接收卷,使涂布胶层3与离型层1贴合,置于80℃下,熟化24小时。
实验例
热收缩率测试方法:
将保护膜裁切成20cm×20cm大小,标记好MD与TD方向。用直尺测量实际长度标记LO。将标记好的样品放于80℃*30min后,静置于室温条件2h以上。待样品稳定后,测试原来标记的长度标记L1。收缩率=(L0-L1)/L0。
残胶实验方法:
保护膜贴合SUS、GLASS,做留泡测试。留泡大小直径2cm左右的气泡。样品置于60℃*90%RH*72h(或80℃*72h或120℃*30min)条件中,然后常温静置2h。在暗室用强光手电(>2000lm)观察撕除保护膜的被贴物界面有无残留,重点观察圈内圈外有无明显差异。
对比例:日东SPV224保护膜
按照上述实验方法,实施例1-8和对比例的实验结果见表1:
表1
注:“×”表示明显残胶,“△”表示轻微脏污,“△-○”表示极轻微脏污,“○”表示无残胶。
由表1可知,本发明的一种芯片切割用保护膜在残胶、耐候性及耐热性方面优于市场主流产品。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种芯片切割用保护膜,其特征在于:依次包括离型层,基材层和胶层,所述基材层由改性PO材料构成,所述改性PO材料由PP和PE共聚而成,所述改性PO材料按重量份数计包括:PP 50-70份,PE 20-40份,滑石粉5-10份。
2.根据权利要求1所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述基材层为单层结构或多层共挤结构,所述基材层的厚度为50μm-100μm。
3.根据权利要求1所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述基材层的强度为20N/mm2-50N/mm2。
4.根据权利要求3所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述基材层为三层共挤结构,包括分别由所述改性PO材料构成的内层,芯层和外层,所述内层的厚度为5μm-10μm,所述芯层的厚度为40μm-80μm,所述外层的厚度为5μm-10μm。
5.根据权利要求4所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述内层的所述改性PO材料中还包括按重量份数计0.5-2份的强极性助剂。
6.根据权利要求1所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述离型层为非硅非氟离型层,UV固化有机硅离型层,氟素离型层,亚克力聚合有机硅油离型层,或者为蜡油、碳粉或AG构成的涂层型离型层。
7.根据权利要求1所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述胶层由长期耐候性高粘胶水构成,所述长期耐候性高粘胶水为聚氨酯压敏胶、丙烯酸压敏胶、环氧树脂压敏胶胶、热熔胶、硅胶压敏胶或UV固化胶中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述胶层由丙烯酸压敏胶构成,所述丙烯酸压敏胶包括丙烯酸聚合物和助剂,所述丙烯酸聚合物按重量百分比计包括丙烯酸丁酯60%-80%,丙烯酸乙酯10%-30%和丙烯酸2%-10%,所述助剂包括有机硅助剂、抗氧剂1010、增塑剂DOP、增塑剂DDP、含氟助剂、碳化二亚胺或聚醚多元醇中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的一种芯片切割用保护膜,其特征在于:所述丙烯酸聚合物按重量百分比计,丙烯酸丁酯∶丙烯酸乙酯∶丙烯酸=75∶20∶5,分子量为50万-100万。
10.一种芯片切割用保护膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
S1:取选自于聚氨酯压敏胶、丙烯酸压敏胶、环氧树脂压敏胶胶、热熔胶、硅胶压敏胶或UV固化胶中的任意一种原料,使用有机溶剂混合搅拌均匀,得到母树脂;
S2:取步骤S1制备出的母树脂,加入助剂,进行混合搅拌均匀后制得胶黏剂混合液;
S3:将步骤S2制得的胶黏剂混合液涂布于基材层,烘干温度60℃-120℃,得到胶层的干胶厚度为5μm-15μm,直接收卷,使涂布胶层与离型层贴合,置于30℃-80℃下,熟化大于等于24小时。
11.一种芯片切割用保护膜的使用方法,其特征在于包括如下步骤:
步骤1)将芯片切割用保护膜与扩膜用铁圆环贴合固定;
步骤2)将切割好的芯片贴于芯片切割用保护膜的胶层;
步骤3)将铁圆环放置于扩膜机上,扩膜机施加一定强度对芯片切割用保护膜进行拉伸扩膜;
步骤4)机器手拾取分离的芯片。
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