CN107665836A - 流体工艺处理装置 - Google Patents

Abstract

一种流体工艺处理装置。流体工艺处理装置包括装置主体、参数取得模块以及高度调整模块。装置主体包括基板承载单元以及液体收集单元，其中基板承载单元用以承载基板，液体收集单元围绕设置于基板承载单元。参数取得模块电性连接装置主体，参数取得模块取得基板的基板参数。高度调整模块电性连接参数取得模块，以便根据基板参数调整基板承载单元与液体收集单元间的高度差。

Description

流体工艺处理装置

技术领域

本发明关于一种流体工艺处理装置，关于一种根据基板参数调整基板承载单元与液体收集单元间高度差来提高处理液回收率的流体工艺处理装置。

背景技术

半导体基板的处理装置大多利用升降收集环收集半导体芯片的处理液，现有技术为使用包含多个液体收集环的收集单元，该多个液体收集环必须利用升降机构驱动以相对进行升降作动，以在进行不同液体收集时，可事先升降特定液体收集环，使液体顺着各该液体收集环的引导由各该收集环下方的排液管排出。

然而随着科技的快速发展，为适应不同工艺或封装应用，半导体芯片的型态亦逐渐多元，然目前使用的半导体基板的处理装置并未发展到针对不同半导体芯片的型态来调整半导体处理装置内液体收集环的高度的技术，仅有固定的各收集环升降高度，造成处理装置对于不同型态的半导体芯片无法精确对应处理，使得半导体芯片的处理液回收率降低，故有改进的必要。

发明内容

本发明的主要目的在提供一种根据基板参数调整基板承载单元与液体收集单元间高度差来提高处理液回收率的流体工艺处理装置。

为达成上述的目的，本发明的流体工艺处理装置包括装置主体、参数取得模块以及高度调整模块。装置主体包括基板承载单元以及液体收集单元，其中基板承载单元用以承载基板，液体收集单元围绕设置于基板承载单元。参数取得模块电性连接装置主体，参数取得模块取得基板的基板参数。高度调整模块电性连接参数取得模块，以便根据基板参数调整基板承载单元与液体收集单元间高度差。

利用与参数取得模块电性连接的高度调整模块根据基板参数，将基板承载单元与液体收集单元间高度差调整至对应基板参数的最佳高度，即可提高本发明的流体工艺处理装置的处理液回收率。

附图说明

图1为本发明的流体工艺处理装置的硬件架构图。

图2为本发明的流体工艺处理装置的剖面示意图。

图3与图4流体工艺处理装置放入不同型态的基板的剖面图。

其中附图标记为：

流体工艺处理装置1、1a 装置主体10

基座11 基板承载单元12

旋转马达13 液体收集单元14

收集环141、142、143 参数取得模块20

高度调整模块30 驱动装置31

第一驱动装置311 第二驱动装置312

控制模块32 高度差数据库33

基板100、100a、100b 高度差D1、D2、D3

具体实施方式

为能让贵审查委员能更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例说明如下。以下请一并参考图1至图4关于本发明的流体工艺处理装置的硬件架构图、流体工艺处理装置的剖面示意图以及流体工艺处理装置放入不同型态的基板的剖面图。

如图1所示，本发明的流体工艺处理装置1应用于基板100的一处理工艺，其中在本实施例的基板100为半导体芯片，处理工艺为于流体工艺处理装置1内对基板100的表面供给处理液(例如化学品或去离子水等)进行蚀刻、清洗等处理程序，并藉由流体工艺处理装置1收集、排液、回收使用过的处理液。

在本实施例中，流体工艺处理装置1包括装置主体10、参数取得模块20以及高度调整模块30，其中装置主体10包括基座11、基板承载单元12、旋转马达13以及液体收集单元14。基板承载单元12用以承载基板100，液体收集单元14大约为圆筒状且围绕设置于基板承载单元12，在本实施例中，液体收集单元14包括3个收集环141、142、143，但本发明不以此为限，液体收集单元14包括的收集环的数目可依不同的需求而修改设计。

如图1所示，参数取得模块20电性连接装置主体10，参数取得模块20用以取得基板100的基板参数。根据本发明的具体实施例，参数取得模块20可以是光学测量装置、基板参数输入接口或参数数据库。当参数取得模块20是光学测量装置时，可利用光传感器检验基板100型态的装置，且光学测量装置可以是成套模块并装设于流体工艺处理装置1内，或于基板100置于基板承载单元12前，预先利用光学测量装置取得基板100的基板参数。当参数取得模块20是基板参数输入接口时，基板参数输入接口可以是流体工艺处理装置1内建的参数输入接口，操作员手动输入基板参数。当参数取得模块20是参数数据库时，则须事先将各种不同型态的基板100的相关基板参数，建立一参数数据库供操作选择基板参数，而此参数数据库可以直接储存于流体工艺处理装置1内建的内存中，或储存于可与流体工艺处理装置1联机的外部服务器中。其中基板参数可为各种不同型态，例：待处理基板的类型、工艺模式、对应处理液水的流速特性、对应处理液水的喷溅特性、形状、尺寸、厚度或翘曲度至少其一。

如图2、图3与图4所示，当本发明的流体工艺处理装置1运作时，基板100、100a、100b随旋转马达13同步转动，此时不同型态的基板100、100a、100b(例：不同厚度或翘曲度的基板)受离心力会造成基板表面处理液脱离基板100、100a、100b的高度不相同，因此各个基板100、100a、100b于基板承载单元12与液体收集单元14间有对应的处理液最佳回收区段，故需利用参数取得模块20取得基板100、100a、100b的基板参数，并利用与参数取得模块20电性连接的高度调整模块30，根据基板参数将基板承载单元12与液体收集单元14间高度差调整至对应该基板参数的最佳高度，即可提高本发明的流体工艺处理装置1的处理液回收率。

根据本发明的一具体实施例，高度调整模块30包括驱动装置31以及控制模块32，其中如图1与图2所示，控制模块32电性连接驱动装置31。根据本发明的一实施例，高度调整模块30内储存有一高度差数据库33，该高度差数据库33储存有各基板参数所对应的基板承载单元12与液体收集单元14间的高度差数据，当高度调整模块30收到基板参数后，控制模块32即可根据基板参数找到与特定该基板参数对应的基板承载单元12与液体收集单元14间的高度差数据，再控制驱动装置31将基板承载单元12与液体收集单元14间的高度差调整至该高度差即可。

根据本发明的一具体实施例，当参数取得模块20是基板参数输入接口或参数数据库时，操作员采手动输入基板参数或操作选择基板参数，当高度调整模块30收到基板参数后，以便根据基板参数调整基板承载单元12与该液体收集单元14间的高度差，其中高度调整模块30可为自动执行或操作员手动执行确认。

在此需注意的是，根据本发明的具体实施例，高度调整模块30可分别调整基板承载单元12与液体收集单元14的高度而形成对应特定基板参数的高度差。或者，高度调整模块30只单独调整基板承载单元12或只单独调整液体收集单元14的高度而形成对应特定基板参数的高度差。此外，高度调整模块30可于处理工艺的初始阶段或中间阶段调整基板承载单元12与液体收集单元14间的高度差。

根据本发明之一具体实施例，高度调整模块30包括驱动装置31以及控制模块32，其中如图1与图2所示，驱动装置31包括第一驱动装置311，控制模块32电性连接第一驱动装置311，第一驱动装置311设置于基座11，并与基板承载单元12连接设置，可依据高度调整模块30调整基板承载单元12的高度而形成对应特定基板参数的高度差。在此实施例，液体收集单元14仅升降一特定收集环(收集环141、收集环142或收集环143)至一固定的预设高度。

根据本发明的另一具体实施例，其中如图3与图4所示，驱动装置31包括第二驱动装置312，控制模块32电性连接第二驱动装置312，第二驱动装置312固定于基座11，并与液体收集单元14连接设置，可依据高度调整模块30调整液体收集单元14的高度，而形成对应特定基板参数的高度差，其中得升降一特定收集环(收集环141、收集环142或收集环143)至对应特定基板参数的高度差。其中液体收集单元14所对应的驱动第二装置312可为单一驱动装置或对应各收集环(例：收集环141、收集环142或收集环143)的多个独立驱动装置。在此实施例，基板承载单元12固定于一预设高度。

根据本发明的另一具体实施例，其中如图3与图4所示，驱动装置31包括第一驱动装置311及第二驱动装置312，控制模块32电性连接第一驱动装置311及第二驱动装置312，第一驱动装置311固定于基座11，并与基板承载单元12连接设置，第二驱动装置312固定于基座11，并与液体收集单元14连接设置，高度调整模块30分别调整基板承载单元12及液体收集单元14的高度而形成对应特定基板参数的高度差。

高度调整模块30调整液体收集单元14的高度，而形成对应特定基板参数的高度差，得升降一特定收集环(收集环141、收集环142或收集环143)至对应特定基板参数的高度差。其中升降一特定收集环至对应特定基板参数的高度差，可为直接升降至一对应特定基板参数的高度差或先升降至一固定的预设高度后再依据高度调整模块30调整升降至对应特定基板参数的高度差。

如图2、图3与图4所示，为配合基板100、100a、100b的型态，高度调整模块30的控制模块32根据基板100、100a、100b的基板参数，透过驱动装置31将基板承载单元12与液体收集单元14间的高度差调整为D1、D2、D3，以便与不同的基板100、100a、100b对应，藉此提高不同的基板100、100a、100b处理液的回收效率。在本实施例中，驱动装置31是步进马达，控制模块32可以是微处理器、控制芯片或除前述硬件外的硬件装置、软件程序、韧体(firmware)或其组合外，亦可藉电路回路或其他适当型式配置。基板100、100a、100b的厚度或翘曲度于图中仅为示意，而非限制于实施例。

如图2、图3与图4所示，本实施例的液体收集单元14包括多个收集环141、142、143，控制模块32根据基板参数驱动该驱动装置31调整多个收集环141、142、143的其中之一的升降，为配合回收不同种类的处理液，该如何调整收集环141、142、143的升降高度，或被调整的收集环141、142、143的数目，可针对特定液体收集时，升降特定收集环的高度差或可由控制模块32依据储存高度差数据库33内的高度差数据进行调整。

在此须注意的是，在本实施例中，图2、图3与图4绘示的高度差为基板承载单元12与收集环141间的高度差。然根据本发明的一具体实施例，流体工艺处理装置1在进行一特定液体收集时，得升降一特定收集环(收集环141、收集环142或收集环143)，以及控制模块32根据基板参数驱动该驱动装置31调整特定收集环(比如：收集环141、收集环142或收集环143)或基板承载单元12的升降形成一高度差。

需注意的是，上述仅为实施例，而非限制于实施例。譬如此不脱离本发明基本架构者，皆应为本专利所主张的权利范围，而应以权利要求范围为准。

Claims (13)

1.一种流体工艺处理装置，应用于一基板的一处理工艺，其特征在于，该流体工艺处理装置包括：

一装置主体，包括一基板承载单元以及一液体收集单元，其中该基板承载单元用以承载该基板，该液体收集单元围绕设置于该基板承载单元；

一参数取得模块，电性连接该装置主体，该参数取得模块取得该基板的一基板参数；以及

一高度调整模块，电性连接该参数取得模块，以便根据该基板参数调整该基板承载单元与该液体收集单元间的高度差。

2.如权利要求1所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该高度调整模块于该处理工艺的一初始阶段或一中间阶段调整该高度差。

3.如权利要求第1项所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该参数取得模块为一光学测量装置、一基板参数输入接口或一参数数据库。

4.如权利要求1所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该高度调整模块包括一驱动装置以及一控制模块，其中该控制模块电性连接该驱动装置，该控制模块根据该基板参数驱动该驱动装置调整该基板承载单元与该液体收集单元间的高度差。

5.如权利要求4所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该高度调整模块包括一高度差数据库，该高度差数据库储存各该基板参数所对应的该基板承载单元与该液体收集单元间的一高度差数据，其中当该高度调整模块收到该基板参数后，该控制模块找到与该基板参数相对应的该高度差数据后，再驱动该驱动装置依据该高度差数据调整该基板承载单元与该液体收集单元间的高度差。

6.如权利要求4所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该驱动装置包括一第一驱动装置，该控制模块根据该基板参数驱动该第一驱动装置调整该基板承载单元的升降，以形成该高度差。

7.如权利要求4所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该驱动装置包括一第二驱动装置，该液体收集单元包括多个收集环，该控制模块根据该基板参数驱动该第二驱动装置调整该多个收集环的升降，以形成该高度差。

8.如权利要求7所述的流体工艺处理装置，其特征在于，在进行一特定液体收集时，升降一特定收集环，以及该控制模块根据该基板参数驱动该第二驱动装置调整该特定收集环的升降，以形成该高度差。

9.如权利要求8所述的流体工艺处理装置，其特征在于，升降该特定收集环至对应该基板参数，为直接升降至该高度差。

10.如权利要求8所述的流体工艺处理装置，其特征在于，升降该特定收集环至对应该基板参数，为先升降至一固定的预设高度后，再依据该基板参数调整升降至该高度差。

11.如权利要求4所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该驱动装置包括一第一驱动装置及一第二驱动装置，该控制模块根据该基板参数分别驱动该第一驱动装置调整该基板承载单元的升降以及驱动该第二驱动装置调整该液体收集单元的升降，以形成对应该基板参数的该高度差。

12.如权利要求1所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该基板参数包括至少一基板厚度或一基板翘曲度。

13.如权利要求1所述的流体工艺处理装置，其特征在于，该基板参数包括至少一对应处理液水的流速特性或一对应处理液水的喷溅特性。