CN107644814B - 一种读出电路的平坦化方法 - Google Patents
一种读出电路的平坦化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107644814B CN107644814B CN201710833836.3A CN201710833836A CN107644814B CN 107644814 B CN107644814 B CN 107644814B CN 201710833836 A CN201710833836 A CN 201710833836A CN 107644814 B CN107644814 B CN 107644814B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist layer
- layer
- silicon nitride
- reading circuit
- nitride layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及红外焦平面探测器的制作技术，具体是一种读出电路的平坦化方法。本发明解决了读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题。一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取读出电路；b.在读出电路的上表面沉积氮化硅层；c.在氮化硅层的上表面旋涂正光刻胶层；d.在正光刻胶层的上表面进行干法刻蚀；e.在负光刻胶层上制作光刻图形；f.沿光刻图形在氮化硅层的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；g.在负光刻胶层的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层；h.将蒸镀于负光刻胶层上的金属层和负光刻胶层进行剥离。本发明适用于红外焦平面探测器的制作。
Description
技术领域
本发明涉及红外焦平面探测器的制作技术，具体是一种读出电路的平坦化方法。
背景技术
制作红外焦平面探测器时，需要在其读出电路上进行胶体的旋涂，且得到的胶体旋涂层很薄（只有几十纳米），这便要求读出电路的表面结构是平坦光滑的。然而，由于多层布线和像素电极的设计，读出电路的表面结构是凹凸不平的，这种凹凸不平的表面结构会导致旋涂层不均匀，由此影响红外焦平面探测器的光电特性，甚至导致红外焦平面探测器发生短路现象。基于此，有必要发明一种能够将读出电路的表面结构进行平坦化的方法，以解决读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题。
发明内容
本发明为了解决读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题，提供了一种读出电路的平坦化方法。
本发明是采用如下技术方案实现：
一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取读出电路，并将读出电路进行清洗后吹干；读出电路的上表面刻蚀有多个第I凹槽，且每个第I凹槽的槽底均蒸镀有一个像素电极；
b.在读出电路的上表面沉积氮化硅层，并保证氮化硅层将各个第I凹槽全部覆盖；沉积后的氮化硅层上表面形成有多个第II凹槽，且各个第II凹槽与各个第I凹槽一一对应；
c.在氮化硅层的上表面旋涂正光刻胶层，并保证正光刻胶层将各个第II凹槽全部覆盖；然后，将正光刻胶层进行烘干；
d.在正光刻胶层的上表面进行干法刻蚀，当刻蚀至各个第II凹槽的槽底时停止刻蚀，由此使得氮化硅层的上表面成为平面；然后，将氮化硅层的上表面进行清洗后吹干；
e.在氮化硅层的上表面旋涂负光刻胶层，并将负光刻胶层进行烘干；然后，在负光刻胶层上制作光刻图形；
f.沿光刻图形在氮化硅层的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；
g.在负光刻胶层的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层，并保证蒸镀于各个像素电极上的金属层的上表面与氮化硅层的上表面齐平；
h.将蒸镀于负光刻胶层上的金属层和负光刻胶层进行剥离，由此完成平坦化。
本发明所述的一种读出电路的平坦化方法基于全新的工艺原理，实现了将读出电路的表面结构进行平坦化，由此使得旋涂层变得均匀，从而有效保证了红外焦平面探测器的光电特性，有效避免了红外焦平面探测器发生短路现象。
本发明有效解决了读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题，适用于红外焦平面探测器的制作。
附图说明
图1是本发明中步骤a的示意图。
图2是本发明中步骤b的示意图。
图3是本发明中步骤c的示意图。
图4是本发明中步骤d的示意图。
图5是本发明中步骤e的示意图。
图6是本发明中步骤f的示意图。
图7是本发明中步骤g的示意图。
图8是本发明中步骤h的示意图。
图中：1-读出电路，2-氮化硅层，3-正光刻胶层，4-负光刻胶层，5-金属层。
具体实施方式
一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取读出电路1，并将读出电路1进行清洗后吹干；读出电路1的上表面刻蚀有多个第I凹槽，且每个第I凹槽的槽底均蒸镀有一个像素电极；
b.在读出电路1的上表面沉积氮化硅层2，并保证氮化硅层2将各个第I凹槽全部覆盖；沉积后的氮化硅层2上表面形成有多个第II凹槽，且各个第II凹槽与各个第I凹槽一一对应；
c.在氮化硅层2的上表面旋涂正光刻胶层3，并保证正光刻胶层3将各个第II凹槽全部覆盖；然后，将正光刻胶层3进行烘干；
d.在正光刻胶层3的上表面进行干法刻蚀，当刻蚀至各个第II凹槽的槽底时停止刻蚀，由此使得氮化硅层2的上表面成为平面；然后，将氮化硅层2的上表面进行清洗后吹干；
e.在氮化硅层2的上表面旋涂负光刻胶层4，并将负光刻胶层4进行烘干；然后，在负光刻胶层4上制作光刻图形；
f.沿光刻图形在氮化硅层2的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；
g.在负光刻胶层4的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层5，并保证蒸镀于各个像素电极上的金属层5的上表面与氮化硅层2的上表面齐平；
h.将蒸镀于负光刻胶层4上的金属层5和负光刻胶层4进行剥离，由此完成平坦化。
Claims (1)
1.一种读出电路的平坦化方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取读出电路（1），并将读出电路（1）进行清洗后吹干；读出电路（1）的上表面刻蚀有多个第I凹槽，且每个第I凹槽的槽底均蒸镀有一个像素电极；
b.在读出电路（1）的上表面沉积氮化硅层（2），并保证氮化硅层（2）将各个第I凹槽全部覆盖；沉积后的氮化硅层（2）上表面形成有多个第II凹槽，且各个第II凹槽与各个第I凹槽一一对应；
c.在氮化硅层（2）的上表面旋涂正光刻胶层（3），并保证正光刻胶层（3）将各个第II凹槽全部覆盖；然后，将正光刻胶层（3）进行烘干；
d.在正光刻胶层（3）的上表面进行干法刻蚀，当刻蚀至各个第II凹槽的槽底时停止刻蚀，由此使得氮化硅层（2）的上表面成为平面；然后，将氮化硅层（2）的上表面进行清洗后吹干；
e.在氮化硅层（2）的上表面旋涂负光刻胶层（4），并将负光刻胶层（4）进行烘干；然后，在负光刻胶层（4）上制作光刻图形；
f.沿光刻图形在氮化硅层（2）的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；
g.在负光刻胶层（4）的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层（5），并保证蒸镀于各个像素电极上的金属层（5）的上表面与氮化硅层（2）的上表面齐平；
h.将蒸镀于负光刻胶层（4）上的金属层（5）和负光刻胶层（4）进行剥离，由此完成平坦化。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710833836.3A CN107644814B (zh) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 一种读出电路的平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710833836.3A CN107644814B (zh) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 一种读出电路的平坦化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107644814A CN107644814A (zh) | 2018-01-30 |
| CN107644814B true CN107644814B (zh) | 2019-06-25 |
Family
ID=61111465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710833836.3A Active CN107644814B (zh) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 一种读出电路的平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107644814B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109638113A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-16 | 军事科学院系统工程研究院后勤科学与技术研究所 | 一种基于读出电路的红外焦平面阵列的制备方法 |
| CN115425041B (zh) * | 2022-09-26 | 2024-06-11 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种抑制电串音的InGaAs红外焦平面探测器制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1787234A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-06-14 | 华东师范大学 | 一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法 |
| CN101154621A (zh) * | 2006-09-30 | 2008-04-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 平坦化方法及顶层金属层隔离结构的形成方法 |
| CN103762271A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法 |
| CN106298980A (zh) * | 2015-05-29 | 2017-01-04 | 力晶科技股份有限公司 | 电容器结构及其制造方法 |
-
2017
- 2017-09-15 CN CN201710833836.3A patent/CN107644814B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1787234A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-06-14 | 华东师范大学 | 一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法 |
| CN101154621A (zh) * | 2006-09-30 | 2008-04-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 平坦化方法及顶层金属层隔离结构的形成方法 |
| CN103762271A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法 |
| CN106298980A (zh) * | 2015-05-29 | 2017-01-04 | 力晶科技股份有限公司 | 电容器结构及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107644814A (zh) | 2018-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102098438B1 (ko) | 반전 톤 패터닝 방법 | |
| TWI797187B (zh) | 功能微電子元件之良率提高 | |
| CN103837919A (zh) | 一种基于双层胶纳米压印的光栅结构彩色滤光膜加工方法 | |
| CN107644814B (zh) | 一种读出电路的平坦化方法 | |
| CN105334699B (zh) | 通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法 | |
| CN108321167A (zh) | 图像传感器及形成图像传感器的方法 | |
| CN107093680A (zh) | 金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法 | |
| CN106449686A (zh) | 一种背照式图像传感器的背面结构及其制备方法 | |
| JP6338938B2 (ja) | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 | |
| CN104465337A (zh) | 一种使用pmma/neb双层胶制作金属纳米狭缝的方法 | |
| CN108254811A (zh) | 一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口及其制备方法 | |
| JP2012222346A (ja) | ラッカー層上に電気グリッド線を転写する方法 | |
| CN105374747A (zh) | 晶圆上刻蚀不同深度tsv孔的工艺方法 | |
| CN106298829A (zh) | 一种金属栅格的形成方法 | |
| CN106950636A (zh) | 一种金属线栅偏振片基板及其制备方法 | |
| CN107785483A (zh) | 一种磁性随机存储器的制作方法 | |
| CN106058003A (zh) | 一种提升led芯片亮度的方法 | |
| KR20160077920A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 oled 소자 제조 방법 | |
| TW202046378A (zh) | 具有縮減臨界尺寸的半導體元件及其製備方法 | |
| CN102320132A (zh) | 一种电场诱导液溶胶微复型的工艺 | |
| CN104835908A (zh) | 用于3d amr的氮化钽刻蚀方法 | |
| CN104269353B (zh) | 一种平坦化预处理方法 | |
| KR101499122B1 (ko) | 레이저 간섭 리소그래피를 이용한 나노 화소 유기발광다이오드 어레이 제조방법 | |
| JP2019120499A (ja) | スケールおよびその製造方法 | |
| US10813223B2 (en) | Piezochromic stamp |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |