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CN107564924A - 包括形成在图像传感器裸片中的空腔的光学传感器封装体 - Google Patents

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CN107564924A CN201710289202.6A CN201710289202A CN107564924A CN 107564924 A CN107564924 A CN 107564924A CN 201710289202 A CN201710289202 A CN 201710289202A CN 107564924 A CN107564924 A CN 107564924A
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Abstract

一个或多个实施例涉及一种用于光学器件的系统级封装(SiP)，包括接近度传感器封装。一个实施例涉及一种包括衬底、图像传感器裸片和发光器件的光学传感器。该图像传感器裸片的第一表面耦合至该衬底，并且形成从该第一表面朝该图像传感器裸片的第二表面延伸进入该图像传感器裸片的凹陷。在该图像传感器裸片中在该凹陷与该第一表面之间形成透光层。该光学传感器进一步包括发光器件，该发光器件耦合至该衬底并且安置在形成在该图像传感器裸片中的该凹陷内。

Description

包括形成在图像传感器裸片中的空腔的光学传感器封装体
技术领域
本公开的实施例涉及光学传感器封装体。
背景技术
光学传感器(如接近度传感器)用于检测附近物体的存在并且能够在没有物理接触物体的情况下这样做。一些类型的光学传感器(如用于光学测距设备或飞行时间传感器)可以用于确定到这种附近物体的实际距离。光学传感器可以用于各种电子设备中，如相机、电话(包括智能电话)、车辆、机器以及用于检测附近物体的存在和/或到其的距离的其他设备。在检测附近物体的存在之后，电子设备可以被配置成用于执行如将机械特征移至安全位置、传输警告信号、耦合或解耦合电通信等功能或者任何其他期望的功能。
光学传感器封装体通常包括发光器件(例如，LED)、光接收传感器(如光电二极管)、和用于处理从光接收传感器处接收的信号的处理芯片。LED、光电二极管和处理芯片通常形成在分开的裸片上，并一起被封装在传感器封装体中。概括地描述，LED通过传感器封装体的第一开口将辐射发射出去。当物体靠近传感器封装体时，适量的发射辐射被反射离开物体并返回朝向传感器封装体。部分经反射的辐射进入传感器封装体中接近光接收传感器或光电二极管的第二开口。光电二极管接收经反射的辐射并生成指示所接收的辐射的电信号，将该电信号传输至处理芯片以便进行处理，例如，确定接近物体的存在和/或到其的距离。
常规光学传感器封装体中的发光器件和光接收和处理器件通常以并排配置提供，该并排配置导致具有较宽底座面积(即，x和y维度)的产品或片上片或堆叠式芯片配置，这导致具有较厚封装体(即，z维度)的产品。
发明内容
一个或多个实施例涉及一种用于光学传感器器件的系统级封装(SiP)，如接近度传感器封装体。一个实施例涉及一种封装体，该封装体包括由硅制成的在其表面上具有凹陷的图像传感器裸片，该图像传感器裸片还可以集成专用集成电路(ASIC)。发光器件被附接至衬底。图像传感器裸片被附接至衬底，从而使得图像传感器裸片的凹陷形成具有衬底的空腔。发光器件被安置在空腔内。图像传感器裸片中的凹陷被形成用于在裸片本身中创建薄透明层或光衍射层，该薄透明层或光衍射层被安置在发光器件上方，并被配置成用于接收和发射和/或衍射(或以其他方式改变)发光器件所发射的光。具体地，图像传感器裸片的硅是适当透明的，以便允许从发光器件发射的光(如红外(IR)光)通过该图像传感器裸片。在一个实施例中，帽盖位于图像传感器裸片上方，以便形成上空腔。帽盖可以包括面向图像传感器裸片的用于接收和发射来自发光器件的光的第一透明层和被安置成面向图像传感器裸片的光接收表面(例如，图像传感器)的第二透明层。
附图说明
图1A是根据本公开的实施例的没有帽盖的光学传感器封装体的俯视图。
图1B是图1A中包括帽盖的光学传感器封装体的截面视图。
图1C是图1B的光学传感器封装体的虚线矩形部分的特写截面视图。
图1D是根据另一个实施例的光学传感器封装体的特写截面视图。
图2A至图2C是截面视图，展示了根据本公开的实施例的形成图1A至图1D中所示出的光学传感器封装体的方法。
图3是根据本公开的另一个实施例的光学传感器封装体的截面视图。
图4是框图，展示了根据本公开的实施例的包括光学传感器封装体的电子设备。
具体实施方式
实施例涉及针对光学器件的光学传感器封装体(如系统级封装(SiP))，这些光学器件包括接近度传感器和飞行时间传感器。光学传感器封装体可以包括发光器件和接收器件(例如，图像传感器裸片)，该接收器件用于接收由发光器件发射并由物体反射朝向接收器件的光。接收器件包括用于处理所接收的光的接收电路。在这方面，光学传感器封装体能够发射光信号、接收光信号并分析电信号。
图1A是根据本公开的一个或多个实施例的光学传感器封装体10的俯视图。图1B至图1C是光学传感器封装体10的截面视图。如图1B中最佳示出的，光学传感器封装体10可以包括衬底12、图像传感器裸片14、发光器件16、和帽盖18。
概括地描述，衬底12包括一个或多个绝缘层和导电层。衬底12的第一表面11包括导电焊盘32，并且衬底的第二表面13包括导电焊盘或焊区(未示出)。第一表面11上的焊盘通过导电迹线和/或在衬底12中形成的过孔与第二表面13上的一个或多个焊区进行电通信。衬底12的第二表面13形成光学传感器封装体10的外表面，并且第二表面13上的焊区将光学传感器封装体10电耦合至另一个器件或板(未示出)。绝缘材料隔离其中的导电特征的各个部分。
图像传感器裸片14如通过粘合剂材料被固定于衬底12的第一表面11上。粘合剂材料可以是适用于将图像传感器裸片14固定于衬底12的任何材料，如胶带、粘膏、粘胶或任何其它合适的材料。
图像传感器裸片14由半导体材料(如硅)制成，并且包括第一表面15和第二表面17。图像传感器裸片14包括有源表面，该有源表面包括一个或多个电气部件(如集成电路)。集成电路可以是模拟或数字电路，这些模拟或数字电路被实现为在裸片内形成的并且根据裸片的电气设计和裸片的功能电互连的有源器件、无源器件、导电层和介电层。具体地，图像传感器裸片14包括形成专用集成电路(ASIC)的电气部件。由此，如本领域中众所周知的，图像传感器裸片14包括用于发送、接收和分析电信号的电路。在所展示的实施例中，有源表面位于图像传感器裸片14的第一表面15处。
图像传感器裸片14包括在图像传感器裸片14的第二表面17中的凹陷，该凹陷延伸朝向图像传感器裸片14的第一表面15。当图像传感器裸片14固定于衬底14时，第二表面17中的凹陷和衬底的第一表面11形成空腔30。
发光器件16固定于衬底12的第一表面11并且安置在空腔30内。发光器件16可以通过以上所讨论的粘合剂材料固定于衬底12的第一表面11，并且所述粘合剂材料可以与用于将发光器件16固定于衬底12的粘合剂相同或不同。
发光器件16被配置成用于以特定频率或频率范围发射辐射。在一个实施例中，发光器件16发射红外(IR)辐射。发光器件16可以是垂直腔面发射激光器(VCSEL)或发光二极管(LED)(例如，红外LED)。
发光器件16电耦合至图像传感器裸片14(例如，直接电耦合至图像传感器裸片14和/或通过衬底12间接耦合至图像传感器裸片14)并且被配置成用于接收电信号(如来自图像传感器裸片14的功率信号)并响应于接收该信号来以特定的频率或频率范围发射辐射。具体地，图像传感器裸片14通过导电连接器电耦合至衬底12，这些导电连接器在所展示的实施例中为导电线34。在这方面，导电线34的第一端耦合至图像传感器裸片14上的焊盘，并且导电线34的第二端耦合至衬底12的第一表面11上的焊盘。类似地，发光器件16通过一条或多条导电线34电耦合至衬底12的第一表面11。例如，导电线34的第一端可以耦合至发光器件16上的焊盘，并且导电线34的第二端可以耦合至衬底12的第一表面11上的焊盘。发光器件16可以通过衬底12与图像传感器裸片14进行电通信。
在一个或多个实施例中，光学传感器封装体10的衬底12可以用如本领域众所周知的引线框来替换。例如，引线框可以包括用于支撑图像传感器裸片14和发光器件16的一个或多个裸片焊盘。此外，引线框包括用于耦合至导电线34的多个引线。
在另一个实施例中，导电连接器为导电凸块，从而使得图像传感器裸片14和/或发光器件16通过本领域众所周知的倒装芯片配置耦合至衬底12。
图像传感器裸片14进一步包括空腔30上的透光层20。透光层20形成在图像传感器裸片14中的凹陷处。具体地，透光层20包括组成图像传感器裸片14的半导体材料(如硅)的薄条带，该薄条带可以形成台阶式凹陷(如所展示的实施例中所示出的)。具体地，图像传感器裸片14的硅是至少部分透光的，由此允许发光器件16所发射的光通过该图像传感器裸片。透光层20的厚度和图案可以被调整以便影响将发射通过该透光层的光。具体地，透光层20可以具有适合达到可能期望的透光率特性的厚度。众所周知的是，光学材料的光透射特性部分地取决于材料的厚度以及透射光的波长和其他众所周知的因素。在一个或多个实施例中，在发光器件16发射红外(IR)范围内的辐射的情况下，透光层20可以由具由在约0.1μm到100μm范围内的厚度的硅制成。
图像传感器22形成在图像传感器裸片14的第一表面15中或以其他方式耦合至图像传感器裸片的第一表面。发光器件16可以响应于从图像传感器裸片14中接收的电信号而发射辐射，并且图像传感器22可以接收经反射的辐射并为图像传感器裸片12提供用于处理的电信号。
帽盖18具有侧壁42、外壳44和内壁46。图1A展示了没有帽盖18的光学传感器封装体10的自顶向下视图，而图1B展示了具有帽盖18的光学传感器封装体10的截面视图。帽盖18的侧壁42固定于衬底12的第一表面11以便形成上空腔，并且帽盖18的内壁46固定于将上空腔分成单独部分的图像传感器裸片14的第一表面15。帽盖18可以由粘合材料固定，该粘合材料可以是任何粘合材料并可以与以上所描述的粘合材料不同或相同。
帽盖18的外壳44包括第一透明区域26(该第一透明区域被安置在发光器件16和图像传感器裸片14的透光层20上方)，以便允许发光器件16所发射的辐射退出光学传感器封装体10。帽盖18的外壳44进一步包括第二透明区域28(该第二透明区域被安置在图像传感器22上方)，以便允许经反射的辐射进入光学传感器封装体10并被图像传感器22接收。第一和第二透明区域26、28可以由包括例如玻璃的任何透明材料形成。在一个或多个实施例中，第一和第二透明区域26、28是帽盖18中的开口。第一和第二透明区域26、28可以包括用于对通过其的光进行滤波的一个或多个滤光器。
帽盖18的内壁46在发光器件16与图像传感器22之间形成挡光板。即，帽盖18的内壁46防止发光器件16发射的光通过内壁46被图像传感器22接收。相比而言，除了通过第二透明区域28接收的光之外，图像传感器22被帽盖18光学地隔离。
在一个或多个实施例中，帽盖18可以被例如透光层20和图像传感器22上的清澈或透明模具以及围绕图像传感器裸片14的不透明模具代替。在这种情况下，清澈的模具限定第一和第二光开口，通过该第一和第二光开口发光器件16发射的光以及从物体反射朝向图像传感器22的光可以穿过。
光学传感器封装体10可以进一步包括参考传感器24。参考传感器24可以形成在图像传感器裸片14的第一表面15中或以其他方式耦合至图像传感器裸片的第一表面。参考传感器24被安置在发光器件16附近，并被配置成用于接收参考光发射，例如，由发光器件16发射并由具有已知距离或光路长度的附近表面(如帽盖18的内壁46的内表面)反射回参考传感器24的光。参考传感器电路(未示出)形成在参考传感器24附近的图像传感器裸片14中，以便当接收经反射的参考光时处理由参考传感器24生成的信号。如本领域中众所周知的，图像传感器裸片14可以由此包括用于发送、接收和分析从图像传感器22以及参考传感器24中接收的电信号的电路。
在操作中，图像传感器裸片14的ASIC被配置成用于使得发光器件16通过第一透明区域26发射光。光被附近物体反射且行进通过第二透明区域28，并且图像传感器22接收该光。图像传感器裸片14的ASIC从图像传感器22接收信号并且被配置成用于当接收经反射的光时处理由图像传感器22生成的信号。
在所展示的实施例中，发光器件16位于空腔30内的衬底12上。因此，光学传感器封装体10的底座面积(例如，x和y维度)和/或轮廓或厚度(例如，z维度)相比于已知光学传感器封装体可以减小，这些已知光学传感器封装体通常包括被安置在挨着图像传感器裸片或堆叠在其顶部上的发光器件。即，由于发光器件16整个装配在图像传感器裸片14中形成的空腔30内，因此光学传感器封装体10的底座面积和轮廓由图像传感器裸片14的底座面积和轮廓限定。
图1C是截面视图，示出了图1B的光学传感器封装体的一部分(例如，如虚线内所示出的)。透光层20的至少一部分被图案化。例如，如图1C中所示出的，透光层20可以被图案化以便形成用于衍射发光器件16所发射的光的衍射层。透光层20可以使用任何已知的半导体处理技术(包括例如光刻胶和干法蚀刻工艺、介电层的沉积、纳米压印等)形成和/或图案化。进一步地，透光层20可以被形成和/或图案化以便具有如期望的光学特性(包括例如折射率、偏振、衍射等)。透光层20的图案化部分可以直接形成在由硅制成的图像传感器裸片14内，或者可以包括在图像传感器裸片14的在形成凹陷30之后剩余的薄条带上方形成的附加层。
图1D是根据另一个实施例的图1B的光学传感器封装体10的虚线部分的截面视图。除了透光层20没有被图案化之外，光学传感器封装体在结构和功能上与图1A至图1C的光学封装体相同，由此提供了不对透射通过其中的光进行衍射的透光层。
在一个或多个实施例中，透光层20可以是有源层，在该有源层中可以动态地改变和/或控制一个或多个光学特性。例如，透光层20的硅或其一部分可被掺杂。在这方面，电压或其他控制信号可以被施加到透光层20的掺杂区域，这引起透光层20的一个或多个光学特性(例如，折射率、偏振、衍射等)改变。这可以例如在图1C和图1D中看到，其中，透光层20从光衍射层(图1C)变化(例如，通过从图像传感器裸片14中接收的一个或多个信号)成非衍射层(图1D)。
图2A至图2C展示了根据一个实施例的一种制造图1A至图1D的光学传感器封装体10的方法。如图2A中所示出的，发光器件16被附接至衬底12的第一表面11。发光器件16可以使用粘合材料(如胶带、粘膏、粘胶或任何其它合适的粘合材料)附接至衬底12。发光器件16电耦合至衬底12的第一表面11。在所展示的实施例中，电耦合通过将导电线34的第一端耦合至衬底12的焊盘来完成。应当理解的是，可以通过倒装芯片工艺(例如，通过在发光器件16的表面与衬底12的第一表面11的焊盘之间回流焊球)在一个或多个实施例中交替地提供电耦合和机械耦合。
如图2B中所示出的，形成包括凹陷和透光层20的图像传感器裸片14。图像传感器裸片14由硅形成。可以例如使用标准的前端半导体处理技术(如晶片级)来形成凹陷。例如，可以使用光刻胶和干法和/或湿法蚀刻工艺、介电层的沉积、纳米压印等形成和/或图案化透光层20。在所展示的实施例中，凹陷是台阶式凹陷，从而使得第一凹陷被提供用于调节发光器件16，并且第二凹陷形成透光层20。在这方面，形成台阶式凹陷可以包括两个单独图案化和蚀刻步骤。
透光层20可以是无源或有源层，并且由此可以被掺杂。透光层的形状可以基于期望的光学特性(包括例如折射率、偏振、衍射等)来确定。即，透光层的上表面可以以这样的方式被图案化以便使得从发光器件16中接收的光具有期望的光学特性。图像传感器裸片14可以进一步包括图像传感器22和参考传感器24。
图像传感器裸片14使用粘合材料附接至衬底12的第一表面11，空腔30和透光层20被安置在发光器件16上方。图像传感器裸片14电耦合至衬底12的第一表面14。在所展示的实施例中，电耦合通过将导电线34的第一端耦合至图像传感器裸片14的焊盘以及将导电线34的第二端耦合至衬底12的焊盘32来完成。应当理解的是，可以例如通过在图像传感器裸片14的表面与衬底12的第一表面11的焊盘之间回流焊球来在一个或多个实施例中交替地提供电耦合和机械耦合。
如图2C中所示出的，帽盖18固定于衬底12的第一表面11，侧壁42被安置在图像传感器裸片14和导电线34的外面。帽盖18的内壁46固定于图像传感器裸片14的第一表面15。在将帽盖18固定于衬底12之前，可以在盖帽18中形成第一和第二透明区域26、28(例如，其中，第一和第二透明区域26、28包括例如玻璃)。可替代地，第一和第二透明区域26、28可以是例如在将盖帽18固定于衬底12之后在帽盖18中形成的开口。
图3示出了根据本公开的另一个示例性实施例的光学传感器封装体110的截面视图。除了以下将要讨论的差异之外，图3的光学传感器封装体110在结构和功能上与图1A至图1D的光学传感器封装体10类似。简洁起见，在此将不再描述光学传感器封装体10和110共有的特征。
图3中所示出的光学传感器封装体110与图1A至图1D中所示出的光学传感器封装体10之间的差异是：光学传感器封装体110中不存在透光层20。相比而言，图3的光学传感器封装体110包括空腔30上的图像传感器裸片14中的贯通开口50。由此，空腔30与帽盖18和图像传感器裸片14的外表面形成的空腔流体连通。在操作期间，发光器件16发射光通过所述开口50和所述第一透明区域26。
一个或多个实施例提供了一种系统级封装。在这方面，板上系统的底座面积小于当使用两个单独封装体时的底座面积，用于光学器件(例如，发光器件和光接收器件，如图像传感器)的一个或多个封装体以及用于处理器裸片的另一个封装体。
图4示出了包括本文中所描述的耦合至微处理器102的光学传感器封装体(如光学传感器封装体10或光学传感器封装体110)的电子设备100。微处理器102可以是被配置成用于接收电信号或将电信号发送至光学传感器封装体10或110的任何电路。电子设备100可以进一步包括被配置成用于为设备提供电能的电源104。电源104(可以是电池)可以耦合至微处理器102。电子设备100还可以包括耦合至微处理器102或结合在其中的存储器106。
在一个或多个实施例中，电子设备100可以是蜂窝电话、智能电话、平板计算机、相机和/或可以位于衣服、鞋子、手表、眼镜或是任何其他可穿戴结构中的可穿戴计算设备。在某些实施例中，电子设备100或其光学传感器封装体10可以位于如轮船和汽车等交通工具、机器人或者任何其他可移动结构或机器中。
可以组合上文描述的各种实施例以提供更多实施例。鉴于以上的详细说明，可以对实施例做出这些和其他改变。总之，在以下权利要求书中，所使用的术语不应当被解释为将权利要求书局限于本说明书和权利要求书中所公开的特定实施例，而是应当被解释为包括所有可能的实施例、连同这些权利要求有权获得的等效物的整个范围。相应地，权利要求书并不受本公开的限制。

Claims (24)

1.一种光学传感器封装体，包括：
衬底；
图像传感器裸片，所述图像传感器裸片耦合至所述衬底，所述图像传感器裸片包括：
第一表面，所述第一表面耦合至所述衬底，
第二表面，
凹陷，所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片，所述凹陷与所述衬底的表面形成空腔，以及
透光层，所述透光层形成在所述第一表面处并且面向所述凹陷；以及
发光器件，所述发光器件耦合至所述衬底并且安置在所述空腔内。
2.如权利要求1所述的光学传感器封装体，其中，所述图像传感器裸片的所述透光层包括光衍射层。
3.如权利要求1所述的光学传感器封装体，其中，所述图像传感器裸片由硅形成，其中，所述图像传感器裸片的所述透光层由所述图像传感器裸片的所述硅形成。
4.如权利要求1所述的光学传感器封装体，其中，所述图像传感器裸片的所述透光层是被配置成用于接收控制信号并作为响应改变所述透光层的一个或多个光学特性的有源层。
5.如权利要求4所述的光学传感器封装体，其中，所述一个或多个光学特性包括衍射、折射率和偏振特性中的至少一个。
6.如权利要求1所述的光学传感器封装体，其中，所述发光器件包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)和发光二极管(LED)中的至少一个。
7.如权利要求1所述的光学传感器封装体，其中，所述凹陷是台阶式凹陷，所述台阶式凹陷包括第一凹陷和小于所述第一凹陷的第二凹陷，其中，所述发光器件被安置在由所述第一凹陷形成的所述空腔内，其中，所述透光层界定所述第二凹陷的底表面。
8.如权利要求7所述的光学传感器封装体，进一步包括被安置在所述图像传感器裸片的侧表面周围并覆盖所述图像传感器裸片的所述第二表面的至少一部分的帽盖，所述帽盖具有侧壁和内壁，所述内壁将所述发光器件与所述图像传感器裸片的图像传感器区域光学地分隔开。
9.如权利要求8所述的光学传感器封装体，所述图像传感器裸片进一步包括参考传感器，所述参考传感器形成在所述第二表面中并被配置成用于接收所述发光器件发射的并从所述帽盖的内表面反射的光。
10.一种方法，包括：
电性地且机械地将发光器件耦合至衬底；
将具有凹陷的图像传感器裸片放置在所述发光器件上，从而使得所述发光器件位于所述凹陷中；以及
电性地且机械地将所述图像传感器裸片耦合至具有位于所述图像传感器裸片的凹陷中的所述发光器件的所述衬底。
11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述图像传感器裸片中形成凹陷，所述凹陷从所述图像传感器裸片的第一表面朝所述图像传感器裸片的第二表面延伸；
在所述凹陷与所述图像传感器裸片的所述第一表面之间形成透光层。
12.如权利要求11所述的方法，其中，形成透光层包括形成具有一个或多个可变光学特性的有源透光层。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述一个或多个可变光学特性包括衍射、折射率和偏振特性中的至少一个。
14.如权利要求10所述的方法，其中，将发光器件耦合至所述衬底包括将垂直腔面发射激光器(VCSEL)耦合至所述衬底。
15.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述图像传感器裸片的所述第二表面中形成图像传感器。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
将帽盖放置在所述图像传感器裸片上，所述帽盖包括侧壁和内壁，所述帽盖具有在所述发光器件上方的第一透明区域和在所述图像传感器上方的第二透明区域。
17.如权利要求10所述的方法，其中，将所述图像传感器裸片耦合至所述衬底包括利用粘合剂将所述图像传感器裸片附接至所述衬底，所述方法进一步包括将导电线的第一端固定于所述图像传感器裸片的焊盘，并将所述导电线的第二端固定于所述衬底的焊盘。
18.如权利要求10所述的方法，其中，将所述图像传感器裸片耦合至所述衬底包括使用倒装芯片配置将所述图像传感器裸片电耦合至所述衬底。
19.一种电子设备，包括：
微处理器；以及
光学传感器封装体，所述光学传感器封装体耦合至所述微处理器，所述光学传感器封装体包括：
衬底；
图像传感器裸片，所述图像传感器裸片耦合至所述衬底，所述图像传感器裸片由硅制成，所述图像传感器裸片包括：
第一表面，所述第一表面耦合至所述衬底，
第二表面，所述第二表面包括图像传感器区域，
凹陷，所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片，以及
透光层，所述透光层形成在所述第一表面处并且面向所述凹陷；
发光器件，所述发光器件耦合至所述衬底并被安置在所述图像传感器裸片中的所述空腔内；以及
帽盖，所述帽盖被安置在所述图像传感器裸片的侧表面周围并覆盖所述图像传感器裸片的所述第二表面的至少一部分，所述帽盖具有侧壁和内壁，所述内壁将所述发光器件与所述图像传感器区域光学地分隔开。
20.如权利要求19所述的电子设备，其中，所述透光层包括具有一个或多个可变光学特性的有源透光层。
21.如权利要求19所述的电子设备，其中，所述电子设备是手机、智能电话、平板计算机、相机和可穿戴计算设备中的至少一个。
22.一种光学传感器封装体，包括：
衬底；
图像传感器裸片，所述图像传感器裸片耦合至所述衬底，所述图像传感器裸片包括：
第一表面，所述第一表面耦合至所述衬底，
第二表面，
凹陷，所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片，所述凹陷与所述衬底的表面形成空腔，以及
贯通开口，所述贯通开口形成在所述第一表面与所述凹陷之间；以及
发光器件，所述发光器件耦合至所述衬底并被安置在所述空腔内，所述发光器件被配置成用于发射光通过所述开口。
23.如权利要求22所述的光学传感器封装体，其中，所述发光器件包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)和发光二极管(LED)中的至少一个。
24.如权利要求22所述的光学传感器封装体，其中，所述开口的宽度小于所述凹陷的宽度。
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