CN107546300B - 一种led芯片的切割及劈裂方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED芯片的切割及劈裂方法，具体包括：S1在LED芯片上表面切割出一预设厚度的槽；S2沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。采用本发明提供的切割及劈裂方法之后，大大简化切割工艺流程，有效解决了现有切割方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域，具体涉及一种LED芯片的切割及劈裂方法。
背景技术
目前，LED芯片常规的切割及劈裂方式包括激光切割、刀片切割等方式。其中，在激光切割方式中，一般先采用激光在LED芯片正反表面划线之后再进行机械裂片；在刀片切割方式中，一般先采用刀片在LED芯片正反表面切割一定深度之后再进行劈裂。
采用上述方法对LED芯片进行切割和裂片，虽然产速高、成本低，但是在某些背镀金属的LED芯片中，由于金属的韧性，如果仍然采用上述常规方式对其进行切割和劈裂，会带来一系列的问题，如金属卷片翘起、残留金属残渣等。但是这种背镀金属的LED芯片，如果不进行背面切割，又很难进行劈裂。因而如何有效地对这种LED芯片进行切割和劈裂就成了需要克服的难点。
发明内容
基于上述问题，本发明的目的是提供一种LED芯片的切割及劈裂方法，有效解决了现有劈裂方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。
为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
一种LED芯片的切割及劈裂方法，所述LED芯片的下表面包括背面金属层，所述切割及劈裂方法包括：
S1在LED芯片上表面切割出预设厚度的槽；
S2沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。
进一步优选地，在步骤S1中具体包括：
于所述LED芯片上表面沿管芯中间的切割道切割出预设厚度的槽。
进一步优选地，所述预设厚度大于所述LED芯片厚度的1/8。
进一步优选地，在步骤S2中，具体包括：
S21沿LED芯片下表面进行第一次劈裂，将所述背面金属层外的LED芯片劈开；
S22沿LED芯片下表面进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。
进一步优选地，在步骤S21中具体包括：
S211将所述LED芯片放置在芯片劈裂机台上；
S212沿LED芯片下表面中与步骤S1中切割出来的槽的相对位置处对LED芯片进行第一次劈裂。
进一步优选地，在步骤S22中具体包括：
LED芯片下表面中步骤S212的劈裂位置对所述LED芯片进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。
本发明提供的LED芯片的切割及劈裂方法，其有益效果为：
本发明提供的切割及劈裂方法针对类似背镀金属层的LED芯片，对于这类型的LED芯片，不再需要从LED芯片的背面实现对其的切割，采用本发明提供的切割及劈裂方法之后，大大简化切割工艺流程，有效解决了现有切割方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。同时，有效避免了背面金属层切割之后对后续的封装、共晶等工艺产生的二次影响，大大提升了划裂良率和产品良率。
附图说明
图1为本发明中在LED芯片上表面开设预设厚度的槽的结构示意图；
图2为本发明中第一劈裂LED芯片结构示意图；
图3为本发明中第二劈裂LED芯片结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步的详细说明。
本发明提供了一种LED芯片的切割及劈裂方法，具体该切割及劈裂方法应用于下表面包括背面金属层的LED芯片，该切割及劈裂方法中具体包括：S1在LED芯片上表面切割出预设厚度的槽；S2沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对LED芯片的完全劈裂。由描述可知，这里的LED芯片上表面做图形及电极(发光)、下表面蒸镀用于共晶焊封装的背金金属层，如具备一定韧性的Au-Sn合金材料层。
更具体来说，在步骤S1中包括：采用激光切割或刀片切割的方法，于LED芯片1上表面(即LED芯片正面)沿管芯中间的切割道切割出预设厚度的槽2，如图1所示。在一个具体实施例中，我们首先在LED芯片1下表面(即LED芯片背面)贴合白膜(如离型膜)，之后再在LED芯片的上表面进行开槽。要说明的是，由这里在LED芯片的上表面开设的槽用于引导步骤S2中的第一次劈裂，故该槽的预设厚度不需要太大，在具体实施例中该槽的厚度大于LED芯片厚度的1/8即可。如，在一个具体实施例中，在LED芯片上表面沿管芯的中心线开设厚度为LED芯片厚度的1/7的槽；在另一个具体实施例中，在LED芯片上表面沿管芯的中心线开设厚度为LED芯片厚度的1/6的槽等。要说明的是，我们对LED芯片上表面开设的槽的厚度不做具体限定，可以根据实际情况进行设定，原则上来说，只要既能实现目的又不影响其中包括的LED管芯的完整度，都包括在本发明的内容中。
在步骤S2中具体包括：S21沿LED芯片下表面进行第一次劈裂，将背面金属层外的LED芯片劈开；S22沿LED芯片下表面进行第二次劈裂，将背面金属层劈裂，完成对LED芯片的完全劈裂。
更具体来说，在步骤S21中包括：S211将LED芯片放置在芯片劈裂机台上；S212沿LED芯片下表面中与步骤S1中切割出来的槽的相对位置处对LED芯片进行第一次劈裂，如图2所示。在一个具体实施例中，LED芯片上表面切割开槽完毕之后，在LED芯片上表面贴合一透明膜，具体该透明膜可以为有粘性或者无粘性的透明胶纸膜，用于保护LED芯片的正面不会受到污染。之后，将LED芯片放置在芯片劈裂机台上，且下表面朝上、步骤S1中切割出来的槽的位置位于芯片劈裂机台两个承载台(如图中所示分别为承载台1和承载台2)的中间空隙中；最后，沿LED芯片下表面中与步骤S1中切割出来的槽的相对位置对LED芯片进行第一次劈裂(使用劈刀3进行第一劈裂)，具体第一劈裂顺着LED芯片上表面中开设的槽进行引导性劈裂，将除去背面金属层以外的材料劈开。
在步骤S22中包括：对LED芯片进行第一次劈裂之后，沿该LED芯片下表面中步骤S212的劈裂位置对所述LED芯片进行第二次劈裂，如图3所示，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。
综上，采用本发明提供的切割和劈裂方法，在第二次劈裂过程中，只需要很小的力度就可以将采用常规方法难以劈开的背金金属层劈开，达到将LED芯片完全劈开的目的之外，有效避免了暗裂、外观不良等现象，对LED芯片起到了保护的作用。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种LED芯片的切割及劈裂方法，其特征在于，所述LED芯片的下表面包括背面金属层，所述切割及劈裂方法包括：
S1 在LED芯片上表面切割出一预设厚度的槽；
S2 沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂；
在步骤S2中，具体包括：
S21 沿LED芯片下表面进行第一次劈裂，将所述背面金属层外的LED芯片劈开；
S22 沿LED芯片下表面进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂；
所述预设厚度大于所述LED芯片厚度的1/8。
2.如权利要求1所述的切割及劈裂方法，其特征在于，在步骤S1中具体包括：
于所述LED芯片上表面沿管芯中间的切割道切割出预设厚度的槽。
3.如权利要求1所述的切割及劈裂方法，其特征在于，在步骤S21中具体包括：
S211 将所述LED芯片放置在芯片劈裂机台上；
S212 沿LED芯片下表面中与步骤S1中切割出来的槽的相对位置处对LED芯片进行第一次劈裂。
4.如权利要求3所述的切割及劈裂方法，其特征在于，在步骤S22中具体包括：
于LED芯片下表面中步骤S212的劈裂位置对所述LED芯片进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。
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