CN107492516A - 基板输送装置和基板输送方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板输送装置和基板输送方法。抑制从基板的周缘部产生灰尘，并且防止对处理后的基板带来处理前的基板的不良影响。实施方式所涉及的基板输送装置具备第一支承部和第二支承部以及升降机构。第一支承部和第二支承部从基板的下方支承基板。升降机构使第二支承部在第一位置与第二位置之间升降，其中，该第一位置是比固定式的第一支承部的高度高的位置，该第二位置是比第一支承部的高度低的位置。

Description

基板输送装置和基板输送方法

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板输送装置和基板输送方法。

背景技术

以往，已知一种具备针对半导体晶圆、玻璃基板之类的基板进行规定的基板处理的多个处理部的基板处理装置。

关于该基板处理装置中的基板输送，提出了一种技术，该技术的目的在于以不对处理后的基板带来处理前的基板的不良影响的方式向处理部搬入基板以及从处理部搬出基板(例如参照专利文献1)。

关于该基板处理装置中的基板输送，提出了一种技术，将用于支承基板的垫以能够通过隔膜泵进行升降的方式设置并将多个该垫设为一组，设置多个该组并按组改变升降状态，由此使处理前的基板的支承位置与处理后的基板的支承位置不同(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2002-299405号公报

专利文献2：日本特开平08-107136号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的专利文献1的技术中，将基板倾斜地支承于具有多层的支承面的多个保持部之间，因此导致基板的周缘部与保持部接触，例如在周缘部存在膜等的情况下，有可能发生膜脱落等而从周缘部产生灰尘。

另外，在上述的专利文献2的技术中，即使利用隔膜泵进行流体的供排，也无法掌握垫实际上是否随之进行升降而处于所期望的升降状态。

实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够抑制从基板的周缘部产生灰尘并且能够防止对处理后的基板带来处理前的基板的不良影响的基板输送装置和基板输送方法。

实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够掌握为了支承基板而进行升降的构件的实际的升降状态的基板搬送装置和基板搬送方法。

用于解决问题的方案

第1实施方式的基板输送装置具备：用于保持基板的保持部的基部；支承部，其设置于所述基部，从所述基板的下方支承该基板；升降机构，其使所述支承部相对于所述基部升降；以及检测机构，其检测所述支承部的升降状态。

关于第2实施方式的基板输送装置，在第1实施方式的基板输送装置中，所述检测机构具有光学传感器，该光学传感器以能够形成沿水平方向的光轴的方式设置，以光学方式检测被检测物，所述保持部具备移动机构，该移动机构使所述支承部沿所述光轴进退。

关于第3实施方式的基板输送装置，在第2实施方式的基板输送装置中，还具备用于进行所述光学传感器的位置控制的控制部，所述控制部在使所述检测机构检测所述支承部的升降状态的情况下，进行所述光学传感器的位置控制，以使得所述光轴与所述支承部重叠。

关于第4实施方式的基板输送装置，在第3实施方式的基板输送装置中，所述控制部通过将所述光学传感器的位置控制与包括对所述移动机构的控制在内的所述保持部的动作控制进行组合，来使所述光轴与所述支承部重叠。

关于第5实施方式的基板输送装置，在第4实施方式的基板输送装置中，所述支承部设置有多个，所述控制部进行所述光学传感器的位置控制以及所述保持部的动作控制，以使得各个所述支承部分别与所述光轴重叠。

关于第6实施方式的基板输送装置，在第3、第4或第5实施方式的基板输送装置中，所述控制部通过利用所述光轴在所述支承部的厚度方向上进行扫描，来使所述检测机构检测所述支承部的升降状态。

关于第7实施方式的基板输送装置，在第3实施方式的基板输送装置中，所述检测机构被设置为用于检测所述基板在能够收纳所述基板的承载件内的收纳状态。

关于第8实施方式的基板输送装置，在第7实施方式的基板输送装置中，所述检测机构设置于所述承载件与所述保持部之间，所述光学传感器被设置为能够向所述承载件侧和所述保持部侧进行位置变更。

关于第9实施方式的基板输送装置，在第7或第8实施方式的基板输送装置中，在每次所述保持部进入所述承载件时，所述控制部使所述检测机构检测所述支承部的升降状态。

第10实施方式是一种基板输送装置中的基板输送方法，所述基板输送装置具备：用于保持基板的保持部的基部；支承部，其设置于所述基部，从所述基板的下方支承所述基板；升降机构，其使所述支承部相对于所述基部升降，所述基板输送方法包括检测所述支承部的升降状态的检测工序。

实施方式的另一个方式所涉及的基板输送装置具备第一支承部和第二支承部以及升降机构。第一支承部和第二支承部从基板的下方支承基板。升降机构使第二支承部在第一位置与第二位置之间升降，其中，所述第一位置是比固定式的第一支承部的高度高的位置，所述第二位置是比第一支承部的高度低的位置。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够抑制从基板的周缘部产生灰尘，并且能够防止对处理后的基板带来处理前的基板的不良影响。

根据实施方式的一个方式，能够掌握为了支承基板而进行升降的构件的实际的升降状态。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。

图2是表示处理单元的概要结构的图。

图3A是表示第一输送装置的结构的立体图。

图3B是表示第一输送装置的动作例的示意俯视图。

图3C是表示保持部的结构的俯视图。

图3D是沿图3C所示的A-A’线剖开的简要剖视图。

图3E是表示保持部保持晶圆的保持方法的示意图(之一)。

图3F是表示保持部保持晶圆的保持方法的示意图(之二)。

图3G是表示保持部保持晶圆的保持方法的示意图(之三)。

图4A是表示基板检测机构的结构的立体图。

图4B是检测承载件内的晶圆的收纳状态的情况的说明图。

图4C是检测升降垫的升降状态的情况的说明图(之一)。

图4D是检测升降垫的升降状态的情况的说明图(之二)。

图4E是检测升降垫的升降状态的情况的说明图(之三)。

图4F是检测升降垫的升降状态的情况的说明图(之四)。

图5是表示承载件～交接部之间的晶圆的输送处理的处理过程的流程图。

图6A是表示支承部的配置方式的变形例的俯视图(之一)。

图6B是表示支承部的配置方式的变形例的俯视图(之二)。

图6C是表示支承部的配置方式的变形例的俯视图(之三)。

图7A是表示第二输送装置的结构的俯视图。

图7B是使用第二输送装置估计第一输送装置的故障的情况的说明图(之一)。

图7C是使用第二输送装置估计第一输送装置的故障的情况的说明图(之二)。

图7D是使用第二输送装置估计第一输送装置的故障的情况的说明图(之三)。

图8是表示经由交接部在第一输送装置～第二输送装置之间输送晶圆的输送处理的处理过程的流程图。

图9是表示其它实施方式所涉及的第一输送装置的结构的立体图。

附图标记说明

C：承载件；CC：同心圆；CP：中心位置；RP：基准位置；W：晶圆；1：基板处理系统；2：搬入搬出站；3：处理站；4：控制装置；11：承载件载置部；12：输送部；13：基板输送装置；14：交接部；15：输送部；16：处理单元；17：基板输送装置；18：控制部；19：存储部；80：基板检测机构；81：光学传感器；81a：投光部；81b：受光部；82：支承臂；83：支承臂；84：支承轴；85：转动机构；86：升降机构；131：基台；132：保持部；132a：叉子；132b：移动机构；132c：支承部；132ca：固定垫；132cb：升降垫；132d：防偏移销；133_1～133_4：检测部；133a：投光部；133b：受光部；134：支承构件；135：摄像机；150：升降机构；171：基台；172：保持部；172a：叉子；172c：支承部；172d：吸附口；172e：配管；173_1～173_4：检测部；174：支承构件。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本申请所公开的基板输送装置和基板输送方法的实施方式。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。

图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。

如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。

搬入搬出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多个基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。

输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具备基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。

处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。

输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。

处理单元16用于对由基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。

另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。

此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。

在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板输送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。

在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。

接着，参照图2来说明处理单元16的概要结构。图2是表示处理单元16的概要结构的图。

如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。

腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。

基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31水平保持晶圆W。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部水平支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转而使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此使由保持部31保持着的晶圆W旋转。

处理流体供给部40用于对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70相连接。

回收杯50以包围保持部31的方式配置，以收集因保持部31的旋转而从晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，从该排液口51将由回收杯50收集到的处理液排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将从FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部。

<基板输送装置13的结构>

接着，参照图3A和图3B来说明本实施方式所涉及的基板输送装置13(相当于“第一输送装置”的一例)的结构。图3A是表示基板输送装置13的结构的立体图。图3B是表示基板输送装置13的动作例的示意俯视图。

如图3A所示，本实施方式所涉及的基板输送装置13具备基台131、保持部132、多个(在此为4个)检测部133_1～133_4以及支承构件134。

基台131能够进行沿着Y轴方向的移动以及绕Z轴的旋转。保持部132、检测部133_1～133_4以及支承构件134设置于基台131。

保持部132被设置为能够将多个晶圆W以多层的方式保持。具体地说，保持部132具备移动机构132b以及多个(在此为5个)叉子132a_1～132a_5，该移动机构132b使这些叉子132a_1～132a_5相对于基台131沿着X轴方向进退。

叉子132a_1～132a_5在Z轴方向上以多层的方式配置。保持部132能够将晶圆W保持在该叉子132a_1～132a_5中的各个叉子上来成批输送(在此，一次输送5个)晶圆W。此外，以下在统称叉子132a_1～132a_5时，简记为“叉子132a”。

叉子132a具有横向宽度比晶圆W的直径小的两叉形状。另外，叉子132a具有多个支承部132c。支承部132c是利用摩擦力从所载置的晶圆W的下方保持晶圆W的构件。通过使用图3C以后的说明来在后面记述支承部132c的详细内容。

检测部133_1～133_4在不同的位置分别检测由保持部132保持着的晶圆W的外缘。各检测部133_1～133_4各自具备投光部133a和受光部133b。

投光部133a和受光部133b配置于将在保持部132向X轴正方向后退之后的位置(以下称为“原始位置”)由保持部132保持着的晶圆W从上下夹在中间的位置。投光部133a被配置在保持部132的下方并安装于基台131。另外，受光部133b被配置在保持部132的上方，借助后述的支承构件134而被安装于基台131。

受光部133b是多个受光元件直线状地排列而成的传感器组。作为受光部133b，例如能够使用线性图像传感器。此外，在本实施方式中，受光部133b是线性图像传感器。

各受光部133b例如被配置为受光元件的排列方向沿着如下方向：保持部132处于原始位置并且晶圆W被正常地载置于该保持部132的情况下的、从晶圆W的中心呈辐射状延伸的方向。在此，晶圆W被正常地载置是指晶圆W被无偏移地保持在能够正常地交接晶圆W的位置、即“基准位置”的状态。

支承构件134以将受光部133b配置在保持部132的上方的方式支承受光部133b。此外，图3A所示的例子并不对支承构件134的形状进行限定。

另一方面，各投光部133a具备省略了图示的光源和透镜。光源照射散射光。透镜被配置在光源的上方，通过使从光源照射出的散射光发生折射，来向成对的受光部133b照射平行光。

而且，从投光部133a向受光部133b照射出的平行光的一部分被由保持部132保持着的晶圆W遮挡，从而在受光部133b中接收到来自投光部133a的平行光的受光元件的受光量与没有接收到来自投光部133a的平行光的受光元件的受光量之间产生差。检测部133_1～133_4基于该受光量的差来检测晶圆W的外缘，并将检测结果输出到控制部18。

例如图3B所示，在基板输送装置13使叉子132a进入承载件C而将晶圆W取出并使叉子132a后退至原始位置之后，进行所述晶圆W的外缘的检测(参照图中的箭头301、302)。接收到该检测的结果的控制部18能够计算晶圆W相对于基准位置RP及其中心位置CP的偏移量，例如根据所计算出的偏移量来校正保持部132的位置。

此外，虽然在图1中省略了图示，但是如图3B所示，在搬入搬出站2中，与各承载件C分别对应地设置有用于检测被收纳于承载件C的晶圆W的基板检测机构80。

基板检测机构80具备沿水平方向照射光的投光部81a以及接收由投光部81a照射出的光的受光部81b，且设置为能够在承载件C的搬入搬出口与基板输送装置13之间形成沿着Y轴的光轴axO。另外，基板检测机构80还能够使该光轴axO沿着X轴和Z轴移动。

基板检测机构80通过使该光轴axO例如进入承载件C并且使光轴axO被晶圆W遮挡，来以光学方式检测承载件C内的晶圆W的收纳状态。通过使用图4A以后的说明来在后面记述基板检测机构80的详细内容。

<保持部132的结构以及保持部132保持晶圆W的保持方法>

接着，参照图3C～图3G进一步详细地说明本实施方式所涉及的保持部132的结构以及保持部132保持晶圆W的保持方法。图3C是表示保持部132的结构的俯视图。另外，图3D是沿图3C所示的A-A’线剖开的简要剖视图。

另外，图3E～图3G是表示保持部132保持晶圆W的保持方法的示意图(之一)～(之三)。

如图3C所示，本实施方式所涉及的保持部132具备叉子132a、多个(在此为3个)支承部132c以及多个(在此为4个)防偏移销132d。此外，此处省略了移动机构132b。

叉子132a是相当于保持部132的基部的构件，由陶瓷等形成，如已经记述的那样具有两叉形状。支承部132c是通过载置晶圆W而从该晶圆W的下方利用摩擦力保持该晶圆W的构件。支承部132c例如分别被设置于叉子132a的两叉的一方、另一方以及两叉的基部。

另外，支承部132c分别具备固定式的固定垫132ca和升降式的升降垫132cb。固定垫132ca和升降垫132cb俯视时具有呈大致圆状的形状。固定垫132ca分别被设置在相比与固定垫132ca成对的升降垫132cb而言靠叉子132a的前端侧的位置。此外，作为固定垫132ca和升降垫132cb的材质，至少与晶圆W接触的接触面能够使用例如橡胶等。

另外，在基于上述的基准位置RP的中心位置CP虚拟地描绘的同心圆CC的圆周上等间隔地设置升降垫132cb。即，在图3C所示的例子中，3个升降垫132cb被设置在同心圆CC的圆周上的以120°进行等分后的位置。此外，固定垫132ca也可以配置与同心圆CC不同的、同一圆的圆周上。

防偏移销132d是用于防止晶圆W因输送中的离心力等而偏移允许量以上的量或掉落的构件，被配置在将晶圆W的偏移限制在规定的容许范围内的位置。因而，防偏移销132d被配置在与处于基准位置RP的晶圆W的周缘部之间隔开允许偏移的规定的间隙的位置，以从叉子132a向Z轴正方向突出的方式设置。

进一步详细地说明支承部132c和防偏移销132d。如图3D所示，固定垫132ca被设置为从叉子132a突出的突出部分具有高度a。

与此相对，升降垫132cb被设置为从叉子132a突出的突出部分能够在比高度a低的高度b’与比高度a高的高度b之间升降(参照图中的箭头303)。升降机构150使该升降垫132cb升降。此外，高度b的高度位置相当于“第一位置”的一例，高度b’的高度位置相当于“第二位置”的一例。

升降机构150例如被设置于叉子132a内部的升降垫132cb下方的位置，例如通过利用气压来使升降垫132cb升降。

在该利用气压的情况下，如图3D所示那样在叉子132a内部设置空气供给管153。空气供给管153与阀152连接，通过阀152的动作将来自空气供给源151的空气向升降机构150所具有的内部空间供给或从该内部空间排出。

升降机构150根据与因空气从该空气供给管153的供给或排出而引起的内压的变化使升降垫132cb升降。即，从空气供给管153供给气体而升降机构150的内部空间的内压上升，由此升降机构150使升降垫132cb上升，从空气供给管153排出空气而升降机构150的内部空间的内压下降，由此升降机构150使升降垫132cb下降。由控制部18控制这些动作。

此外，此处所说明的利用气压的例子只是一例，并不是对升降机构150的构造进行限定，例如也可以利用致动器等。

防偏移销132d被设置为从叉子132a突出的突出部分具有高度c，该高度c比升降垫132cb从叉子132a突出的高度b高。

在此，作为本实施方式的比较例，事先说明以往的晶圆W的保持方法的一例。以往，例如在叉子上设置多个多层的支承部，晶圆W被倾斜地保持在该多个支承部的不同的层之间。

另外，为了避免处理后的晶圆W由于受到处理前的晶圆W的不良影响例如微粒的转移而导致被再次污染，使处理前的晶圆W与处理后的晶圆W之间的倾斜的方向不同，使得晶圆W在处理前和处理后不接触支承部的同一部位。

然而，以往，由于晶圆W的周缘部接触到支承部，因此例如在晶圆W的周缘部形成有膜等的情况下，有可能由于膜脱落等而从晶圆W的周缘部产生微粒。

因此，在本实施方式中，首先，如图3E所示，在保持“处理前”的晶圆W时，使升降垫132cb下降至比高度a低的高度(例如高度b’)的位置(参照图中的箭头304)，只利用固定垫132ca来保持晶圆W(参照图中的闭曲线所包围的部分)。

另外，在本实施方式中，如图3F所示，在保持“处理后”的晶圆W时，使升降垫132cb上升至比高度a高的高度(例如高度b)的位置(参照图中的箭头305)，只利用升降垫132cb来保持晶圆W(参照图中的闭曲线所包围的部分)。

由此，晶圆W在处理前和处理后被支承部132c的不同的部位保持，因此能够防止处理后的晶圆W由于受到处理前的晶圆W的不良影响例如微粒的转移而导致被再次污染。

另外，即使假设晶圆W相对于基准位置RP发生了偏移，只要该偏移的量在允许范围内，晶圆W的周缘部接触防偏移销132d的可能性就低，因此能够抑制从晶圆W的周缘部产生微粒。

此外，即使假设晶圆W接触到防偏移销132d，也如图3G所示那样，晶圆W在“处理前”接触防偏移销132d的高度a处而在“处理后”接触防偏移销132d的比高度a高的高度b处，即晶圆W在“处理前”和“处理后”接触防偏移销132d的不同的高度处。

因而，例如能够防止原本附着于“处理前”的晶圆W的微粒经由防偏移销132d转移并附着于“处理后”的晶圆W而发生再次污染。

另外，即使假设从“处理前”的晶圆W转移到防偏移销132d的微粒掉落，由于重力作用也难以对在比高度a高的高度b处保持的“处理后”的晶圆W产生影响，因此也还是能够防止再次污染“处理后”的晶圆W。

<检测升降垫132cb的升降状态的情况>

另外，已经记述了基于由控制部18控制的升降机构150的动作来使升降垫132cb升降这一点，但是为了在处理前和处理后可靠地利用支承部132c的不同的部位保持晶圆W，优选的是，检测升降垫132cb实际是否处于基于控制部18的控制的期望的升降状态。

因此，在本实施方式中，利用上述的基板检测机构80(参照图3B)检测升降垫132cb的实际的升降状态，在处于期望的升降状态的情况下，利用支承部132c保持并输送晶圆W。

由此，能够防止以下情形：例如在由于升降机构150发生故障而升降垫132cb不处于期望的升降状态的情况下，导致在处理前和处理后由支承部132c的例如同一部位保持晶圆W，从而导致对处理后的晶圆W带来处理前的晶圆W的不良影响。

参照图4A～图4F进一步详细地说明使用该基板检测机构80来检测升降垫132cb的升降状态的情况。图4A是表示基板检测机构80的结构的立体图。

另外，图4B是检测承载件C内的晶圆W的收纳状态的情况的说明图。另外，图4C～图4F是检测升降垫132cb的升降状态的情况的说明图(之一)～(之四)。

如图4A所示，基板检测机构80具备光学传感器81、支承臂82、83、支承轴84、转动机构85以及升降机构86。光学传感器81具备上述的投光部81a和受光部81b。

支承臂82在前端部支承投光部81a，在基端部被支承轴84支承。支承臂83在前端部支承受光部81b，在基端部被支承轴84支承。

支承轴84将支承臂82、83平行地支承，以使得投光部81a和受光部81b能够形成沿着Y轴的光轴axO。另外，支承轴84被设置为能够相对于转动机构85绕水平轴线axH转动，通过进行转动来使光学传感器81绕水平轴线axH转动(参照图中的箭头401)。

转动机构85在内部具有例如由马达等构成的省略图示的驱动部，通过该驱动部使支承轴84绕水平轴线axH转动。

升降机构86例如被设置在相比承载件C的搬入搬出口而言靠Y轴负方向侧且不限制晶圆W的搬入搬出的位置，支承转动机构85。另外，升降机构86在内部具有例如由马达等构成的省略图示的驱动部，通过该驱动部使转动机构85沿着铅垂轴线axV升降。通过转动机构85的升降，光学传感器81沿着铅垂轴线axV升降(参照图中的箭头402)。此外，由控制部18进行基于转动机构85和升降机构86的动作的组合的光学传感器81的位置控制。

而且，如图4B所示，在检测承载件C内的晶圆W的收纳状态的情况下，控制部18进行光学传感器81的位置控制，以使得光学传感器81(投光部81a和受光部81b)能够进入承载件C内且进行基于光轴axO的扫描(参照图中的箭头401、402)。

此外，如图4B所示，承载件C是以沿着YZ平面的靠X轴正方向侧的端面为搬入搬出口而形成开口的箱体，在沿着XZ平面的内壁上以多层的方式设置有用于支承晶圆W的周缘部的成对的支承部Sp。晶圆W通过被这些支承部Sp支承而成为以水平姿势收纳在承载件C中的状态。

因而，控制部18以该承载件C内的例如各支承部Sp的高度位置为基准进行上述的光学传感器81的位置控制，基于光轴axO被遮挡的遮光结果来检测承载件C内的晶圆W的收纳状态。

晶圆W的收纳状态包含承载件C内的各层有无晶圆W、从承载件C的侧面观察到的晶圆W的外观上的厚度等。例如，在晶圆W不是以水平姿势被支承而是倾斜地被支承于支承部Sp的情况等下，上述的外观上的厚度变厚，因此控制部18能够基于该外观上的厚度的检测数据来判定晶圆W的收纳姿势。此外，图4B不是用于限定承载件C中的晶圆W的收纳个数的图。

另外，如图4C所示，在检测升降垫132cb的升降状态的情况下，控制部18进行光学传感器81的位置控制，以使得光学传感器81(投光部81a和受光部81b)能够向保持部132侧即X轴正方向侧转动来对升降垫132cb进行基于光轴axO的扫描(参照图中的箭头401、402)。

此外，此时，控制部18也可以将光学传感器81的位置控制与保持部132的例如Z轴方向和X轴方向的动作控制组合(参照图中的箭头403、404)。当然，也可以还组合Y轴方向的动作控制。

通过该位置控制和动作控制的组合，控制部18如图4D所示那样通过使光轴axO与各个升降垫132cb_1～132cb_3分别单独地交叠，来检测各个升降垫132cb_1～132cb_3的升降状态。

此外，在使光轴axO单独地交叠时，在如升降垫132cb_1、132cb_2那样例如在X轴上处于同一位置的情况下，也可以组合上述的基台131(参照图3A)的绕Z轴的旋转动作。

具体地说，通过如图4E所示那样使基台131绕Z轴旋转以使得叉子132a的中心轴相对于光轴axO偏斜并且使叉子132a例如前进(参照图中的箭头405)，能够使光轴axO与各个升降垫132cb_1、132cb_2分别单独地交叠。

此外，在图4E中，如虚线的闭曲线所包围的部分所示，示出使光轴axO与升降垫132cb_1交叠的例子。

通过这种光学传感器81的位置控制和保持部132的动作控制的组合，控制部18针对升降垫132cb的厚度方向利用光轴axO进行扫描，来检测升降垫132cb的升降状态。

具体地说，如图4F所示那样检测升降垫132cb是否正常地上升至高度b。

在该情况下，例如如果叉子132a的透光性低，则控制部18如果基于光学传感器81的检测结果检测出叉子132a的厚度尺寸加上高度b所得到的长度d的遮光部分，则判定为升降垫132cb正常地上升了。另外，如果遮光部分未达到长度d，则判定为升降垫132cb没有正常地上升。

另外，例如如果叉子132a的透光性高，则控制部18如果基于光学传感器81的检测结果检测出升降机构150的厚度尺寸加上高度b所得到的长度d’的遮光部分，则判定为升降垫132cb正常地上升了。另外，如果遮光部分未达到长度d’，则判定为升降垫132cb没有正常地上升。

此外，作为其它例子，例如也可以是，如果能够检测出升降垫132cb上升到至少比固定垫132ca的高度a(参照图3D等)高的位置，则视为升降垫132cb正常地上升了。即，只要基板检测机构80至少能够检测出升降垫132cb的外表面，就能够确认升降垫132cb的升降状态。

另外，目前为止说明了检测升降垫132cb是否正常地上升了的情况，但是关于升降垫132cb是否正常地下降了之类的期望的升降状态的检测，当然也能够使用同样的方法。

而且，如果升降垫132cb处于期望的升降状态，则控制部18利用基板输送装置13在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。另外，如果升降垫132cb不处于期望的升降状态，则例如中止基板输送装置13对晶圆W的输送。

这样，利用基板检测机构80检测升降垫132cb的实际的升降状态，在处于期望的升降状态的情况下，利用支承部132c保持并输送晶圆W，由此能够在处理前和处理后可靠地利用支承部132c的不同的部位保持晶圆W。即，能够防止对处理后的晶圆W带来处理前的晶圆W的不良影响。

此外，关于利用该基板检测机构80检测升降垫132cb的升降状态的定时，既可以在每次基板输送装置13进入承载件C时执行检测，也可以在每处理规定的处理个数的晶圆W时执行检测。另外，既可以在每次更换承载件C时执行检测，也可以只针对每天的开头的承载件C执行检测。另外，还可以在每经过规定的时间、天数时执行检测。

<承载件C～交接部14之间的晶圆W的输送过程>

接着，参照图5来说明控制部18控制基板输送装置13、基板检测机构80等来在承载件C与交接部14之间输送晶圆W的输送处理的处理过程。图5是表示承载件C～交接部14之间的晶圆W的输送处理的处理过程的流程图。此外，在此，在每次输送晶圆W时检测升降垫132cb的升降状态。

如图5所示，首先，控制部18基于预先规定了基板处理的处理顺序的制程信息等，来判定接下来的承载件C与交接部14之间的输送是否为输送处理后的晶圆W的情况(步骤S101)。

在此，如果是输送处理后的晶圆W的情况(步骤S101，是)，则控制部18使升降垫132cb上升(步骤S102)。另一方面，如果不是输送处理后的晶圆W的情况(是输送处理前的晶圆W的情况)(步骤S101，否)，则使升降垫132cb下降(步骤S103)。

接下来，控制部18利用基板检测机构80检测升降垫132cb的升降状态(步骤S104)。然后，控制部18基于检测结果来判定升降垫132cb的升降状态是否正常(步骤S105)。

在此，如果升降垫132cb的升降状态正常(步骤S105，是)，则控制部18在承载件C与交接部14之间输送晶圆W(步骤S106)。另一方面，如果升降垫132cb的升降状态不正常(步骤S105，否)，则控制部18中止晶圆W在承载件C与交接部14之间的输送(步骤S107)。

然后，控制部18判定是否已完成所有晶圆W的输送(步骤S108)，如果没有完成输送(步骤S108，否)，则重复进行从步骤S101起的处理，如果已完成输送(步骤S108，是)，则结束处理。

<支承部132c的配置方式的变形例>

另外，目前为止列举了如下情况为例，该情况是：3个升降垫132cb被设置在基于基准位置RP的中心位置CP虚拟地描绘的同心圆CC的圆周上的等间隔位置，换言之，被设置在同心圆CC的圆周上的以120°进行等分后的位置(参照图3C)。

根据该配置方式，至少针对处理后的晶圆W，能够以对基准位置RP而言均等的力分配来保持晶圆W，能够有助于无偏移地准确地输送晶圆W。然而，支承部132c的配置方式不限于此。

接着，参照图6A～图6C来说明该支承部132c的配置方式的变形例。图6A～图6C是表示支承部132c的配置方式的变形例的俯视图(之一)～(之三)。

关于支承部132c的配置方式，例如也可以如图6A所示那样，将固定垫132ca而不是升降垫132cb设置在基于中心位置CP虚拟地描绘的同心圆CC的圆周上的等间隔位置。在该情况下，至少针对处理前的晶圆W，能够以上述的对基准位置RP而言均等的力分配来保持晶圆W。

另外，例如也可以如图6B所示那样，固定垫132ca相对于升降垫132cb处于靠叉子132a的基端侧的位置。另外，也可以是，该固定垫132ca与升降垫132cb的配置关系在所有的支承部132c中不相同。另外，也可以如该图6B所示那样，例如不是所有的升降垫132cb(或固定垫132ca)都在同心圆CC的圆周上。

即，升降垫132cb或固定垫132ca不必一定相对于中心位置CP均等地配置，例如能够根据叉子132a的内部构造等的制约等适当地配置。

另外，支承部132c的数量不限定于3个，例如也可以如图6C所示那样，支承部132c为3个以上的4个。通过增加支承部132c的数量，能够增强作用于支承部132c与晶圆W的背面之间的摩擦力，因此能够有助于无偏移地准确地输送晶圆W。

另外，目前为止列举了固定垫132ca和升降垫132cb分别设置多个的情况为例，但是只要能够利用摩擦力从晶圆W的下方保持晶圆W即可，也可以各设置一个。在该情况下，例如固定垫132ca和升降垫132cb以直径比晶圆W的直径小的双环状同心配置。

<基板输送装置17的结构>

接着，参照图7A来说明本实施方式所涉及的基板输送装置17(相当于“第二输送装置”的一例)的结构。图7A是表示基板输送装置17的结构的俯视图。

如图7A所示，本实施方式所涉及的基板输送装置17具备基台171、多个(在此为2个)保持部172_1、172_2、多个(在此为4个)检测部173_1～173_4以及支承构件174。

基台171能够进行沿着X轴方向的移动以及绕Z轴的旋转。保持部172_1、172_2、检测部173_1～173_4以及支承构件174被设置于基台171。

保持部172_1、172_2在Z轴方向上配置为两层，被设置为各自能够保持一个晶圆W。另外，保持部172_1、172_2各自具备省略图示的移动机构，在图7A所示的例子中被设置为各自能够通过该移动机构沿着X轴方向独立地进退。

因而，例如能够进行如下的动作：利用保持部172_1保持处理前的晶圆W并将处理前的晶圆W从交接部14取出，并且利用保持部172_2保持处理后的晶圆W并使处理后的晶圆W返回到交接部14。

此外，保持部172_1、172_2是大致相同的结构，因此在图7A中对保持部172_2的各构件省略了一部分附图标记。另外，以下在统称保持部172_1、172_2的情况下，简记为“保持部172”。

保持部172具备叉子172a。叉子172a具有内径大于晶圆W的直径的弧状形状。另外，在叉子172a上设置多个(在此为4个)支承部172c。支承部172c被配置在弧状的叉子172a的内周，用于从晶圆W的下方保持晶圆W的周缘部。

另外，支承部172c各自具有吸附口172d。吸附口172d各自例如与形成在叉子172a的内部的配管172e连接。在本实施方式中，配管172e与省略图示的真空泵连接。

即，支承部172c是对所载置的晶圆W通过吸附来进行保持的构件。像这样通过吸附来保持晶圆W，能够对晶圆W的周缘部的水平位置进行定位。另外，与例如通过摩擦力保持晶圆W的基板输送装置13相比，能够无偏移地准确地输送晶圆W。在本实施方式中，通过真空泵来吸附晶圆W，但是也可以使用静电吸盘来吸附晶圆W。

检测部173_1～173_4在互不相同的位置检测由保持部172保持着的晶圆W的外缘。此外，检测部173_1～173_4与已经说明的基板输送装置13的检测部133_1～133_4对应，是与检测部133_1～133_4同样的结构，因此在此省略详细的说明。支承构件174与基板输送装置13的支承构件134对应，因此也同样省略说明。图7A中所示的基准位置RP及其中心位置CP也同样。

<使用基板输送装置17估计基板输送装置13的故障的情况>

另外，一般地，在装置中，有时成为结构要素的各机械零件因经年劣化等而发生故障。即使取基板处理系统1为例，例如也存在基板输送装置13、基板输送装置17、处理单元16的基板保持机构30等为了实现对晶圆W进行处理的各种功能而以各种形式设置有驱动机构的结构要素。

作为驱动机构的经年劣化，例如能够考虑可动部分或与可动部分接触的部分的变形或磨损、带的拉伸、与被保持物接触的支承部的变形或磨损、污染等，但是从预防因这些经年劣化而引起的故障发生的观点考虑，优选的是事先掌握包括经年劣化在内的故障的预兆。

因此，在本实施方式中，特别是关于基板输送装置13，在经由交接部14而与基板输送装置17之间交接晶圆W时，基于由基板输送装置17检测出的晶圆W的偏移量来估计基板输送装置13内存在的故障。

这是因为，如上述那样，在基板输送装置13中，通过摩擦力来保持输送中的晶圆W，因此故障的预兆、例如支承部132c的各垫132ca、132cb的磨损、污染等容易表现为在基板输送装置17中检测出的晶圆W相对于基准位置RP的偏移量。

此外，在基板输送装置17中，如上述那样通过吸附来保持晶圆W，相比于基板输送装置13能够更高精度地对晶圆W的水平位置进行定位，因此优选以基板输送装置17侧为基准来检测偏移量。

以下，参照图7B～图7D具体地说明使用该基板输送装置17估计基板输送装置13的故障的情况。图7B～图7D是使用基板输送装置17估计基板输送装置13的故障的情况的说明图(之一)～(之三)。

首先，在输送部12中，利用基板输送装置13从承载件C取出多个(在本实施方式中为5个)晶圆W，如图7B所示那样将多个晶圆W成批输送到交接部14(步骤S1)。此外，在交接部14中，成批输送的晶圆W被以多层的方式保持。

然后，在输送部15中，基板输送装置17进入交接部14，将晶圆W逐个地取出并向各处理单元16输送。此时，控制部18在每次基板输送装置17从交接部14取出一个晶圆W时，利用检测部173_1～173_4检测晶圆W的位置(步骤S2)。

然后，如图7C所示，控制部18基于检测部173_1～173_4的检测结果，来计算晶圆W相对于基准位置RP及其中心位置CP的偏移量(步骤S3)。然后，将由控制部18计算出的偏移量按时间序列存储于存储部19(步骤S4)。

然后，如图7D所示，控制部18基于存储部19中存储的偏移量的时序数据，如果在与时间轴对应的例如某“动作次数”中偏移量超过了规定的阈值，则估计为基板输送装置13发生了故障(步骤S5)，例如中止处理。此外，不限于超过规定的阈值的情况，也可以是，在根据过去的倾向判断为如果继续这样进行处理则可能超过该阈值的情况下，做出发生了故障这样的估计。例如，事先将过去每次估计为发生了故障的偏移量的时序数据存储为累积数据，控制部18根据该累积数据例如进行统计分析等，由此能够判定过去的倾向。

此外，优选的是，将偏移量的时序数据例如与交接部14中各保持有一个晶圆W的各层分别相关联地存储于存储部19。由此，控制部18能够掌握交接部14的各层、即与之对应的保持部132的各层的叉子132a_1～132a_5的每一个的偏移量的时序数据，因此能够易于确定故障位置(例如叉子132a_1～132a_5中的任一个)。另外，也可以是，事先存储基板输送装置13的叉子132a_1～132a_5对交接部14的各层的哪一层进行了输送，基板输送装置17在从交接部14取出晶圆W时，将偏移量的时序数据与所存储的信息(对交接部14的哪一层进行了输送)相关联。

另外，控制部18也可以将上述的规定的阈值设置为阶段性的，并且例如如果偏移量超过了警告水平的阈值，则对操作员发出催促进行清扫等维护作业的意思的通知。

<经由交接部14在基板输送装置13～基板输送装置17之间输送晶圆W的输送过程>

接着，参照图8来说明控制部18控制基板输送装置13、基板输送装置17等来经由交接部14输送晶圆W的输送处理的处理过程。图8是表示经由交接部14在基板输送装置13～基板输送装置17之间输送晶圆W的输送处理的处理过程的流程图。

如图8所示，首先，控制部18基于预先规定了基板处理的处理顺序的制程信息等，使基板输送装置13(第一输送装置)将晶圆W从承载件C成批输送到交接部14(步骤S201)。

接下来，通过控制部18的控制，基板输送装置17(第二输送装置)从交接部14将处理前的晶圆W逐个地取出(步骤S202)。然后，控制部18针对所取出的晶圆W，使检测部173_1～173_4检测晶圆位置(步骤S203)。

接下来，控制部18基于检测部173_1～173_4的检测结果，来计算从交接部14取出的晶圆W相对于基准位置RP的偏移量(步骤S204)。然后，控制部18将所计算出的偏移量按时间序列存储于存储部19(步骤S205)。

接下来，控制部18基于偏移量的时序数据来判定偏移量的变化是否在允许范围内、即是否没有超过上述的规定的阈值(步骤S206)。

在此，如果偏移量的变化在允许范围内(步骤S206，是)，则控制部18使基板输送装置17在与处理单元16之间输送晶圆W(步骤S207)。另外，通过控制部18的控制，基板输送装置17使在处理单元16中进行了处理的处理后的晶圆W返回到交接部14(步骤S208)。

然后，控制部18判定交接部14中是否还有处理前的晶圆W(步骤S209)，如果还有处理前的晶圆W(步骤S209，是)，则重复进行从步骤S202起的处理。

另一方面，如果交接部14中没有处理前的晶圆W(步骤S209，否)，则控制部18使基板输送装置13将晶圆W从交接部14成批输送到承载件C(步骤S210)，结束处理。

另外，如果在步骤S206中偏移量的变化不在允许范围内(步骤S206，否)，则控制部18使处理中止(步骤S211)，结束处理。

此外，虽然在图8中没有图示，但是关于偏移量的变化，如果在叉子132a_1～132a_5之间一部分叉子例如只有一个叉子示出与其它叉子不同的偏移量的变化，则控制部18能够估计为该一个叉子发生了(或者正在发生)某些故障。

另外，如果叉子132a_1～132a_5整体示出同样的偏移量的变化，则控制部18能够估计为叉子132a_1～132a_5以外的部件发生了(或者正在发生)某些故障。

即，控制部18基于保持部132的叉子132a_1～132a_5之间的偏移量的差异，来判定是叉子132a_1～132a_5中的某个叉子发生了故障还是叉子132a_1～132a_5以外的部件发生了故障。由此，能够将基板输送装置13的故障位置至少在叉子与叉子以外的部件之间进行区分。

然后，在故障位置为叉子的情况下，控制部18例如根据该故障位置的时序数据而估计为原因是各垫132ca、132cb的污染，能够对操作员通知各垫132ca、132cb的清洁时期。并且，控制部18例如能够根据考虑了过去的清洁次数等所得到的结果而估计为原因是各垫132ca、132cb的磨损，并对操作员通知各垫132ca、132cb的更换时期。

另外，在故障位置为叉子以外的部件的情况下，控制部18例如能够估计为原因是驱动机构的劣化，作为一例，对操作员通知构成驱动机构的直线运动引导件的润滑脂添加时期、传动带的更换时期等。

另外，目前为止说明了基于基板输送装置17的检测部173_1～173_4的检测结果来估计基板输送装置13的故障的情况，但是也可以使用基板输送装置13自身的检测部133_1～133_4来估计基板输送装置13的故障。

具体地说，在该情况下，控制部18分别基于检测部133_1～133_4的检测结果来计算从承载件C向交接部14输送之前与之后的偏移量以及从交接部14向承载件C输送之前与之后的偏移量，并将所计算出的偏移量作为时序数据存储于存储部19。然后，控制部18能够与使用基板输送装置17的检测部173_1～173_4的情况同样地，基于时序数据来判定偏移量的变化是否在允许范围内，并根据该判定的结果来对操作员通知例如各垫132ca、132cb的清洁时期、更换时期等。

如上述那样，实施方式所涉及的基板输送装置13具备固定垫132ca(相当于“第一支承部”的一例)、升降垫132cb(相当于“第二支承部”的一例)以及升降机构150。

固定垫132ca和升降垫132cb从晶圆W(相当于“基板”的一例)的下方支承晶圆W。

升降机构150使升降垫132cb在高度b(相当于“第一位置”的一例)与高度b’(相当于“第二位置”的一例)之间升降，该高度b比固定式的固定垫132ca的高度a高，该高度b’比固定垫132ca的高度a低。

因而，根据基板输送装置13，能够抑制从晶圆W的周缘部产生灰尘，并且能够防止对处理后的晶圆W带来处理前的晶圆W的不良影响。

如上述那样，实施方式所涉及的基板输送装置13具备叉子132a(相当于“基部”的一例)、升降垫132cb(相当于“支承部”的一例)、升降机构150以及基板检测机构80(相当于“检测机构”的一例)。

叉子132a是用于保持晶圆W(相当于“基板”的一例)的保持部132的基部。升降垫132cb设置于叉子132a，从晶圆W的下方支承晶圆W。

升降机构150使升降垫132cb相对于叉子132a升降。基板检测机构80检测升降垫132cb的升降状态。

因而，根据基板输送装置13，能够掌握为了支承晶圆W而进行升降的升降垫132cb的实际的升降状态。

<其它实施方式>

参照图9来说明其它实施方式。图9是表示其它实施方式所涉及的基板输送装置13的结构的立体图。如图9所示，作为其它实施方式，基板输送装置13例如能够具备设置于基台131的摄像机135。

在保持部132的叉子132a在基台131上进退并针对承载件C或交接部14搬入搬出晶圆W的期间、正在承载件C～交接部14之间输送晶圆W的期间内始终利用该摄像机135进行摄像，由此能够高效地进行发生故障时的原因研究等。

摄像机135优选被设置为其摄像范围例如包含叉子132a的进退方向(参照图中的箭头901)、叉子132a之间的空隙等。另外，在图9中图示了一台摄像机135，但是也可以设置多台摄像机135。

另外，也可以将该摄像机135的摄像图像用以检测升降垫132cb的升降状态。另外，不限于基板输送装置13，除了在基板输送装置17中设置摄像机135以外，还可以在由于经年劣化等发生的故障容易对系统整体带来影响的各装置、各机构中设置摄像机135。

另外，在上述的实施方式中，固定垫132ca和升降垫132cb的形状在俯视时呈大致圆状，但是不对形状进行限定。另外，固定垫132ca和升降垫132cb可以不是各一个为一组，个数也可以互不相同。

另外，在上述的实施方式中，对基板检测机构80的投光部81a与受光部81b的配置关系、检测部133_1～133_4的投光部133a与受光部133b的配置关系进行了说明，但是并不对配置关系进行限定。例如，投光部81a与受光部81b的配置位置也可以反过来。同样地，投光部133a与受光部133b的配置位置也可以反过来。

另外，它们不限于透射型，也可以构成为反射型。在反射型的情况下，投光部81a和受光部81b这两方、投光部133a和受光部133b这两方配置在同一侧即可。

另外，在上述的实施方式中，使用与承载件C对应地设置的基板检测机构80进行了升降垫132cb的升降状态的检测，但是并不对使用的检测设备、进行检测的场所限定。例如，也可以对交接部14设置检测机构，在此进行升降垫132cb的升降状态的检测。在该情况下，检测机构也可以不是光学传感器，具体地说，也可以是距离传感器、接近传感器等。另外，使设置有吸引机构的检测部接近升降垫132cb，通过吸引机构的压力变动也能够进行升降状态的检测。

本领域的技术人员能够容易地导出其它的效果、变形例。因此，本发明的更大范围的形态并不限定于以上那样表示和记述的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因而，在不脱离权利要求书和由其等同范围定义的概括性的发明的概念的精神或范围的情况下，能够进行各种变更。

Claims (11)

1.一种基板输送装置，其特征在于，具备：

第一支承部和第二支承部，所述第一支承部和所述第二支承部从基板的下方支承该基板；以及

升降机构，其使所述第二支承部在第一位置与第二位置之间升降，其中，所述第一位置是比固定式的所述第一支承部的高度高的位置，所述第二位置是比所述第一支承部的高度低的位置。

2.根据权利要求1所述的基板输送装置，其特征在于，

还具备防偏移构件，该防偏移构件具有比所述第一位置高的高度，被配置在将所述基板的偏移限制在规定的允许范围内的位置。

3.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，

还具备对所述升降机构进行控制的控制部，

在输送处理前的所述基板的情况下，所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部下降至所述第二位置，在输送处理后的所述基板的情况下，所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部上升至所述第一位置。

4.根据权利要求1、2或3所述的基板输送装置，其特征在于，

在基于被该第二支承部支承的所述基板的规定的基准位置的中心虚拟地描绘的同一同心圆的圆周上等间隔地设置多个所述第二支承部。

5.根据权利要求1、2或3所述的基板输送装置，其特征在于，

在基于被该第一支承部支承的所述基板的规定的基准位置的中心虚拟地描绘的同一同心圆的圆周上等间隔地设置多个所述第一支承部。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板输送装置，其特征在于，

关于所述第一支承部和所述第二支承部，

以一个所述第一支承部和一个所述第二支承部为一个组，至少设置三个所述组。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板输送装置，其特征在于，

所述第一支承部和所述第二支承部利用作用于所述基板与所述第一支承部和所述第二支承部相接触的接触面的摩擦力，来保持所述基板。

8.根据权利要求7所述的基板输送装置，其特征在于，

所述第一支承部和所述第二支承部至少所述接触面的材质是橡胶。

9.根据权利要求3所述的基板输送装置，其特征在于，

还具备对所述第二支承部的外表面进行检测的检测部。

10.根据权利要求9所述的基板输送装置，其特征在于，

所述控制部基于所述检测部的检测结果来判定所述第二支承部是否处于所期望的升降状态。

11.一种基板输送装置中的基板输送方法，其中，该基板输送装置具备：第一支承部和第二支承部，所述第一支承部和所述第二支承部从基板的下方支承该基板；以及升降机构，其使所述第二支承部在第一位置与第二位置之间升降，所述第一位置是比固定式的所述第一支承部的高度高的位置，所述第二位置是比所述第一支承部的高度低的位置，该基板输送方法的特征在于，

包括支承工序，在该支承工序中，在输送处理前的所述基板的情况下，由所述第一支承部支承所述基板，在输送处理后的所述基板的情况下，由所述第二支承部在所述第一位置支承所述基板。