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CN107425836A - 一种mosfet驱动器 - Google Patents

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CN107425836A
CN107425836A CN201710701296.3A CN201710701296A CN107425836A CN 107425836 A CN107425836 A CN 107425836A CN 201710701296 A CN201710701296 A CN 201710701296A CN 107425836 A CN107425836 A CN 107425836A
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CN
China
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operational amplifier
mosfet
semiconductor
oxide
poles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710701296.3A
Other languages
English (en)
Inventor
周志洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Paint Industry Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Paint Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Paint Industry Co Ltd filed Critical Shanghai Paint Industry Co Ltd
Priority to CN201710701296.3A priority Critical patent/CN107425836A/zh
Publication of CN107425836A publication Critical patent/CN107425836A/zh
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

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  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种MOSFET驱动器，包括运算放大器U1和运算放大器U2，所述运算放大器U1同相端连接1.5V电源，运算放大器U1反相端分别连接信号源V3和运算放大器U2同相端，运算放大器U2反相端连接1.5V电源，运算放大器U1输出端连接MOS管M1的G极，MOS管M1的D极连接12V电源，MOS管M1的S极连接MOS管M2的D极，MOS管M2的S极接地，MOS管M2的G极连接运算放大器U2的输出端。所述运算放大器U1和运算放大器U2均采用LM358。本发明MOSFET驱动器采用两个运算放大器构成比较器驱动MOSFET，成本低，驱动效果好。

Description

一种MOSFET驱动器
技术领域
本发明涉及一种驱动器，具体是一种MOSFET驱动器。
背景技术
MOSFET虽然是电压型器件，栅极电压达到一定的值，MOSFET就可以导通，但是由于器件本身的物理特性，MOSFET的栅极和源极之间会有寄生电容存在，所以当MOSFET用作高速开关电路时（如开关电源和电机驱动），栅极就需要很大的电流才能使MOSFET高速的导通和关断。这种情况下就需要用到MOSFET驱动。
发明内容
本发明的目的在于提供一种MOSFET驱动器，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种MOSFET驱动器，包括运算放大器U1和运算放大器U2，所述运算放大器U1同相端连接1.5V电源，运算放大器U1反相端分别连接信号源V3和运算放大器U2同相端，运算放大器U2反相端连接1.5V电源，运算放大器U1输出端连接MOS管M1的G极，MOS管M1的D极连接12V电源，MOS管M1的S极连接MOS管M2的D极，MOS管M2的S极接地，MOS管M2的G极连接运算放大器U2的输出端。
作为本发明再进一步的方案：所述运算放大器U1和运算放大器U2均采用LM358。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明MOSFET驱动器采用两个运算放大器构成比较器驱动MOSFET，成本低，驱动效果好。
附图说明
图1为MOSFET驱动器的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明实施例中，一种MOSFET驱动器，包括运算放大器U1和运算放大器U2，所述运算放大器U1同相端连接1.5V电源，运算放大器U1反相端分别连接信号源V3和运算放大器U2同相端，运算放大器U2反相端连接1.5V电源，运算放大器U1输出端连接MOS管M1的G极，MOS管M1的D极连接12V电源，MOS管M1的S极连接MOS管M2的D极，MOS管M2的S极接地，MOS管M2的G极连接运算放大器U2的输出端。所述运算放大器U1和运算放大器U2均采用LM358。
运算放大器U1和U2构成比较器。当“-”输入端电压高于“+”输入端时，比较器输出低电平，当“-”输入端电压低于“+”输入端时，比较器输出高电平。当V3电压高于1.5V时， 半桥驱动器输出低电平，当V3电压低于1.5V时， 半桥驱动器输出高电平。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (2)

1.一种MOSFET驱动器，包括运算放大器U1和运算放大器U2，其特征在于，所述运算放大器U1同相端连接1.5V电源，运算放大器U1反相端分别连接信号源V3和运算放大器U2同相端，运算放大器U2反相端连接1.5V电源，运算放大器U1输出端连接MOS管M1的G极，MOS管M1的D极连接12V电源，MOS管M1的S极连接MOS管M2的D极，MOS管M2的S极接地，MOS管M2的G极连接运算放大器U2的输出端。
2.根据权利要求1所述的MOSFET驱动器，其特征在于，所述运算放大器U1和运算放大器U2均采用LM358。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171201

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