CN107394056A - 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 - Google Patents
一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107394056A CN107394056A CN201710612643.5A CN201710612643A CN107394056A CN 107394056 A CN107394056 A CN 107394056A CN 201710612643 A CN201710612643 A CN 201710612643A CN 107394056 A CN107394056 A CN 107394056A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact layer
- electrode structure
- layer
- silicon substrate
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910008486 TiSix Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910007667 ZnOx Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 TaSixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺，电极结构由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，且所述电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。本发明所述的制备工艺，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻；所述电极宽度不大于20μm；所述硅基底中包含驱动电路。本所述的电极结构在侧壁上具有斜面和台阶，有效降低沉积源斜向溅射引起的阴影问题。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管制造技术领域，特别是一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺。
背景技术
目前的硅基发光器件电极结构为多层结构，如授权公告号为CN102629667B的中国发明专利记载的电极结构为Ti、TiN、Al、Ti、TiN五层结构，层数较多，工艺复杂，而且硅基刻蚀工艺做出来的电极侧壁为垂直结构，在后续的等离子溅射工艺中，由于是斜向溅射，垂直的凹槽极易产生阴影效应，造成薄膜不均匀甚至断裂失效，严重影响良率。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺，层数较少且电极侧壁为斜面，极大消除了垂直凹槽产生的阴影效应。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是如何简化硅基发光电极结构以及消除溅射过程中的阴影效应。
为实现上述目的，本发明提供了一种硅基发光器件电极结构，包括硅基底，由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述电极宽度不大于20μm；所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，且相邻电极间凹槽的宽深比不小于2：1，所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅，所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。
进一步地，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm，所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm。
进一步地，所述角度为20°～80°。
进一步地，所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽1-100nm；所述光反射层为大于等于1层的台阶状结构，下层比上层宽1-100nm。
进一步地，所述在电极表面覆盖有掺杂的空穴注入层，所述空穴注入层的厚度不小于30nm。
进一步地，在所述电极表面粗糙度不大于1nm，所述电极侧面粗糙度不大于3nm。
本发明还提供了一种硅基发光器件电极结构的制备工艺，包括以下步骤：依次沉积硅基接触层、光反射层和有机接触层在硅基底上，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻，使相邻电极间凹槽的宽深比不小于2：1；所述电极宽度不大于20μm；所述硅基底中包含驱动电路。
进一步地，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm，所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm。
进一步地，所述角度为20°～80°。
进一步地，所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽1-100nm；所述光反射层为大于等于1层的台阶状结构，下层比上层宽1-100nm。
进一步地，在所述电极表面粗糙度不大于1nm，所述电极侧面粗糙度不大于3nm。
本发明所述的电极结构采用Cr、Ti、Ta、Ni、ITO作为与硅基底接触的金属单质，实现了与硅基底良好的欧姆接触，克服由于晶格失配导致膜层出现“爆膜”或“脱膜”的不足。本发明所述的电极结构采用Al或Ag作为光反射层的材料，实现高反射率特性，使器件在同样电流密度下，具有更高的量子效率。本发明所述的电极结构采用ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物作为有机接触层的材料，优选的是Mo、ZrOx、VOx、MoOx，其位于有机材料层和光反射层之间，不会产生光的干涉，另外，TiNx、WNx、TaNx也起到改善平整度、提高功函数、提高器件稳定性且防止材料扩散。
本发明所述的电极结构由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，且所述电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。电极侧壁呈斜面的主要目的是消除离子斜向溅射时产生的阴影效应。
本发明所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，包括以下步骤：依次沉积硅基接触层、光反射层和有机接触层在所述硅基底上，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻。过刻的目的是切断硅基接触层，但是又不能过刻太多，过刻太多则会造成较小的宽深比，加剧阴影效应。
本发明所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，除了硅基接触层、光反射层和有机接触层组成三阶台阶，且硅基接触层台阶大于光反射层台阶，光反射层台阶大于有机接触层台阶，而且光反射层自身也由多层构成，内部也构成台阶，台阶加起来总高度为光反射层最大厚度500nm，台阶数量>＝1。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
附图说明
图1是本发明的一个较佳实施例的硅基发光器件电极结构剖面示意图；
图2是本发明的另一个较佳实施例的硅基发光器件电极结构剖面示意图(电极结构上覆盖有空穴注入层)。
具体实施方式
如图1所示，本发明的硅基发光器件电极结构，能显著提高了硅基发光器件的综合良率，简化生产工艺，降低成本。
本发明所述的硅基发光器件电极结构，由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述硅基底优选为单晶硅基底、带有P掺杂的单晶硅基底、带有N掺杂的单晶硅基底、绝缘体上硅(SOI)基底，厚度为300μm-750μm。所述硅基底也可采用GaAs、GaN、InP、SiC、ZnSe、蓝宝石作为衬底材料。电极结构的侧壁与硅基底呈角度，且电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。硅基接触层为Ti，光反射层为Al，有机接触层为Ti和TiN的混合物。硅基接触层的厚度为5～10nm，光反射层的厚度为130nm～150nm，有机接触层的厚度为5～30nm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度为20°～80°。所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽50～100nm；所述光反射层为2层的台阶状结构，下层比上层宽50～100nm。硅基底还包括驱动电路。进一步地，所述电极结构上铺设有机发光材料、共电极金属材料和封装材料。
在另一个实例中，所述硅基发光器件电极结构，由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述硅基底优选为单晶硅基底、带有P掺杂的单晶硅基底、带有N掺杂的单晶硅基底、绝缘体上硅(SOI)基底，厚度为450μm-750μm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度，且电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。光反射层为Al，有机接触层为Mo和MoOx的混合物。光反射层的厚度为180～200nm，有机接触层的厚度为10～30nm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度为25°～70°。所述硅基底、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽50nm。硅基底还包括驱动电路。进一步地，所述电极结构上铺设有机发光材料、共电极金属材料和封装材料。
在又一个实例中，所述硅基发光器件电极结构由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述硅基底优选为单晶硅基底、带有P掺杂的单晶硅基底、带有N掺杂的单晶硅基底、绝缘体上硅(SOI)基底，厚度为300μm-750μm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度，且电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。硅基接触层为Ta，光反射层为Al，有机接触层为Ta和TaN的混合物。硅基接触层的厚度为5nm，光反射层的厚度为150nm～180nm，有机接触层的厚度为50nm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度为20°～80°。所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽100～150nm。进一步地，所述电极结构上铺设有机发光材料、共电极金属材料和封装材料。
上述三个实例中，所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅，所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。
本发明还提供了一种硅基发光器件电极结构的制备工艺，包括以下步骤：依次沉积硅基接触层、光反射层和有机接触层在硅基底上，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后电极结构的侧壁与硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻。硅基接触层为Ti，光反射层为Al，有机接触层为Ti和TiN的混合物。硅基接触层的厚度为5～10nm，光反射层的厚度为130～150nm，有机接触层的厚度为5～30nm。电极结构的侧壁与硅基底呈角度为20°～80°。硅基底还包括驱动电路。所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽50～100nm；所述光反射层为2层的台阶状结构，下层比上层宽50～100nm。进一步地，所述电极结构上铺设有机发光材料、共电极金属材料和封装材料。
在本发明的另一个较佳实施例中，如图2所示，当电极表面和斜面的粗糙度小于1nm时，在本发明所述的电极结构上，覆盖一层掺杂的空穴注入层，厚度为30nm。当电极表面和斜面的粗糙度大于1nm时，在本发明所述的电极结构上，覆盖一层掺杂的空穴注入层，厚度为大于30nm。进一步地，在空穴注入层上，继续制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、共电极金属材料和封装材料。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种硅基发光器件电极结构，包括硅基底，其特征在于，由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述电极宽度不大于20μm；所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，且相邻电极间凹槽的宽深比不小于2：1，所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅，所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。
2.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构，其特征在于，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm，所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm。
3.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构，其特征在于，所述角度为20°～80°。
4.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构，其特征在于，所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽1-100nm；所述光反射层为大于等于1层的台阶状结构，下层比上层宽1-100nm。
5.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构，其特征在于，在所述电极表面粗糙度不大于1nm，所述电极侧面粗糙度不大于3nm。
6.一种硅基发光器件电极结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：依次沉积硅基接触层、光反射层和有机接触层在硅基底上，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻，使相邻电极间凹槽的宽深比不小于2：1；所述电极宽度不大于20μm；所述硅基底中包含驱动电路。
7.如权利要求6所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，其特征在于，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm，所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm。
8.如权利要求6所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，其特征在于，所述角度为20°～80°。
9.如权利要求6所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，其特征在于，所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状，下层比上层宽1-100nm；所述光反射层为大于等于1层的台阶状结构，下层比上层宽1-100nm。
10.如权利要求6所述的硅基发光器件电极结构的制备工艺，其特征在于，在所述电极表面粗糙度不大于1nm，所述电极侧面粗糙度不大于3nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710612643.5A CN107394056B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710612643.5A CN107394056B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107394056A true CN107394056A (zh) | 2017-11-24 |
| CN107394056B CN107394056B (zh) | 2019-04-30 |
Family
ID=60336961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710612643.5A Active CN107394056B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107394056B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110571358A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN113488604A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-08 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 一种微显示器及其制作方法 |
| US12189881B2 (en) | 2022-01-04 | 2025-01-07 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Touch display panel and display device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1575063A (zh) * | 2003-05-28 | 2005-02-02 | 索尼株式会社 | 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 |
| CN1708198A (zh) * | 2004-05-28 | 2005-12-14 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN101217185A (zh) * | 2007-01-04 | 2008-07-09 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光二极管显示装置和制造该装置的方法 |
| US20090140646A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
| US20120248465A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Jin-Baek Choi | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| CN106654071A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-05-10 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种有机电致发光器件的制作与封装方法 |
-
2017
- 2017-07-25 CN CN201710612643.5A patent/CN107394056B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1575063A (zh) * | 2003-05-28 | 2005-02-02 | 索尼株式会社 | 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 |
| CN1708198A (zh) * | 2004-05-28 | 2005-12-14 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN101217185A (zh) * | 2007-01-04 | 2008-07-09 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光二极管显示装置和制造该装置的方法 |
| US20090140646A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
| US20120248465A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Jin-Baek Choi | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| CN106654071A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-05-10 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种有机电致发光器件的制作与封装方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110571358A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN110571358B (zh) * | 2018-06-05 | 2022-07-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN113488604A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-08 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 一种微显示器及其制作方法 |
| CN113488604B (zh) * | 2021-07-12 | 2024-02-02 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 一种微显示器及其制作方法 |
| US12189881B2 (en) | 2022-01-04 | 2025-01-07 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Touch display panel and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107394056B (zh) | 2019-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100536184C (zh) | 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 | |
| TWI472062B (zh) | 半導體發光裝置及其製造方法 | |
| TWI431814B (zh) | 半導體發光元件 | |
| CN109545937B (zh) | 一种高亮度侧镀倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN102751410B (zh) | 具有阶梯式电流阻挡结构的led芯片及其制作方法 | |
| US20110079813A1 (en) | Vertical gallium nitride-based light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| CN108922950B (zh) | 一种高亮度倒装led芯片及其制作方法 | |
| TWI420698B (zh) | 半導體發光元件之製造方法 | |
| CN100364119C (zh) | 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 | |
| CN107863434A (zh) | 一种具有绝缘保护结构的高亮倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN108172673B (zh) | 用于led倒装芯片的分布式布拉格反射镜图形的制作方法和结构 | |
| CN205488195U (zh) | 一种半导体发光元件 | |
| CN107658372A (zh) | 深刻蚀切割道倒装led芯片及制备方法、led显示装置 | |
| CN107394056A (zh) | 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺 | |
| CN106848006A (zh) | 倒装led芯片及其制备方法 | |
| CN100442549C (zh) | 氮化镓基ⅲ-v族化合物半导体发光器件及其制造方法 | |
| CN101859859A (zh) | 高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| TW201314956A (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
| KR102402480B1 (ko) | 투명 도전층 및 그 제조방법, 발광 다이오드 | |
| CN115020560A (zh) | 发光二极管 | |
| CN222051802U (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN105514226A (zh) | 一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法 | |
| CN205542858U (zh) | 一种具有电流阻挡层的发光二极管 | |
| CN209544384U (zh) | 一种低漏电率led芯片 | |
| CN102903817B (zh) | 具有反射电极的发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201117 Address after: No.18 Meilin street, Jiangning District, Nanjing City, Jiangsu Province (Jiangning Development Zone) Patentee after: Nanjing Yunguang Technology Co., Ltd Address before: 210006, 16, morning glory road, Qinhuai District, Jiangsu, Nanjing Patentee before: NANJING MAIZHI XINWEI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |