CN107378232A - 一种激光加工晶圆的方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种激光加工晶圆的方法及系统，所述方法包括：获取激光光束的实时激光信息；接收激光光束的预设激光信息，并根据所述实时激光信息与预设激光信息得出激光光束的第一调整参数；根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。本发明能够通过对激光光束的实时激光信息和预设激光信息进行分析对比计算得出激光光束的第一调整参数，进而实现对激光光束实时检测和实时调整，并通过相控型硅基液晶对激光光束实现高精度的微调整，进而使所述方法在达到提高激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用的同时，减小所述系统的体积，适用于生产推广。

Description

一种激光加工晶圆的方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及系统。

背景技术

近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO₂层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、Novellus System的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。

Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO₂，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，是用来对晶圆划片以及解决上述问题的有力方案。据了解，苹果公司已经强制要求供应商提供的晶圆必须采用激光切割Low-K材料的工艺(即：Laser Grooving工艺)，这使得封测厂对此类工艺技术及设备的需求大为提升。严格地说，激光束不是“切割”Low-K材料，而是依靠激光能量产生的高温融化金属层及层间介质层，这样的激光切割产生械应力很小，因而不会发生分层或剥离等问题。另外，滨松光子学株式会社还发明了“隐形切割”的技术，这种技术是利用对晶圆具有透射性波长的激光聚焦在晶圆内部形成改质层，再借助外力使晶圆沿着改质层裂开为单独的芯片。利用隐形切割技术，可以避免在划片过程中产生碎屑对芯片功能区造成污染，但是当晶圆上面覆盖有隔离层或其它功能层时，这将会影响激光的透过，从而影响改质层的形成。因此，在使用隐形切割时，也应首先使用激光去除晶圆上表面Low-K层等材料。

但是，由于实现会聚激光光线的聚光元件所会聚的聚光光斑的聚光点位置是由聚光器的设计值确定的，然而在无法高精度维持聚光元件与被加工物保持构件的间隔的情况下，存在无法将聚光光斑正确定位于在加工物保持构件保持的被加工物的问题。

发明内容

本发明提供的激光加工晶圆的方法及系统能够通过对激光光束的实时激光信息和预设激光信息进行分析对比计算得出激光光束的第一调整参数，进而实现对激光光束实时检测和实时调整，并通过相控型硅基液晶对激光光束实现高精度的微调整，在达到提高激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用的同时，减小所述系统的体积，适用于生产推广。

第一方面，本发明提供一种激光加工晶圆的方法，包括：

获取激光光束的实时激光信息；

接收激光光束的预设激光参数信息，并根据所述实时激光信息与预设信息得出激光光束的第一调整参数；

根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

可选地，所述激光信息包括激光光束的波前振幅/相位、发散角、激光照射方位角、光束能量分布、激光光斑形状、激光焦点位置和激光光斑中一种或者任意组合。

可选地，所述方法还包括：

获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数；

根据所述第一调整参数和第二调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

可选地，当所述实时激光信息为激光光束的激光焦点位置时，包括：

获取所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置信息；

根据所述位置信息与厚度信息确定激光光束的发散角；

根据所述发散角控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，用以改变所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置。

可选地，所述方法还包括：

获取凹槽的槽形信息；

根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数；

根据所述第一和第三调整参数，或第一、第二和第三调整参数第一控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

可选地，所述方法还包括：

获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数；

根据所述第一和第四调整参数，或第一、第二和第四调整参数，或第一、第二、第三和第四调整参数，或第一、第三和第四调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

第二方面，本发明提供一种激光加工晶圆的系统，包括：

激光器，用于发射激光光束；

扩束准直元件，用于将所述激光光束扩束、准直，形成平行光束；

第一分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入第一检测组件、相控型硅基液晶或激光加工单元；

第一检测组件，获取激光光束的实时激光信息；

第一控制单元，用于接收激光光束的预设激光参数信息，并根据所述实时激光信息与预设信息得出激光光束的第一调整参数；

相控型硅基液晶，用于根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制；

激光加工单元，用于通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

可选地，所述第一检测组件包括：

第一光探测器件，用于获取激光光束的实时激光信息；

第一透镜组件，用于将激光子光束聚焦发射至第一光探测器件。

可选地，所述系统还包括：

厚度检测单元，用于获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

第二分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入晶圆上表面Low-K层和第一分束器；

第二控制单元，用于根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数。

可选地，所述系统还包括：

第二检测组件，用于获取凹槽的槽形信息；

第三控制单元，用于根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数。

可选地，所述第二检测组件包括：

监测光源，用于对凹槽的槽形进行监测；

第二光探测器件，用于获取凹槽的槽形信息并将凹槽进行成像；

第二透镜组件，用于将激光子光束聚焦发射至第二光探测器件。

可选地，所述激光加工单元包括：

聚焦元件阵列，用于将所述平行光束进行聚焦处理并发射到所述晶圆上以使激光加工晶圆上表面；

晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽；

位移检测装置，用于获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

第四控制单元，用于根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数。

本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法及系统能够解激光加工晶圆的过程中，由于元器件、晶圆移动误差以及晶圆上表面均匀度等问题导致激光光束在实时变化，无法持续维持激光光束的高精度加工，进而导致采用设定的激光光束加工晶圆无法达到高精度的问题，本发明实施例中主要是实时采集激光光束的信息进行微调整，使得所述激光光束能够高精度的加工晶圆上表面，避免由于激光光束实时变化过大对晶圆有效区域的损伤。本实施例通过对激光光束的实时激光信息和预设激光信息进行分析对比计算获取激光光束的第一调整参数，进而根据所述第一调整参数对激光光束进行调整使其达到高精度加工标准，并且还能达到提高激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。

附图说明

图1为本发明一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；

图2为本发明另一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；

图3为本发明一实施例激光加工晶圆的系统的结构示意图；

图4为本发明一实施例相位补偿后LCOS相位分布示意图；

图5为本发明一实施例周期电压所形成的光栅相位轮廓示意图；

图6为本发明一实施例光栅常数与一级光的衍射效率关系示意图；

图7为本发明一实施例衍射角度与光栅常数的关系示意图；

图8为本发明一实施例两个不同周期的激光耦合效率归一化结果示意图；

图9为本发明一实施例单周期激光耦合效率归一化结果示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种激光加工晶圆的方法，如图1所示，所述方法包括：

S11、获取激光光束的实时激光信息；

S12、接收激光光束的预设激光参数信息，并根据所述实时激光信息与预设信息得出激光光束的第一调整参数；

S13、根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法能够解激光加工晶圆的过程中，由于元器件、晶圆移动误差以及晶圆上表面均匀度等问题导致激光光束在实时变化，无法持续维持激光光束的高精度加工，进而导致采用设定的激光光束加工晶圆无法达到高精度的问题，本发明实施例中主要是实时采集激光光束的信息进行微调整，使得所述激光光束能够高精度的加工晶圆上表面，避免由于激光光束实时变化过大对晶圆有效区域的损伤。本实施例通过对激光光束的实时激光信息和预设激光信息进行分析对比计算获取激光光束的第一调整参数，进而根据所述第一调整参数对激光光束进行调整使其达到高精度加工标准，并且还能达到提高激光加工的精度和分离晶圆的均匀性作用。

由于对激光光束的调整是属于微调整需要高精度的元器件对激光光束进行微调整，因此，为了进一步的保证调整的准确性和精确性，本实施例采用相控型硅基液晶对激光光束进行调制达到微调整功能。如图4所示，本实施例中所使用的相控型硅基液晶选为相位补偿后的相控型硅基液晶。LCOS显示器是一种“夹心结构”——包含CMOS工艺的硅基底片和镀有ITO膜的玻璃片“夹”(封装)一层液晶材料。通过把视频转换电路、行扫描驱动电路和像素矩阵制作在硅基底上，而ITO膜用作公共电极，通过不同强度的电信号驱动液晶材料的翻转，对入射光产生相位延迟的作用，实现出射光的光强再分布。具体地，通过加载相位全息信息图，调整LCOS每个像素的电信号大小对入射光进行相位延迟的处理，最终实现反射光的光强、分束、整形等一系列电磁波传输的形式。由于器件的制作工艺复杂，因此导致了LCOS普遍存在着光学响应均一性不足的问题，这严重影响了光束控制的精度和光衍射效率。因此，如图4所示，本实施例中所选用的LCOS为相位补偿优化后器件，即通过对“液晶层空间分布的不均匀性”分析确定光控系统精度和光衍射效率的影响；再通过光学补偿方法提高器件液晶层“空间相位变化”的均一性，最终实现光控系统的精度和光衍射效率的优化。

同时，本实施例中由于平面光栅衍射的零级主极大占据了总能量的很大一部分，但是用于光谱分析的高级次主极大所包含的能量又太小，因此衍射效率很低。闪耀光栅通过控制刻槽的形状，使刻槽面与光栅面不平行而产生附加相位，这样单个刻槽面(相当于单缝)衍射的中央极大与各槽面间(缝间)干涉主极大被分开，衍射的零级能量被转移到其他某一级上去。而二元光学闪耀光栅基于二元光学，二元光学是一种衍射光学元件。一般的棱镜、透镜等利用的是光的反射、折射原理，而二元光学利用的是衍射原理，是利用超大规模集成电路的制作工艺制作出来的一类光学元件。对于二元闪耀光栅的情况。在光栅电极阵列上加适当的周期性电压，使整个液晶光栅形成如图5所示相位轮廓，每个阶梯的宽度为d，此即闪耀光栅的光栅常数，每个阶梯内台阶的个数为N，宽度为d′，即光栅阵列电极的周期，有N·d′＝d，整个光栅的单元个数为m，此液晶位相光栅模型等效于二元闪耀光栅模型。

同时，设液晶位相光栅相邻电极产生的相位差为φ，当单位强度的光入射时，一个周期的透射率函数为：

一个周期衍射的复振幅分布为：

其中u＝sinθ/λ,则整个液晶光栅的复振幅透射函数为

带入光栅方程：dsinθ＝mλ，m＝0，±1，±2……

化简为：

则，+1级衍射光谱强度分布为：

如图6所示，衍射效率是液晶闪耀光栅一个重要的性能指标，假设液晶闪耀光栅电极阵列周期8μm，利用上式计算得出光栅常数与一级光的衍射效率关系。

由上图可见，当光栅常数为80μm时，一级光的衍射效率即可超过90％，但由于液晶盒本身对入射光的反射与吸收，电极间距产生的液晶相位凹陷以及液晶回程区对相位轮廓的影响等，实际液晶闪耀光栅的衍射效率与理论值仍有很大差距。液晶闪耀光栅的偏转角可以由光栅方程dsin θ＝mλ确定。对于一定波长λ的入射光，偏转角θ随光栅常数d变化的关系如图7所示。

如图8所示，在E位置时不同周期闪耀光栅加载后，并得出光纤耦合能量的归一化结果，所述归一化结果随着周期的变大，+1级衍射光逐渐靠近参考位置，并于单周期60个像素开始耦合进入光纤。如图9所示，为单周期包含170个像素至180个像素的闪耀光栅加载后，得出光纤耦合能量的归一化结果。因此，通过曲线拟合得到，闪耀光栅的平均控制精度可以实现1.0E-05至1.0E-4。且当周期包含的像素越大时，LCOS的控制精度越高。

综上所述，所述相控型硅基液晶的精度远远大于所述激光光束微调整的精度，因此，本实施例中所述方法一方面能够利用所述相控型硅基液晶避免在对激光光束调制达到微调整过程中，精度较低，导致经微调整后的激光光束更加偏离预设激光参数，同时，所述相控型硅基液晶体积小、检测精度高适用于生产推广；另一方面，本实施例中通过对激光光束进行实时检测并实时调整，提高了所述方法的工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。

可选地，如图2所示，所述激光信息包括激光光束的波前振幅/相位、发散角、激光照射方位角、光束能量分布、激光光斑形状、激光焦点位置和激光光斑中一种或者任意组合。

可选地，所述方法还包括：

获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数；

根据所述第一调整参数和第二调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

具体的，本实施例中由于晶圆上表面Low-K层的厚度不均匀，因此，采用同一激光参数的激光光束对不同厚度的晶圆上表面Low-K层进行加工，将导致激光光束加工时作用在晶圆上表面Low-K层出现过高或过低的情况，进而降低了激光光束加工晶圆上表面的Low-K层的质量。本实施例为了避免由于所述晶圆上表面Low-K层的厚度降低激光加工精度问题，通过实时采集所述晶圆上表面Low-K层的厚度信息，并根据所述厚度信息实时调整所述激光光束的激光参数，使得不同厚度的晶圆上表面Low-K层能够采用最佳的激光光束进行加工。例如，当激光焦点出现像散或畸变时，本实施例对激光光束的波前振幅/相位进行微调整可采用如下步骤：

根据厚度信息确定所述波前振幅/相位；

控制相控型硅基液晶按所述波前振幅/相位调制激光光束。

进一步的，本实施例中所述获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息包括：

向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；

获取检测光束的反射光；

根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的厚度信息。

可选地，当所述实时激光信息为激光光束的激光焦点位置时，包括：

获取所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置信息；

根据所述位置信息与厚度信息确定激光光束的发散角；

根据所述发散角控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，用以改变所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置。

具体的，本实施例中还可通过与聚焦元件的配合改变激光光束的激光焦点在晶圆上表面Low-K层的深度方向上的位置，例如，需要将激光焦点调高5-30μm时，可将聚焦元件调高相应提高。

可选地，所述方法还包括：

获取凹槽的槽形信息；

根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数；

根据所述第一和第三调整参数，或第一、第二和第三调整参数第一控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

具体的，本实施例中所述方法为了能够进一步提高所述晶圆加工的良品率，因此，使用激光光束在所述晶圆上表面Low-K层上目标位置加工出可定制形沟槽结构，进而激光加工晶圆能够达到更好的工艺效果。例如，当使用的激光光束具有“H”形拓扑图案分布的激光光斑组合对晶圆上表面Low-K层加工且加工出的凹槽的槽形为“V”形时，则将所述激光光斑的拓扑图案分布调整为“工”形，使得所述凹槽的槽底更加的平坦，进而提高所述激光加工的精度。

可选地，所述方法还包括：

获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数；

根据所述第一和第四调整参数，或第一、第二和第四调整参数，或第一、第二、第三和第四调整参数，或第一、第三和第四调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

本实施例中所述方法能够分别对作为检测因子的实时激光信息、晶圆上表面Low-K层的厚度信息、凹槽的槽形信息和晶圆的实时位置信息进行检测，并分别获得第一、第二、第三和第三调整参数，然后通过对第一、第二、第三和第三调整参数通过算法进行计算获得最佳的调整参数值，进而实现对激光光束的调制。本实施例中通过多检测因子对应获取多个调整参数，再通过检测因子的影响系数确定最佳的调整参数值。一方面，避免单一检测因子对激光光束的各激光参数影响不均，导致无法获取最佳的激光参数组合；另一方面，还可通过各个检测因子配合，提高所述激光加工的精度，提高所述激光加工的工艺效果。

本发明实施例还提供一种激光加工晶圆的系统，如图3所示，所述系统包括：

激光器1，用于发射激光光束；

扩束准直元件，用于将所述激光光束扩束、准直，形成平行光束；

第一分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入第一检测组件、相控型硅基液晶或激光加工单元；

第一检测组件，获取激光光束的实时激光信息；

第一控制单元，用于接收激光光束的预设激光参数信息，并根据所述实时激光信息与预设信息得出激光光束的第一调整参数；

相控型硅基液晶，用于根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制；

激光加工单元，用于通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

可选地，所述第一检测组件包括：

第一光探测器件13，用于获取激光光束的实时激光信息；

第一透镜组件12，用于将激光子光束聚焦发射至第一光探测器件。

可选地，所述系统还包括：

厚度检测单元22，用于获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

第二分束器21，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入晶圆上表面Low-K层和第一分束器5；

第二控制单元，用于根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数。

可选地，所述系统还包括：

第二检测组件，用于获取凹槽的槽形信息；

第三控制单元，用于根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数。

可选地，所述第二检测组件包括：

监测光源17，用于对凹槽的槽形进行监测；

第二光探测器件20，用于获取凹槽的槽形信息并将凹槽进行成像；

第二透镜组件19，用于将激光子光束聚焦发射至第二光探测器件。

可选地，所述激光加工单元包括：

聚焦元件阵列7，用于将所述平行光束进行聚焦处理并发射到所述晶圆上以使激光加工晶圆上表面；

晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽；其中，所述晶圆加工平台包括晶圆夹持平台9、三轴位移装置10，所述晶圆夹持平台9与三轴位移装置10连接，并由三轴位移装置10带动晶圆夹持平台9移动；

位移检测装置16，用于获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

第四控制单元，用于根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数；

温度检测装置，设置于所述相控型硅基液晶四周并与控制器15连接，用以检测空间光调制器的环境温度，提高相控型硅基液晶的调制精度。

所述控制器15包括第一控制单元、第二控制单元、第三控制单元和第四控制单元。

综上所述，本发明实施例提供的激光加工晶圆的系统包括光纤准直器2、起偏器3、扩束准直元件4对激光器1发出的激光光束进行前期处理形成平行光束，然后由第二分束器21将平行光束分为检测光束和加工光束，并将所述检测光束发射至晶圆上表面Low-K层，然后反射至厚度检测单元22；将所述加工光束发射至第一分束器5并将加工光束分为至少两子光束，第一子光束经过相控型硅基液晶6微调后射入聚焦元件7、光阑8进而对晶圆上表面进行加工；第二子光束射入第三分束器11并分为第三子光束和第四子光束，并将第三子光束射入第一透镜组件12、第一光探测器件13进行光强分布、焦点位置的检测；通过监测光源17射入第四分束器18实现对槽型的监测并避免激光灌输对光探测器件的影响，并将第四子光束依次射入第四分束器18、第二透镜组件19、第二光探测器件20或成像装置20实现对激光光斑的成像功能。

本实施例的装置，可以用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：

获取激光光束的实时激光信息；

接收激光光束的预设激光信息，并根据所述实时激光信息与预设激光信息得出激光光束的第一调整参数；

根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光信息包括激光光束的波前振幅/相位、发散角、激光照射方位角、光束能量分布、激光光斑形状、激光焦点位置和激光光斑中一种或者任意组合。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数；

根据所述第一调整参数和第二调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述实时激光信息为激光光束的激光焦点位置时，包括：

获取所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置信息；

根据所述位置信息与厚度信息确定激光光束的发散角；

根据所述发散角控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，用以改变所述激光焦点在晶圆上表面深度方向上的位置。

5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取凹槽的槽形信息；

根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数；

根据所述第一和第三调整参数，或第一、第二和第三调整参数第一控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数；

根据所述第一和第四调整参数，或第一、第二和第四调整参数，或第一、第二、第三和第四调整参数，或第一、第三和第四调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，并通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

7.一种激光加工晶圆的系统，其特征在于，包括：

激光器，用于发射激光光束；

扩束准直元件，用于将所述激光光束扩束、准直，形成平行光束；

第一分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入第一检测组件、相控型硅基液晶或激光加工单元；

第一检测组件，获取激光光束的实时激光信息；

第一控制单元，用于接收激光光束的预设激光参数信息，并根据所述实时激光信息与预设信息得出激光光束的第一调整参数；

相控型硅基液晶，用于根据所述第一调整参数控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制；

激光加工单元，用于通过改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第一检测组件包括：

第一光探测器件，用于获取激光光束的实时激光信息；

第一透镜组件，用于将激光子光束聚焦发射至第一光探测器件。

9.根据权利要求7或8所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：

厚度检测单元，用于获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；

第二分束器，用于将平行光束分为至少两束，并分别射入晶圆上表面Low-K层和第一分束器；

第二控制单元，用于根据厚度信息和实时激光信息，得出激光光束的第二调整参数。

10.根据权利要求7-9任一所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：

第二检测组件，用于获取凹槽的槽形信息；

第三控制单元，用于根据所述槽形信息得出激光光束的第三调整参数。

11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，所述第二检测组件包括：

监测光源，用于对凹槽的槽形进行监测；

第二光探测器件，用于获取凹槽的槽形信息并将凹槽进行成像；

第二透镜组件，用于将激光子光束聚焦发射至第二光探测器件。

12.根据权利要求7-11任一所述的系统，其特征在于，所述激光加工单元包括：

聚焦元件阵列，用于将所述平行光束进行聚焦处理并发射到所述晶圆上以使激光加工晶圆上表面；

晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并改变所述激光光束与晶圆上表面的相对位置以在晶圆上表面形成凹槽；

位移检测装置，用于获取晶圆的实时位置信息和目标位置信息，并得出激光偏移量；

第四控制单元，用于根据激光偏移量得出激光光束的第四调整参数。