CN107346800A - Led封装结构的制造方法及该led封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种LED封装结构的制造方法及该LED封装结构，该制造方法包含下列步骤：a)提供一导电框架，其具有多个金属区及多个联系区，且至少一部分的多个金属区是与多个联系区连接；b)于导电框架上填充一树脂部以形成一模塑体；c)借由一预切步骤切断模塑体上的多个联系区；以及d)借由一分离步骤将模塑体切割为多个LED封装结构。其中，多个联系区是设置于模塑体的一底面，且预切步骤是施加于模塑体的底面。

Description

LED封装结构的制造方法及该LED封装结构

技术领域

本发明是关于一种封装结构的制造方法及该封装结构，特别是关于一种LED封装结构的制造方法及该LED封装结构。

背景技术

于已知LED封装结构的制造方法中，借由传递模塑(Transfer molding)所形成的封装体通常于金属框架上透过具有凹穴的模具模塑树脂部后，便会直接以切割的方式同时切割该金属框架及该树脂部。

因此，借由上述方式所形成的封装体将具有“在封装体的底部露出电极部”的特征，且有部分的金属部将会与电极部连接并亦显露于封装体的侧表面上并与树脂部齐平。

如此一来，在后续加工形成发光装置后，当于回焊过程中进行焊接时，露出于侧表面的金属部将不会被焊料所包覆。该露出的金属部将会因外在环境的影响，例如金属氧化、工作环境的粉尘沾覆等，进而影响LED封装结构的电性特性，导致LED封装结构失效。

此外，因LED封装结构的尺寸朝向缩小化，因此可能会造成露出于侧表面的不同金属部的间距较小，因此当LED封装结构与外部印刷电路板进行连接时，可能因爬锡的结果而导致短路。同时，因LED芯片的功率不断增高，因此已知技术中，会将电极与固晶区设置于同一位置，因此芯片所散发的热能可能会导致导电的效果降低，或者是造成热应力而使芯片与电极的打线区脱离。

有鉴于此，如何提供一种LED封装结构的制造方法及该LED封装结构以克服上述问题，乃为业界所迫切需求者。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种LED封装结构的制造方法及该LED封装结构，其所具有的多个联系区，该联系区可露出于LED封装结构的底面，故后续进行焊接以形成发光装置后，多个联系区将为保护树脂所覆盖而不会暴露于LED封装结构的侧表面，因此即便该LED封装结构遭工作环境的粉尘所沾覆，仍依旧可维持LED封装结构的电性特性。

为达到上述目的，本发明的制造方法包含下列步骤：a)提供一导电框架，其具有多个金属区及多个联系区，且至少一部分的多个金属区是与多个联系区连接；b)于导电框架上填充一树脂部以形成一模塑体；c)借由一预切步骤切断模塑体上的多个联系区；以及d)借由一分离步骤将模塑体切割为多个LED封装结构。其中，多个联系区是设置于模塑体的一底面，且预切步骤是施加于模塑体的底面。

为达到上述目的，本发明的制造方法于预切步骤后，在模塑体的底面形成多个预切沟槽。

为达到上述目的，本发明的制造方法所具有的多个预切沟槽各具有一沟槽深度，多个联系区各具有一联系区厚度，多个金属区各具有一金属区厚度，使沟槽深度大于联系区厚度且小于或等于金属区厚度。

为达到上述目的，本发明的制造方法更包含一保护树脂填充步骤，可选择地将一保护树脂填充于多个预切沟槽内。

为达到上述目的，本发明的制造方法所具有的预切步骤是沿一单一方向进行切割，且预切步骤不切断树脂部。

为达到上述目的，本发明的制造方法更包含一固晶步骤、一焊线步骤及一填胶步骤，且固晶步骤、焊线步骤及填胶步骤是施加于预切步骤前或施加于预切步骤后。

为达到上述目的，本发明的制造方法所具有的多个金属区包含多个组次导电框架，且多个组次导电框架各包含二高台区。

为达到上述目的，本发明的制造方法所具有的多个金属区包含多个组次导电框架，且多个组次导电框架各包含一固晶区及二电极。

为达到上述目的，本发明的制造方法所具有的多个联系区是露出于底面。

为达到上述目的，本发明的LED封装结构包含一导电框架、一树脂部、一LED芯片及一封装胶。导电框架具有至少一金属区及至少一联系区；树脂部是设置于导电框架周缘以形成一反射杯部；LED芯片设置于反射杯的至少一金属区上；封装胶填充于反射杯部。其中，当树脂部设置于导电框架的周缘时，导电框架显露于树脂部的底面，至少一联系区露出于LED封装结构的至少一侧面，且至少一金属区与至少一联系区彼此不电性导通。

为达上述目的，本发明的LED封装结构所具有的至少一金属区是二金属区，该二金属区是二电极部，且LED芯片是设置于二电极部其中之一。

为达上述目的，本发明的LED封装结构所具有的至少一金属区是三金属区，该三金属区分别为一固晶区、一正电极及一负电极，且LED芯片是设置于固晶区。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架的上视图(第一态样)；

图1B为图1A的A-A线段的剖面图；

图2A为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于填充树脂部后的上视图(第一态样)；

图2B为图2A的B-B线段的剖面图；

图2C为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于填充树脂部后的仰视图；

图3A为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽后的上视图(第一态样)；

图3B为图3A的C-C线段的剖面图；

图3C为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽后的仰视图；

图4A为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架进行分离步骤后的上视图(第一态样)；

图4B为图4A的D-D线段的剖面图；

图4C为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架进行分离步骤后的仰视图；

图5A为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽后填充保护树脂的上视图(第二态样)；

图5B为图5A的E-E线段的剖面图；

图5C为本发明LED封装结构的第一实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽后填充保护树脂的仰视图；

图6A为将图5A的LED封装结构所具有的导电框架进行分离步骤后的上视图(第二态样)；

图6B为图6A的F-F线段的剖面图；

图6C为将图5A的LED封装结构所具有的导电框架进行分离步骤后的的仰视图；

图7为本发明LED封装结构第一实施例的第一态样的示意图；

图8为本发明LED封装结构第一实施例的第二态样的示意图；

图9为本发明LED封装结构的制造方法步骤图；

图10为本发明LED封装结构第二实施例所具有的导电框架的上视图；

图11A为本发明LED封装结构的第二实施例所具有的导电框架于填充树脂部后的上视图；

图11B为图11A的G-G线段的剖面图；

图12A为本发明LED封装结构的第二实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽的仰视图；

图12B为图12A的H-H线段的剖面图；

图13为本发明LED封装结构的第二实施例所具有的导电框架于背面进行预切沟槽后填充保护树脂的剖面图；

图14A为将图12A的LED封装结构所具有的导电框架进行分离步骤的仰视图；

图14B为图14A的I-I线段的剖面图；

图15A为本发明LED封装结构第二实施例的上视图；

图15B为本发明LED封装结构第二实施例的仰视图；

图15C为图15A的J-J线段的剖面图；以及

图16A-16D为本发明LED封装结构第二实施例所具有的导电框架的另一设计态样示意图。

图中元件标号说明如下：

100 LED封装结构

100’ LED封装结构

110 侧面

200 导电框架

210 金属区

210’ 次导电框架

210” 次导电框架

212 高台区、电极部

214 固晶区

216 正电极

218 负电极

220 联系区

300 树脂部

300a 填隙区树脂部

300b 侧壁区树脂部

310 反射杯部

400 LED芯片

500 封装胶

600 模塑体

600a 底面

610 预切沟槽

620 切割道

700 保护树脂

TM 金属区厚度

TC 联系区厚度

DG 沟槽深度

具体实施方式

本发明是关于一种LED封装结构的制造方法及该LED封装结构。

其中，图1A至图4C是揭示本发明LED封装结构的第一实施例所具有的第一态样对应至各制造步骤的示意图，而图5A至图6C则揭示本发明LED封装结构的第一实施例所具有的第二态样对应至各制造步骤的示意图。

如图9的制造方法步骤图所示，本发明所揭示的一种LED封装结构100的制作方法，包含下列步骤。首先，如步骤901所示：提供一导电框架200，其具有多个金属区210及多个联系区220，且至少一部分的多个金属区210是与多个联系区200连接；如步骤902所示：于导电框架200上填充一树脂部300以形成一模塑体600；如步骤903所示：借由一预切步骤切断模塑体600上的多个联系区200；最后，如步骤904所示：借由一分离步骤将模塑体600切割为多个LED封装结构100。其中，本发明的技术特征在于：上述的多个联系区200是设置于模塑体600的一底面600a，且预切步骤是施加于模塑体600的底面600a。

详细而言，步骤901所提及的导电框架200、多个金属区210及多个联系区220等内容可见于图1A-1B中，且如图所示，至少一部分的多个金属区210与多个联系区220连接。

上述导电框架200的制作方式可以为使用Punching、Stamping或Etching的方式所制成，之后导电框架200会再进行电镀。经由上述制程后所形成的导电框架200，会形成多个空隙(亦可称为空乏区)，这些空隙会围绕于多个金属区210及多个联系区220。

接着，请一并参阅步骤902及图2A-2C，当于导电框架200上填充树脂部300以形成模塑体600后，部分树脂部300会填充于二金属区210之间的空隙，从而形成填隙区树脂部300a，另外一部分的树脂部300则会形成于多个联系区220上且部分覆盖多个金属区210，从而形成侧壁区树脂部300b。

请接续参阅步骤903及图3A-3C，当借由预切步骤切断模塑体600上的多个联系区200时，由于多个联系区200是形成于模塑体600的底面，故于进行预切步骤后，模塑体600的底面600a将形成多个预切沟槽610，以确保模塑体600内的多个金属区210之间皆不存在电性连接。此时，预切步骤是沿一单一方向进行切割，且预切步骤所形成的多个预切沟槽610并不会切断侧壁区树脂部300b。

最后，请一并参阅步骤904及图4A-4C，借由分离步骤将上述的模塑体600于水平方向与垂直方向沿多个切割道620进行切割，从而切断各侧壁区树脂部300b后，即完成单颗化作业而可获得本案的多个LED封装结构100。

需说明的是，于步骤902中，填充树脂部300的方式可以选择使用insert molding的方式来填充树脂部300于空隙中以形成模塑体600。于填充树脂部300时，上下模具(图未示出)会将导电框架200的正面与背面上下夹住，而树脂部300则会填充于空隙中。如稍后的第二实施例，于后续应用中，如果考虑到增加反射率，则可以再另外于上下模具中设计多个凸起，以保留反射杯部310的位置，因此当反射杯部310制作完成后，金属区210将于反射杯部310的底面所暴露出。

于本发明中，如图1B、3B所示，是定义多个预切沟槽610各具有一沟槽深度DG，多个联系区220各具有一联系区厚度TC，且多个金属区210各具有一金属区厚度TM。如此一来，当金属区厚度TM大于联系区厚度TC，并使沟槽深度DG大于联系区厚度TC、且沟槽深度DG小于或等于金属区厚度TM时，进行步骤903的预切步骤所产生的预切沟槽610将仅会切断多个联系区200，而不会切断多个金属区210。

另外，于步骤904的分离步骤中，多个切割道620所切割的对象乃是模塑体600所具有的树脂部300，故多个切割道620的形成并不会切割或碰触到多个金属区210。

需注意的是，于图4B中所绘示的切割道620的宽度是小于预切沟槽610的宽度，故当形成单颗化LED封装结构100后，进行预切沟槽610后所残留的联系区200将远离侧壁区树脂部300b的外侧面，并于之后的焊接过程中为焊料所包覆，故可因此达到使联系区200不会显露于LED封装结构100的侧边的目的。

如图5A-5C所示的第一实施例的第二态样，本发明的制造方法亦可包含一保护树脂填充步骤，其可选择地将一保护树脂700填充于多个预切沟槽610内。

换言之，于完成步骤903的预切步骤后，可选择性地将保护树脂700填充于多个预切沟槽610内，以强化预切步骤后针对裸露于侧边的金属区210的保护。需特别说明的是，如图5B、5C所示，由于保护树脂700仅会填充于多个预切沟槽610内，故保护树脂700并不会形成于填隙区树脂部300a处。

之后，如图6A-6C所示，可再进行步骤904的分离步骤，使多个切割道620于水平方向与垂直方向切割模塑体600所具有的树脂部300与保护树脂700，即完成单颗化作业而可获得本案的多个LED封装结构100。

本发明的制造方法更可包含一固晶步骤、一焊线步骤及一填胶步骤，且该固晶步骤、该焊线步骤及该填胶步骤可视不同需求选择性地施加于预切步骤之前、或施加于预切步骤之后，以将一LED芯片400固定于二金属区210其中之一上。

于本发明的第一实施例中，倘若于步骤903的预切步骤后不填充保护树脂700，而直接以步骤904进行分离步骤，则最终可获得如图7所示的LED封装结构100的第一态样。此时下方的二金属区210的侧边虽未遭侧壁区树脂部300b所覆盖，但因为在后续焊接以形成发光装置的过程中，二金属区210的侧边会为焊料所包覆，故其成品并不会存在金属区或联系区暴露于LED封装结构的侧表面的情况。

反之，于本发明的第一实施例中，倘若于步骤903的预切步骤后填充保护树脂700，续以步骤904进行分离步骤，则最终可获得如图8所示的LED封装结构100的第二态样。此时，由于下方的二金属区210的侧边已遭保护树脂700所包覆，故同样不会存在金属区或联系区暴露于LED封装结构的侧表面的情况。

换言之，于本发明的第一实施例中，如图1A所示，亦可使多个金属区210包含多个组次导电框架210’，且多个组次导电框架210’各具有二高台区212(即：金属区210)，以使一LED芯片400可设置于二高台区212其中之一并进行电性连接，从而于最终获得如图7或图8所绘示的LED封装结构100。

由于LED芯片的功率不断增高，因此将LED封装结构进行如前述第一实施例的设计时，当将电极与固晶区设置于同一位置，LED芯片所散发的热能可能会导致导电的效果降低，或者是造成热应力而使LED芯片与电极的打线区脱离，因此于本发明的第二实施例中，可采用热电分离的方式(即：使电极与固晶区分离设置的方式)来进行导电框架200的设计。

如图10所示，于本发明的第二实施例中，亦可使导电框架200的多个金属区210包含多个组次导电框架210”。因此，如图所示的第二实施例中，多个组次导电框架210”各包含一固晶区214及二电极216、218，且于进行步骤904的分离步骤前，各固晶区214是借由二联系区220分别与二电极216、218连接，且多个次导电框架210”之间同样是借由多个联系区220进行连接。

二电极216、218(分别为正、负电极)分别位于固晶区214相对的两边，同时相邻次导电框架210”所具有的二电极216、218彼此之间亦不再相互连接。另外，二电极216、218的面积通常而言会小于固晶区214的面积，避免因为电极面积过大而造成支架的不稳定。固晶区214彼此之间也同时借由联系区220来相互连接，且连接各固晶区214的联系区220至少必须两个以上，使多个次导电框架210”所构成的支架的稳定性可以提升。

二电极216、218与固晶区214之间的联系区220，以及各固晶区214彼此之间的联系区220，其所具有的金属宽度并一定不需要相同。举例而言，如图10所绘示，由于固晶区214彼此之间的联系区220数量较多，提供的稳定性较高，因此联系区220所具有的金属宽度可以低于二电极216、218与固晶区214之间的联系区220的金属宽度，但并非以此作为限制。

此外，于图10中，各次导电框架210”之间的联系区220的数量虽以四条(两条水平联系区220、两条倾斜联系区220)来呈现，但亦可依据不同的需求进行联系区220的数量的调整，以提供较高的稳定性。

因此，于图10所示的第二实施例中，在结构上，LED封装结构100’除次导电框架210”所具有的固晶区214及二电极216、218与第一实施例的次导电框架210’所具有的二高台区212存在差异外，步骤901、902、903及904皆可相同于第一实施例而施加于第二实施例上。

详细而言，于步骤901所提及的导电框架200、多个金属区210及多个联系区220等内容皆可见于图10中，且如图所示，多个固晶区214之间，以及各固晶区214与(正)电极216、(负)电极218之间，乃是借由具有不同金属宽度的多个联系区220进行连接。

接着，请一并参阅步骤902及图11A-11B，当于导电框架200上填充树脂部300以形成模塑体600后，部分树脂部300会填充于固晶区214、(正)电极216、(负)电极218之间的空隙，从而形成填隙区树脂部300a，另外一部分的树脂部300则会形成于联系区220、(正)电极216及(负)电极218上且部分覆盖联系区220、(正)电极216及(负)电极218，从而形成侧壁区树脂部300b。此时，导电框架200是显露于树脂部300的底面，且树脂部300的顶面相对于固晶区214、(正)电极216及(负)电极218处可形成一反射杯部310。

当于设计反射杯部310时，须考量反射杯部310底面金属区210的位置；尤其，应将暴露于反射杯部310底面的固晶区214的面积，应大于二电极216、218暴露于反射杯部310底面的面积。此外，亦可将树脂部300延伸于反射杯部310的底面，并仅露出固晶区214与打线区的位置即可。

于设计反射杯部310时，另外亦须同时注意导电框架200中，相邻正负电极216、218彼此之间的距离，最佳的方式为须小于或等于相邻反射壁的厚度，而相邻固晶区214彼此之间的距离，同样最佳须小于或等于相邻反射壁的厚度。

因此，请一并参阅步骤903及图12A-12B，当借由预切步骤切断模塑体600上连接各固晶区214、(正)电极216及(负)电极218之间的多个联系区200时，由于多个联系区200是形成于模塑体600的底面，故于进行预切步骤后，模塑体600的底面600a将形成多个预切沟槽610，以确保模塑体600内的固晶区214及(正)电极216、(负)电极218之间不存在电性连接。另一方面，预切步骤所形成的多个预切沟槽610同样是沿一单一方向进行切割，且预切步骤不会切断侧壁区树脂部300b。

相似于第一实施例，于步骤903的预切步骤后，如图13所示，可借由一保护树脂填充步骤，选择地将一保护树脂700填充于多个预切沟槽610内，以避免后续焊锡时，会因焊料渗入预切沟槽610内而导致的短路结果。

最后，请一并参阅步骤904及图14A-14B，借由分离步骤将上述的模塑体600于水平方向与垂直方向沿多个切割道620进行切割，从而切断各侧壁区树脂部300b与其余的联系区200后，即完成单颗化作业并可获得第二实施例的多个LED封装结构100’。

换言之，倘若于步骤903的预切步骤后填充保护树脂700，续以步骤904进行分离步骤，则本发明最终将可获得如图15A-15C所示的LED封装结构100’。其中，不同于第一实施例，LED封装结构100’所具有的至少一金属区210是为三金属区，该三金属区分别为一固晶区214、一正电极216及一负电极218，LED芯片400是设置于固晶区214上，且固晶区214、正电极216及负电极218之间不存在电性连接。

于上述导电框架200的设计中，如图16A所示，另外可以将固晶区214和二电极216、218彼此之间连接的联系区220设立于树脂部300中间接近于底面的位置(即：联系区220下方仍设有薄薄的一层填隙区树脂部300a)，且此联系区220的厚度将低于固晶区214和二电极216、218所具有的金属厚度。如此，当进行步骤903的预切步骤后，如图16B所示，同样会将固晶区214和二电极216、218之间的电性进行分离，但由于联系区220的位置设立于树脂部300中间接近于底面处(非直接露出于底面)，因此预切沟槽610的深度较深，借以先后切断下方薄层的填隙区树脂部300a与联系区220；如此，未来于焊接时同样可以避免焊料渗入预切沟槽610而造成短路的现象。如图16C所示，本态样同样可以将保护树脂700填充于预切沟槽610中，而避免可能短路的现象产生。最后，再如图16D所示，进行步骤904，沿多个切割道620进行切割而切断各侧壁区树脂部300b与其余的联系区200后，即完成单颗化作业而获得多个LED封装结构100’。

综合上述，由于本发明LED封装结构的制造方法及该LED封装结构所具有的联系区经预切步骤与分离步骤后仅会显露于模塑体的底面或近似于底面的位置，且各联系区不再协助两两金属区之间的电性连接，因此即便在安装使用后该LED封装结构遭工作环境的粉尘所沾覆，或该LED封装结构于安装后有爬锡现象产生，本发明仍可维持LED封装结构的电性特性，而不会有短路的情况发生。另外，于第二实施例中，由于LED封装结构所具有的固晶区及二电极乃采热电分离的设置方式，故即便固晶区上的联系区存在外露情况，也会因为不导电而可避免短路的结果。

于本发明的实施例中，填充于空隙中的树脂部，其材料上则较佳可以选用热固型树脂。同时该树脂中可以包括多种材料以适应不同的需求，例如其中该热固型树脂中可以包括Triazine epoxy来增加树脂的信赖性，或者可以包括SiO2或TiO2来增加反射率，其中该SiO2或TiO2的含量则可以高于整体树脂重量百分比的70％以上，因此除了固晶区本身可以做为散热功能外，树脂本身因含高量的导热填充物，因此亦可以增加LED封装结构的散热效果。

本发明中的LED封装体主要为一种白光LED，其中所使用的LED芯片，主要为III-V族材料所构成，优选的为使用氮化是材料的芯片，该芯片的有源层会额外含有Indium。另外，于荧光粉的选择上则优选的可为以下荧光粉的组合中任选而出：

Sr₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺、(Sr,Ba)MgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、(Sr,Ba)₃MgSi₂O₈:Eu²⁺、SrAl₂O₄:Eu²⁺、SrBaSiO₄:Eu²⁺、CdS:In、CaS:Ce³⁺、Y₃(Al,Gd)₅O₁₂:Ce²⁺、Ca₃Sc₂Si₃O₁₂:Ce³⁺、SrSiON:Eu²⁺、ZnS:Al³⁺,Cu⁺、CaS:Sn²⁺、CaS:Sn²⁺,F、CaSO₄:Ce³⁺,Mn²⁺、LiAlO₂:Mn²⁺、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS:Cu⁺,Cl^-、Ca₃WO₆:U、Ca₃SiO₄C_l2:Eu²⁺、Sr_xBa_yCl_zAl₂O_4-z/2:Ce³⁺,Mn²⁺(X:0.2、Y:0.7、Z:1.1)、Ba₂MgSi₂O₇:Eu²⁺、Ba₂SiO₄:Eu²⁺、Ba₂Li₂Si₂O₇:Eu²⁺、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca₂Ba₃(PO₄)₃Cl:Eu²⁺、BaAl₂O₄:Eu²⁺、SrGa₂S₄:Eu²⁺、ZnS:Eu²⁺、Ba₅(PO₄)₃Cl:U、Sr₃WO₆:U、CaGa₂S₄:Eu²⁺、SrSO₄:Eu²⁺,Mn^{2 +}、ZnS:P、ZnS:P^3-,Cl^-、ZnS:Mn²⁺、CaS:Yb²⁺,Cl、Gd₃Ga₄O₁₂:Cr³⁺、CaGa₂S₄:Mn²⁺、Na(Mg,Mn)₂LiSi₄O₁₀F₂:Mn、ZnS:Sn²⁺、Y₃Al₅O₁₂:Cr³⁺、SrB₈O₁₃:Sm²⁺、MgSr₃Si₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺、α-SrO·3B₂O₃:Sm²⁺、ZnS-CdS、ZnSe:Cu⁺,Cl、ZnGa₂S₄:Mn²⁺、ZnO:Bi³⁺、BaS:Au,K、ZnS:Pb²⁺、ZnS:Sn²⁺,Li⁺、ZnS:Pb,Cu、CaTiO₃:Pr³⁺、CaTiO₃:Eu³⁺、Y₂O₃:Eu³⁺、(Y,Gd)₂O₃:Eu³⁺、CaS:Pb²⁺,Mn²⁺、YPO₄:Eu³⁺、Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Mn²⁺、Y(P,V)O₄:Eu³⁺、Y₂O₂S:Eu³⁺、SrAl₄O₇:Eu³⁺、CaYAlO₄:Eu³⁺、LaO₂S:Eu³⁺、LiW₂O₈:Eu³⁺,Sm³⁺、(Sr,Ca,Ba,Mg)₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺,Mn²⁺、Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺、ZnS:Mn²⁺,Te^{2 +}、Mg₂TiO₄:Mn⁴⁺、K₂SiF₆:Mn⁴⁺、SrS:Eu²⁺、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₄O₁₁、Na_1.23K_0.42Eu_0.12TiSi₅O₁₃:Eu^{3 +}、CdS:In,Te、CaAlSiN₃:Eu²⁺、CaSiN₃:Eu²⁺、(Ca,Sr)₂Si₅N₈:Eu²⁺、Eu₂W₂O₇。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (12)

1.一种LED(light emitting diode，发光二极管)封装结构的制造方法，包含下列步骤：

提供一导电框架，该导电框架具有多个金属区及多个联系区，且至少一部分的该多个金属区是与该多个联系区连接；

于该导电框架上填充一树脂部以形成一模塑体；

借由一预切步骤切断该模塑体上的该多个联系区；以及

借由一分离步骤将该模塑体切割为多个LED封装结构；

其中，该多个联系区是设置于该模塑体的一底面，且该预切步骤是施加于该模塑体的该底面。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于该预切步骤后，在该模塑体的该底面形成多个预切沟槽。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该多个预切沟槽各具有一沟槽深度，该多个联系区各具有一联系区厚度，该多个金属区各具有一金属区厚度，该沟槽深度大于该联系区厚度且小于或等于该金属区厚度。

4.如权利要求3所述的制造方法，更包含一保护树脂填充步骤，可选择地将一保护树脂填充于该多个预切沟槽内。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该预切步骤是沿一单一方向进行切割，且该预切步骤不切断该树脂部。

6.如权利要求1所述的制造方法，更包含一固晶步骤、一焊线步骤及一填胶步骤，且该固晶步骤、该焊线步骤及该填胶步骤是施加于该预切步骤前或施加于该预切步骤后。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该多个金属区包含多组次导电框架，且该多组次导电框架各包含二高台区。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该多个金属区包含多组次导电框架，且该多组次导电框架各包含一固晶区及二电极。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该多个联系区是露出于该底面。

10.一种LED封装结构，包含：

一导电框架，具有至少一金属区及至少一联系区；

一树脂部，是设置于该导电框架周缘以形成一反射杯部；

一LED芯片，是设置于该反射杯的该至少一金属区上；以及

一封装胶，是填充于该反射杯部；

其中，当该树脂部设置于该导电框架的周缘时，该导电框架是显露于该树脂部的底面，该至少一联系区是露出于该LED封装结构的至少一侧面，且该至少一金属区与该至少一联系区彼此不电性导通。

11.如权利要求10所述的LED封装结构，其特征在于，该至少一金属区是二金属区，该二金属区是二电极部，且该LED芯片是设置于该二电极部其中之一。

12.如权利要求10所述的LED封装结构，其特征在于，该至少一金属区是三金属区，该三金属区分别为一固晶区、一正电极及一负电极，且该LED芯片是设置于该固晶区。