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CN107316822A - 硅晶体缺陷检测方法 - Google Patents

硅晶体缺陷检测方法 Download PDF

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CN107316822A
CN107316822A CN201710496815.7A CN201710496815A CN107316822A CN 107316822 A CN107316822 A CN 107316822A CN 201710496815 A CN201710496815 A CN 201710496815A CN 107316822 A CN107316822 A CN 107316822A
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CN
China
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silicon crystal
test sample
polishing
crystal defect
detection method
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Application number
CN201710496815.7A
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Inventor
张兆民
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Publication date
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    • H10P74/203—
    • H10P50/644—
    • H10P52/00—
    • H10P52/402—

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及硅晶体生产技术领域，特别是一种硅晶体缺陷检测方法，包括以下步骤，提供测试样品；切割并研磨测试样品；化学抛光：采用混合酸配制的抛光液对测试样品表面进行抛光；化学腐蚀：采用腐蚀液对测试样品表面进行腐蚀，经过13‑18min硅晶体的缺陷显露出来。采用上述方法后，本发明可以有效检测硅晶体中边缘不纯、高不纯度、位错等缺陷，极大的提升了电池片的发电效率；增加了电池组件的使用寿命，提升了光伏发电系统的稳定性。

Description

硅晶体缺陷检测方法
技术领域
本发明涉及硅晶体生产技术领域，特别是一种硅晶体缺陷检测方法。
背景技术
晶体硅是电子信息产业和太阳能光伏产业关键基础材料，存在于半导体晶片的各种结晶缺陷和加工缺陷，对器件质量和成品率都有不同程度的影响。目前对晶体硅缺陷的检测，有超声、红外和针对个性元素进行分析等方法，但这些方法都存在诸多问题，不能应用于工业生产过程中。
中国发明专利CN 104155302 A公开了检测硅晶体缺陷的方法，包括：提供测试样品；将所述测试样品浸入第一溶液去除所述多晶硅层之上的各层；将所述测试样品浸入第二溶液去除所述多晶硅层，使得硅基片全裸；将所述测试样品浸入第三溶液刻划硅晶体缺陷；用光学显微镜检查所述测试样品上的硅晶体缺陷，并拍摄光学显微镜照片。此发明的方法确保了硅基片的全裸以及硅晶体缺陷的有效刻划。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是一种准确度高且适用于工业生产的硅晶体缺陷检测方法。
为解决上述的技术问题，本发明的硅晶体缺陷检测方法，包括以下步骤，
提供测试样品；
切割并研磨测试样品；
化学抛光：采用混合酸配制的抛光液对测试样品表面进行抛光；
化学腐蚀：采用腐蚀液对测试样品表面进行腐蚀，经过13-18min硅晶体的缺陷显露出来。
进一步的，所述步骤化学抛光中所述的混合酸采用氢氟酸和硝酸混合而成，所述氢氟酸和硝酸的混合比例为2:5-2:7。
更进一步的，所述步骤化学抛光中采用混合酸进行抛光的时间为5-8min。
进一步的，所述化学腐蚀中腐蚀液采用氢氟酸和三氧化铬水溶液1:1混合而成。
更进一步的，所述三氧化铬水溶液为35％-42％的水溶液。
采用上述方法后，本发明可以有效检测硅晶体中边缘不纯、高不纯度、位错等缺陷，极大的提升了电池片的发电效率；增加了电池组件的使用寿命，提升了光伏发电系统的稳定性。
具体实施方式
本发明的硅晶体缺陷检测方法，包括以下步骤：提供测试样品；
切割并研磨测试样品；
化学抛光：采用混合酸配制的抛光液对测试样品表面进行抛光；
化学腐蚀：采用腐蚀液对测试样品表面进行腐蚀，经过13-18min硅晶体的缺陷显露出来。
进一步的，所述步骤化学抛光中所述的混合酸采用氢氟酸和硝酸混合而成，所述氢氟酸和硝酸的混合比例为2:5-2:7。所述步骤化学抛光中采用混合酸进行抛光的时间为5-8min。抛光过程中反应不能过分剧烈，避免测试样品氧化。
进一步的，所述化学腐蚀中腐蚀液采用氢氟酸和三氧化铬水溶液1:1混合而成。
更进一步的，所述三氧化铬水溶液为35％-42％的水溶液。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (5)

1.一种硅晶体缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤，
提供测试样品；
切割并研磨测试样品；
化学抛光：采用混合酸配制的抛光液对测试样品表面进行抛光；
化学腐蚀：采用腐蚀液对测试样品表面进行腐蚀，经过13-18min硅晶体的缺陷显露出来。
2.按照权利要求1所述的一种硅晶体缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤化学抛光中所述的混合酸采用氢氟酸和硝酸混合而成，所述氢氟酸和硝酸的混合比例为2:5-2:7。
3.按照权利要求2所述的一种硅晶体缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤化学抛光中采用混合酸进行抛光的时间为5-8min。
4.按照权利要求1所述的一种硅晶体缺陷检测方法，其特征在于：所述化学腐蚀中腐蚀液采用氢氟酸和三氧化铬水溶液1:1混合而成。
5.按照权利要求4所述的一种硅晶体缺陷检测方法，其特征在于：所述三氧化铬水溶液为35％-42％的水溶液。
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PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171103