CN107188908A - 三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 - Google Patents
三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107188908A CN107188908A CN201710492778.2A CN201710492778A CN107188908A CN 107188908 A CN107188908 A CN 107188908A CN 201710492778 A CN201710492778 A CN 201710492778A CN 107188908 A CN107188908 A CN 107188908A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dimethylamino
- cyclopentadienyl group
- zirconiums
- preparation
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 title description 2
- -1 (dimethylamino) cyclopentadienyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 22
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 20
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 14
- YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N lithium;dimethylazanide Chemical compound [Li+].C[N-]C YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 12
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims abstract description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 claims description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 3
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- OHUVHDUNQKJDKW-UHFFFAOYSA-N sodium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Na+].C=1C=C[CH-]C=1 OHUVHDUNQKJDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 3
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
本发明涉及三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，1)制备二甲胺基锂，在反应器中加入正丁基锂的正己烷的溶液，搅拌开启及惰性气氛保护下，然后通入二甲胺气体制备二甲胺基锂；2)制备四(二甲胺基)锆，在搅拌开启及惰性气氛保护下向二甲胺基锂的溶液中加入四氯化锆；3)通过二聚环戊二烯制备环戊二烯单体，在反应器中加入二聚环戊二烯，温度高于160℃条件下蒸馏出环戊二烯单体；4)将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆中，反应生成三(二甲胺基)环戊二烯基锆；5)对三(二甲胺基)环戊二烯基锆蒸馏。“一锅法”合成三(二甲胺基)环戊二烯基锆，反应原料简单易得，反应操作简单；无需先合成环戊二烯基钠，也无需中间体的分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法。
背景技术
目前，CMOS集成电路的快速发展大大促进了硅基微电子工业的发展，有将近95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。然而随着集成电路集成度的不断提高，MOS器件的特征尺寸的不断缩小，传统以二氧化硅或氮化硅作为栅极绝缘体的缺陷逐步凸显出来，尤其是当栅介质层的厚度小于2nm时，这样的硅基栅极绝缘体会发生漏电和杂质扩散现象。因此，有必要寻求一种新的栅介质层来替代二氧化硅。最直观的方法就是增加栅介质层的厚度，但是为了保持介质层的电容不变，新的栅介质层的介电常数必须比二氧化硅要大，而且介质层的介电常数越大，膜的厚度就可以越大，因此人们把目光集中在寻找高介电常数的新型材料上。
在过去的研究中，金属氧化物作为最有希望取代SiO2栅介质的高k材料受到了广泛关注。锆位于元素周期表的第ⅣB族，其氧化物(ZrO2)具有较高的电容率、良好的热稳定性及对硅的大的能带偏移，常用作取代硅基栅极绝缘体的高k材料之一，因此研究合适的锆源前驱体就非常具有价值。通常使用CVD或ALD技术获得氧化物薄膜的过程是首先引入气相的前驱体，随后前驱体在晶圆表面发生化学反应。为能成功用于生产中，理想的前驱体必须有足够的反应活性，并有足够的稳定性来保证操作安全，而且要有合适的蒸汽压，同时也要保证前驱体纯净以保证得到的薄膜不会导致器件问题(电流泄漏、阈值电压漂移等)。
三(二甲胺基)环戊二烯基锆在常温下是液体，是对空气和水汽非常敏感的化合物，能溶于烃类、四氯化碳等有机溶剂中，不仅具有较好的稳定性、较高的蒸汽压，而且表现出了相当高的反应性，因此三(二甲胺基)环戊二烯基锆的物理化学特性可用于CVD或ALD技术以制备锆氧化物薄膜。通常情况下在中间体上引入环戊二烯基基团大都需要两步，第一步是先合成环戊二烯基钠，第二步再与中间体反应，最终得到目标产物。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，无需先合成环戊二烯基钠，也无需中间体的分离，采用“一锅法”直接合成目标产物。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，特点是：包括以下步骤：
1)制备二甲胺基锂，在反应器中加入正丁基锂的正己烷的溶液，搅拌开启及惰性气氛保护下，然后通入二甲胺气体制备二甲胺基锂；
2)制备四(二甲胺基)锆，在搅拌开启及惰性气氛保护下向二甲胺基锂的溶液中加入四氯化锆；
3)通过二聚环戊二烯制备环戊二烯单体，在反应器中加入二聚环戊二烯，温度高于160℃条件下蒸馏出环戊二烯单体；
4)将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆中，反应生成三(二甲胺基)环戊二烯基锆；
5)对三(二甲胺基)环戊二烯基锆蒸馏。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(1)，所述二甲胺与正丁基锂的用量摩尔比为1～1.2:1，反应温度为-20℃～-10℃。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(2)，所述正丁基锂试剂与四氯化锆的用量摩尔比为4～4.2:1，反应温度为-20℃～-10℃。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，四氯化锆加完后在回流状态下继续反应12小时。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(4)，在搅拌开启及惰性气氛保护下将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆的溶液中。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(4)，反应温度为-20℃～-10℃。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述环戊二烯单体与四氯化锆的用量摩尔比为1～1.2:1。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(5)，通过减压蒸馏方式，收集115℃/2mmHg的馏分。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述搅拌的速度为100～200r/min。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述惰性气氛为氮气气氛或者氦气气氛或者氩气气氛。
进一步地，上述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其中，所述步骤(4)，环戊二烯单体先用甲苯溶剂进行稀释，然后滴加到四(二甲胺基)锆中。
本发明与现有技术相比具有显著的优点和有益效果，具体体现在以下方面：
①本发明“一锅法”合成三(二甲胺基)环戊二烯基锆，反应原料简单易得，反应操作简单；无需先合成环戊二烯基钠，也无需中间体的分离，“一锅法”直接合成目标产物；
②反应只用烃类一种溶剂，没有醚类等极性溶剂，毒性较小，减少了对环境的污染；大大降低了合成和环境污染成本，具有较好的操作性；
③反应不需要对中间体进行提纯，直接在一锅里反应，不经中间体的分离，通过“一锅法”最后直接获得目标产品，大大节约了时间成本，同时此反应也不需要进行复杂的过滤操作，可以直接蒸馏溶剂，待溶剂蒸馏结束，直接减压蒸馏产品，使得反应处理简化很多，而且避免了后处理中产品的损失。
附图说明
图1：三(二甲胺基)环戊二烯基锆的化学结构式。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明具体实施方案。
本发明无需先合成环戊二烯基钠，也无需中间体的分离，采用“一锅法”直接合成目标产物。合成方法从相对简单易得的原料出发，不经中间体的分离，通过“一锅法”最后直接获得目标产品，同时此反应不需要过滤，反应溶剂单一毒性小，大大降低了合成和环境污染成本，具有较好的操作性。
三(二甲胺基)环戊二烯基锆的化学结构式如图1所示。
三(二甲胺基)环戊二烯基锆的具体制备工艺为：
1)制备二甲胺基锂，在反应器中加入正丁基锂的正己烷的溶液，搅拌开启及惰性气氛保护下，然后通入二甲胺气体制备二甲胺基锂；二甲胺与正丁基锂的用量摩尔比为1～1.2:1，反应温度为-20℃～-10℃；搅拌的速度为100～200r/min，惰性气氛为氮气气氛或者氦气气氛或氩气气氛；
2)制备四(二甲胺基)锆，在搅拌开启及惰性气氛保护下向二甲胺基锂的溶液中加入四氯化锆；正丁基锂试剂与四氯化锆的用量摩尔比为4～4.2:1，反应温度为-20℃～-10℃；搅拌的速度为100～200r/min，惰性气氛为氮气气氛或者氦气气氛；四氯化锆加完后在回流状态下继续反应12小时；
3)通过二聚环戊二烯制备环戊二烯单体，在反应器中加入二聚环戊二烯，温度高于160℃条件下蒸馏出环戊二烯单体；
4)在搅拌开启及惰性气氛保护下将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆的溶液中，反应温度为-20℃～-10℃，反应生成三(二甲胺基)环戊二烯基锆；环戊二烯单体与四氯化锆的用量摩尔比为1～1.2:1；搅拌的速度为100～200r/min，惰性气氛为氮气气氛或者氦气气氛；
5)对三(二甲胺基)环戊二烯基锆蒸馏，通过减压蒸馏方式，收集115℃/2mmHg的馏分。
整个合成制备工艺中所用的溶剂及部分原料需要除水至100ppm以下，包括正己烷、甲苯和二甲胺原料。
制备二甲胺基锂所用的正丁基锂为正丁基锂的正己烷溶液，其浓度为2.5mol/L。
制备环戊二烯单体遵循现蒸现用的原则。
制备三(二甲胺基)环戊二烯基锆反应中，将环戊二烯单体先用甲苯溶剂将环戊二烯稀释(甲苯和环戊二烯的体积比是1:1)。
惰性气体是氮气、氩气或氦气中的一种。
实施例1
(1)惰性气氛下，在2L的反应瓶中加入500mL正己烷和500mL正丁基锂的正己烷溶液(2.5mol/L)，保持体系温度在-15℃左右，边搅拌边通入二甲胺(67g)，通气完毕，升至室温后维持搅拌4小时。
(2)将步骤(1)的反应液釜温降到-10℃以下，惰性气体保护下，将四氯化锆(71g)加入到至上述反应体系中，加料完毕后，缓慢恢复至室温，然后加热回流12小时。
(3)将步骤(2)的反应液釜温降到-10℃以下，将制备好的环戊二烯单体(23g)和28mL甲苯溶液在混合惰性气体保护下，通过恒压滴液漏斗滴加到步骤(2)的反应液，整个滴加过程釜温保持在-10℃以下。
(4)反应结束后，在常压下将蒸馏溶剂蒸出。然后进行减压蒸馏，收集115℃/2mmHg的产品，即为目标化合物三(二甲胺基)环戊二烯基锆，得到产品35g，产率为35％，产品通过了核磁氢谱的鉴定,1H NMR(400MHz，C6D6)：6.05(s，4H)，2.91(s，18H)。
实施例2
(1)惰性气氛下，在2L的反应瓶中加入500mL正己烷和二甲胺(67g)，保持体系温度在-15℃左右，边搅拌边向反应瓶中慢慢滴加500mL正丁基锂的正己烷溶液(2.5mol/L)，滴加完毕，升至室温后维持搅拌4小时。
(2)将步骤(1)的反应液釜温降到-15℃左右，惰性气体保护下，将含有四氯化锆(71g)的正己烷溶液慢慢滴加到反应瓶中，滴加完毕后，缓慢恢复至室温，然后加热回流12小时。
(3)将步骤(2)的反应液釜温降到-10℃以下，将制备好的环戊二烯单体(23g)和28mL甲苯溶液在混合惰性气体保护下，通过恒压滴液漏斗滴加到步骤(2)的反应液，整个滴加过程釜温保持在-10℃以下。
(4)反应结束后，在常压下将蒸馏溶剂蒸出。然后进行减压蒸馏，收集115℃/2mmHg的产品，即为目标化合物三(二甲胺基)环戊二烯基锆，得到产品31g，产率为31％，产品通过了核磁氢谱的鉴定,1H NMR(400MHz，C6D6)：6.05(s，4H)，2.91(s，18H)。
综上所述，本发明“一锅法”合成三(二甲胺基)环戊二烯基锆，反应原料简单易得，反应操作简单。反应只用烃类一种溶剂，没有醚类等极性溶剂，毒性较小减少了对环境的污染。反应不需要对中间体进行提纯，直接在一锅里反应，大大节约了时间成本，同时此反应也不需要进行复杂的过滤操作，可以直接蒸馏溶剂，待溶剂蒸馏结束，直接减压蒸馏产品，使得反应处理简化很多，而且避免了后处理中产品的损失。
需要说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非用以限定本发明的权利范围；同时以上的描述，对于相关技术领域的专门人士应可明了及实施，因此其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。
Claims (11)
1.三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)制备二甲胺基锂，在反应器中加入正丁基锂的正己烷的溶液，搅拌开启及惰性气氛保护下，然后通入二甲胺气体制备二甲胺基锂；
2)制备四(二甲胺基)锆，在搅拌开启及惰性气氛保护下向二甲胺基锂的溶液中加入四氯化锆；
3)通过二聚环戊二烯制备环戊二烯单体，在反应器中加入二聚环戊二烯，温度高于160℃条件下蒸馏出环戊二烯单体；
4)将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆中，反应生成三(二甲胺基)环戊二烯基锆；
5)对三(二甲胺基)环戊二烯基锆蒸馏。
2.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)，所述二甲胺与正丁基锂的用量摩尔比为1～1.2:1，反应温度为-20℃～-10℃。
3.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)，所述正丁基锂试剂与四氯化锆的用量摩尔比为4～4.2:1，反应温度为-20℃～-10℃。
4.根据权利要求1或3所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：四氯化锆加完后在回流状态下继续反应12小时。
5.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)，在搅拌开启及惰性气氛保护下将环戊二烯单体滴加到四(二甲胺基)锆的溶液中。
6.根据权利要求1或5所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)，反应温度为-20℃～-10℃。
7.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述环戊二烯单体与四氯化锆的用量摩尔比为1～1.2:1。
8.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)，通过减压蒸馏方式，收集115℃/2mmHg的馏分。
9.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述搅拌的速度为100～200r/min。
10.根据权利要求1或5所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述惰性气氛为氮气气氛或者氦气气氛或者氩气气氛。
11.根据权利要求1所述的三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)，环戊二烯单体先用甲苯溶剂进行稀释，然后滴加到四(二甲胺基)锆中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710492778.2A CN107188908A (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710492778.2A CN107188908A (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107188908A true CN107188908A (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=59880017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710492778.2A Pending CN107188908A (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107188908A (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110590825A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种过渡金属胺基络合物的连续生产方法 |
| CN112062792A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-11 | 芯越芯(南京)电子科技有限公司 | 三（二甲胺）环戊二烯铪生产方法 |
| CN114195816A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-03-18 | 上海化工研究院有限公司 | 一种胺基金属化合物及其制备方法与应用 |
| CN114773403A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-07-22 | 苏州欣诺科生物科技有限公司 | 三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法 |
| CN114957345A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-30 | 苏州欣诺科生物科技有限公司 | 三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法 |
| CN116751232A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-15 | 铜陵安德科铭电子材料科技有限公司 | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆及其制备方法 |
| CN118668177A (zh) * | 2024-05-20 | 2024-09-20 | 大连恒坤新材料有限公司 | 一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用 |
| CN119613462A (zh) * | 2025-02-14 | 2025-03-14 | 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 | 一种高纯金属配合物前驱体的合成方法 |
| CN120098028A (zh) * | 2025-05-12 | 2025-06-06 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法 |
| WO2025198374A1 (ko) * | 2024-03-21 | 2025-09-25 | 에스케이트리켐 주식회사 | 중간체 및 상기 중간체를 이용한 박막 형성용 전구체 화합물의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012201652A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Ube Industries Ltd | ジルコニウムアミド化合物の製造方法 |
| CN103664466A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 制备高纯度环戊二烯的方法 |
| KR20150117179A (ko) * | 2014-04-09 | 2015-10-19 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 지르코늄 함유막 형성용 신규 전구체 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 지르코늄 함유막 형성 방법 |
-
2017
- 2017-06-26 CN CN201710492778.2A patent/CN107188908A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012201652A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Ube Industries Ltd | ジルコニウムアミド化合物の製造方法 |
| CN103664466A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 制备高纯度环戊二烯的方法 |
| KR20150117179A (ko) * | 2014-04-09 | 2015-10-19 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 지르코늄 함유막 형성용 신규 전구체 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 지르코늄 함유막 형성 방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| HORST SCHNEIDER等: ""Immobilization of η5-cyclopentadienyltris(dimethylamido) zirconium polymerization catalysts on a chlorosilane- and HMDS-modified mesoporous silica surface: a new concept for supporting metallocene amides towards heterogeneous single-site-catalysts"", 《JOURNAL OF MOLECULAR CATALYSIS A: CHEMICAL 》 * |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111303197A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-06-19 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种过渡金属胺基络合物的连续生产方法 |
| CN110590825A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种过渡金属胺基络合物的连续生产方法 |
| CN112062792A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-11 | 芯越芯(南京)电子科技有限公司 | 三（二甲胺）环戊二烯铪生产方法 |
| CN114195816A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-03-18 | 上海化工研究院有限公司 | 一种胺基金属化合物及其制备方法与应用 |
| CN114957345A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-30 | 苏州欣诺科生物科技有限公司 | 三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法 |
| CN114773403B (zh) * | 2022-05-27 | 2024-01-05 | 苏州欣诺科生物科技有限公司 | 三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法 |
| CN114773403A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-07-22 | 苏州欣诺科生物科技有限公司 | 三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法 |
| CN116751232A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-15 | 铜陵安德科铭电子材料科技有限公司 | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆及其制备方法 |
| WO2025198374A1 (ko) * | 2024-03-21 | 2025-09-25 | 에스케이트리켐 주식회사 | 중간체 및 상기 중간체를 이용한 박막 형성용 전구체 화합물의 제조방법 |
| CN118668177A (zh) * | 2024-05-20 | 2024-09-20 | 大连恒坤新材料有限公司 | 一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用 |
| CN119613462A (zh) * | 2025-02-14 | 2025-03-14 | 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 | 一种高纯金属配合物前驱体的合成方法 |
| CN120098028A (zh) * | 2025-05-12 | 2025-06-06 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法 |
| CN120098028B (zh) * | 2025-05-12 | 2025-08-22 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107188908A (zh) | 三（二甲胺基）环戊二烯基锆的制备方法 | |
| JP2009149638A (ja) | 緑色電気発光化合物及びこれを使用する有機電気発光素子 | |
| CN101805266A (zh) | 新颖的有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件 | |
| CN112279856B (zh) | 一种非外围取代的可溶性金属酞菁及其合成方法和应用、一种钙钛矿太阳能电池 | |
| CN109608452A (zh) | 有机化合物、显示面板及显示装置 | |
| CN101671257A (zh) | 新颖的有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件 | |
| CN113980002B (zh) | 一种氮杂环咔唑类化合物及其应用 | |
| CN117263981A (zh) | 一种有机化合物及其制备方法、包含其的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN109369660A (zh) | 有机发光材料及其制法和含该材料的有机电致发光器件 | |
| CN105131939A (zh) | 一种具有螺环结构的有机电致发光材料及其应用 | |
| CN105693773A (zh) | 一种具有高三重态能级的有机分子电子传输材料及其制备方法、应用 | |
| CN107573925A (zh) | 一种有机电致发光化合物 | |
| CN105924383A (zh) | 有机电致发光材料及其制备方法和有机电致发光器件 | |
| JP5655301B2 (ja) | 有機半導体材料 | |
| CN109686870B (zh) | 同位素组合物及有机电致发光装置 | |
| CN103172652A (zh) | 含四苯基硅有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件 | |
| CN116804020B (zh) | 一种含氮杂环有机化合物及其在oled器件中的应用 | |
| CN115819365B (zh) | 有机化合物、太阳能电池及其制备方法 | |
| CN116143637B (zh) | 有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置 | |
| CN108623635B (zh) | 一种1，3-氮杂磷杂环戊二烯类化合物及其合成方法 | |
| CN115286644B (zh) | 含[1,2,5]噻二唑[3,4-g]喹喔啉结构的有机光电小分子及其制备方法和应用 | |
| CN118515694A (zh) | 一种含硼杂芳环化合物及其应用 | |
| CN101735280B (zh) | 二氯二茂类锆的合成方法 | |
| CN113024452B (zh) | 一种oled显示材料中间体4-特戊基-2-溴吡啶及其合成方法 | |
| CN108342191A (zh) | 一种有机电致发光化合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170922 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |