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CN107168574A - 一种oled触控显示面板、触控显示装置 - Google Patents

一种oled触控显示面板、触控显示装置 Download PDF

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CN107168574A
CN107168574A CN201710328879.6A CN201710328879A CN107168574A CN 107168574 A CN107168574 A CN 107168574A CN 201710328879 A CN201710328879 A CN 201710328879A CN 107168574 A CN107168574 A CN 107168574A
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touch display
layer
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CN201710328879.6A
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杨盛际
董学
陈小川
玄明花
王磊
付杰
肖丽
卢鹏程
刘冬妮
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本申请的实施例提供一种OLED触控显示面板、触控显示装置，涉及显示技术领域，无需采用多层薄膜外嵌式触控结构，以简化OLED触控显示面板的结构。该OLED触控显示面板包括TFT背板以及设置于TFT背板上的阴极层。阴极层包括多个相互绝缘的触控引线以及多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极。触控引线延伸至OLED触控显示面板的非显示区。其中，每一条触控引线与一个自电容电极相连接，且与同一行所述自电容电极相连接的多条触控引线的电阻值均一致。该OLED触控显示面板用于显示和触控。

Description

一种OLED触控显示面板、触控显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED触控显示面板、触控显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display,，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。
对于AMOLED中通常需要设置封装盖板，以达到阻隔水氧的作用。上述封装盖板可以为玻璃盖板工艺或者薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)工艺。当采用薄膜封装工艺时，现有技术通常在薄膜封装结构上设置有多层薄膜外嵌式(Muti Layer On Cell)的触控结构，例如三星公司型号为Galaxy S6的手机即采用上述方案。然而，上述多层薄膜外嵌式触控结构复杂，成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED触控显示面板、触控显示装置，无需采用多层薄膜外嵌式触控结构，以简化OLED触控显示面板的结构。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种OLED触控显示面板，包括TFT背板以及设置于所述TFT背板上的阴极层；所述阴极层包括多个相互绝缘的触控引线以及多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极；所述触控引线延伸至所述OLED触控显示面板的非显示区；其中，每一条触控引线与一个自电容电极相连接，且与同一行所述自电容电极相连接的多条触控引线的电阻值均一致。
优选的，所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度、长度分别相同；且除了第一列自电容电极以外，与其余列所述自电容电极相连接的触控引线长度和宽度依次增加；所述OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度、长度分别相同；且除了第一列自电容电极以外，与其余列所述自电容电极相连接的触控引线长度和宽度依次增加。
优选的，所述自电容电极为矩形；所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，所述自电容电极的面积逐渐增大；所述OLED触控显示面板右半部分从右至左，所述自电容电极的面积逐渐增大。
优选的，所述OLED触控显示面板的左半部分或右半部分中的任意一部分中，与同一行的自电容电极相连接的触控引线的宽度之和小于或等于该行中面积最大的自电容电极宽度的10％；其中，所述触控引线的宽度方向和所述自电容电极宽度方向均与所述触控引线的延伸方向垂直。
优选的，所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度与所述OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同；和/或，所述OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度与所述OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同。
优选的，还包括设置于所述TFT背板上的多个L型挡墙以及多个与所述L型挡墙的水平边平行的条状挡墙；所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，多个L型挡墙的尺寸依次增大；相邻的两个L型挡墙的竖直边分别与一个条状挡墙的两端相连接；所述相邻的两个L型挡墙的竖直边和一所述条状挡墙限定出一个触控区，所述相邻的两个L型挡墙的水平边限定出与该触控区相连接的引线区；其中，所述L型挡墙和所述条状挡墙用于将所述阴极层分隔出位于所述触控区内的所述自电容电极以及位于所述引线区内的所述触控引线。
优选的，所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，用于限定第一列触控区的相邻两个L型挡墙的开口方向相对设置；其余列的相邻两个L型挡墙的开口方向相同；除了第一行触控区以外，用于限定上一行触控区的L型挡墙的水平边与用于限定下一行触控区的条状挡墙共用。
优选的，还包括设置于所述TFT背板上的像素定义层，所述像素定义层包括横纵交叉的像素分隔物，以及由所述像素分隔物围设的开口；所述L型挡墙和所述条状挡墙位于所述像素分隔物背离所述TFT背板的一侧。
优选的，所述L型挡墙和所述条状挡墙的纵截面形状为倒梯形；所述纵截面垂直于所述TFT背板。
优选的，还包括设置于所述TFT背板上，且位于所述触控区内的隔垫物，所述L型挡墙和所述条状挡墙与所述隔垫物同层同材料；且构成所述L型挡墙和所述条状挡墙的材料为负性光刻胶。
优选的，所述隔垫物包括多个第一子隔垫物和多个第二子隔垫物；所述多个第一子隔垫物呈矩阵形式排列；所述第二子隔垫物位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物之间；其中，所述第一子隔垫物的延伸方向与所述第二子隔垫物的延伸方向垂直。
优选的，还包括有机材料功能层；所述有机材料功能层包括依次位于所述TFT背板靠近所述阴极层一侧的空穴注入层、空穴传输层、衬垫层、缓冲层、有机发光层以及电子传输层；其中，所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述缓冲层以及所述电子传输层完全覆盖所述TFT背板的显示区；所述有机发光层和所述衬垫层与所述开口的位置相对应。
优选的，还包括有机材料功能层；所述有机材料功能层包括依次位于所述TFT背板靠近所述阴极层一侧，且与所述开口的位置相对应的空穴注入层、空穴传输层、衬垫层、缓冲层、有机发光层以及电子传输层。
优选的，构成所述阴极层的材料为金属镁和金属银中的至少一种。
本发明实施例的另一方面，提供一种触控显示装置，包括如上所述的任意一种OLED触控显示面板。
本发明提供一种OLED触控显示面板、触控显示装置。该OLED触控显示面板包括TFT背板以及设置于TFT背板上的阴极层。阴极层包括多个相互绝缘的触控引线以及多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极。触控引线延伸至OLED触控显示面板的非显示区。其中，每一条触控引线与一个自电容电极相连接，且与同一行所述自电容电极相连接的多条触控引线的电阻值均一致。
由上述可知，一方面，由于阴极层包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极，因此阴极层可以与自电容电极复用。即在该OLED触控显示面板处于显示阶段时，对阴极层施加电压，以使得阴极层与上述TFT背板上的阳极形成电场，从而激发位于阴极层和该OLED触控显示面板中的阳极之间的有机发光层进行发光。当该OLED触控显示面板处于触控阶段时，每一个上述自电容电极通过与其相连接的触控引线可以与位于非显示区的金属薄膜层电连接。而该金属薄膜层又连接接地端或者低电压端，从而可以使得上述自电容电极与接地端或者第电压端构成自电容。且当上述多个自电容电极呈矩阵形式排列时，可以对N行和M列的自电容电极进行扫描，以根据电容值发生变化的自电容所在的坐标确定出触控位置。这样一来，通过将阴极层与自电容电极复用可以实现结构简单的内嵌式触控结构。从而无需采用在封装盖板外侧设置多层薄膜触控结构的方案，因此简化了OLED触控显示面板的结构。另一方面，金属薄膜层除了连接非显示区的接地端或者第电压端以外，还与位于上述非显示区的设置于FPC上的触控芯片相连接，用于将触控引线采集到的信号输出至触控芯片。在此情况下，由于与同一行自电容电极相连接的多条触控引线的电阻值均一致，因此与同一行自电容电极相连接的多条触控引线自身的电阻值对各个触控引线向与其各自连接的自电容电极输入的信号，以及向触控芯片输出的采集信号的影响效果相同，从而通过对触控引线进行等电阻设计，可以减小由于引线电阻差异导致的IR压降现象对该OLED触控显示面板的显示及触控性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种OLED触控显示面板的结构示意图；
图2为图1中阴极层与自电容电极的复用结构示意图；
图3a为图2所示的触控引线在非显示区的连接结构示意图；
图3b为图3a中所示的金属薄膜层与触控引线在非显示区的具体连接结构示意图；
图4为现有技术提供的一种外嵌式触控结构示意图；
图5为图1中的自电容电极与触控引线的排布结构示意图；
图6为设置有L型挡墙的OLED触控显示面板的结构示意图；
图7为图6中的L型挡墙以及条形挡墙限定出多个触控区的示意图；
图8为图7中第一列触控区的结构示意图；
图9为图7中除了第一列以外的其他列触控区的结构示意图；
图10为采用图7所示的L型挡墙以及条形挡墙分割成的自电容电极和触控引线的结构示意图；
图11为在图10所示的L型挡墙以及条形挡墙限定出的触控区内设置隔垫物的示意图；
图12为图11中隔垫物的分布示意图；
图13为本申请提供的制作有机材料功能层的一种结构示意图；
图14为本申请提供的制作有机材料功能层的另一种结构示意图。
附图标记：
10--TFT背板；20-阴极层；201-自电容电极；202-触控引线；11-L型挡墙；11’-条形挡墙；101-触控区；102-引线区；110a-第一子隔垫物；110b-第二子隔垫物；110-隔垫物；13-金属薄膜层；14-触控芯片；15-封装盖板；16-多层薄膜触控结构；17-显示驱动芯片；A-OLED触控显示面板的显示区；B-OLED触控显示面板的非显示区；30-像素定义层；301-像素分隔物；302-开口；401-空穴注入层；402-空穴传输层；403-有机发光层；404-电子传输层；405-衬垫层；406-缓冲层；407-覆盖层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种OLED触控显示面板，如图1所示，包括TFT背板10以及设置于TFT背板10上的阴极层20。
如图2所示阴极层20包括多个相互绝缘的触控引线202以及多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极201。该触控引线202延伸至OLED触控显示面板的非显示区B。
其中，每一条触控引线202与一个自电容电极201相连接，且与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的电阻值均一致。
需要说明的是，上述“与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的电阻值均一致”中的“一致”是指在设计和制作公差允许的范围内，与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的电阻值相同或近似相同。
此外，为了节省布线空间且简化布线工艺，优选的与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202相互平行设置。在此情况下，上述一行自电容电极201中“行(R)”的延伸方向和与该行自电容电极201相连接的多条触控引线202的延伸方向相同。
由上述可知，一方面，由于阴极层20包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极201，因此阴极层20可以与自电容电极201复用。即在该OLED触控显示面板处于显示阶段时，对阴极层20施加电压，以使得阴极层20与上述TFT背板10上的阳极形成电场，从而激发位于阴极层20和该OLED触控显示面板中的阳极之间的有机发光层进行发光。当该OLED触控显示面板处于触控阶段时，每一个上述自电容电极201通过与其相连接的触控引线202可以与位于非显示区B的如图3a所示的金属薄膜层13电连接，具体的，如图3b所示，触控引线202通过透明导电薄膜层(例如ITO)与金属薄膜层13电连接。而该金属薄膜层13又连接接地端(GND)或者低电压端(VSS)，从而可以使得上述自电容电极201与接地端或者第电压端构成自电容。且当上述多个自电容电极201呈矩阵形式排列时，可以对N行和M列的自电容电极201进行扫描(即进行N+M次扫描)，以根据电容值发生变化的自电容所在的坐标确定出触控位置。这样一来，通过将阴极层20与自电容电极201复用可以实现如图3a所示的，结构简单的内嵌式触控(In Cell Touch)结构。从而无需采用如图4所示的在封装盖板15外侧设置多层薄膜触控结构16的方案，因此简化了OLED触控显示面板的结构。其中，上述N和M为大于或等于2的正整数。
另一方面，图3a中的金属薄膜层13除了连接非显示区B的接地端或者第电压端以外，还与位于上述非显示区B的设置于FPC上的触控芯片14(Touch IC)相连接，用于将触控引线202采集到的信号输出至触控芯片14。在此情况下，由于与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的电阻值均一致，因此与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202自身的电阻值对各个触控引线202向与其各自连接的自电容电极201输入的信号，以及向触控芯片14输出的采集信号的影响效果相同，从而通过对触控引线202进行等电阻设计，可以减小由于引线电阻差异导致的IR压降(IR-Drop)现象对该OLED触控显示面板的显示及触控性能的影响。
又一方面，当构成上述阴极层20的材料为金属材料，例如金属镁(Mg)和金属银(Ag)中的至少一种时，由于金属具有较好的延展性，因此，当上述OLED触控显示面板应用于柔性显示领域时，能够得到较好的弯折(Bending)效果，从而解决了现有技术中，在采用多层薄膜外嵌式的触控结构的情况下，由于该触控结构中的电极由透明导电材料构成而导致无法满足弯折要求的缺陷。
基于此，为了实现上述与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的电阻值均一致，以下对自电容电极201以及触控引线202的设置方式进行说明。
具体的，如图5所示，为了使得与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202具有足够的布线空间。优选的，将该OLED触控显示面板的显示区A分为左半屏和右半屏。其中，左半屏中与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202延伸至该OLED触控显示面板左半部分的非显示区B；右半屏中与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202延伸至该OLED触控显示面板右半部分的非显示区B。
需要说明的是，本申请中，“左”和“右”等方位术语是相对于附图中的OLED触控显示面板示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据OLED触控显示面板所放置的方位的变化而相应地发生变化。
基于此，该OLED触控显示面板的左半部分从左至右，与第一列C1和第二列C2自电容电极201相连接的触控引线202的宽度W长度L别相同。此外，除了第一列C1自电容电极201以外，与其余列自电容电极201相连接的触控引线202长度L和宽度W依次增加。
此外，上述OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列C1’和第二列C2’自电容电极201相连接的触控引线202的宽度W、长度L分别相同。此外，除了第一列C1’自电容电极201以外，与其余列自电容电极201相连接的触控引线202长度L和宽度W依次增加。
由上述可知，该OLED触控显示面板的左半部分从左至右或者，该OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列C1自电容电极201相连接的触控引线202的宽度W1和与第二列C2的自电容电极201相连接的触控引线202的宽度W2相同。其中，上述触控引线202的宽度为该触控引线202的线宽。并且，与第一列C1自电容电极201相连接的触控引线202的长度L1和与第二列C2的自电容电极201相连接的触控引线202的长度L2相同。其中，上述触控引线202的长度与该行自电容电极201的延伸方向相同。
此外，该OLED触控显示面板的左半部分从左至右或者，该OLED触控显示面板左右半部分从右至左，除了第一列C1自电容电极201以外，与其余列自电容电极201相连接的触控引线202长度L和宽度W依次增加。
具体的，以该OLED触控显示面板的左半部分中位于第一行的相邻三个自电容电极TX1、TX2以及TX3为例，与TX1、TX2以及TX3分别相连接的三条触控引线202的宽度W1、W2以及W3之间的关系为：W1＝W2＝M×W3；其中，0＜M＜1，M为正数，例如M可以为0.5。
此外，与TX1、TX2以及TX3分别相连接的三条触控引线202的长度L1、L2以及L3之间的关系为：L1＝L＝M×L3。
在此情况下，由于触控引线202的电阻值与其宽度W成正比，长度L成反比。因此，当与电容电极TX1、TX2以及TX3分别相连的三条触控引线202的长度L和宽度W均以此递增时，上述三条触控引线202的阻值可以保持相同或近似相同，从而实现等电阻设计。这样一来，能够降低由引线电阻差异导致的IR压降(IR-Drop)现象对该OLED触控显示面板的显示及触控性能的影响。
当然，上述举例说明仅仅是针对自电容电极TX1、TX2以及TX3的长度和宽度的设置方式进行的举例说明。当OLED触控显示面板的左半部分或右半部分包括三列以上的自电容电极201时，与同一行自电容电极201相连接的触控引线202的长度和宽度，随着自电容电极201在OLED触控显示面板的左半部分或右半部分所在列数的增加而增加。优选的，对于左半屏或右半屏中的任意半屏而言，与同一行自电容电极201相连接的多条触控引线202的长度和宽度以等差数列的形式逐渐增加，从而易于实现上述等电阻设计。
在此情况下，当与同一行自电容电极201相连接的所有触控引线202的宽度之和太大时，在触控的过程中，手指的按压位置会与多条触控引线202的位置相对应，而不是与某一个自电容电极201的位置基本对应。这样一来，将无法判断出触控位置与哪个自电容电极201的位置相对应，从而产生触控盲区，降低用户体体验。
为了解决上述问题，优选的，OLED触控显示面板的左半部分或右半部分中的任意一部分中，与同一行的自电容电极201相连接的触控引线202的宽度之和小于或等于该行中面积最大的自电容电极201宽度的10％。
其中，上述触控引线202的宽度方向和自电容电极201宽度方向均与触控引线202的延伸方向垂直。
这样一来，可以有效的控制，当与同一行自电容电极201相连接的所有触控引线202的宽度之和，使得触控过程中任意按压位置均能够与某一个自电容电极201的位置基本对应，从而有利于减小触控盲区，提高触控精度。
在此基础上，为了进一步提高显示亮度的均一性，优选的，上述自电容电极201为矩形，例如正方形。该OLED触控显示面板左半部分从左至右，上述自电容电极201的面积逐渐增大。此外，OLED触控显示面板右半部分从右至左，上述自电容电极201的面积逐渐增大。这样一来，通过将OLED触控显示面板左半屏和右半屏的自电容电极201的面积进行渐进式递增，从而在显示过程中，当上述多个自电容电极201作为阴极层20进行充电时，充入电量的大小也会渐进式递增。在此情况下，人眼不会发现相邻两个自电容电极201之间存在的细微电量差异，从而使得OLED触控显示面板的显示亮度能够保持均一。并且申请人在多次对OLED触控显示面板进行点灯效果测试的过程中，发现该OLED触控显示面板显示画面(例如条纹画面)时的亮度均一性良好。
需要说明的是，本申请对OLED触控显示面板的分辨率不做限定，当分辨率增加后，自电容电极201以及触控引线202仍然可以采用上述设置方式。基于此，当分辨率增加后，为了在降低IR压降(IR-Drop)现象的同时，可以增加OLED触控显示面板左半屏或右半屏中，与靠近该OLED触控显示面板中心位置的部分自电容电极201相连接的触控引线202的布线空间。优选的，OLED触控显示面板左半屏或右半屏中，与上述第一列C1(或C1’)和第二列C2(或C2’)自电容电极201相连接的触控引线202的宽度要尽可能的小。
为了达到上述目的，OLED触控显示面板左半部分从左至右，与第一列C1和第二列C2自电容电极201相连接的触控引线202的宽度与该OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同。
和/或，
OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列C1’和第二列C2’自电容电极201相连接的触控引线202的宽度与该OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同。
基于此，为了形成上述能够与阴极层20复用的多个自电容电极201以及与各个自电容电极201相连接的触控引线202。优选的，上述OLED触控显示面板还包括设置于如图6所示的TFT背板10上的多个如图7所示的L型挡墙以及多个与上述L型挡墙11的水平边平行的条状挡墙11’。此外，OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，多个L型挡墙11的尺寸依次增大。
具体的，相邻的两个L型挡墙11的竖直边分别与一个条状挡墙11’的两端相连接。相邻的两个L型挡墙11的竖直边和一条状挡墙11’限定出一个触控区101。此外，相邻的两个L型挡墙的水平边限定出与该触控区101相连接的引线区102。
基于此，优选的，上述OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，用于限定第一列C1(或C1’)触控区101的相邻两个L型挡墙11的开口方向相对设置。图8为图7中位于第一列C1(或C1’)的触控区101的形状放大示意图。此外，其余列的相邻两个L型挡墙11的开口方向相同，图9为图7中位于第二列C2(或C2’)以及该第二列C2(或C2’)之后的触控区101的形状放大示意图。
在此基础上，除了第一行C1(或C1’)触控区以外，用于限定上一行触控区101的L型挡墙11的水平边与用于限定下一行触控区101的条状挡墙11’共用。
需要说明的是，上述L型挡墙11的水平边与上述触控引线202的延伸方向相同，此外，L型挡墙11的竖直边与上述触控引线202的延伸方向垂直。
在此情况下，上述L型挡墙11和条状挡墙11’用于将阴极层20，如图10所示，分隔出位于上述触控区101内的自电容电极201以及位于引线区102内的触控引线202。
综上所述，一方面，OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，通过将多个L型挡墙11的尺寸依次增大，且将用于限定第一列C1(或C1’)触控区101的相邻两个L型挡墙11的开口方向相对设置，其余列的相邻两个L型挡墙11的开口方向相同，可以使得采用上述L型挡墙11和条状挡墙11’对阴极层20进行分割形成的多个自电容电极201中，除了第一列C1自电容电极201以外，与其余列自电容电极201相连接的触控引线202长度L和宽度W依次增加，且OLED触控显示面板左半屏和右半屏的自电容电极201的面积进行渐进式递增，从而有利于实现上述触控引线的等电阻设计，并提高显示亮度的均一性。
此外，另一方面，上述挡墙还可以对OLED触控显示面板中的封装盖板进行支撑，以使得该OLED触控显示面板的表面平整。
在此基础上，为了避免对显示效果造成影响，优选的，上述OLED触控显示面板还包括如图7所示的设置于TFT背板10上的像素定义层30。该像素定义层30包括横纵交叉的像素分隔物301，以及由像素分隔物301围设的开口302。
上述L型挡墙11和条状挡墙11’(图6中未示出)位于该像素分隔物301背离TFT背板10的一侧。
这样一来，由于开口位置302对应每个亚像素的有效显示区，而像素分隔物301位于非显示区，因此当将上述挡墙11设置于像素分隔物301背离TFT背板10的一侧时，可以避免挡墙11对上述有效显示区的遮挡，从而能够降低对显示效果的影响。
在此基础上，为了实现通过上述L型挡墙11和条状挡墙11’对阴极层20进行切割，优选的上述L型挡墙11和条状挡墙11’的纵截面形状为如图6所示倒梯形。其中，上述纵截面垂直于该TFT背板10。这样一来，当在形成有上述L型挡墙11和条状挡墙11’的基板上形成阴极层20，例如采用蒸镀工艺形成MgAg合金薄膜层时，在上述L型挡墙11和条状挡墙11’长边与侧边之间的夹角的切割作用下，可以将阴极层20断开，以在L型挡墙11和条状挡墙11’限定的触控区101内形成上述自电容电极201，在相邻两个L型挡墙11的水平边限定出的引线区102内形成上述触控引线202。
需要说明的是，本申请提供的OLED触控显示面板中的封装盖板15可以为盖板玻璃或者为封装薄膜层。在此基础上，为了提高对封装盖板15的制成效果，进一步提升OLED触控显示面板表面的平整度。优选的，该OLED触控显示面板还包括如图11所示的，位于上述触控区101内形成多个隔垫物110。当该OLED触控显示面板包括上述像素定义层30时。该隔垫物110可以位于该像素定义层30的像素分隔物301背离TFT背板10的一侧。
其中，由于上述隔垫物110设置于触控区101内，因此隔垫物110与挡墙11的位置不重叠。
基于此，为了简化制作工艺，并形成上述纵截面为倒梯形的L型挡墙11和条状挡墙11’。优选的L型挡墙11和条状挡墙11’与隔垫物110同层同材料。此外且构成所述L型挡墙11和条状挡墙11’的材料为负性光刻胶。在此情况下，通过一次掩膜曝光(MASK)工艺形成的隔垫物110、L型挡墙11以及条状挡墙11’的纵向截面的形状均为上述倒梯形。
此外，当在形成有上述隔垫物110、L型挡墙11以及条状挡墙11’的基板上形成阴极层20，例如采用蒸镀工艺形成MgAg合金薄膜层时，在隔垫物110、L型挡墙11以及条状挡墙11’长边与侧边之间的夹角的切割作用下，可以将阴极层20断开，此时隔垫物110L型挡墙11以及条状挡墙11’的表面具有悬浮(Floating)的薄膜层，由于该薄膜层呈孤岛状，因此对OLED触控显示面板的影响较小。
在此基础上，为了进一步减小自电容电极201与TFT背板10上其他电极之间产生的寄生电容，可以在上述触控区101内增加隔垫物110的设置数量，并优化该隔垫物110的排布方式。
具体的，上述隔垫物110，如图12所示，包括多个第一子隔垫物110a和多个第二子隔垫物110b。
多个第一子隔垫物110a呈矩阵形式排列。第二子隔垫物110b位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物110a之间。其中，第一子隔垫物110a的延伸方向与第二子隔垫物110b的延伸方向垂直。这样一来，可以进一步增加触控区101内处于浮空状态的的薄膜层，使得自电容电极202的面积进一步减小。
基于OLED触控显示面板制作工艺流程，当位于像素定义层30的像素分隔物301上的隔垫物110和、L型挡墙11以及条状挡墙11’制作完成后，在制作阴极层20之前，该OLED触控显示面板的制作方法还包括至少在像素定义层30的开口内形成有机材料功能层。
以下对上述有机材料功能层的具体结构进行举例说明。
例如，如图13所示，有机材料功能层包括依次位于TFT背板10靠近阴极层20一侧的空穴注入层401(HI)、空穴传输层402(HT)、用于调节微腔高度的衬垫层405、用于提高空穴的传输效率得缓冲层406(HTEB)、有机发光层有机发光层403(EML)以及电子传输层电子传输层404(ET)。
其中，空穴注入层401、空穴传输层402、缓冲层406以及电子传输层404完全覆盖TFT背板10的显示。有机发光层403和衬垫层405与开口302的位置相对应。
具体的，空穴注入层401和空穴传输层402的厚度分别为和该缓冲层406的厚度可以为电子传输层404的厚度为
该构成该有机发光层403的材料不同时，在阳极和阴极层20的形成的电场激发作用下，可以发出不同的光线，例如红光(R)、绿光(G)以及蓝光(B)。其中，红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40以及蓝色(B)有机发光层403的厚度分别为
此外，图4是以分别对红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40所在的微腔高度进行调节为例进行的说明。当需要对蓝色(B)有机发光层403所在的微腔高度进行调节时，也可以在蓝色(B)有机发光层403所在的微腔对应的开口位置形成上述衬垫层405。具体的，对红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40所在的微腔高度进行调节衬垫层405的厚度分别为
由上述可知，对于具有上述结构的有机材料功能层而言，只有有机发光层403和衬垫层405与开口302的位置相对应，其余薄膜层均完全覆盖TFT背板10的显示区。因此可以采用精细化掩膜板(FMM)制作有机发光层403和衬垫层405。其余薄膜层采用普通掩膜版即可。从而可以减少采用FMM的数量，降低制作成本。
或者，在制作成本允许的情况下上述有机材料功能层的结构，如图14所示，包括依次位于TFT背板10靠近阴极层20一侧，且与开口302的位置相对应的空穴注入层401、空穴传输层402、衬垫层405、缓冲层406、有机发光层403以及电子传输层404。
综上所述，由于本申请中，如图10所示，触控引线202与自电容电极201为同层结构，所以无论每个OLED器件的自身结构是否独立，上述触控引线202均可以向自电容电极201传输信号，从而使得各个OLED器件能够正常工作。因此上述图13与图14提供的两种有机材料功能层的结构对于本方案均适用。当然，为了简化制作工艺和节省成本，优选图13所示的制作方法。
在此基础上，当上述有机材料功能层制作完后，可以制作上述阴极层20，其中，阴极层20的厚度可以为此外还可以在阴极层20的表面形成覆盖层407(Capping)，以提高阴极层20的电学性能。该覆盖层407的厚度可以为
本发明实施例提供一种触控显示装置，包括如上所述的OLED触控显示面板，具有与前述实施例提供的OLED触控显示面板相同的有益效果。
此外，如图3a所示，该触控显示装置还包括设置于OLED触控显示面板非显示区的FPC、触控芯片14和以及显示驱动芯片17等驱动部件或驱动电路。
需要说明的是，在本申请中，触控显示装置可以为电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种OLED触控显示面板，其特征在于，包括TFT背板以及设置于所述TFT背板上的阴极层；
所述阴极层包括多个相互绝缘的触控引线以及多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极；所述触控引线延伸至所述OLED触控显示面板的非显示区；
其中，每一条触控引线与一个自电容电极相连接，且与同一行所述自电容电极相连接的多条触控引线的电阻值均一致。
2.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板，其特征在于，
所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度、长度分别相同；且除了第一列自电容电极以外，与其余列所述自电容电极相连接的触控引线长度和宽度依次增加；
所述OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度、长度分别相同；且除了第一列自电容电极以外，与其余列所述自电容电极相连接的触控引线长度和宽度依次增加。
3.根据权利要求1或2所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述自电容电极为矩形；
所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，所述自电容电极的面积逐渐增大；
所述OLED触控显示面板右半部分从右至左，所述自电容电极的面积逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述OLED触控显示面板的左半部分或右半部分中的任意一部分中，与同一行的自电容电极相连接的触控引线的宽度之和小于或等于该行中面积最大的自电容电极宽度的10％；
其中，所述触控引线的宽度方向和所述自电容电极宽度方向均与所述触控引线的延伸方向垂直。
5.根据权利要求4所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度与所述OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同；
和/或，
所述OLED触控显示面板左右半部分从右至左，与第一列和第二列自电容电极相连接的触控引线的宽度与所述OLED触控显示面板的一个亚像素的宽度相同。
6.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板，其特征在于，还包括设置于所述TFT背板上的多个L型挡墙以及多个与所述L型挡墙的水平边平行的条状挡墙；所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，多个L型挡墙的尺寸依次增大；
相邻的两个L型挡墙的竖直边分别与一个条状挡墙的两端相连接；所述相邻的两个L型挡墙的竖直边和一所述条状挡墙限定出一个触控区，所述相邻的两个L型挡墙的水平边限定出与该触控区相连接的引线区；
其中，所述L型挡墙和所述条状挡墙用于将所述阴极层分隔出位于所述触控区内的所述自电容电极以及位于所述引线区内的所述触控引线。
7.根据权利要求6所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述OLED触控显示面板左半部分从左至右，或者右边部分从右至左，用于限定第一列触控区的相邻两个L型挡墙的开口方向相对设置；其余列的相邻两个L型挡墙的开口方向相同；
除了第一行触控区以外，用于限定上一行触控区的L型挡墙的水平边与用于限定下一行触控区的条状挡墙共用。
8.根据权利要求6所述的OLED触控显示面板，其特征在于，还包括设置于所述TFT背板上的像素定义层，所述像素定义层包括横纵交叉的像素分隔物，以及由所述像素分隔物围设的开口；
所述L型挡墙和所述条状挡墙位于所述像素分隔物背离所述TFT背板的一侧。
9.根据权利要求6-8任一项所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述L型挡墙和所述条状挡墙的纵截面形状为倒梯形；所述纵截面垂直于所述TFT背板。
10.根据权利要求6所述的OLED触控显示面板，其特征在于，还包括设置于所述TFT背板上，且位于所述触控区内的隔垫物，所述L型挡墙和所述条状挡墙与所述隔垫物同层同材料；且构成所述L型挡墙和所述条状挡墙的材料为负性光刻胶。
11.根据权利要求10所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述隔垫物包括多个第一子隔垫物和多个第二子隔垫物；
所述多个第一子隔垫物呈矩阵形式排列；所述第二子隔垫物位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物之间；
其中，所述第一子隔垫物的延伸方向与所述第二子隔垫物的延伸方向垂直。
12.根据权利要求8所述的OLED触控显示面板，其特征在于，还包括有机材料功能层；
所述有机材料功能层包括依次位于所述TFT背板靠近所述阴极层一侧的空穴注入层、空穴传输层、衬垫层、缓冲层、有机发光层以及电子传输层；
其中，所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述缓冲层以及所述电子传输层完全覆盖所述TFT背板的显示区；所述有机发光层和所述衬垫层与所述开口的位置相对应。
13.根据权利要求8所述的OLED触控显示面板，其特征在于，还包括有机材料功能层；
所述有机材料功能层包括依次位于所述TFT背板靠近所述阴极层一侧，且与所述开口的位置相对应的空穴注入层、空穴传输层、衬垫层、缓冲层、有机发光层以及电子传输层。
14.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板，构成所述阴极层的材料为金属镁和金属银中的至少一种。
15.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的OLED触控显示面板。
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