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CN107132470A - 适用于晶圆级测试的治具 - Google Patents

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CN107132470A
CN107132470A CN201710396999.XA CN201710396999A CN107132470A CN 107132470 A CN107132470 A CN 107132470A CN 201710396999 A CN201710396999 A CN 201710396999A CN 107132470 A CN107132470 A CN 107132470A
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wafer
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heating rod
level test
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English (en)
Inventor
杨德利
熊望明
赵立新
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Galaxycore Shanghai Ltd Corp
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Galaxycore Shanghai Ltd Corp
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Publication date
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating

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Abstract

本发明涉及一种适用于晶圆级测试的治具，包括：基板；分别位于基板至少一侧面的多个探针及至少一个加热棒，所述加热棒通过所述基板将热量传递至所述探针，通过所述探针加热测试芯片；温度传感器，用于检测所述基板的温度。本发明中，模拟测试晶圆使用环境，测试高温下晶圆的性能，提高产品测试的准确性。

Description

适用于晶圆级测试的治具
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种适用于晶圆级测试的治具。
背景技术
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）图像传感器的制作过程为：设计、晶圆生产、彩色滤膜、芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）、测试。在晶圆测试步骤中，需要对晶圆上的晶粒（Die）进行电性测试，以确保在封装之前，硅晶圆上的晶粒是合格的产品，晶圆测试是确保半导体器件良率的关键步骤之一。
一般的，CMOS图像传感器在正常使用过程中会存在发热现象，产生噪声，影响图像传感器的性能、寿命等，现有技术中，并未提供对应于相应环境的治具或辅助装置对图像传感器晶圆进行测试，例如若进行不同温度测试时，往往将晶圆放置于不同室温中进行测试，测试较为复杂，并且对晶圆的实际温度难以控制，因此，在晶圆测试过程中需要对晶圆的测试环境进行调整，提高晶圆的温度，测试高温下晶圆的性能，提高测试准确性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于晶圆级测试的治具，模拟测试晶圆的使用环境，测试高温下晶圆的性能，提高测试的准确性。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种适用于晶圆级测试的治具，包括：
基板；
分别位于基板至少一侧面的多个探针及至少一个加热棒，所述加热棒通过所述基板将热量传递至所述探针，通过所述探针加热测试芯片；
温度传感器，用于检测所述基板的温度。
可选的，所述加热棒与所述探针依次错开设置。
可选的，所述测试芯片的表面具有锡球，所述锡球与所述探针连接，所述探针通过所述锡球将热量传递至所述测试芯片，以加热所述测试芯片。
可选的，所述治具还包括：多个导流槽，多个导流槽与所述加热棒位于基板的同一侧面。
可选的，所述导流槽位于所述加热棒延伸的方向上，且多个导流槽之间相互连通。
可选的，所述基板与电路板连接，所述基板与所述电路板之间形成密闭腔，所述电路板远离所述基板的一侧连接进气管，用于向所述基板的导流槽中通入气流。
可选的，所述治具还包括：多个散热气孔，多个散热气孔与所述探针位于所述基板的同一侧面。
可选的，所述散热气孔与所述加热棒相对设置，且每个所述加热棒对应多个散热气孔。
可选的，所述基板的温度范围为20℃~60℃。
相对于现有技术，本发明中适用于晶圆级测试的治具具有以下有益效果：
本发明中，采用兼容设置于治具中的加热棒对所述基板进行加热，通过基板将热量传递至探针，从而加热测试晶圆，使得测试过程中，测试晶圆的环境与使用环境接近，由于加热棒和热传递结构的设计能较好的控制晶圆对应的温度，可测试高温下晶圆的性能，提高产品测试的准确性。
附图说明
图1为本发明一实施例中治具一侧面的结构示意图；
图2为本发明一实施例中治具一侧面的结构示意图；
图3为本发明一实施例中治具测试晶圆的结构示意图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本发明的适用于晶圆级测试的治具进行详细描述。
参考图1和图2所示，所述治具包括：基板1；分别位于基板1至少一侧面的多个探针2及至少一个加热棒3，本实施例中，探针2和加热棒3分别位于基板1的正反两侧面，当然在本发明的其他实施例中，探针2和加热棒3还可以位于所述基板1的同一侧面，本发明对此不予限制。
进一步的，治具包括多个加热棒3，例如，包括4~6个加热棒，多个加热棒3之间相互并联。治具包括例如4~6个探针，每个探针2的表面具有测试用探针，并对应一个测试晶圆上的晶粒。测试过程中，加热棒3两端接电源，产生热量，基板1为导热材料，例如铝材料，导热性能良好，所述加热棒3通过所述基板1将热量传递至所述探针2，探针2与测试晶圆接触，通过所述探针2加热测试晶圆。
所述加热棒2与所述探针3依次交错设置。具体的，所述治具还包括；辅助对位单元11，辅助对位单元11中具有对位针，辅助对位单元11用于治具与测试晶圆之间的对位，所述加热棒2与所述探针3依次交错设置于所述辅助对位单元11的两侧。
参考图3所示，所述测试晶圆12的表面具有多个焊球10，测试过程中，测试晶圆12的感光面面向光源系统9，测试晶圆12的焊球10接触治具，所述探针2对应接触所述焊球10，探针2向焊球10提供测试用的信号。CMOS图像传感器的晶圆级测试的主要工作原理为：光源系统9中的LED背光源提供亮、暗两种不同光照环境下，通过连接有其他配套装置的治具与晶圆中的每个晶粒的焊球10接触提取相应电压、电流以及图像的信息，从而实现对产品良率的判断。
另一方面，加热棒3通过基板1将热量传递至探针2后，所述探针2通过所述焊球10将热量传递至所述测试晶圆12，以加热所述测试晶圆12，使得测试晶圆12的测试温度与正常使用时温度接近，模拟使用环境，在该环境下测试相应的电压、电流及图像信息，测试高温下晶圆的性能，检测测试晶圆的热噪声等参数，提高产品测试的准确性。进一步的，加热棒3和基板1、探针2、锡球10等热传递结构的设计能较好的控制测试晶圆对应的温度。
本实施例中，测试晶圆12上的温度可以根据正常使用过程中所达到的温度范围进行设置，例如，所述基板1的温度范围为20℃~60℃，使得测试晶圆12达到相应的温度范围。进一步的，所述治具还包括；温度传感器4，用于检测所述基板1上的温度。所述温度传感器4可设置于治具的任意位置处，例如，位于基板1上所述加热棒3所在的同一侧面，本发明不予限制。
参考图1和图3所示，所述治具还包括：多个导流槽5，多个导流槽5与所述加热棒3位于所述基板1的同一侧面。具体的，所述导流槽5位于所述加热棒3延伸的方向上，且各个导流槽5之间相互连通，并且治具还包括进气口8，导流槽5连接于进气口8。所述基板1与电路板7连接，电路板7上设置卡槽，将测试出的电压、电流及图像信息输出，所述基板1与所述电路板7之间形成密闭腔，所述电路板7远离所述基板1的一侧连接有进气管13，进气管13根据需要通过进气口8向导流槽5中通入气流，例如，当基板1的温度达不到测试需要时，进气管13中通入气流。
参考图2和图3所示，所述治具还包括：多个散热气孔6，多个散热气孔6与所述探针2位于所述基板1的同一侧面。所述散热气孔6与所述加热棒3相对应设置于基板1的正反两面，且每个所述加热棒3可以对应多个散热气孔6。当进气管13中通入气流，气流沿导流槽5进入治具与电路板之间的密闭腔，流向加热棒3，由于基板1的一侧面与电路板之间形成密闭腔，使得气流从另一侧面的散热气孔6中排出，气流将加热棒3中的热量散出，用于加热测试晶圆12。
综上所述，本发明中，采用加热棒对所述基板进行加热，通过基板将热量传递至探针，从而加热测试晶圆，使得测试过程中，测试晶圆的环境与使用环境接近，测试高温下晶圆的性能，提高产品测试的准确性。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，包括：
基板；
分别位于基板至少一侧面的多个探针及至少一个加热棒，所述加热棒通过所述基板将热量传递至所述探针，通过所述探针加热测试芯片；
温度传感器，用于检测所述基板的温度。
2.根据权利要求1所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述加热棒与所述探针依次错开设置。
3.根据权利要求1所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述测试芯片的表面具有锡球，所述锡球与所述探针连接，所述探针通过所述锡球将热量传递至所述测试芯片，以加热所述测试芯片。
4.根据权利要求1所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述治具还包括：多个导流槽，多个导流槽与所述加热棒位于基板的同一侧面。
5.根据权利要求4所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述导流槽位于所述加热棒延伸的方向上，且多个导流槽之间相互连通。
6.根据权利要求4所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述基板与电路板连接，所述基板与所述电路板之间形成密闭腔，所述电路板远离所述基板的一侧连接进气管，用于向所述基板的导流槽中通入气流。
7.根据权利要求1所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述治具还包括：多个散热气孔，多个散热气孔与所述探针位于所述基板的同一侧面。
8.根据权利要求7所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述散热气孔与所述加热棒相对设置，且每个所述加热棒对应多个散热气孔。
9.根据权利要求1所述的适用于晶圆级测试的治具，其特征在于，所述基板的温度范围为20℃~60℃。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108776242A (zh) * 2018-04-28 2018-11-09 深圳瑞波光电子有限公司 一种测试治具及装置
CN109507565A (zh) * 2018-11-16 2019-03-22 杭州电子科技大学 一种毫米波放大器芯片测试腔体及其测试方法
CN116547543A (zh) * 2021-03-15 2023-08-04 日本电子材料株式会社 探针卡

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802418A2 (en) * 1996-04-18 1997-10-22 Motorola, Inc. Method for high-speed testing a semiconductor device
CN102222632A (zh) * 2011-07-07 2011-10-19 北京思比科微电子技术股份有限公司 晶圆测试方法及装置
US20120187971A1 (en) * 2011-01-20 2012-07-26 PLeader-YAMAICHI Co., Ltd High-frequency vertical spring probe card structure
CN103424681A (zh) * 2013-09-03 2013-12-04 苏州创瑞机电科技有限公司 Cmos晶圆自动测试直针自动测试插座
CN103487609A (zh) * 2013-09-09 2014-01-01 苏州创瑞机电科技有限公司 千万像素级cmos光学芯片模组测试插座
CN104122446A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 技嘉科技股份有限公司 电路板测试系统
CN106124964A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 上海华岭集成电路技术股份有限公司 探针卡高温测试装置
CN207051431U (zh) * 2017-05-31 2018-02-27 格科微电子（上海）有限公司 适用于晶圆级测试的治具

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802418A2 (en) * 1996-04-18 1997-10-22 Motorola, Inc. Method for high-speed testing a semiconductor device
US20120187971A1 (en) * 2011-01-20 2012-07-26 PLeader-YAMAICHI Co., Ltd High-frequency vertical spring probe card structure
CN102222632A (zh) * 2011-07-07 2011-10-19 北京思比科微电子技术股份有限公司 晶圆测试方法及装置
CN104122446A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 技嘉科技股份有限公司 电路板测试系统
CN103424681A (zh) * 2013-09-03 2013-12-04 苏州创瑞机电科技有限公司 Cmos晶圆自动测试直针自动测试插座
CN103487609A (zh) * 2013-09-09 2014-01-01 苏州创瑞机电科技有限公司 千万像素级cmos光学芯片模组测试插座
CN106124964A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 上海华岭集成电路技术股份有限公司 探针卡高温测试装置
CN207051431U (zh) * 2017-05-31 2018-02-27 格科微电子（上海）有限公司 适用于晶圆级测试的治具

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108776242A (zh) * 2018-04-28 2018-11-09 深圳瑞波光电子有限公司 一种测试治具及装置
CN109507565A (zh) * 2018-11-16 2019-03-22 杭州电子科技大学 一种毫米波放大器芯片测试腔体及其测试方法
CN109507565B (zh) * 2018-11-16 2020-10-23 杭州电子科技大学 一种毫米波放大器芯片测试腔体及其测试方法
CN116547543A (zh) * 2021-03-15 2023-08-04 日本电子材料株式会社 探针卡

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