CN107046158B

CN107046158B - 终端装置以及终端方法

Info

Publication number: CN107046158B
Application number: CN201611165913.4A
Authority: CN
Inventors: 上道雄介
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2015-12-17
Filing date: 2016-12-16
Publication date: 2020-06-09
Anticipated expiration: 2036-12-16
Also published as: CN107046158A; US10003115B2; JP6054501B1; JP2017112532A; US20170179560A1

Abstract

终端装置(1)在柱壁波导路(26)的上部宽壁(22)上具有上部电介质层(31)以及微带线路(MSL)(61)。对于盲孔(34)，一端部与MSL(61)的一端部连接，并插入至柱壁波导路(26)的内部。对于贴片式电阻(36)，一端部与MSL(61)的另一端部连接，另一端部与上部宽壁(22)连接。

Description

终端装置以及终端方法

技术领域

本发明涉及柱壁波导路具有终端装置以及终端方法。

背景技术

在微波、毫米波的领域中，使用由柱壁波导路(Post-wall waveguide：PWW)构成的无源设备。定向耦合器、双工器等是这样的无源设备的一个例子。以往，公知有对上述无源设备赋予终端功能的终端装置。

关于上述终端装置，例如在专利文献1中公开使用了盲孔、贯通孔且经由平面线路与柱壁波导路之间的模式转换器而在柱壁波导路的内部形成终端的结构。在该结构中，将柱壁波导路的宽壁的一部分置换为电阻膜。

在专利文献1所记载的结构中，具体而言，微波封装件具有成为多层基板的多个金属图案，上述金属图案通过层间通路孔电连接。在下部的金属图案与其上部之一的金属图案之间形成有以上述金属图案为下部宽壁以及上部宽壁的模拟波导管。在微波封装件的上表面侧的金属图案之上，经由电介质层设置有微带线路，该微带线路的一端部经由模拟同轴线路以及波导管转换部等与模拟波导管耦合，另一端部与微波开关连接。上述模拟波导管的下部宽壁的一部分由膜电阻器形成。

由此，输入至微带线路的微波信号由模拟波导管引导，并在下部宽壁的膜电阻器转换为热而散逸。

专利文献1：日本公开专利公报“日本特开2012-231292号公报(2012年11月22日公开)”

然而，在实现专利文献1的微波封装件过程中，考虑在形成宽壁以及柱壁之前成膜规定的图案的电阻膜的方法。

在该情况下，在基板成膜了电阻膜之后将实施如下工序：(1)通过蚀刻或钻孔等在基板形成贯通孔的工序，(2)通过溅射在基板的表面成膜宽壁的工序，以及(3)通过镀覆贯通孔的内壁而在基板的内部形成导体柱的工序。因此，电阻膜暴露在蚀刻中使用的蚀刻溶液(例如氟酸溶液)、溅射时的等离子体等。另外，溅射时基板变为高温，因此电阻膜也暴露在高温。结果在电阻膜残留有热历程。由于受到上述影响，所以存在电阻膜的特性(例如导电特性)相比成膜时的特性变化的可能性。换言之，在将柱壁波导路的宽壁的一部分置换为电阻膜的终端装置中，存在无法获得所希望的终端特性的可能性。

另外，需要在终端装置的制造工序中追加用于形成规定的图案的电阻膜的工序(例如光刻等)。因此，用于制造终端装置的工序数增加，结果具有终端装置的制造成本增加的问题点。

发明内容

本发明是鉴于上述的课题完成的，其目的在于提供具有所希望的终端特性并能够容易且廉价地制造的终端装置以及终端方法。

为了解决上述的课题，本发明的一实施方式的终端装置具有包括由多个导体柱构成的柱壁和与该柱壁一起形成波导区域的一对宽壁的柱壁波导路，在上述一对宽壁中任一方的宽壁的表面经由电介质层设置有微带线路，所述终端装置的特征在于，具备：盲孔，其与上述微带线路的一端部连接，并插入至上述波导区域的内部；和电阻器，其一端部与上述微带线路的另一端部连接，另一端部与上述一方的宽壁连接。

根据本发明的一实施方式的结构，不需要特殊的制造方法，能够使用通用的电阻器等部件，容易且廉价地制造终端装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的终端装置的波导路部件的结构的立体图。

图2是图1中的A-A箭头方向的剖视图。

图3是表示本发明的实施方式的终端装置的结构的纵剖视图。

图4是表示图3所示的终端装置的上表面中的微带线路以及GND焊盘的配置状态的主要部位的俯视图。

图5是表示图3所示的连接层为各向异性导电膜的情况下的贴片式电阻与GND焊盘以及微带线路的RF焊盘的连接状态的纵剖视图。

图6是表示图1所示的终端装置的使用方式的一个例子的说明。

图7是表示本发明的其他实施方式的终端装置的结构的纵剖视图。

图8是表示本发明的又一其他实施方式的终端装置的结构的纵剖视图。

图9是表示本发明的又一其他实施方式的终端装置的结构的纵剖视图。

图10是表示图9所示的终端装置的上表面中的微带线路以及GND焊盘的配置状态的主要部位的俯视图。

图11是表示本发明的又一其他实施方式的终端装置的结构的纵剖视图。

图12是表示本发明的又一其他实施方式的终端装置的上表面中的微带线路以及GND焊盘的配置状态、以及微带线路的结构的主要部位的俯视图。

图13(a)是表示设置于本发明的又一其他实施方式的终端装置的微带线路的阻抗匹配部的结构的示意图。图13(b)是图13(a)所示的阻抗匹配部的电路图。

图14(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部的变形例的阻抗匹配部的结构的示意图。图14(b)是图14(a)所示的阻抗匹配部的电路图。

图15(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部的其他变形例的阻抗匹配部的结构的示意图。图15(b)是表示图15(a)所示的阻抗匹配部的电路图。

图16(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部的又一其他变形例的阻抗匹配部的结构的示意图。图16(b)是图16(a)所示的阻抗匹配部的电路图。

图17是表示图13(b)所示的阻抗匹配部的又一其他变形例的阻抗匹配部的结构的电路图。

附图标记说明：

1～6...终端装置；11～12...波导路部件；21...波导路部电介质层；22...上部宽壁；23...下部宽壁；24...柱壁；24a...导体柱；24b...侧壁；24c...前壁；24d...后壁；31...上部电介质层；32...微带线路；32b...RF焊盘；33...GND焊盘；34...盲孔；35...连接通路孔；36...贴片式电阻(电阻器)；37...连接层；38...各向异性导电膜(连接层、衰减层)；41...薄膜电阻基板(电阻器)；51...填充层(衰减层)；61...微带线路；61a...直线部；61b...RF焊盘；61c...阻抗匹配部；71a...连接部；71b...连接部；72...阻抗匹配部；72a...线圈部；72b...静电电容部；72...阻抗匹配部；72a...线圈部；72b...静电电容部；73...阻抗匹配部；73a...线圈部；73b...静电电容部；74...阻抗匹配部；74a...线圈部；74b...静电电容部；75...阻抗匹配部；75a...线圈部；75b...静电电容部；76...阻抗匹配部；76a...线圈部；76b...静电电容部；81...定向耦合器。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下根据附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的终端装置的波导路部件的结构的立体图。图2是表示图1中的A-A箭头方向的剖视图。此外，在图1中，为了便于理解终端装置1即波导路部件11的内部的构造，用实线表示柱壁24，用双点划线表示柱壁24以外的部件。另外，在图2中，不改变本来的线型，将终端装置1的波导路部件11表示为A-A箭头方向的剖视图。

(波导路部件11的结构)

如图1以及图2所示，终端装置1具备波导路部件11。波导路部件11具备厚膜的波导路部电介质层21、上部宽壁22、下部宽壁23以及柱壁24。此外，在图1以及图2中，除波导路部件11以外，还示出薄膜的上部电介质层31、微带线路32以及盲孔34。

作为波导路部电介质层21以及上部电介质层31的材料，能够使用石英玻璃等玻璃、PTFE等氟类树脂、液晶聚合物、或环烯烃聚合物等。

上部宽壁22由导电层构成，设置于波导路部电介质层21的上表面。下部宽壁23由导电层构成，设置于波导路部电介质层21的下表面。作为上部宽壁22以及下部宽壁23的材料，能够使用铜等金属。

柱壁24通过将多个导体柱24a以包围长方体状的区域的四方的方式排列成长方形而形成，并被埋设于波导路部电介质层21。各导体柱24a例如为圆柱形的导体，上端部与上部宽壁22电连接，下端部与下部宽壁23电连接。导体柱24a例如可以通过在波导路部电介质层21形成贯通孔并对该贯通孔的壁面实施导体镀覆而形成。

在波导路部件11中，由上部宽壁22、下部宽壁23以及柱壁24围起的区域成为柱壁波导路26。柱壁波导路26的长度方向与用箭头B表示的RF信号入射方向一致。这里，如图1所示，将柱壁24之中沿柱壁波导路26的长度方向延伸的壁作为侧壁24b，将位于柱壁波导路26的前端部(RF信号入射方向(B方向)的端部)并沿柱壁波导路26的宽度方向延伸的壁作为前壁24c，将位于柱壁波导路26的后端部(与RF信号入射方向(B方向)相反的方向的端部)并沿柱壁波导路26的宽度方向延伸的壁作为后壁24d。此外，前壁24c以及后壁24d一般被称为短壁。

(终端装置1的结构)

图3是表示本发明的实施方式的终端装置1的结构的纵剖视图。图4是表示终端装置1的上表面中的微带线路32以及GND焊盘33的配置状态的主要部位的俯视图。此外，在图4中，为了便于理解微带线路32以及GND焊盘33的配置状态，示出除去贴片式电阻36的状态。

如图3所示，终端装置1在波导路部件11的上部宽壁22之上设置有上部电介质层31，在上部电介质层31之上设置有微带线路32以及GND焊盘33。

如图3以及图4所示，在柱壁波导路26上且在例如柱壁波导路26的宽度方向的中央部，对于微带线路32的前壁24c侧的端部(以下，称为前端部)配置于靠近前壁24c的位置，并从该位置向后壁24d方向延伸。GND焊盘33与微带线路32中的后壁24d侧的端部(以下，称为RF焊盘32b)空开规定的间隔，配置于相对于微带线路32的后壁24d侧的位置。GND焊盘33能够形成为任意的形状。

在微带线路32的前端部的下表面垂下状地设置有盲孔34，该盲孔34作为模式转换部而发挥功能。盲孔34例如具有圆筒形状，贯通上部电介质层31以及上部宽壁22并插入至柱壁波导路26内的波导路部电介质层21(由柱壁24、上部宽壁22以及下部宽壁23围起的波导区域内)。盲孔34的下端部为不到达下部宽壁23的状态。在上部宽壁22且在盲孔34的插入位置形成有开口部，从而使盲孔34不与上部宽壁22短路。

在GND焊盘33的下表面设置有连接通路孔35。连接通路孔35贯通上部电介质层31，且下端部与上部宽壁22连接。

在微带线路32的RF焊盘32b以及GND焊盘33之上，以跨设状态设置有贴片式电阻(电阻器)36。即，贴片式电阻36的一端部经由连接层37与微带线路32的RF焊盘32b连接，贴片式电阻36的另一端部经由连接层37与GND焊盘33连接。由此，插入至柱壁波导路26内的盲孔34经由微带线路32、贴片式电阻36、GND焊盘33以及连接通路孔35与上部宽壁22连接。即，在终端装置1中，从微带线路32观察，形成有基于贴片式电阻36的终端状态。

连接层37例如通过一般的SnAgCu焊料或AuSn焊料接合而成。或者，连接层37也可以通过各向异性导电膜接合而成。图5是表示连接层37为各向异性导电膜38的情况下的贴片式电阻36与GND焊盘33以及微带线路32的RF焊盘32b的连接状态的纵剖视图。

如图5所示，各向异性导电膜38在树脂层38a的内部分散着导电粒子38b。各向异性导电膜38作为连接层发挥功能，并且还作为后述的填充层发挥功能。

在使用各向异性导电膜38的情况下，在贴片式电阻36的连接端子与RF焊盘32b以及GND焊盘33之间配置各向异性导电膜38。在该状态下，相对于贴片式电阻36施加RF焊盘32b以及GND焊盘33方向的压力，且加热各向异性导电膜38，由此利用存在于贴片式电阻36的连接端子与RF焊盘32b以及GND焊盘33之间的导电粒子38b，将贴片式电阻36的连接端子与RF焊盘32b以及GND焊盘33连接。

图6是表示本实施方式的终端装置的使用方式的一个例子的说明。在图6的例子中，终端装置1与定向耦合器81连接来使用。定向耦合器81具有第一～第三接口P1～P3、以及绝缘接口P4，终端装置1与绝缘接口P4连接。此外，若在定向耦合器81组合带通滤波器、以及另一个定向耦合器，则作为双工器发挥功能。

(终端装置1的动作)

在上述的结构中，对终端装置1的动作进行说明。在终端装置1中，在波导路部件11的柱壁波导路26沿RF信号入射方向(B方向)行进的RF信号通过作为模式转换部发挥功能的盲孔34转换为高频电流。该高频电流经由微带线路32、贴片式电阻36、GND焊盘33以及连接通路孔35流入上部宽壁22。在该情况下，上述高频电流因在贴片式电阻36流动而衰减。

(终端装置1的优点)

这样，终端装置1是利用插入至柱壁波导路26的盲孔34将在波导路部件11的柱壁波导路26行进的作为电磁波的RF信号转换为高频电流，并且利用设置于波导路部件11的上表面的贴片式电阻36使该高频电流衰减的结构。因此，终端装置1不需要特殊的制造方法，能够使用贴片式电阻36等通用的部件，容易且廉价地制造。

另外，贴片式电阻36以收纳在柱壁波导路26的区域上的方式设置，因此终端装置1的纵横方向(与上部宽壁22以及下部宽壁23平行的方向)的尺寸不增大，能够成为紧凑的结构。

此外，在本实施方式中，微带线路32以及GND焊盘33形成为经由上部电介质层31设置于上部宽壁22之上的结构，但也可以形成为经由相当于上部电介质层31的下部电介质层设置于下部宽壁23之下的结构。在该情况下，设置于GND焊盘33的连接通路孔35贯通下部电介质层并与下部宽壁23连接。这点在后述的其他实施方式中也同样。

〔第二实施方式〕

以下根据附图对本发明的其他实施方式进行说明。此外，为了便于说明，对于具有与上述的实施方式中说明过的部件相同的功能的部件，标注相同的附图标记，并省略其说明。

(终端装置2的结构)

图7是表示本发明的实施方式的终端装置2的结构的纵剖视图。对于终端装置2，代替图3所示的终端装置1的贴片式电阻36转而具备薄膜电阻基板(电阻器)41。终端装置2的其他结构与图3所示的终端装置1相同。

如图7所示，薄膜电阻基板41在支承基板42的下表面具备薄膜电阻43、以及设置于薄膜电阻43的两端的连接部44。支承基板42例如是由树脂、陶瓷或硅形成的基板。

薄膜电阻基板41在一方的连接部44与微带线路32的RF焊盘32b连接、另一方的连接部44与GND焊盘33连接的状态下以跨设状态设置于微带线路32以及GND焊盘33之上。由此，插入至柱壁波导路26内的盲孔34经由微带线路32、薄膜电阻基板41、GND焊盘33以及连接通路孔35与上部宽壁22连接。

(终端装置2的动作)

在终端装置2中，被盲孔34从作为电磁波的RF信号转换的高频电流经由微带线路32、薄膜电阻基板41、GND焊盘33以及连接通路孔35流入上部宽壁22。在该情况下，上述高频电流因在薄膜电阻基板41流动而衰减。

(终端装置2的优点)

终端装置2是利用设置于波导路部件11的上表面的薄膜电阻基板41使被盲孔34从作为电磁波的RF信号转换的高频电流衰减的结构。因此，终端装置2具有与终端装置1同样的优点。即，不需要特殊的制造方法，能够使用简单的结构的薄膜电阻基板41，容易且廉价地制造。

另外，薄膜电阻基板41能够设置于波导路部件11的上表面，因此终端装置2的纵横方向(与上部宽壁22以及下部宽壁23平行的方向)的尺寸不增大，能够成为紧凑的结构。

〔第三实施方式〕

以下根据附图对本发明的又一其他实施方式进行说明。此外，为了便于说明，对于具有与上述的实施方式中说明过的部件相同的功能的部件，标注相同的附图标记，并省略其说明。

(终端装置3的结构)

图8是表示本发明的实施方式的终端装置3的结构的纵剖视图。终端装置3在微带线路32、GND焊盘33以及上部电介质层31与薄膜电阻基板41之间具备填充层51。

如图8所示，填充层51是产生介电损耗的层，是辅助薄膜电阻基板41中的高频电流的衰减的衰减层。作为填充层51的材料，优选介电正切(tanδ)大的材料，能够使用树脂、导电性的粘合剂(例如银膏等)、或使导电性粒子分散的树脂(例如各向异性导电膜)等。通过采用由介电正切高的树脂构成的树脂层38a，能够增大介电损耗，能够更可靠地使高频电流衰减。终端装置3的其他结构与图7所示的终端装置2相同。

(终端装置3的优点)

终端装置3是利用设置于波导路部件11的上表面的薄膜电阻基板41以及填充层51使被盲孔34从作为电磁波的RF信号转换的高频电流衰减的结构。因此，终端装置3能够利用填充层51进一步提高高频电流的衰减功能，作为终端装置具备更高的功能。

另外，不需要特殊的制造方法，能够使用简单的结构的薄膜电阻基板41以及填充层51，容易且廉价地制造。另外，与终端装置1相同，也具有是紧凑的结构的优点。

〔第四实施方式〕

(波导路部件12的结构)

图9是表示本发明的实施方式的终端装置4的结构的纵剖视图。图10是表示终端装置4的上表面中的微带线路32以及GND焊盘33的配置状态的主要部位的俯视图。此外，在图10中，为了便于理解微带线路32以及GND焊盘33的配置状态，示出除去了贴片式电阻36的状态。

如图9所示，终端装置4代替图1所示的波导路部件11转而具备波导路部件12。波导路部件12的波导路部电介质层21、上部宽壁22、下部宽壁23以及上部电介质层31从柱壁波导路26的前壁24c向RF信号入射方向(B方向)延伸配置。因此，在将波导路部件12、11中的RF信号入射方向(B方向)侧的端部作为前端部的情况下，对于从柱壁波导路26的前壁24c至前端部的长度而言，波导路部件12的比波导路部件11的长。

(终端装置4的结构)

如图9以及图10所示，在终端装置4中，与终端装置1相反，微带线路32的盲孔34侧的端部配置于柱壁波导路26的后壁24d侧的位置，微带线路32从该位置起向前壁24c方向延伸。GND焊盘33不在柱壁波导路26的区域上，被配置于柱壁波导路26的前壁24c上与波导路部件12的前端部之间的位置。

因此，贴片式电阻36在跨过柱壁波导路26的前壁24c的状态下以跨设状态设置于微带线路32的RF焊盘32b以及GND焊盘33之上。终端装置4的其他结构与图3所示的终端装置1相同。

(终端装置4的动作以及优点)

在上述的结构中，终端装置4的动作与终端装置1的动作相同。

在终端装置4中，例如，在设计上无法将贴片式电阻36整体配置于柱壁波导路26的区域上的情况下，以跨过柱壁波导路26的前壁24c的方式配置贴片式电阻36。由此，能够抑制终端装置4的大型化。

具体而言，特别是在毫米波带等频率高的带域，贴片式电阻36等电阻元件的全长优选尽量缩短电长度，微带线路32的RF焊盘32b与GND焊盘33的对置的端部彼此的间隔优选不足500μm左右。另一方面，柱壁波导路26的前壁24c的导体柱24a的直径在借助一般的贯通孔形成技术形成的情况下，为100μm～300μm，成为比较接近上述500μm的尺寸。

因此，若以跨过柱壁波导路26的前壁24c的方式配置贴片式电阻36，则能够缩小贴片式电阻36的配置区域从柱壁波导路26的区域上的凸出量，即能够缩小柱壁波导路26的区域上以外的贴片式电阻36的配置所需要的区域。由此，能够抑制终端装置4的大型化。

并且，以跨过柱壁波导路26的前壁24c的方式配置贴片式电阻36的终端装置4与以收纳在柱壁波导路26的区域上的方式设置贴片式电阻36的终端装置1相比，虽然在紧凑性方面差，但通过实验能够确认：从柱壁波导路26至微带线路32的终端部(与贴片式电阻36的连接部)之间的模式转换动作良好。由此，在终端装置4中，能够推测：能够实现良好的终端特性。因此，可见作为终端装置，若重视紧凑性，则终端装置1相对优选，若重视终端特性，则终端装置4相对优选。在代替贴片式电阻36转而使用各实施方式所示的电阻器的情况下也同样如此。终端装置4的其他优点与终端装置1相同。

此外，这里，以贴片式电阻36跨过前壁24c的情况为例进行了说明。然而，贴片式电阻36所跨过的柱壁24并不限定于前壁24c，可以是侧壁24b，也可以是侧壁24d。

〔第五实施方式〕

(终端装置5的结构)

图11是表示本发明的实施方式的终端装置5的结构的纵剖视图。终端装置5，代替图9所示的终端装置4的贴片式电阻36转而具备薄膜电阻基板41。终端装置5的其他结构与图9所示的终端装置4相同。

(终端装置5的动作以及优点)

在上述的结构中，终端装置5的动作与终端装置1的动作相同。

如图11所示，在终端装置5中，与终端装置4相同，例如，在设计上无法将薄膜电阻基板41整体配置于柱壁波导路26的区域上的情况下，以跨过柱壁波导路26的前壁24c的方式配置薄膜电阻基板41。由此，能够抑制终端装置5的大型化。终端装置5的其他优点与终端装置1相同。

〔第六实施方式〕

(终端装置6的结构)

图12是表示本发明的实施方式的终端装置6的上表面中的微带线路以及GND焊盘的配置状态、以及微带线路的结构的主要部位的俯视图。此外，在图12中，为了便于理解终端装置6，示出除去了贴片式电阻36或薄膜电阻基板41的状态。

如图12所示，终端装置6，代替微带线路32转而具备微带线路61。微带线路61的RF焊盘成为RF焊盘61b。

在微带线路61设置有阻抗匹配部61c。在图12的例子中，阻抗匹配部61c形成于微带线路61的直线部61a与RF焊盘61b之间。具体而言，阻抗匹配部61c通过将微带线路61细线化并设计为曲折形状来形成串联电感。像这样，设置有阻抗匹配部61c的微带线路61的结构在以上的终端装置1～5中也能够应用。

(终端装置6的动作以及优点)

终端装置6在微带线路61设置有阻抗匹配部61c，由此作为终端装置能够具备更高的功能。

即，一般地，在数GHz～数十GHz的频率区域中，贴片式电阻36、薄膜电阻基板41等电阻器受到因构造引起的寄生电感、寄生电容、电长度等的影响而含有虚数成分，存在不作为纯电阻发挥功能的情况。此时，电阻器由于虚数成分的缘故而无法充分使将RF信号(电磁波)变换后的高频电流衰减。

因此，通过在微带线路61设置阻抗匹配部61c，去除衰减电阻元件的虚数成分。由此，终端装置6能够使在微带线路61流动的上述高频电流充分衰减，提高作为终端装置的功能。

〔第七实施方式〕

在图12所示的终端装置6中，可以代替微带线路61的阻抗匹配部61c转而设置图13所示的阻抗匹配部72。

(阻抗匹配部72的结构)

图13(a)是表示设置于本发明的实施方式的终端装置6的微带线路61的阻抗匹配部72的结构的示意图，图13(b)是图13(a)所示的阻抗匹配部72的电路图。

如图13(a)所示，阻抗匹配部72具有连接部71a、71b，例如，连接部71a与微带线路61的直线部61a连接，连接部71b与微带线路61的RF焊盘61b连接。

在连接部71a、71b之间设置有线圈部72a，而且在连接部71a连接有静电电容部72b。线圈部72a由曲折形状形成。线圈部72a的电感通过线路的粗细与长度进行设定。静电电容部72b由具有将线圈部72a的端部直线状地延伸的状态的开路枝节形成。详细而言，由开路枝节、上部电介质层31以及上部宽壁22形成。静电电容部72b的静电电容通过线路即开路枝节的粗细与长度进行设定。如图13(b)所示，阻抗匹配部72成为并联C-串联L的LC电路。

即，线圈部72a在连接部71a(一端部)与连接部71b(另一端部)之间具有向与上述连接部71a和连接部71b的连线正交的方向的一侧以及另一侧蜿蜒的曲折形状。静电电容部72b具有从线圈部72a的端部向与上述连线正交的方向延伸的直线部。

(阻抗匹配部72的优点)

在本实施方式的终端装置6中，借助阻抗匹配部72去除衰减电阻元件的虚数成分。

在阻抗匹配部72中，在线圈部72a的端部连接有静电电容部72b，线圈部72a与静电电容部72b的连接部例如成为与微带线路61的直线部61a连接的连接部71a。因此，阻抗匹配部72在线圈部72a与静电电容部72b之间不存在除上述以外的额外的成分。即，能够排除线圈部72a与静电电容部72b的连接部中的预计以外的寄生成分，能够使线圈部72a与静电电容部72b的连接部的电长度完全为0°，特别是在毫米波带中成为有效的阻抗匹配部。由此，终端装置6使在微带线路61流动的上述高频电流充分衰减，能够提高作为终端装置的功能。

另外，静电电容部72b具有沿着线圈部72a的曲折形状的区域的直线部。因此，能够使线圈部72a以及静电电容部72b的形成区域为小的区域。由此，能够使阻抗匹配部72小型化。

(变形例1)

图14(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部72的变形例的阻抗匹配部73的结构的示意图，图14(b)是图14(a)所示的阻抗匹配部73的电路图。

如图14(a)所示，阻抗匹配部73具有一端部与连接部71a连接且另一端部与连接部71b连接的线圈部73a、与连接部71a连接的静电电容部73b、以及与连接部71b连接的静电电容部73b。

线圈部73a形成为曲折形状。两个静电电容部73b由从线圈部73a的各端部直线状地相互向相反方向延伸的状态的开路枝节形成。因此，如图14(b)所示，阻抗匹配部73成为并联C-串联L-并联C的LC电路。该阻抗匹配部73具有与阻抗匹配部72同样的优点。

此外，在图14(a)、图14(b)所示的例子中，阻抗匹配部73成为CLC电路(π型电路)的结构，但也可以取而代之形成LCL电路(T型电路)的结构。在以下的例子中也同样如此。

(变形例2)

图15(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部72的其他变形例的阻抗匹配部74的结构的示意图，图15(b)是图15(a)所示的阻抗匹配部74的电路图。

如图15(a)所示，阻抗匹配部74具有一端部与连接部71a连接且另一端部与连接部71b连接的线圈部74a、与连接部71a连接的静电电容部74b、以及与连接部71b连接的静电电容部74b。

线圈部74a形成为曲折形状。两个静电电容部74b由如下状态的开路枝节形成，即：在从线圈部74a的各端部呈直线状地相互向相反方向延伸(直线部)之后，以沿着线圈部74a的形成区域的方式例如呈直角折弯的状态(折弯部)的开路枝节。因此，如图15(b)所示，阻抗匹配部74成为并联C-串联L-并联C的LC电路。

即，线圈部74a在连接部71a(一端部)与连接部71b(另一端部)之间具有向与上述连接部71a和连接部71b的连线正交的方向的一侧以及另一侧蜿蜒的曲折形状。静电电容部74b具有从线圈部74a的端部向与上述连线正交的方向延伸的直线部，并且具有从上述直线部的终端部沿线圈部74a的曲折形状的区域折弯的折弯部。

该阻抗匹配部74具有与阻抗匹配部72同样的优点。并且，即便在静电电容部74b利用直线部以及折弯部成为大的静电电容的情况下，也能够使形成区域为小的区域。因此，阻抗匹配部74能够小型化。

(变形例3)

图16(a)是表示图13(a)所示的阻抗匹配部72的又一其他变形例的阻抗匹配部75的结构的示意图，图16(b)是图16(a)所示的阻抗匹配部75的电路图。

如图16(a)所示，阻抗匹配部75具有一端部与连接部71a连接且另一端部与连接部71b连接的线圈部75a、与连接部71a连接的静电电容部75b、以及与连接部71b连接的静电电容部75b。

线圈部75a形成为蜿蜒次数比线圈部72a多的曲折形状。两个静电电容部75b由如下状态的开路枝节形成，即：在从线圈部75a的各端部直线状地相互向相反方向延伸(直线部)之后，以沿着线圈部75a的形成区域的方式例如呈直角地折弯而延伸(折弯部)，进而从线圈部75a的形成区域的端部例如呈直角地折弯两次从而向相反方向延伸的状态的开路枝节。因此，如图16(b)所示，阻抗匹配部75成为并联C-串联L-并联C的LC电路。

即，线圈部75a在连接部71a(一端部)与连接部71b(另一端部)之间具有向与上述连接部71a和连接部71b的连线正交的方向的一侧以及另一侧蜿蜒的曲折形状。静电电容部75b由如下状态的开路枝节形成，即：具有从线圈部75a的端部向与上述连线正交的方向延伸的直线部，另外还具有从上述直线部的终端部沿线圈部75a的曲折形状的区域折弯的折弯部，进而从线圈部74a的形成区域的端部(折弯部的终端部)例如呈直角地折弯两次而向相反方向延伸的状态的开路枝节。该阻抗匹配部75具有与阻抗匹配部74同样的优点。

(变形例4)

图17是表示图13(b)所示的阻抗匹配部72的又一其他变形例的阻抗匹配部76的结构的电路图。

如图17所示，阻抗匹配部76具有多级以上所示的阻抗匹配部(线圈部与静电电容部的组合)，线圈部76a以及静电电容部76b能够应用任一线圈部以及静电电容部。因此，阻抗匹配部76成为并联C-串联L-并联C……串联L-并联C的LC电路。该阻抗匹配部76具有与阻抗匹配部72同样的优点。

另外，阻抗匹配部76例如是设置多级CLC电路(π型的电路)的结构，因此能够使供阻抗匹配的频带进一步宽带域化。另外，能够使阻抗的实数成分变化。

〔概括〕

本发明的一实施方式的终端装置构成为具有包括由多个导体柱构成的柱壁和与该柱壁一起形成波导区域的一对宽壁的柱壁波导路，在上述一对宽壁中任一方的宽壁的表面经由电介质层设置有微带线路，在所述终端装置中，具备：盲孔，其与上述微带线路的一端部连接，并插入至上述波导区域的内部；和电阻器，其一端部与上述微带线路的另一端部连接，另一端部与上述一方的宽壁连接。

根据上述的结构，在柱壁波导路内行进的电磁波利用盲孔转换为高频电流，在微带线路流动。该高频电流进而经由电阻器向柱壁波导路的宽壁流入，并在电阻器流动，由此衰减。

这样的终端装置不需要特殊的制造方法，能够使用通用的电阻器等部件，容易且廉价地制造。

在上述的终端装置中，可以构成为上述电阻器以收纳在由上述柱壁围起的区域上的方式设置。

根据上述的结构，电阻器以收纳在由柱壁围起的区域上的方式设置，因此终端装置的纵横方向的尺寸不增大，能够成为紧凑的结构。

在上述的终端装置中，可以构成为上述电阻器被设置为从由上述柱壁围起的区域上跨过上述柱壁直至该区域之外。

根据上述的结构，电阻器被设置为从由柱壁围起的区域上跨过柱壁直至区域之外，因此能够缩小电阻器的配置区域从由柱壁围起的区域上的凸出量，即能够缩小由柱壁围起的区域上以外的电阻器的配置所需要的区域。由此，例如即便在无法将电阻器以收纳在由柱壁围起的区域上的方式设置的情况下，也能够抑制终端装置的大型化。

上述的终端装置可以构成为在上述电阻器与上述宽壁之间设置有由包括电介质的材料构成的衰减层。

根据上述的结构，利用上述盲孔从电磁波转换并在上述微带线路流动的高频电流被电阻器衰减，进而被衰减层衰减。由此，能够进一步提高作为终端装置的功能。

在上述的终端装置中，可以构成为上述衰减层是由作为上述电介质的树脂和分散在该树脂中的导电性粒子构成的各向异性导电膜。

根据上述的结构，能够通过在电介质层以及微带线路的表面涂覆分散有导电性粒子的树脂之后配置电阻器，并且边对电阻器加压边使树脂加热固化来形成衰减层。此外，在使树脂加热固化时的温度比焊接电阻器时的温度低的情况下，能够抑制热对柱壁波导路造成的影响。

在上述的终端装置中，可以构成为在上述微带线路设置有阻抗匹配部。

根据上述的结构，作为终端装置，能够具备更高的功能。即，例如在数GHz～数十GHz的高频区域中，电阻器由于受到构造引起的寄生电感、寄生电容、电长度等的影响而含有虚数成分，存在不作为纯电阻发挥功能的情况。此时，由于虚数成分的缘故，电阻器无法充分使转换了电磁波的高频电流衰减。

因此，通过在微带线路设置阻抗匹配部，得以去除在电阻器产生的虚数成分。由此，终端装置能够使在微带线路流动的上述高频电流充分衰减，提高作为终端装置的功能。

在上述的终端装置中，可以构成为上述阻抗匹配部具有线圈部、以及与上述线圈部的端部连接的静电电容部，上述静电电容部由开路枝节形成，上述静电电容部相对于上述线圈部的连接部为上述阻抗匹配部相对于上述微带线路的连接部。

根据上述的结构，阻抗匹配部在线圈部与静电电容部之间不存在上述以外的额外的成分，因此能够作为阻抗匹配部进行良好的动作。

在上述的波导路终端装置中，可以构成为上述阻抗匹配部的上述静电电容部仅与上述线圈部的一端部连接。

根据上述的结构，能够实现简单且小型的结构的阻抗匹配部。

在上述的波导路终端装置中，可以构成为上述阻抗匹配部的静电电容部与上述线圈部的两端部分别连接。

根据上述的结构，能够实现具有线圈部以及并联的静电电容部的简单且小型的结构的阻抗匹配部。

在上述的波导路终端装置中，上述阻抗匹配部中上述线圈部与上述静电电容部的组合以形成多个级的方式连接。

根据上述的结构，能够使供阻抗匹配的频带进一步宽带域化。

在上述的波导路终端装置中，可以构成为上述阻抗匹配部的上述线圈部在一端部与另一端部之间具有向与上述一端部和另一端部的连线正交的方向的一侧以及另一侧蜿蜒的曲折形状，上述静电电容部具有从上述线圈部的上述端部向与上述连线正交的方向延伸的直线部。

根据上述的结构，静电电容部具有沿着线圈部的曲折形状的区域的直线部，因此能够使线圈部以及静电电容部的形成区域为小的区域。因此，能够使阻抗匹配部小型化。

在上述的波导路终端装置中，可以构成为上述静电电容部具有从上述直线部的终端部沿上述线圈部的曲折形状的区域折弯的折弯部。

根据上述的结构，阻抗匹配部的静电电容部具有从直线部的终端部沿线圈部的曲折形状的区域折弯的折弯部，因此即便在利用直线部以及折弯部成为大的静电电容的情况下，也能够使形成区域为小的区域。因此，能够使阻抗匹配部小型化。

本发明的一实施方式的终端方法构成为具备在包括由多个导体柱构成的柱壁和与该柱壁一起形成波导区域的一对宽壁的柱壁波导路的上述一对宽壁中任一方的宽壁的表面经由电介质层设置微带线路的工序，在所述终端方法中，具备：设置与上述微带线路的一端部连接并插入至上述波导区域的内部的状态的盲孔的工序；和设置电阻器，使之一端部与上述微带线路的另一端部连接、另一端部与上述一方的宽壁连接的工序。

根据上述的结构，能够起到与上述终端装置同样的作用效果。

本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在技术方案所示的范围内进行各种变更，适当地组合分别公开在不同的实施方式的技术单元而得到的实施方式也包括在本发明的技术范围内。

Claims

1.一种终端装置，具有包括由多个导体柱构成的柱壁和与该柱壁一起形成波导区域的一对宽壁的柱壁波导路，在所述一对宽壁中任一方的宽壁的表面经由电介质层设置有微带线路，

所述终端装置的特征在于，具备：

盲孔，其与所述微带线路的一端部连接，并插入至所述波导区域的内部；和

电阻器，其一端部与所述微带线路的另一端部连接，另一端部与所述一方的宽壁连接，

在所述电阻器与所述宽壁之间设置有由包括电介质的材料构成而增大介电损耗的衰减层。

2.根据权利要求1所述的终端装置，其特征在于，

所述电阻器被设置为收纳在由所述柱壁围起的区域上。

3.根据权利要求1所述的终端装置，其特征在于，

所述电阻器被设置为从由所述柱壁围起的区域上跨过所述柱壁直至该区域之外。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的终端装置，其特征在于，

所述衰减层是由作为所述电介质的树脂和分散在该树脂中的导电性粒子构成的各向异性导电膜。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的终端装置，其特征在于，

在所述微带线路设置有阻抗匹配部。

6.根据权利要求5所述的终端装置，其特征在于，

所述阻抗匹配部具有线圈部、以及与所述线圈部的端部连接的静电电容部，所述静电电容部由开路枝节形成，

所述静电电容部的相对于所述线圈部的连接部为所述阻抗匹配部的相对于所述微带线路的连接部。

7.根据权利要求6所述的终端装置，其特征在于，

所述阻抗匹配部的所述静电电容部仅与所述线圈部的一端部连接。

8.根据权利要求6所述的终端装置，其特征在于，

所述阻抗匹配部的所述静电电容部与所述线圈部的两端部分别连接。

9.根据权利要求6所述的终端装置，其特征在于，

所述阻抗匹配部中所述线圈部与所述静电电容部的组合以形成多个级的方式连接。

10.根据权利要求6所述的终端装置，其特征在于，

所述阻抗匹配部的所述线圈部在一端部与另一端部之间具有向与所述一端部和另一端部的连线正交的方向的一侧以及另一侧蜿蜒的曲折形状，

所述静电电容部具有从所述线圈部的端部向与所述连线正交的方向延伸的直线部。

11.根据权利要求10所述的终端装置，其特征在于，

所述静电电容部具有从所述直线部的终端部沿所述线圈部的曲折形状的区域折弯的折弯部。

12.一种终端方法，具备在包括由多个导体柱构成的柱壁和与该柱壁一起形成波导区域的一对宽壁的柱壁波导路的所述一对宽壁中的任一方的宽壁的表面经由电介质层设置微带线路的工序，

所述终端方法的特征在于，具备：

设置与所述微带线路的一端部连接并插入至所述波导区域的内部的状态的盲孔的工序；

设置电阻器，使之一端部与所述微带线路的另一端部连接、另一端部与所述一方的宽壁连接的工序；和

在所述电阻器与所述宽壁之间设置由包括电介质的材料构成而增大介电损耗的衰减层的工序。