[go: up one dir, main page]

CN107018603B - 发光器件的老化测试方法和老化测试系统 - Google Patents

发光器件的老化测试方法和老化测试系统 Download PDF

Info

Publication number
CN107018603B
CN107018603B CN201710457024.3A CN201710457024A CN107018603B CN 107018603 B CN107018603 B CN 107018603B CN 201710457024 A CN201710457024 A CN 201710457024A CN 107018603 B CN107018603 B CN 107018603B
Authority
CN
China
Prior art keywords
characteristic
aging
light
slope
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710457024.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107018603A (zh
Inventor
孔超
郑克宁
陈栋
梁逸南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710457024.3A priority Critical patent/CN107018603B/zh
Publication of CN107018603A publication Critical patent/CN107018603A/zh
Priority to PCT/CN2018/085434 priority patent/WO2018228076A1/zh
Priority to US16/329,393 priority patent/US10914781B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107018603B publication Critical patent/CN107018603B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
    • H05B45/58—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits involving end of life detection of LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/60—Circuit arrangements for operating LEDs comprising organic material, e.g. for operating organic light-emitting diodes [OLED] or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光器件的老化测试方法和老化测试系统。该方法包括：在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间；根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率；判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0；若判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化。本发明对不同的发光器件进行相应的老化处理，降低了不同的发光器件之间的寿命差异，从而提高了发光器件寿命的均一性。

Description

发光器件的老化测试方法和老化测试系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光器件的老化测试方法和老化测试系统。
背景技术
随着有机半导体技术的进步，有机发光二极管(Organic light emittingdiodes，简称OLED)日益成熟，其在照明和显示等领域发挥的作用越来越重要。与传统的液晶显示器不同，因为OLED具有自发光、宽视角、响应速度快、超薄、发光效率高、功耗低、工作温度宽等特点，被认为更有应用前景。同时，有机照明的研究工作也取得了较大的进展。
发光寿命是评价OLED的重要指标，目前OLED除了要在材料和制备工艺方面继续提高之外，稳定的器件性能也是不可缺少的因素。OLED量产制备过程中影响因素众多，不同批次间的产品寿命差异较大，导致后期对OLED老化的控制较困难。如果老化的不合理就会导致出厂后的产品寿命差异较大，影响客户的使用。不同批次的OLED虽然为相同结构的器件，但是寿命的离散性却很大。为保证出厂后产品的均一性和稳定性，出厂前会对产品进行老化处理。
现有技术中，老化处理中对OLED老化量的控制，一般采取老化时间控制或者衰减量控制，但是上述两种方案都不能很好的控制产品的均一性。例如，若在老化处理过程中以老化时间控制OLED的老化量，则在对不同的OLED采用相同的半小时的老化时间进行老化处理之后，不同的OLED的寿命差异较大。从而导致了采用现有技术对OLED进行老化处理，无法保证OLED产品之间寿命的均一性。
发明内容
本发明提供一种发光器件的老化测试方法和老化测试系统，用于提高发光器件之间寿命的均一性。
为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件的老化测试方法，包括：
S1、在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间；
S2、根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率；
S3、判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出所述特征线的斜率大于或等于0时执行步骤S4；若判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时执行步骤S5，若判断出所述特征线的斜率小于设定阈值时继续执行步骤S1；
S4、将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并继续执行步骤S1；
S5、停止对发光器件进行老化。
可选地，所述S2包括：
S21、将所述第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数；
S22、根据所述第二特征参数和与每个所述第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
可选地，所述初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。
可选地，所述第一特征参数为第一亮度值，所述初始特征参数为初始亮度值。
可选地，所述S5之后还包括：
S6、记录老化时间和/或老化量。
可选地，所述特征线为曲线或者直线。
为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件的老化测试系统，包括：
采集模块，用于在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间；
生成模块，用于根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率；
判断模块，用于判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出所述特征线的斜率小于设定阈值时，触发所述采集模块，由所述采集模块继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤；
老化控制模块，用于若所述判断模块判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化；
设置模块，用于若所述判断模块判断出所述特征线的斜率大于或等于0时，将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并触发所述采集模块，由所述采集模块继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤。
可选地，所述生成模块包括：
计算子模块，用于将所述第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数；
生成子模块，用于根据所述第二特征参数和与每个所述第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
可选地，所述初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。
可选地，所述第一特征参数为第一亮度值，所述初始特征参数为初始亮度值。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的技术方案中，在对发光器件进行老化的过程中，根据采集的第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化，本发明对不同的发光器件进行相应的老化处理，降低了不同的发光器件之间的寿命差异，从而提高了发光器件寿命的均一性。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种发光器件的老化测试方法的流程图；
图2为未采用实施例一对发光器件进行老化时发光器件的寿命曲线图；
图3为采用实施例一对发光器件进行测试后发光器件的寿命曲线图；
图4为本发明实施例二提供的一种发光器件的老化测试方法的流程图；
图5为未采用实施例二对发光器件进行老化时发光器件的寿命曲线图
图6为实施例二中对发光器件的寿命曲线对比图；
图7为本发明实施例三提供的一种发光器件的老化测试系统的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的发光器件的老化测试方法和老化测试系统进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种发光器件的老化测试方法的流程图，如图1所示，该方法包括：
步骤S1、在对发光器件进行老化的过程中，采集发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间。
本实施例中的发光器件的老化测试方法是在对发光器件进行老化过程中进行的。优选地，发光器件可以为OLED。
本实施例中各步骤可以由发光器件的老化测试系统执行。则在执行本步骤之前，需要打开发光器件的老化测试系统的控制电源，对发光器件的老化测试系统进行预热。
本实施例中，在执行本步骤之前还需要设置测试模式。其中，测试模式可包括恒流模式,恒电压模式或者恒亮度模式。本实施例中，测试模式为恒流模式，例如，可将所有发光器件的电流密度设置为10mA/cm2。则本实施中，在对发光器件进行测试过程中，所有发光器件均以设置的测试模式发光。例如，当测试模式采用恒流模式时，所有发光器件均以恒流模式发光，即发光器件的电流是恒定的。
本实施例中，可按设定时间间隔采集发光器件的多个第一特征参数并记录采集每个第一特征参数时的测试时间。采集的第一特征参数的数量为多个，例如，数量可以为2个、10个、40个或者60个等，采集的第一特征参数的数量可根据需要进行设置，此处不再一一列举。
本实施例中，第一特征参数可以为第一亮度值。
步骤S2、根据第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成特征线的斜率。
本步骤具体可包括：
步骤S21、将第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数。
本实施例中，由于采集的第一特征参数的数量为多个，则计算出的第二特征参数的数量也为多个。换言之，根据每个第一特征参数和设置的初始特征参数可计算出多个第二特征参数。
本实施例中，第一特征参数为第一亮度值L，初始特征参数为初始亮度值L0，则第二特征参数＝L/L0×100％。
本实施例中，可按时间顺序采集多个第一特征参数，其中，步骤S1中采集的多个第一特征参数中第一个采集的第一特征参数可设置为初始特征参数，也就是就说，初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。则初始亮度值L0等于第一个第一亮度值L，因此第一个第二特征参数为100％。
步骤S22、根据第二特征参数和与每个第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
需要说明的是：每个第一特征参数均对应于一个测试时间，该测试时间为采集第一特征参数的时间。由于第二特征参数是根据第一特征参数计算出的，因此与每个第二特征参数对应的测试时间即为与每个第一特征参数对应的测试时间。
本步骤中，可以第二特征参数为纵轴和以与第二特征参数对应的测试时间为横轴，绘制出特征线。换言之，特征线的纵轴为第二特征参数，特征线的横轴为与第二特征参数对应的测试时间。
本实施例中，特征线为曲线或者直线。例如，若步骤S1中采集的第一特征参数的数量为2个，则计算出的第二特征参数的数量为2个，此时特征线可以为直线；若步骤S1中采集的第一特征参数的数量为60个，则计算出的第二特征参数的数量为60个，此时特征线可以为曲线。
本实施例中，特征线为寿命线。
步骤S3、判断特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时执行步骤S5，若判断出特征线的斜率小于设定阈值时执行步骤S1。
本步骤中，若特征线为直线，则可根据该直线上点的横坐标值和纵坐标值计算出该特征线的斜率。
本步骤中，若特征线为曲线，则可将该曲线近似成直线，即将该曲线转换为直线，并根据该直线上点的横坐标值和纵坐标值计算出该特征线的斜率。
本实施例中，设定阈值小于0，例如，设定阈值为-0.05。
步骤S5、停止对发光器件进行老化。
本步骤中，可控制老化设备停止对发光器件进行老化处理。
可选地，步骤S5之后还可以包括：S6、记录老化时间和/或老化量。
其中，老化时间可以为从开始老化至停止老化所经历的时间；老化量为从开始老化至停止老化所进行老化的老化量，具体地，老化量为开始老化的时间点对应的第二特征参数与停止老化的时间点对应的第二特征参数之间的差值的绝对值。
在实际生产中，按照本实施例提供的方法对所有需要老化的发光器件进行老化之后，可对不同的老化后的发光器件进行寿命测试。例如，可对不同批次的发光器件进行抽测。下面通过将图2和图3进行对比，对本实施例中发光器件的老化测试方法所带来的效果进行详细描述。
图2为未采用实施例一对发光器件进行老化时发光器件的寿命曲线图，如图2所示，图2中发光器件未进行老化处理，从图2可以看出，发光器件1的寿命曲线和发光器件2的寿命曲线差别较大，两个不同的发光器件的寿命曲线存在较大的离散性，不同的发光器件的寿命均一性较差。
图3为采用实施例一对发光器件进行测试后发光器件的寿命曲线图，如图3所示，图3中采用实施例一的方案对发光器件进行老化，因此图3中示出的是老化处理后的发光器件的寿命曲线，换言之，图3中是对老化处理后的发光器件再进行寿命测试后绘制出的寿命曲线。从图3可以看出，发光器件1的寿命曲线和发光器件2的寿命曲线非常接近，因此两个不同的发光器件的寿命曲线非常接近，不存在较大的离散性，因此不同的发光器件的寿命均一性较好。
本实施例提供的发光器件的老化测试方法的技术方案中，在对发光器件进行老化的过程中，根据采集的第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化，本实施例对不同的发光器件进行相应的老化处理，降低了不同的发光器件之间的寿命差异，从而提高了发光器件寿命的均一性。
图4为本发明实施例二提供的一种发光器件的老化测试方法的流程图，如图4所示，该方法包括：
步骤S1、在对发光器件进行老化的过程中，采集发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间。
本实施例中的发光器件的老化测试方法是在对发光器件进行老化过程中进行的。优选地，发光器件可以为OLED。
本实施例中各步骤可以由发光器件的老化测试系统执行。则在执行本步骤之前，需要打开发光器件的老化测试系统的控制电源，对发光器件的老化测试系统进行预热。
本实施例中，在执行本步骤之前还需要设置测试模式。其中，测试模式可包括恒流模式,恒电压模式或者恒亮度模式、恒定模式或者恒流模式。本实施例中，测试模式为恒流模式，例如，可将所有发光器件的电流密度设置为10mA/cm2。则本实施中，在对发光器件进行测试过程中，所有发光器件均以设置的测试模式发光。例如，当测试模式采用恒流模式时，所有发光器件均以恒流模式发光，即发光器件的电流是恒定的。
本实施例中，可按设定时间间隔采集发光器件的多个第一特征参数并记录采集每个第一特征参数时的测试时间。采集的第一特征参数的数量为多个，例如，数量可以为2个、10个、40个或者60个等，采集的第一特征参数的数量可根据需要进行设置，此处不再一一列举。
本实施例中，第一特征参数可以为第一亮度值。
步骤S2、根据第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，并生成特征线的斜率。
本步骤具体可包括：
步骤S21、将第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数。
本实施例中，由于采集的第一特征参数的数量为多个，则计算出的第二特征参数的数量也为多个。换言之，根据每个第一特征参数和设置的初始特征参数可计算出多个第二特征参数。
本实施例中，第一特征参数为第一亮度值L，初始特征参数为初始亮度值L0，则第二特征参数＝L/L0×100％。
本实施例中，可按时间顺序采集多个第一特征参数，其中，步骤101中采集的多个第一特征参数中第一个采集的第一特征参数可设置为初始特征参数，也就是就说，初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。则初始亮度值L0等于第一个第一亮度值L，因此第一个第二特征参数为100％。
步骤S21、根据第二特征参数和与每个第二特征参数对应的时间生成特征线。
需要说明的是：每个第一特征参数均对应于一个测试时间，该测试时间为采集第一特征参数的时间。由于第二特征参数是根据第一特征参数计算出的，因此与每个第二特征参数对应的测试时间即为与每个第一特征参数对应的测试时间。
本步骤中，可以第二特征参数为纵轴和以与第二特征参数对应的测试时间为横轴，绘制出特征线。换言之，特征线的纵轴为第二特征参数，特征线的横轴为与第二特征参数对应的测试时间。
本实施例中，特征线为曲线或者直线。例如，若步骤S1中采集的第一特征参数的数量为2个，则计算出的第二特征参数的数量为2个，此时特征线可以为直线；若步骤S1中采集的第一特征参数的数量为60个，则计算出的第二特征参数的数量为60个，此时特征线可以为曲线。
本实施例中，特征线为寿命线。
步骤S3、判断特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时执行步骤S5，若判断出特征线的斜率小于设定阈值时执行步骤S1，若判断出所述特征线的斜率大于或等于0时执行步骤S4。
本步骤中，若特征线为直线，则可根据该直线上点的横坐标值和纵坐标值计算出该特征线的斜率。
本步骤中，若特征线为曲线，则可将该曲线近似成直线，即将该曲线转换为直线，并根据该直线上点的横坐标值和纵坐标值计算出该特征线的斜率。
本实施例中，设定阈值小于0，例如，设定阈值为-0.05。
本步骤中，若判断出所述特征线的斜率大于或等于0，表明特征线异常，该特征线异常是由发光器件本身异常导致的。图5为未采用实施例二对发光器件进行老化时发光器件的寿命曲线图，如图5所示，在初始阶段出现了曲线上升的情况且上升曲线的最高点大于100％，而后曲线开始下降，其中，曲线上升即对应了特征线的斜率大于0的情况，即为特征线异常。也就是说，如果未对发光器件进行老化而对发光器件进行寿命测试，会出现图5中曲线上升的情况，此种情况出现表示发光器件本身出现异常，这种情况也体现在本实施例中特征线出现异常。
步骤S4、将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并继续执行步骤S1。
当特征线异常时可执行步骤S4。本步骤中，可将发光器件异常时采集到的第一特征参数清零，并重新设置初始特征参数。而后在处理完特征线发生异常时的第一特征参数和初始特征参数后，需要重新对发光器件进行测试，即继续执行步骤S1。设置完初始特征参数后继续采集第一特征参数，由于设置的初始特征参数为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，因此从初始特征参数开始若后续特征线下降且满足步骤S3中的特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0，则可停止对发光器件进行老化处理；若从初始特征参数开始若后续特征线继续上升则表明特征线继续出现异常，则需要再执行步骤S4。
图6为实施例二中对发光器件的寿命曲线对比图，如图6所示，图6中示出了两条曲线，一条曲线为异常曲线，对该异常曲线的具体描述可参见图5及其对应的描述。另一条曲线为老化后曲线，即为采用实施例二的方案对发光器件进行老化并在老化后进行寿命测试得出的寿命曲线，换言之，图6中另一条曲线是对老化处理后的发光器件再进行寿命测试后绘制出的寿命曲线。从图6可以看出与异常曲线相比，老化后曲线不存在初始阶段的曲线上升的情况，从而解决了特征线出现异常的问题，得出了正常的寿命曲线。
步骤S5、停止对发光器件进行老化。
本步骤中，可控制老化设备停止对发光器件进行老化处理。
可选地，步骤S5之后还可以包括：S6、记录老化时间和/或老化量。
其中，老化时间可以为从开始老化至停止老化所经历的时间；老化量为从开始老化至停止老化所进行老化的老化量，具体地，老化量为开始老化的时间点对应的第二特征参数与停止老化的时间点对应的第二特征参数之间的差值的绝对值。此处需要说明的是：针对特征线出现异常的情况，开始老化的时间点指的是执行本实施例的方案后特征线开始下降的时间点(即特征线恢复正常的时间点)。
本实施例提供的发光器件的老化测试方法的技术方案中，在对发光器件进行老化的过程中，根据采集的第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化，本实施例对不同的发光器件进行相应的老化处理，降低了不同的发光器件之间的寿命差异，从而提高了发光器件寿命的均一性。
图7为本发明实施例三提供的一种发光器件的老化测试系统的结构示意图，如图7所示，该系统包括：采集模块11、生成模块12、判断模块13和老化控制模块14。
采集模块11用于在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间。
生成模块12用于根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率.
判断模块13用于判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0。
老化控制模块14用于若判断模块13判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化。具体地，老化控制模块14可控制老化设备停止对发光器件进行老化处理。进一步地，老化控制模块14还用于在停止对发光器件进行老化之后记录老化时间和/或老化量。
进一步地，判断模块13还用于若判断出特征线的斜率小于设定阈值时，触发采集模块11，由采集模块11继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤。
进一步地，该系统还包括：设置模块15。设置模块15用于若判断模块13判断出特征线的斜率大于或等于0时，将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并触发采集模块11，由采集模块11继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤。
进一步地，生成模块12包括：计算子模块121和生成子模块122。计算子模块121用于将第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数。生成子模块122用于根据所述第二特征参数和与每个所述第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
本实施例中，所述初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。
本实施例中，所述第一特征参数为第一亮度值，所述初始特征参数为初始亮度值。
本实施例中，所述特征线为曲线或者直线。
本实施例提供的发光器件的老化测试系统可用于实现上述实施例一或实施例二提供的发光器件的老化测试方法。
本实施例提供的发光器件的老化测试系统的技术方案中，在对发光器件进行老化的过程中，根据采集的第一特征参数和与每个第一特征参数对应的时间生成特征线，若判断出特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化，本实施例对不同的发光器件进行相应的老化处理，降低了不同的发光器件之间的寿命差异，从而提高了发光器件寿命的均一性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光器件的老化测试方法，其特征在于，包括：
S1、在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间；
S2、根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率；
S3、判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出所述特征线的斜率大于或等于0时执行步骤S4；若判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时执行步骤S5，若判断出所述特征线的斜率小于设定阈值时继续执行步骤S1；
S4、将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并继续执行步骤S1；
S5、停止对发光器件进行老化。
2.根据权利要求1所述的发光器件的老化测试方法，其特征在于，所述S2包括：
S21、将所述第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数；
S22、根据所述第二特征参数和与每个所述第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
3.根据权利要求2所述的发光器件的老化测试方法，其特征在于，所述初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。
4.根据权利要求2所述的发光器件的老化测试方法，其特征在于，所述第一特征参数为第一亮度值，所述初始特征参数为初始亮度值。
5.根据权利要求1所述的发光器件的老化测试方法，其特征在于，所述S5之后还包括：
S6、记录老化时间和/或老化量。
6.根据权利要求1所述的发光器件的老化测试方法，其特征在于，所述特征线为曲线或者直线。
7.一种发光器件的老化测试系统，其特征在于，包括：
采集模块，用于在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间；
生成模块，用于根据所述第一特征参数和与每个第一特征参数对应的测试时间生成特征线，并生成所述特征线的斜率；
判断模块，用于判断所述特征线的斜率是否大于或等于设定阈值且小于0，若判断出所述特征线的斜率小于设定阈值时，触发所述采集模块，由所述采集模块继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤；
老化控制模块，用于若所述判断模块判断出所述特征线的斜率大于或等于设定阈值且小于0时，停止对发光器件进行老化；
设置模块，用于若所述判断模块判断出所述特征线的斜率大于或等于0时，将特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数清零以及将初始特征参数设置为特征线的斜率大于或等于0时对应的第一特征参数中的最大值，并触发所述采集模块，由所述采集模块继续执行所述在对发光器件进行老化的过程中，采集所述发光器件的多个第一特征参数的步骤。
8.根据权利要求7所述的发光器件的老化测试系统，其特征在于，所述生成模块包括：
计算子模块，用于将所述第一特征参数和设置的初始特征参数相除，计算出第二特征参数；
生成子模块，用于根据所述第二特征参数和与每个所述第二特征参数对应的测试时间生成特征线。
9.根据权利要求8所述的发光器件的老化测试系统，其特征在于，所述初始特征参数等于采集的多个第一特征参数中第一个第一特征参数。
10.根据权利要求8所述的发光器件的老化测试系统，其特征在于，所述第一特征参数为第一亮度值，所述初始特征参数为初始亮度值。
CN201710457024.3A 2017-06-16 2017-06-16 发光器件的老化测试方法和老化测试系统 Active CN107018603B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710457024.3A CN107018603B (zh) 2017-06-16 2017-06-16 发光器件的老化测试方法和老化测试系统
PCT/CN2018/085434 WO2018228076A1 (zh) 2017-06-16 2018-05-03 发光器件的老化测试方法和老化测试系统
US16/329,393 US10914781B2 (en) 2017-06-16 2018-05-03 Aging test method and aging test system for light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710457024.3A CN107018603B (zh) 2017-06-16 2017-06-16 发光器件的老化测试方法和老化测试系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107018603A CN107018603A (zh) 2017-08-04
CN107018603B true CN107018603B (zh) 2019-05-17

Family

ID=59452748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710457024.3A Active CN107018603B (zh) 2017-06-16 2017-06-16 发光器件的老化测试方法和老化测试系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10914781B2 (zh)
CN (1) CN107018603B (zh)
WO (1) WO2018228076A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107018603B (zh) 2017-06-16 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 发光器件的老化测试方法和老化测试系统
JP2019191425A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 シャープ株式会社 制御装置、プログラム、電子機器および制御方法
CN110244212B (zh) * 2019-07-15 2021-11-19 云谷（固安）科技有限公司 有机发光二极管器件寿命测试系统和方法、光线测量装置
CN112285594B (zh) * 2019-07-25 2024-03-29 漳州立达信灯具有限公司 一种灯具老化检测方法、装置及老化线系统
CN111351637B (zh) * 2020-03-20 2021-02-05 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） 一种有机电致发光器件寿命测试与评价方法
CN112505519B (zh) * 2020-11-23 2022-05-31 赖俊生 一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质
CN116008790B (zh) * 2023-03-23 2023-06-13 深圳市宇芯数码技术有限公司 一种芯片老化测试系统及方法
CN118731621A (zh) * 2024-06-14 2024-10-01 西安航科创星电子科技有限公司 一种半导体器件老化测试方法、系统及介质
CN118671050B (zh) * 2024-08-21 2024-10-22 国鲸科技(广东横琴粤澳深度合作区)有限公司 一种有机电致发光材料的检测方法
CN120275759B (zh) * 2025-06-12 2025-09-26 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) 半导体激光器老化测试系统及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527850B (en) * 2000-12-27 2003-04-11 Denso Corp Manufacturing method of organic EL element
CN101355834A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 佳能株式会社 制造有机电致发光显示设备的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5268643B2 (ja) 2005-09-29 2013-08-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置のエージング処理を補償する方法
US7847764B2 (en) * 2007-03-15 2010-12-07 Global Oled Technology Llc LED device compensation method
JP5842917B2 (ja) * 2011-05-27 2016-01-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子の製造方法、有機発光素子のエージング方法、有機発光素子、有機発光装置、有機表示パネル、および有機表示装置
FR3027401B1 (fr) * 2014-10-15 2018-03-09 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de prevision d’une defaillance d’une diode electroluminescente
CN107018603B (zh) 2017-06-16 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 发光器件的老化测试方法和老化测试系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527850B (en) * 2000-12-27 2003-04-11 Denso Corp Manufacturing method of organic EL element
CN101355834A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 佳能株式会社 制造有机电致发光显示设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018228076A1 (zh) 2018-12-20
US20190195938A1 (en) 2019-06-27
US10914781B2 (en) 2021-02-09
CN107018603A (zh) 2017-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107018603B (zh) 发光器件的老化测试方法和老化测试系统
JP5607772B2 (ja) 太陽電池パネル監視プログラム、太陽電池パネル監視装置及び太陽電池パネル監視方法
CN107818207B (zh) 基于寿命模型参数波动的精确评估igbt可靠性的方法
Gacio et al. Effects of the junction temperature on the dynamic resistance of white LEDs
CN102237203B (zh) 中高压铝电解电容器大功率高频脉冲老练仪及老练方法
CN111766489B (zh) 一种功率半导体器件的可靠性测试方法及系统
CN102854446A (zh) Led器件寿命检测方法及检测电路及该检测电路的应用
CN116953459B (zh) 一种碳化硅器件老化测试方法
CN203658532U (zh) 一种功率单板上的开关管测试电路
CN105005008A (zh) 节能led灯加速寿命试验最优测试时间的确定方法
CN110154821A (zh) 延长充电模块寿命的方法
CN106505846B (zh) 一种软启动电路及软启动方法和直流充电桩
CN106202970A (zh) 一种mmc的故障率评估方法
CN110646205A (zh) 一种长寿命航空发动机的加速等效试验方法
CN111208428B (zh) 一种储能电池循环次数的实时计算方法、系统及存储介质
Zhang et al. Enhanced performance of GaN-based single contact micro-LED driven by AC power utilizing the tunnel junction
CN103487768A (zh) 灯具批量老化及检测系统和方法
CN212379284U (zh) 提高电致发光设备对太阳电池缺陷检测能力的装置
CN110514916B (zh) 一种电压暂降耐受能力的测试方法及系统
CN104090199B (zh) 模拟电器使用过程中电源接触不良现象的装置
CN103428952A (zh) 驱动电流控制电路及其操作方法
KR101513242B1 (ko) 광소자의 내부양자효율을 측정하는 방법 및 장치
CN107329514B (zh) 一种周期性电压或电流快速采样调节方法
Jiang et al. LED device fault diagnosis base on neural network and SVM model analysis
CN1869728A (zh) 电源设备老化试验方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant