CN107003553A - 液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于抑制制造工艺的最高温度相对低的大型液晶显示面板的图案错位。本发明涉及一种液晶显示面板，其包含规定尺寸的、包含金属的布线膜、包含无机物质的绝缘膜和无碱玻璃的基板，该金属的室温下的杨氏模量(E)与热膨胀系数(α)的积在规定范围内，该无机物质的α比该无碱玻璃小，该无碱玻璃的E为70GPa～95GPa，α为32×10^‑7(1/℃)～45×10^‑7(1/℃)，E和α满足规定式，并且具有规定的组成。

Description

液晶显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示面板。具体地，涉及通过在包含规定的无碱玻璃的基板上形成像素阵列而得到的液晶显示面板。

背景技术

近年来，在液晶显示面板的大型化和高清化中，制造工序中的由热处理导致的像素阵列的图案错位的抑制成为最重要的课题之一。根据高清化的要求，在基板上形成的半导体元件阵列的金属布线变得更细，因此，图案错位的容许度变得越来越小。

认为图案错位的原因在于由液晶显示面板制造工序中的玻璃基板的结构弛豫导致的热收缩。为了抑制其而提出的第一种方法为减小玻璃的平均热膨胀系数。作为使用该方法的玻璃，提出了30℃～380℃下的平均热膨胀系数为25×10^-7/℃～36×10^-7/℃的无碱玻璃(专利文献1)，50℃～300℃下的平均热膨胀系数为30×10^-7/℃～43×10^-7/℃的无碱玻璃(专利文献2)。另外，也提出了使平均热膨胀系数接近于在玻璃基板上成膜的a-Si、p-Si等的玻璃(专利文献3)。

第二种方法为提高玻璃的应变点。上述专利文献1提出了将应变点设定为640℃以上，上述专利文献2提出了将应变点设定为710℃以上且低于725℃，上述专利文献3提出了将应变点设定为680℃以上且低于740℃。

另外，提出了为了抑制玻璃的挠曲而降低玻璃的密度(专利文献1、2)、提高杨氏模量(专利文献3)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-308643号公报

专利文献2：国际公开第2013/161902号

专利文献3：日本特开2014-118313号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，制造工艺中的热处理等的最高温度为相对低的约200℃～约450℃的情况下的图案错位难以用玻璃的结构弛豫的影响进行说明。实际上，在降低基板玻璃的平均热膨胀系数时，有时图案错位反而变大。

鉴于这种情况，本发明的目的在于抑制制造工艺的最高温度相对低的大型液晶显示面板的图案错位。

用于解决问题的手段

本发明涉及一种液晶显示面板，其为有源矩阵驱动形式的液晶显示面板，其中，

该液晶显示面板为通过以下的制造工艺而制造的液晶显示器面板，所述制造工艺包含：在无碱玻璃的基板的至少一个表面上形成包含金属的膜，将所得到的金属膜图案化而制成布线膜，接着形成包含无机物质的栅极绝缘膜的工序，该液晶显示器面板通过在所述无碱玻璃的基板的至少一个表面上具有所述包含金属的布线膜和所述包含无机物质的绝缘膜而得到，

即，本发明涉及一种液晶显示面板，其为有源矩阵驱动形式的液晶显示面板，其中，

该液晶显示面板通过在无碱玻璃的基板的至少一个表面上具有将包含金属的金属膜图案化而制成的布线膜、和包含无机物质的栅极绝缘膜而得到，

该布线膜的厚度为0.1μm以上，

该绝缘膜的厚度为100nm以上，

该基板的长边为1800mm以上、短边为1500mm以上、厚度为0.5mm以下，

该金属的在室温下的杨氏模量与热膨胀系数的积为10,000×10^-7GPa/℃～25,000×10^-7GPa/℃,

该无机物质具有比该无碱玻璃小的平均热膨胀系数(50℃～350℃),

该无碱玻璃的杨氏模量(E)为70GPa～95GPa，平均热膨胀系数(50℃～350℃)α为32×10^-7(1/℃)～45×10^-7(1/℃)，且满足下式(1)，

20α+7E≥1310(1)

并且

该无碱玻璃以氧化物基准的摩尔％表示具有以下组成，

优选该无碱玻璃以氧化物基准的摩尔％表示具有以下组成，

发明效果

本发明人经过各种研究，结果发现：对于制造工艺中的热处理的最高温度相对低(例如450℃以下)的大型液晶显示面板而言，不能无视布线膜金属和绝缘膜介电体与基板玻璃的组合的影响。不旨在限定本发明，但认为在制造工艺中的热处理的最高温度相对低的情况下，引起图案错位的主要原因不是以往所考虑的结构弛豫，而是玻璃基板的翘曲。上述本发明的液晶显示面板通过将构成基板的玻璃、构成布线的金属、构成绝缘膜的介电体和显示面板的设计方式设定为规定的组合，而显著抑制图案错位。

附图说明

图1(a)～(c)为示出例1中的玻璃基板的变形状态的图，图1(a)为示出步骤1中的变形状态的图，图1(b)为示出步骤2中的变形状态的图，图1(c)为示出步骤3中的变形状态的图。

图2为模拟使用实施例中制备的玻璃作为基板、并且在其上形成有规定膜厚的铜图案和覆盖该铜图案的规定膜厚的氮化硅膜的情况下的基板的翘曲并进行作图而得到的图。

具体实施方式

首先，对构成本发明的液晶显示面板中的玻璃基板的无碱玻璃进行说明。本发明中，“无碱”玻璃是指实质上不含有Na₂O、K₂O等碱金属氧化物的玻璃。在此，“实质上不含有”是指，除了不可避免的杂质之外不含有(下同)。本发明中，不可避免地含有的碱金属最多为约0.1摩尔％。

该无碱玻璃除了形成该玻璃的骨架的SiO₂、Al₂O₃之外，还含有规定量的碱土金属氧化物等。首先，对这些成分的以氧化物基准计的含量进行说明。在下文中，在没有特别说明的情况下，“％”是指“摩尔％”。

SiO₂的含量低于66％时，具有应变点不够高、热膨胀系数和比重变得过高的倾向。因此，SiO₂的含量为66％以上，优选为66.5％以上。另一方面，在含量超过74％时，具有玻璃粘度达到10²泊(dPa·s)时的温度(T₂)变高等、熔化性变差、失透温度上升、杨氏模量降低的倾向。因此，SiO₂的含量为74％以下，优选为73％以下，更优选为72％以下，进一步优选为71％以下。

Al₂O₃具有抑制分相性、提高应变点、提高杨氏模量的效果，但在其含量低于10％时，难以充分得到这些效果。因此，Al₂O₃的含量为10％以上，优选为11％以上，更优选为12％以上。另一方面，在含量大于15％时，具有T₂上升、熔化性变差和失透温度也升高的倾向。因此，Al₂O₃的含量为15％以下，优选为14％以下，更优选13％以下。

B₂O₃为具有改善玻璃的熔化性、并降低失透温度的效果的必要成分，在其量大于5％时，具有杨氏模量过度降低且热膨胀系数变得过低的倾向。因此，B₂O₃的含量为5％以下，优选为4％以下，进一步为低于3％，更优选为2.7％以下，进一步优选为2.5％以下，更进一步优选为2.0％以下，特别优选为1.5％以下。另一方面，在含量低于0.1％时，熔化性变差，变得难以得到均质的玻璃。因此，B₂O₃的含量为0.1％以上，优选为0.2％以上，更优选为0.3％以上，进一步优选为0.5％以上。

MgO具有在不过度提高热膨胀系数且不显著降低应变点的情况下提高熔化性、降低比重的效果，但在其含量低于2％时，不能充分得到该效果。因此，MgO的含量为2％以上，优选为3％以上，更优选为4％以上。另一方面，在含量大于12％时，失透温度升高。因此，MgO的含量为12％以下，优选为10％以下，更优选为9.5％以下，进一步优选为9％以下。

Cao也具有在不过度提高热膨胀系数且不显著降低应变点的情况下提高熔化性、提高杨氏模量、降低失透温度的效果，在其含量低于3％时，不能充分得到该效果。CaO的含量为3％以上，优选为4％以上，更优选为5％以上。另一方面，在含量大于11％时，有可能失透温度变高，并且作为CaO的原料的石灰石(CaCO₃)中的杂质磷的量变多。因此，CaO的含量为11％以下，优选为为10％以下，更优选为9％以下，进一步优选为8％以下。

SrO不是必要成分，但具有在不提高失透温度的情况下提高熔化性的效果，另外，为了得到相对提高热膨胀率的效果，SrO的含量优选为0.1％以上，更优选为1％以上，进一步优选为2％以上。另一方面，在含量超过10％时，具有过度提高比重和热膨胀系数的倾向。因此，SrO的含量为10％以下，优选为8％以下，更优选为7％以下，进一步优选为6％以下。

BaO不是必要成分，但具有提高熔化性、提高耐失透性的效果，因此，可以含有5％以下的BaO。但是，在大于该量时，具有密度增加的倾向。优选为4.5％以下，更优选为4％以下，进一步优选为1％以下，特别优选为0.5％以下，最优选为实质上不含有。

ZrO₂也不是必要成分，但具有降低熔融温度和促进煅烧时的结晶析出的效果，因此可以含有2％以下的ZrO₂。在大于该量时，具有玻璃的耐失透性降低、并且相对介电常数(ε)变大的倾向。优选为1.5％以下，更优选为1％以下，进一步优选为0.5％以下，最优选实质上不含有。

对本发明的无碱玻璃而言，当碱土金属氧化物、即MgO、CaO、SrO和BaO的总量的合计(摩尔％)为低于15％时，具有杨氏模量变低、并且熔化性变差的倾向。因此，优选合计为15％以上，更优选为16％以上，进一步优选为17％以上。另一方面，当合计大于21％时，具有热膨胀系数变得过大的倾向。优选为20％以下，更优选为19％以下，进一步优选为18％以下。

此外，在MgO和其它碱土金属之间，优选含量满足以下3个条件。由此，可以在不提高失透温度的情况下提高应变点，而且降低玻璃的粘性、特别是降低玻璃粘度达到10⁴dPa·s时的温度T₄。

优选MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.20以上，更优选为0.25以上，进一步优选为0.3以上，特别优选为0.4以上，最优选为0.45以上。

MgO/(MgO+CaO)为0.3以上，更优选为0.4以上，进一步优选为0.52以上，特别优选为0.55以上，最优选为0.6以上。

MgO/(MgO+SrO)为0.6以上，更优选为0.63以上，进一步优选为0.65以上。

另外，优选Al₂O₃×(MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO))为5.5以上。当该比低于5.5时，具有杨氏模量降低的倾向。更优选为5.75以上，进一步优选为6以上，最优选为6.25以上。

发现对于本发明的无碱玻璃而言，在各成分的关系、具体而言以氧化物基准的摩尔％表示所表示的组成为759-13.1×SiO₂-7.5×Al₂O₃-15.5×B₂O₃+9.7×MgO+21.8×CaO+27.2×SrO+27.9×BaO≥0时，热膨胀率和杨氏模量的范围成为适合于抑制翘曲的范围。

除了上述各成分，该玻璃可以含有以总量计为2％以下、优选为1％以下、更优选为0.5％以下的具有提高玻璃的熔化性、澄清性、成形性等的效果的ZnO、Fe₂O₃、SO₃、F、Cl、SnO₂。

另一方面，为了不使设置在玻璃板表面的金属或氧化物等的薄膜的特性发生劣化，该玻璃优选实质上不含有P₂O₅。此外，为了便于玻璃的循环利用，优选实质上不含有PbO、As₂O₃、Sb₂O₃。

接下来，对上述无碱玻璃的各特性进行说明。

该玻璃的50℃～350℃下的平均热膨胀系数(α)为45×10^-7/℃以下。由此，耐热冲击性大，可以提高面板制造时的生产率。优选为42×10^-7/℃以下，更优选为41×10^-7/℃以下，进一步优选为40×10^-7/℃以下。另一方面，在α过小时，成膜时的翘曲变大，因此为32×10^-7/℃以上。优选为33×10^-7/℃以上，更优选为35×10^-7/℃以上。

该玻璃的杨氏模量(E)为70GPa以上。通过该高杨氏模量，玻璃的断裂韧性高，适合于大型显示器用基板。优选为75GPa以上，更优选为78GPa以上，进一步优选为80GPa以上，特别优选为83GPa以上。另一方面，在杨氏模量过高时，玻璃的切割性变差，因此为95GPa以下。优选为90GPa以下，更优选为88GPa以下。

上述α和E满足下式(1)。

20α+7E≥1310 (1)

在此，α的单位为10^-7/℃，E的单位为GPa。满足上式(1)的情况下，即使为大型基板，由加热导致的翘曲也小。

优选该玻璃的粘度η达到10²泊(dPa·s)时的温度T₂为1710℃以下，由此熔化相对容易。更优选为低于1710℃，进一步优选为1700℃以下，更进一步优选为1690℃以下。

优选该玻璃的粘度η达到10⁴泊时的温度T₄为1320℃以下，从而适合于浮法成形。更优选为1315℃以下，进一步优选为1310℃以下，更进一步优选为1305℃以下。

优选该玻璃的应变点为680℃以上，更优选为710℃以上，进一步优选为730℃以上。

基于与上述应变点相同的理由，优选该玻璃的玻璃化转变温度为760℃以上，更优选为770℃以上，进一步优选为780℃以上。

优选该玻璃的比重为2.65以下，更优选为2.64以下，进一步优选为2.62以下。

优选该玻璃的失透温度为1350℃以下，由此通过浮法进行成形变得更容易。更优选为1340℃以下，进一步优选为1330℃以下。本发明中的失透温度为向铂制的盘中加入粉碎后的玻璃粒子、在控制为恒定温度的电炉中进行17小时热处理、在热处理后利用光学显微镜观察得到的在玻璃的表面和内部析出结晶时的温度。

优选该玻璃的光弹性常数为31nm/MPa/cm以下。玻璃基板由于液晶显示面板制造工序、液晶显示器装置使用时产生的应力而具有双折射性，由此，有时观察到黑色显示变成灰色、液晶显示器的对比度降低的现象。通过将光弹性常数设定为31nm/MPa/cm以下，可以抑制该现象。更优选为30nm/MPa/cm以下，进一步优选为29nm/MPa/cm以下，更进一步优选为28.5nm/MPa/cm以下，特别优选为28nm/MPa/cm以下。另外，如果考虑确保该玻璃的其它物性的容易性，光弹性常数优选为23nm/MPa/cm以上，更优选为25nm/MPa/cm以上。需要说明的是，光弹性常数可以通过圆盘压缩法进行测定。

优选该玻璃的相对介电常数为5.6以上。在如日本特开2011-70092号公报中所记载的、内嵌(in-cell)型触控面板(在液晶显示面板内内置有触控传感器的面板)的情况下，从提高触控传感器的传感灵敏度、降低驱动电压、节省电能的观点考虑，玻璃基板的相对介电常数高些好。通过将相对介电常数设定为5.6以上，触控传感器的传感灵敏度提高。更优选为5.8以上，进一步优选为6.0以上。此外，如果考虑抑制液晶显示器的图像的显示品质降低(串扰)、耗电增大、高清化变难，优选为7.5以下，更优选为7以下，进一步优选为6.5以下。需要说明的是，相对介电常数可以通过JIS C-2141中记载的方法测定。

本发明的液晶显示面板为在包含上述无碱玻璃的基板上具有TFT等开关元件的有源矩阵驱动形式的面板。该基板的长边为1800mm以上，短边为1500mm以上。优选长边为2100mm以上，短边为1800mm以上。更优选长边为2400mm以上，短边为2100mm以上。另外，该基板的厚度为0.5mm以下，优选为0.4mm以下，进一步优选为0.3mm以下。该基板的各边的上限和厚度的下限没有特别限制，例如，长边为3200mm以下，短边为2900mm以下，板厚为0.05mm以上。

该基板上的至少一个表面上具有包含金属的布线膜和包含无机物质的绝缘膜。从这些膜和无碱玻璃的各特性的组合的观点考虑，本发明抑制图案错位。

该布线膜构成包含栅极电极、栅极总线、辅助电容布线、辅助电容电极等的电路图案。该布线膜的厚度为0.1μm以上。厚度的上限值没有特别限制，实际上为约0.3μm～约0.6μm。在具有该厚度的情况下，可以以宽度约4μm～约10μm的细线的形式形成栅极总线。

该金属的室温下的杨氏模量与热膨胀系数的积为10,000×10^-7GPa/℃～25,000×10^-7GPa/℃，优选为10,000×10^-7GPa/℃～24,000×10^-7GPa/℃，更优选为10,000×10^-7GPa/℃～22,000×10^-7GPa/℃。积在所述范围外者具有在布线膜成膜后增大玻璃基板的翘曲的倾向。

作为该金属的实例而言，可以列举铜、铝、钼、钛、铬、钽、钨和它们的合金。栅极电极可以为这些金属层叠而得到的结构。优选使用铜、铝、钼或它们的合金，更优选使用铜、铝或钼。它们的室温下的杨氏模量与热膨胀系数的积如下所示。

铜：21,000×10^-7GPa/℃～23,000×10^-7GPa/℃

铝：16,000×10^-7GPa/℃～17,000×10^-7GPa/℃

钼：15,000×10^-7GPa/℃～17,000×10^-7GPa/℃

该基板具有覆盖上述电路图案的包含无机物质的绝缘膜。该绝缘膜的厚度为100nm以上。厚度的上限值没有特别限制，实际上为约300nm～约400nm。

该无机物质具有比上述无碱玻璃的平均热膨胀系数(α)、即32×10^-7/℃～45×10^-7/℃小的平均热膨胀系数(50℃～350℃)。作为这样的无机物质的例子而言，可以列举氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝等，可以将它们设定为单层结构或层叠结构。优选使用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。它们的平均热膨胀系数例如如下所示。

氮化硅：32×10^-7/℃

氧化硅：5.5×10^-7/℃

需要说明的是，认为氮氧化硅的热膨胀率根据氧氮比取上述的中间数值。

需要说明的是，已知通过控制成膜条件，膜应力变化，通过使膜应力变化，能够适当降低玻璃基板的翘曲。然而，在栅极电极用的金属膜的情况下，成膜时的施加输出功率变得过大，异常放电的可能性变高。另外，在栅极绝缘膜的情况下，虽然可以使用加氢等，但有可能得不到具有期望特性的晶体管。因此，在对成膜条件有限制的情况下，或在期望进一步抑制翘曲的情况下，通过应用本发明的规定的玻璃基板，能够有效地抑制翘曲。

液晶显示面板变为高清时，金属布线膜变细，因此为了保持电阻值，金属布线膜变厚。在玻璃基板上形成金属布线膜的电路图案，绝缘膜覆盖在该布线之间和其上而形成于玻璃基板的几乎整面。此时发现，由于玻璃基板和变厚的金属布线膜和绝缘膜的各自的热膨胀系数和杨氏模量的区别，在制造工序中的热处理时，在玻璃基板和金属布线膜和绝缘膜成为一体的状态下发生翘曲。特别是发现在金属布线膜的电路图案主要偏向纵方向或横方向的情况下，翘曲容易变显著。在玻璃基板发生翘曲时，变得容易产生从布线、元件最初的设计位置的图案错位。

通过在该绝缘膜的上侧具有TFT有源层、钝化膜、平坦化膜等而形成TFT基板。TFT基板可以通过公知的制造工序制造，例如该制造工序的最高温度优选为450℃以下。该最高温度通常为TFT的有源层形成工艺中的最高温度。需要说明的是，有时根据所应用的半导体的种类或工艺，最高温度更优选为400℃以下，或进一步优选为370℃以下，更进一步优选为350℃以下。另外，如果考虑制造工艺或TFT性能的稳定性，优选为200℃以上，更优选为250℃以上，进一步优选为300℃以上。作为这样的有源层用的半导体而言，可以列举例如非晶硅(a-Si)、铟-镓-锌的氧化物半导体。该TFT可以为底栅型(反交错型)，也可以为顶栅型(交错型)，但是为了充分发挥本发明的效果，优选多在TFT制造工序的初期采用形成金属膜和绝缘膜的工艺的逆交错型。作为钝化膜、平坦化膜等，可以使用公知的材料。

即，本发明的液晶显示面板为有源矩阵驱动形式的液晶显示面板，该液晶显示面板为通过以下制造工艺制造的液晶显示面板，所述制造工艺包含：在无碱玻璃的基板的至少一个表面上，形成例如非晶硅(a-Si)或铟-镓-锌的氧化物半导体等的、包含金属的膜，将该金属膜图案化而形成布线膜，进一步地，形成包含无机物质的栅极绝缘膜。即，为与LTPS等那样的进行高温热处理的制造工艺不同的制造工艺，本发明中的液晶显示面板(使用了非晶硅(a-Si)、铟-镓-锌类的氧化物半导体等作为TFT的液晶显示面板)的所述制造工艺的最高温度为低温热处理的温度，例如450℃以下。通过在所述无碱玻璃的基板的至少一个表面上具有所述包含金属的布线膜和所述包含无机物质的绝缘膜而得到。

该TFT基板与滤色片基板、液晶分子、密封材料、偏振片、导光板、各种光学膜、背光源等组合而形成液晶显示面板。显示器的尺寸可以根据用途适当地选择，例如形成对角线长度约3英寸～约10英寸的移动显示器用的面板、对角线长度30英寸～70英寸的4K电视用显示器等。关于清晰度，对于30英寸以上的面板而言，优选为100像素每英寸(以下记为ppi)以上，更优选为150ppi以上，进一步优选为200ppi以上。在移动显示器用途中，优选为300ppi以上，更优选为400ppi以上，进一步优选为500ppi以上。

实施例

以下，通过实施例和比较例进一步详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。

将各成分的原料以使得玻璃组成成为表1中示出的目标玻璃组成(单位：摩尔％)的方式进行调配，使用铂坩埚在1500℃～1600℃的温度下进行了熔化。在熔化时，使用铂搅拌器进行搅拌从而进行了玻璃均质化。接着使熔融玻璃流出，成形为板状，然后缓慢冷却。使用该玻璃板进行了各种评价。表1中，例1～4和7～12为作为本发明的例子的玻璃，例5～6为作为比较用的例子的玻璃。括号表示计算值。

表1中示出玻璃组成(单位：摩尔％)和50℃～300℃下的平均热膨胀系数(单位：×10^-7/℃)、应变点(单位：℃)、玻璃化转变温度(单位：℃)、比重(单位：g/cm³)、杨氏模量(GPa)(通过超声法测定)、作为高温粘性值的、作为熔化性的大致基准的温度T₂(玻璃粘度η达到10²dPa·s时的温度，单位：℃)和作为浮法成形性和熔融成形性的大致基准的温度T₄(玻璃粘度η达到10⁴dPa·s时的温度，单位：℃)、失透温度(单位：℃)、光弹性常数(单位：nm/MPa/cm)(通过圆盘压缩法测定)、以及相对介电常数(通过JIS C-2141中记载的方法测定)。

为了确认本发明的效果，使用有限元法计算了玻璃基板的变形。使用MSC公司的MARC作为计算软件，通过以下步骤进行了计算。首先，作为步骤1，将例1的玻璃用作基板尺寸G6(长边1800mm、短边1500mm)、厚度0.5mm的基板，在200℃下在其上涂布膜厚200nm的铜膜，冷却至室温(20℃)，计算了该情况下的基板变形。接着，作为步骤2，为了模拟宽度7μm、间距70μm的图案化，在室温下，对铜膜赋予如基板的短轴方向的杨氏模量为长轴方向的1/10的各向异性，计算了该情况下的基板变形。进一步地，作为步骤3，将在步骤2中赋予了各向异性的基板加热至200℃，以膜厚200nm涂布该氮化硅膜，冷却至室温(20℃)，计算了该情况下的基板的变形。铜膜中的铜的室温下的杨氏模量与热膨胀系数的积为21,000×10^{- 7}GPa/℃～23,000×10^-7GPa/℃。另外，氮化硅的平均热膨胀系数(50℃～350℃)为32×10^-7/℃，小于玻璃的平均热膨胀系数。

在图1(a)～图1(c)中，将对例1的玻璃(杨氏模量84GPa、热膨胀率为39×10^-7/℃)的基板进行计算得到的结果以等值线图的形式示出。步骤1(图1(a))中，是各相同性的膜，因此为同心圆状的变形，但是步骤2(图1(b))中，由于铜膜的各向异性，因此观察到鞍型的变形。另外，在步骤3(图1(c))中，发现与步骤2相比变形减小。

图2为通过上述方法计算假定情况下的氮化硅膜成膜后的基板的翘曲的最大值而作出的图。所述假定情况如下：将例1～12的玻璃用作基板尺寸G6(长边1800mm、短边1500mm)、厚度0.5mm的玻璃基板，在其上形成有膜厚200nm、宽度7μm、且间距70μm的在一个方向上平行的相当于铜图案的图案和覆盖该铜图案的形成于玻璃基板整面的厚度200nm的氮化硅膜。图2中，越往右上翘曲越小，越往左下翘曲越大。直线的右上部分为相当于20α+7E≥1300的部分。如由图2可知，满足本发明的要件的例1～4和7～12的玻璃的翘曲小，不容易发生图案错位。另一方面，不满足玻璃组成和式(1)的例5、6的翘曲大，认为图案错位变大。

参照特定方式且详细地对本发明进行了说明，但是，对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种变更和修正。本申请基于2014年11月28日提出的日本专利申请(特愿2014-241601)，其内容作为参考并入本文。

产业实用性

本发明的液晶显示面板通过基板玻璃、布线金属、介电体和显示面板的设计方式的规定的组合，显著地抑制了图案错位。

Claims (6)

1.一种液晶显示面板，其为有源矩阵驱动形式的液晶显示面板，其中，

该液晶显示面板为通过以下的制造工艺而制造的液晶显示面板，所述制造工艺包含：在无碱玻璃的基板的至少一个表面上形成包含金属的膜，将所得到的金属膜图案化而制成布线膜，接着形成包含无机物质的栅极绝缘膜的工序，

该液晶显示面板通过在所述无碱玻璃的基板的至少一个表面上具有所述包含金属的布线膜和所述包含无机物质的绝缘膜而得到，

该布线膜的厚度为0.1μm以上，

该绝缘膜的厚度为100nm以上，

该基板的长边为1800mm以上、短边为1500mm以上、厚度为0.5mm以下，

该金属的在室温下的杨氏模量与热膨胀系数的积为10,000×10^-7GPa/℃～25,000×10^-7GPa/℃,

该无机物质具有比该无碱玻璃小的平均热膨胀系数(50℃～350℃),

该无碱玻璃的杨氏模量(E)为70GPa～95GPa，平均热膨胀系数(50℃～350℃)α为32×10^-7(1/℃)～45×10^-7(1/℃)，且满足下式(1)，

20α+7E≥1310 (1)

并且

该无碱玻璃以氧化物基准的摩尔％表示具有以下组成，

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述无碱玻璃的以氧化物基准的摩尔％表示所示的组成满足以下关系：759-13.1×SiO₂-7.5×Al₂O₃-15.5×B₂O₃+9.7×MgO+21.8×CaO+27.2×SrO+27.9×BaO≥0。

3.如权利要求1或2所述的液晶显示面板，其中，该金属为铜、铝或钼。

4.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示面板，其中，该无机物质为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。

5.如权利要求1～4中任一项所述的液晶显示面板，其中，所述液晶显示面板的制造工艺的最高温度为450℃以下。

6.一种无碱玻璃的基板，其用于权利要求1～5中任一项所述的液晶显示面板。