[go: up one dir, main page]

CN106981579A - 一种oled器件、其制作方法及相应装置 - Google Patents

一种oled器件、其制作方法及相应装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106981579A
CN106981579A CN201710236520.6A CN201710236520A CN106981579A CN 106981579 A CN106981579 A CN 106981579A CN 201710236520 A CN201710236520 A CN 201710236520A CN 106981579 A CN106981579 A CN 106981579A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transition layer
layer
oled device
organic light
transition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710236520.6A
Other languages
English (en)
Inventor
杨添
侯文军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710236520.6A priority Critical patent/CN106981579A/zh
Publication of CN106981579A publication Critical patent/CN106981579A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18Carrier blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种OLED器件、其制作方法及相应装置,用以解决现有的OLED器件中,为防止溅镀工艺损伤OLED器件而设置的过渡层,无法很好的达到既减少损伤又不影响电子注入与传输的问题。该OLED器件包括:依次设置的阳极、有机发光层、第一过渡层以及阴极;其中,第一过渡层的材料包括导电高分子材料。本发明中OLED器件在有机发光层和阴极之间设置有导电高分子材料制作的第一过渡层,由于高分子材料其大分子结构为链状或网状的结构,因而无需将第一过渡层的厚度设置的很厚,就可以有效阻挡高动能运动粒子,进而达到既可以减少制作阴极时的溅镀工艺对OLED器件的损伤,又不影响电子注入与传输的目的。

Description

一种OLED器件、其制作方法及相应装置
技术领域
本发明涉及OLED显示领域,尤其涉及一种OLED器件、其制作方法及相应装置。
背景技术
目前,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示产品具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。现有的OLED显示面板中的OLED器件主要包括阳极,有机发光层和阴极。其中,阴极通常为透明膜层、且采用溅镀工艺形成,在制备过程中,由于高动能的运动粒子会对OLED器件造成损伤,降低OLED器件的性能和寿命。
虽然,现有技术中通过改善溅镀的工艺条件、增加防损伤的过渡层等方式,减少阴极溅镀工艺对OLED器件性能的损伤,但现有工艺中,过渡层是使用蒸镀工艺蒸镀的一层过渡层,其存在的问题是:一、过渡层起到防损伤目的时,如果厚度过厚,影响电子注入与传输;二、过渡层设置较薄时,又不能达到减少损伤的目的。
综上所述,现有的OLED器件中,为防止溅镀工艺损伤OLED器件而设置的过渡层,无法很好的达到既减少损伤又不影响电子注入与传输的目的。
发明内容
本发明的目的是提供一种OLED器件、其制作方法及相应装置,用以解决目前现有的OLED器件中,为防止溅镀工艺损伤OLED器件而设置的过渡层,无法很好的达到既减少损伤又不影响电子注入与传输的问题。
本发明实施例提供的一种OLED器件,包括:依次设置的阳极、有机发光层、第一过渡层以及阴极;其中,
所述第一过渡层的材料包括导电高分子材料。
较佳的,所述OLED器件还包括:设置在所述有机发光层和所述第一过渡层之间、且具有导电特性的第二过渡层;
所述第二过渡层的材料包括小分子材料。
较佳的,所述第二过渡层完全覆盖所述有机发光层。
较佳的,所述第二过渡层为电子注入层或电子传输层。
较佳的,所述第二过渡层的材料为下列材料之一或组合:
N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HATCN)或八羟基喹啉锂(Liq)。
较佳的,所述第一过渡层的厚度为50纳米-150纳米。
较佳的,所述第一过渡层的材料为下列材料之一或组合:
聚苯胺或聚噻吩类。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如本发明实施例提供的上述OLED器件。
本发明实施例还提供了一种如本发明实施例提供的上述OLED器件的制作方法,包括:
在衬底基板上依次形成阳极层和有机发光层;
在所述有机发光层上涂覆包含导电高分子材料的混合溶液;
将涂覆有混合溶液的衬底基板进行抽真空处理;
再对抽真空处理之后的衬底基板进行烘烤,使涂覆的混合溶液中的溶剂充分挥发,形成固态的第一过渡层;
在所述第一过渡层上形成阴极层。
较佳的,该方法还包括:在所述有机发光层上通过蒸镀工艺形成一整层的第二过渡层,以及在所述第二过渡层上形成所述第一过渡层。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的OLED器件,在有机发光层和阴极之间设置有导电高分子材料制作的第一过渡层,由于高分子材料其大分子结构为链状或网状的结构,因而无需将第一过渡层的厚度设置的很厚,就可以有效阻挡高动能运动粒子,进而达到既可以减少制作阴极时的溅镀工艺对OLED器件的损伤,又不影响电子注入与传输的目的。
附图说明
图1为本发明实施例提供的包括一层过渡层的OLED器件的简化结构示意图;
图2为本发明实施例提供的包括两层过渡层的OLED器件的简化结构示意图;
图3为本发明实施例提供的OLED器件的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
其中,附图中膜层厚度和区域形状不反映其真实比例,目的只是示意说明本发明的内容。
本发明实施例提供的一种OLED器件,主要是适用于顶发射结构和透明显示结构,是在现有OLED器件的基础上,在有机发光层和阴极之间设置有导电高分子材料制作的第一过渡层,以达到既可以减少制作阴极时的溅镀工艺对OLED器件的损伤,又不影响电子注入与传输的目的。下面分别对本发明实施例提供的OLED器件、其制作方法及相应装置进行详细的说明。
如图1所示,为本发明实施例提供的包括一层过渡层的OLED器件的简化结构示意图;该OLED器件,包括:依次设置的阳极101、有机发光层102、第一过渡层103以及阴极104;其中,第一过渡层103的材料包括导电高分子材料。
图1中仅是为了说明本发明实施例中OLED器件画的一个结构示意图,图中100为衬底基板,105为像素定义层,图1只是简单示意了OLED器件中几个重要结构的位置,并未完全画出OLED显示面板的详细结构,例如,并没有画出TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)结构,以及空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等。这些未示出的结构都可以根据需要进行设置,在此不做介绍。
具体的,顶发射结构和透明显示结构的OLED器件,现有技术中的过渡层一般设置为透明结构,如果厚度设置的过厚,则很难做到透明,同时会影响电子注入与传输,如果设置的较薄,又不能达到减少损伤的目的;而本发明中在有机发光层和阴极之间设置有包括导电高分子材料的第一过渡层,由于高分子材料其大分子结构为链状或网状的结构,因而无需将第一过渡层的厚度设置的很厚,就可以有效阻挡高动能运动粒子,进而达到既可以减少制作阴极时的溅镀工艺对OLED器件的损伤,又不影响电子注入与传输的目的。
其中,制作第一过渡层所采用的导电高分子材料可以根据需要进行选择,较佳的,第一过渡层的材料为下列材料之一或组合:聚苯胺或聚噻吩类。而导电高分子材料的导电性能可以根据掺杂的元素进行调节。
在具体实施时,由于第一过渡层的材料中包括导电高分子材料,而导电高分子材料一般采用溶液法成膜,为了避免制作第一过渡层时的溶液对OLED器件造成损伤,可以根据需要在有机发光层和第一过渡层之间再设置一个过渡层。如图2所示,为本发明实施例提供的包括两层过渡层的OLED器件的简化结构示意图。
较佳的,OLED器件还包括:设置在有机发光层和第一过渡层之间、且具有导电特性的第二过渡层106;第二过渡层106的材料包括小分子材料。其中,采用小分子材料制作的第二过渡层难以被制作第一过渡层时的溶剂体系溶解,因而可以有效防止在制作第一过渡层时的溶液对OLED器件造成损伤。
在具体实施时,本发明实施例采用两层过渡层的结构,即高分子材料的第一过渡层和小分子材料的第二过渡层的复合结构。其中,第一过渡层更靠近阴极一侧,因而由于其大分子结构为链状或网状的结构,可以有效阻挡高动能运动粒子对OLED器件的损伤;而第二过渡层采用小分子材料,可以有效防止在制作第一过渡层时的溶液对OLED器件造成损伤,进而提高了OLED器件的性能和寿命。
其中,由于高分子材料的第一过渡层可以采用任意溶剂体系,而小分子材料的第二过渡层,在有机和无机溶剂中溶解性能差;因此,在制作高分子材料的第一过渡层时,可以选取不会溶解小分子材料的极性溶剂体系,以免造成污染。
现有技术中由于仅采用小分子材料的过渡层,因而厚度制作的较厚,本发明中高分子材料制作的第一过渡层阻挡高动能运动粒子的能力较强,因而相比于现有技术可以适当降低过渡层的厚度,较佳的,所述第一过渡层的厚度为50纳米-150纳米。而第一过渡层和第二过渡层的厚度之和为100纳米-200纳米。例如,当第一过渡层和第二过渡层的厚度之和为200纳米时,第一过渡层的厚度为150纳米,第二过渡层的厚度为50纳米。
在具体实施时,由于第二过渡层106的主要作用是为了防止在制作第一过渡层时的溶液对OLED器件造成损伤,较佳的,第二过渡层完全覆盖有机发光层。可以有效阻挡对OLED器件中有机发光层的损伤。
其中,制作第二过渡层所采用的小分子材料可以根据需要进行选择,较佳的,第二过渡层的材料为下列材料之一或组合:N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HATCN)或八羟基喹啉锂(Liq)。当第二过渡层为单独设置的一个膜层时,可以采用上述材料,或者是根据需要选取其它的小分子材料。
在具体实施时,也可以使OLED器件中的固有膜层复用为第二过渡层。OLED器件除了图1中示出的几个结构外,还包括设置在阳极和有机发光层之间、且依次设置的空穴注入层和空穴传输层;以及设置在有机发光层和第一过渡层之间、且依次设置的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。较佳的,第二过渡层为电子注入层或电子传输层。
具体的,由于电子注入层最靠近第一过渡层,因而可以将电子注入层复用为第二过渡层,又或者,可以将电子传输层复用为第二过渡层;但此时,选取的材料需要既能满足对电子具有传导能力的要求,又需要是小分子材料,例如,Liq等。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如本发明实施例提供的上述OLED器件。由于该显示装置解决问题的原理与本发明实施例提供的OLED器件相似,因此该显示装置的实施可以参见OLED器件的实施,重复之处不再赘述。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种如本发明实施例提供的上述OLED器件的制作方法,由于该制作方法解决问题的原理与本发明实施例提供的OLED器件相似,因此该制作方法的实施可以参见OLED器件的实施,重复之处不再赘述。
如图3所示,为本发明实施例提供的OLED器件的制作方法的步骤流程图,具体可以采用如下步骤实现:
步骤301,在衬底基板上依次形成阳极层和有机发光层;
步骤302,在有机发光层上涂覆包含导电高分子材料的混合溶液;
步骤303,将涂覆有混合溶液的衬底基板进行抽真空处理;
步骤304,再对抽真空处理之后的衬底基板进行烘烤,使涂覆的混合溶液中的溶剂充分挥发,形成固态的第一过渡层;
步骤305,在第一过渡层上形成阴极层。
采用上述三个步骤形成如图1所示的OLED器件,在具体实施时,形成阳极层、有机发光层以及阴极层的方法可以根据需要选取,在此不做限定,而当第一过渡层的材料采用导电高分子材料制作时,由于材料限制,一般需要采用涂覆溶液法制作,下面主要介绍如何形成第一过渡层。
具体的,在执行步骤302时,首先需要制作包含导电高分子材料的混合溶液,而制作混合溶液具体使用的溶剂,可以根据需要进行选择,只要满足不会损伤与其相邻的膜层即可。例如,采用上述OLED器件内容中提到的极性溶剂体系。
在执行步骤303时,在涂覆完的混合溶液后,需要使涂覆完的混合溶液中的溶剂挥发掉,例如,可以对其进行抽真空处理。而由于抽真空处理并不能完全使溶剂挥发干净,大概可以挥发掉95%左右,剩余的5%的溶剂可以再通过适当的烘烤使其挥发。
在执行步骤304时,再对抽真空处理之后的衬底基板进行烘烤,以便能够使涂覆的混合溶液中的溶剂充分挥发,形成固态的第一过渡层。在烘烤过程中,不仅可以使溶剂完全挥发干净,而且当达到玻璃化温度时,可以消除第一过渡层上的小孔洞等物理缺陷。
另外,可以根据需要选取涂覆上述混合溶液的方法,较佳的,通过下列方法涂覆混合溶液:旋涂法、刮涂法、喷墨打印、狭缝涂布或条形涂布。
在具体实施时,除了制作第一过渡层外,本发明实施例提供的OLED器件还可以制作一层单独的第二过渡层。较佳的,该方法还包括:在有机发光层上通过蒸镀工艺形成一整层的第二过渡层,以及在第二过渡层上形成第一过渡层。
由于第二过渡层采用小分子材料制作,因此可以采用蒸镀的工艺形成,即在有机发光层上通过蒸镀工艺形成一整层的第二过渡层,以及在第二过渡层上形成第一过渡层。
综上所述,本发明实施例提供的OLED器件,在有机发光层和阴极之间设置有导电高分子材料制作的第一过渡层,由于高分子材料其大分子结构为链状或网状的结构,因而无需将第一过渡层的厚度设置的很厚,就可以有效阻挡高动能运动粒子,进而达到既可以减少制作阴极时的溅镀工艺对OLED器件的损伤,又不影响电子注入与传输的目的。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种OLED器件,其特征在于,包括:依次设置的阳极、有机发光层、第一过渡层以及阴极;其中,
所述第一过渡层的材料包括导电高分子材料。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还包括:设置在所述有机发光层和所述第一过渡层之间、且具有导电特性的第二过渡层;
所述第二过渡层的材料包括小分子材料。
3.如权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述第二过渡层完全覆盖所述有机发光层。
4.如权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述第二过渡层为电子注入层或电子传输层。
5.如权利要求2-4任一项所述的OLED器件,其特征在于,所述第二过渡层的材料为下列材料之一或组合:
N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HATCN)或八羟基喹啉锂(Liq)。
6.如权利要求1-4任一项所述的OLED器件,其特征在于,所述第一过渡层的厚度为50纳米-150纳米。
7.如权利要求1-4任一项所述的OLED器件,其特征在于,所述第一过渡层的材料为下列材料之一或组合:
聚苯胺或聚噻吩类。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的OLED器件。
9.一种如权利要求1-7任一项所述OLED器件的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次形成阳极层和有机发光层;
在所述有机发光层上涂覆包含导电高分子材料的混合溶液;
将涂覆有混合溶液的衬底基板进行抽真空处理;
再对抽真空处理之后的衬底基板进行烘烤,使涂覆的混合溶液中的溶剂充分挥发,形成固态的第一过渡层;
在所述第一过渡层上形成阴极层。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,该方法还包括:在所述有机发光层上通过蒸镀工艺形成一整层的第二过渡层,以及在所述第二过渡层上形成所述第一过渡层。
CN201710236520.6A 2017-04-12 2017-04-12 一种oled器件、其制作方法及相应装置 Pending CN106981579A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710236520.6A CN106981579A (zh) 2017-04-12 2017-04-12 一种oled器件、其制作方法及相应装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710236520.6A CN106981579A (zh) 2017-04-12 2017-04-12 一种oled器件、其制作方法及相应装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106981579A true CN106981579A (zh) 2017-07-25

Family

ID=59344335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710236520.6A Pending CN106981579A (zh) 2017-04-12 2017-04-12 一种oled器件、其制作方法及相应装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106981579A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1409413A (zh) * 2001-09-19 2003-04-09 伊斯曼柯达公司 有机发光器件结构中具有重碱金属卤化物的溅射阴极
US20090284136A1 (en) * 2008-04-17 2009-11-19 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic light-emission device
CN101633805A (zh) * 2008-07-24 2010-01-27 Icf科技有限公司 彩色滤光片用墨水、彩色滤光片以及该彩色滤光片的制造方法
CN102047757A (zh) * 2008-06-02 2011-05-04 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件
CN103000818A (zh) * 2012-12-11 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 顶发射有机电致发光器件及其制备方法和应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1409413A (zh) * 2001-09-19 2003-04-09 伊斯曼柯达公司 有机发光器件结构中具有重碱金属卤化物的溅射阴极
US20090284136A1 (en) * 2008-04-17 2009-11-19 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic light-emission device
CN102047757A (zh) * 2008-06-02 2011-05-04 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件
CN101633805A (zh) * 2008-07-24 2010-01-27 Icf科技有限公司 彩色滤光片用墨水、彩色滤光片以及该彩色滤光片的制造方法
CN103000818A (zh) * 2012-12-11 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 顶发射有机电致发光器件及其制备方法和应用

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
WO2019214335A1 (zh) * 2018-05-11 2019-11-14 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN108649131B (zh) * 2018-05-11 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
US11706935B2 (en) 2018-05-11 2023-07-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescent device comprising a target film comprising a small molecular layer and a large molecular layer and method for fabricating the same, display panel and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10756273B2 (en) Fabricating a plurality of layers in an OLED device by a solution film method
US9054345B2 (en) Pixel defining layer, preparation method thereof, organic light-emitting diode substrate and display
US20150303393A1 (en) Organic electroluminescent device and process for preparing the same
US8174009B2 (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof
US9960378B2 (en) Quantum dot light emitting device and manufacturing method thereof, liquid crystal display device
US10510990B2 (en) Groove structure for printing OLED display and manufacturing method for OLED display
US9954170B2 (en) Recess structure for print deposition process and manufacturing method thereof
US10720598B2 (en) Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
US10103349B2 (en) Electroluminescent device and manufacturing method thereof, display substrate and display device
JP4360797B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンスディスプレーの製造方法およびこの種のディスプレー
US11227999B2 (en) Array substrate having a layer of magnetic material, display panel having the same and manufacturing method the same thereof
KR100853897B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
WO2013088904A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10673007B2 (en) OLED device and method for manufacturing the same, OLED display panel and device
CN108649131B (zh) 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN106981588A (zh) 一种有机发光器件及其制造方法
US20170005285A1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing the same, and display apparatus
CN106981579A (zh) 一种oled器件、其制作方法及相应装置
CN109378409B (zh) 一种电致发光器件及其制造方法
KR20060109373A (ko) 유기전자소자 제조방법
KR102724696B1 (ko) 기판 및 상기 기판을 구비한 디스플레이 장치의 제조 방법
CN109192885B (zh) 有机功能层的制备方法、显示基板的制备方法
CN115440763A (zh) 显示器件及其制备方法
US20180323407A1 (en) Organic light emitting device and a method of fabricating thereof
CN107068883A (zh) 一种oled显示器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170725