CN106967963A - 用于衬底处理系统的硅或碳化硅气体喷射器 - Google Patents
用于衬底处理系统的硅或碳化硅气体喷射器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106967963A CN106967963A CN201611122079.0A CN201611122079A CN106967963A CN 106967963 A CN106967963 A CN 106967963A CN 201611122079 A CN201611122079 A CN 201611122079A CN 106967963 A CN106967963 A CN 106967963A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tubular rod
- rod segment
- threads
- knuckle
- gas injector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H10P14/24—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种用于衬底处理系统的硅或碳化硅气体喷射器。气体喷射器包括由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成的管状杆节段。管状杆节段包括限定流体通道的主体和直接在其一端部上加工的螺纹。转向节包括螺纹。管状杆节段的螺纹连接到转向节的螺纹。气体供应管连接到转向节。一个或多个附加的管状杆节段可以通过螺纹附接到管状杆节段，以改变气体喷射器的长度。
Description
技术领域
本发明涉及衬底处理系统，更具体地涉及用于在衬底处理系统中向炉供应处理气体的气体喷射器。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所指名的发明人的工作，在该背景技术部分中描述的程度以及本说明书的可能在申请时不被另外认为是现有技术的部分，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。
可以在一个或多个制造阶段期间使用炉中的衬底例如半导体晶片的批处理。可以在炉中执行热化学气相沉积(CVD)或另一工艺。将衬底加热到预定温度范围，并且使用气体喷射器将前体气体引入炉中。
气体喷射器通常由石英或碳化硅制成。在一些情况下，在沉积膜的热膨胀系数(CTE)和用于制造气体喷射器的材料的CTE之间可能没有足够的匹配。结果，在操作期间可能发生在气体喷射器的内表面上形成的膜的分层(delamination)。分层在炉中产生颗粒。颗粒可能落在衬底上并增加缺陷。为了防止这些缺陷，执行更频繁的预防性维护，这增加了成本。
发明内容
一种气体喷射器包括由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成的管状杆节段。管状杆节段包括限定流体通道的主体和直接在其一端上加工的螺纹。转向节包括螺纹。管状杆节段的螺纹连接到转向节的螺纹。气体供应管连接到转向节。
在其它特征中，所述管状杆节段包括直接在其相对端上加工的螺纹。附加的管状杆节段连接到管状杆节段的相对端上的螺纹。转向节包括限定用于接收管状杆节段的腔的主体。所述转向节的螺纹位于所述腔的一端。
在其它特征中，转向节包括从所述转向节的一端朝向所述转向节的相对端延伸的第一槽和第二槽。管状杆节段完全由所述材料制成。
气体喷射器包括第一管状杆节段，所述第一管状杆节段包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第一管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第一管状杆节段的相对端上的阴螺纹。第二管状杆节段包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第二管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第二管状杆节段的相对端上的阴螺纹。第一管状杆节段和第二管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成。第二管状杆节段的一端螺纹连接到第一管状杆节段的一端。第一管状杆节段和第二管状杆节段的流体通道流体连通。
在其它特征中，第三管状杆节段包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第三管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第三管状杆节段的相对端上的阴螺纹。第三管状杆节段的一端可螺纹连接到第二管状杆节段的相对端。第三管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成。第三管状杆节段和第二管状杆节段的流体通道流体连通。
在其它特征中，转向节通过螺纹连接到第一管状杆节段和第二管状杆节段中的一个。气体供应管连接到转向节。气体供应管包括与第一管状杆节段和第二管状杆节段中的一个的流体通道流体连通的流体通道。转向节包括限定用于接收第一管状杆节段和第二管状杆节段中的一个的外径的腔的主体。
在其它特征中，转向节包括从转向节的一端朝向转向节的相对端延伸的第一和第二槽。第一管状杆节段和第二管状杆节段完全由所述材料制成。
一种气体喷射器包括：N个管状杆节段，其完全由选自硅和碳化硅的材料制成。N是大于1的整数。N个管状杆节段中的每一个包括限定流体通道的主体和直接在其相对端上加工的螺纹。N个管状杆节段通过螺纹连接在一起。转向节连接到N个管状杆节段。气体供应管连接到转向节。
在其它特征中，转向节包括连接到N个管状杆节段中的一个上的螺纹的螺纹。转向节包括限定用于接收N个管状杆节段中的一个的腔的主体。转向节的螺纹位于腔的一端。
在其它特征中，转向节包括从转向节的一端朝向转向节的相对端延伸的第一和第二槽。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开的其它适用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅意图用于说明的目的，并不旨在限制本公开的范围。
具体而言，本发明的一些方面可以描述如下:
1.一种气体喷射器，包括：
由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成的管状杆节段，其中所述管状杆节段包括限定流体通道的主体和直接在其一端上加工的螺纹；
包括螺纹的转向节，其中所述管状杆节段的螺纹被连接到所述转向节的螺纹；和
连接到所述转向节的气体供应管。
2.根据条款1所述的气体喷射器，其中所述管状杆节段包括直接在其相对端上加工的螺纹。
3.根据条款2所述的气体喷射器，还包括连接到所述管状杆节段的相对端上的螺纹的附加的管状杆节段。
4.根据条款1所述的气体喷射器，其中所述转向节包括限定用于接收所述管状杆节段的腔的主体，其中所述转向节的螺纹位于所述腔的一端。
5.根据条款1所述的气体喷射器，其中所述转向节包括从所述转向节的一端朝向所述转向节的相对端延伸的第一槽和第二槽。
6.根据条款1所述的气体喷射器，其中所述管状杆节段完全由所述材料制成。
7.一种气体喷射器，包括：
第一管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第一管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第一管状杆节段的相对端上的阴螺纹；和
第二管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第二管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第二管状杆节段的相对端上的阴螺纹，
其中所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中所述第二管状杆节段的一端螺纹连接到所述第一管状杆节段的一端，其中所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段的流体通道流体连通。
8.根据条款7所述的气体喷射器，还包括：
第三管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第三管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第三管状杆节段的相对端上的阴螺纹，
其中所述第三管状杆节段的一端螺纹连接到所述第二管状杆节段的相对端，
其中所述第三管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中所述第三管状杆节段和所述第二管状杆节段的流体通道流体连通。
9.根据条款7所述的气体喷射器，还包括可螺纹附接到所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段中的一个上的转向节。
10.根据条款9所述的气体喷射器，还包括连接到所述转向节的气体供应管，其中所述气体供应管包括与所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段中的一个的流体通道流体连通的流体通道。
11.根据条款10所述的气体喷射器，其中所述转向节包括主体，所述主体限定用于接收所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段中的一个的外径的腔。
12.根据条款11所述的气体喷射器，其中所述转向节包括从所述转向节的一端朝向所述转向节的相对端延伸的第一槽和第二槽。
13.根据条款7所述的气体喷射器，其中所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段完全由所述材料制成。
14.一种气体喷射器，包括：
N个管状杆节段，其完全由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中N是大于1的整数，
其中所述N个管状杆节段中的每一个包括限定流体通道的主体和直接在
其相对端上加工的螺纹，
其中所述N个管状杆节段通过所述螺纹连接在一起；
连接到所述N个管状杆节段的转向节；和
连接到所述转向节的气体供应管。
15.根据条款14所述的气体喷射器，其中所述转向节包括连接到所述N个管状杆节段中的一个上的螺纹的螺纹。
16.根据条款15所述的气体喷射器，其中所述转向节包括限定用于接收所述N个管状杆节段中的一个的腔的主体，其中所述转向节的螺纹位于所述腔的一端。
17.根据条款14所述的气体喷射器，其中所述转向节包括从所述转向节的一端朝向所述转向节的相对端延伸的第一和第二槽。
附图说明
从详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1是包括根据本公开的气体喷射器的炉的示例的侧截面图；
图2是根据本公开的气体喷射器的示例的侧视图；
图3和图4是在气体喷射器的管状杆节段的端部上加工的阳螺纹和阴螺纹的示例的侧横截面图；
图5和图6是根据本公开的气体喷射器的示例的透视图；
图7A和7B是根据本公开的连接器和转向节的示例的侧截面图和端部截面图；
图8是根据本公开的用于制造气体喷射器的螺纹管状杆节段的方法的流程图；和
图9是根据本公开的用于组装气体喷射器的方法的流程图。
在附图中，附图标记可以重新使用以标识类似和/或相同的元件。
具体实施方式
本公开涉及包括多个管状杆节段的气体喷射器。每个管状杆节段具有圆柱形主体和内部流体通道，以允许处理气体的输送。在一些示例中，管状杆节段可以完全由硅(Si)或碳化硅(SiC)制成，但是也可以使用其它材料。
两个或更多个管状杆节段使用机械螺纹连接在一起以提供可变长度。机械螺纹被直接加工到管状杆节段的端部中。螺纹消除了对诸如粘合剂接合之类的其它类型的附接的需要。一旦螺纹连接在一起，管状杆节段形成单一的、整体的气体喷射器管，其将处理气体输送到炉或其它衬底处理室。
现在参考图1，示出了布置在炉10中的气体喷射器的示例。虽然示出了特定类型的炉，但本文所述的气体喷射器也可以与其他类型的炉或其他衬底处理设备一起使用。炉10被示出为包括绝热外壳12。加热线圈14布置在绝热外壳12的内部。可以通过电源(未示出)向加热线圈14供应电力。
内部容器16可以布置在绝热外壳12和加热线圈14的内部。可以使用衬套18，衬套18装配在内部容器16内。衬底支撑件20位于基座22上。在处理期间，基座22和衬底支撑件20通常由衬套18围绕。衬底支撑件20可包括竖直布置的狭槽，用于在热处理期间保持多个衬底。衬底可以是半导体晶片。
气体喷射器24包括螺纹连接在一起的供应管25、转向节26和多个管状杆节段27-1、27-2、…和27-N(统称为管状杆节段27)(其中N是大于1的整数)。在一些示例中，供应管25由不锈钢制成，但也可以使用其他材料。气体喷射器24可以布置在衬底支撑件20和衬套18之间。气体喷射器24包括在其上端上的出口，用于在衬套18内喷射处理气体。
真空泵(未示出)可以用于通过内部容器16的底部排出处理气体。绝热外壳12、内部容器16和衬套18可以竖直地升高，以允许晶片被传送到衬底支撑件20和从衬底支撑件20传走，但在一些配置中，这些元件保持静止，而升降机(未示出)使基座22和衬底支撑件20升起和下降进出炉10。
现在参考图2，更详细地示出了气体喷射器24。管状杆节段27包括直接在其端部上加工的阳螺纹40和阴螺纹42。例如，管状杆节段27-1包括与位于相邻管状杆节段27-2上的阳螺纹40配合的阴螺纹42。其它管状杆节段以类似的方式连接以提供可变长度。转向节26包括在其上端的阴螺纹42，其与管状杆节段27-1上的阳螺纹40配合。供应管25可以被接合到、螺纹连接到或以其他方式附接到转向节26的下端。
现在参考图3，更详细地示出了管状杆节段27的示例。管状杆节段27包括主体39。阳螺纹40被加工在其外表面上。管状杆节段27具有限定流体通道54的外径44和内径46。管状杆节段27还包括到流体通道54的第一开口48，其可以用作流体入口或出口。阳螺纹40的径向外径可以相对于外径44向内间隔开，使得阳螺纹40被接收在相应的阴螺纹42的内部。
现在参考图4，更详细地示出了管状杆节段27的示例。管状杆节段27包括在其内表面上加工的阴螺纹42。管状杆节段27还包括到流体通道54的第二开口72，其可以用作流体入口或出口。
现在参考图5至7B，示出了与转向节26有关的附加细节。在图5，转向节26包括限定用于接收管状杆节段27-1的腔80的主体73。转向节26包括形成在其相对侧上的槽82和84，所述槽82和84从转向节26的上部延伸到与转向节26的底部间隔开的点。供应管25容纳在转向节26的底部。如图6所示，管状杆节段27-1插入腔80中，阳螺纹40由转向节26的阴螺纹42接纳。槽82和84为管状杆节段27-1提供物理支撑，以增加结构强度和柔性来减少否则可能在温度变化期间发生的损坏。
如图7A和7B所示，流体通道90被限定通过供应管25的中央。转向节26中的流体通道92将流体通道90流体地连接到管状杆节段27-1的流体通道54。转向节的内径94提供足够的间隙以接收管状构件27-1的外径。
现在参考图8，示出了用于制造气体喷射器的方法154的示例。在152，生长硅锭。在154，进行硅锭的芯钻以生成实心管状杆节段。在158处，在实心管状杆节段上执行线电极放电制造(EDM)以获得期望的长度并平滑管状杆节段的端面，但也可以使用其它方法。在162，EDM也用于在管状杆节段中产生流体通道，但也可以使用其它方法。
在164，在管状杆节段的端部上执行计算机数字控制(CNC)加工以生产阳螺纹和阴螺纹，但也可以使用其它方法。在一些示例中，可以使用金刚石尖钻。在CNC加工期间可以使用诸如水或油基润滑剂之类的润滑。调节速度和进给设置，以相对于执行CNC加工所需的时间优化管状杆节段可能发生的损坏。在其他示例中，使用如在共同转让的“Ductile ModeMachining Methods for Hard and Brittle Components of Plasma ProcessingApparatus”的美国专利8893702中所述的延性模式加工在管状杆节段上加工螺纹，该专利在11月25日授权并在此通过引用将其全部并入。
在166，清洁管状杆节段。在168，在管状杆节段上执行表面化学处理。在170，在表面化学处理之后再次清洁管状杆节段。在174，执行附加的清洁步骤作为最终清洁操作。仅作为示例，可以使用氟化氢(HF)。
现在参考图9，示出了用于组装气体喷射器的方法200的示例。在204，提供N个管状杆节段、转向节和供应管，其中N是大于或等于1的整数。在212，N个杆螺纹连接在一起(当N大于1时)，然后被螺纹连接到转向节中。气体供应管连接到转向节。在一些示例中，气体供应管使用粘合剂连接，但也可以使用其他连接方法。在214，气体喷射器可以在使用之前密封并烘干。仅作为示例，膜可以沉积在气体喷射器的内部上以密封气体喷射器。在216，气体喷射器安装在炉中并在过程中使用。在一些示例中，气体喷射器在诸如沉积掺杂或未掺杂的多晶硅之类的热化学气相沉积(CVD)工艺期间使用，但也可以执行其他工艺。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当如此限制，因为在研究附图，说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施例在上面被描述为具有某些特征，但是关于本公开的任何实施例描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其它实施例的特征中实现和/或与其组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施例不是相互排斥的，并且一个或多个实施例彼此的排列保持在本公开的范围内。
Claims (10)
1.一种气体喷射器，包括：
由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成的管状杆节段，其中所述管状杆节段包括限定流体通道的主体和直接在其一端上加工的螺纹；
包括螺纹的转向节，其中所述管状杆节段的螺纹被连接到所述转向节的螺纹；和
连接到所述转向节的气体供应管。
2.根据权利要求1所述的气体喷射器，其中所述管状杆节段包括直接在其相对端上加工的螺纹。
3.根据权利要求2所述的气体喷射器，还包括连接到所述管状杆节段的相对端上的螺纹的附加的管状杆节段。
4.一种气体喷射器，包括：
第一管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第一管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第一管状杆节段的相对端上的阴螺纹；和
第二管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第二管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第二管状杆节段的相对端上的阴螺纹，
其中所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中所述第二管状杆节段的一端螺纹连接到所述第一管状杆节段的一端，
其中所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段的流体通道流体连通。
5.根据权利要求4所述的气体喷射器，还包括：
第三管状杆节段，其包括：限定流体通道的主体；直接加工在所述第三管状杆节段的一端上的阳螺纹；以及直接加工在所述第三管状杆节段的相对端上的阴螺纹，
其中所述第三管状杆节段的一端螺纹连接到所述第二管状杆节段的相对端，
其中所述第三管状杆节段由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中所述第三管状杆节段和所述第二管状杆节段的流体通道流体连通。
6.根据权利要求4所述的气体喷射器，还包括可螺纹附接到所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段中的一个上的转向节。
7.根据权利要求6所述的气体喷射器，还包括连接到所述转向节的气体供应管，其中所述气体供应管包括与所述第一管状杆节段和所述第二管状杆节段中的一个的流体通道流体连通的流体通道。
8.一种气体喷射器，包括：
N个管状杆节段，其完全由从硅和碳化硅构成的组中选择的材料制成，
其中N是大于1的整数，
其中所述N个管状杆节段中的每一个包括限定流体通道的主体和直接在其相对端上加工的螺纹，
其中所述N个管状杆节段通过所述螺纹连接在一起；
连接到所述N个管状杆节段的转向节；和
连接到所述转向节的气体供应管。
9.根据权利要求8所述的气体喷射器，其中所述转向节包括连接到所述N个管状杆节段中的一个上的螺纹的螺纹。
10.根据权利要求9所述的气体喷射器，其中所述转向节包括限定用于接收所述N个管状杆节段中的一个的腔的主体，其中所述转向节的螺纹位于所述腔的一端。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/963,698 US20170167023A1 (en) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | Silicon or silicon carbide gas injector for substrate processing systems |
| US14/963,698 | 2015-12-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106967963A true CN106967963A (zh) | 2017-07-21 |
Family
ID=59018482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611122079.0A Pending CN106967963A (zh) | 2015-12-09 | 2016-12-08 | 用于衬底处理系统的硅或碳化硅气体喷射器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170167023A1 (zh) |
| KR (1) | KR20170070827A (zh) |
| CN (1) | CN106967963A (zh) |
| TW (1) | TW201730369A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113088931A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器 |
| CN115560597A (zh) * | 2022-09-16 | 2023-01-03 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 一种拼接式喷射管及其导气孔和本体的制作方法 |
Families Citing this family (258)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| JP7061982B2 (ja) * | 2019-04-19 | 2022-05-02 | 信越化学工業株式会社 | シリコン芯線 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210021266A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| TWI838570B (zh) | 2019-08-23 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法 |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102879443B1 (ko) | 2019-10-10 | 2025-11-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693B (zh) | 2019-11-29 | 2025-06-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| TW202146691A (zh) | 2020-02-13 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法 |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI884193B (zh) | 2020-04-24 | 2025-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR20210137395A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| KR102916735B1 (ko) | 2020-06-24 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1244911A (en) * | 1969-01-09 | 1971-09-02 | British Iron Steel Research | Improvements in and relating to ceramic recuperators |
| JPH0719143Y2 (ja) * | 1990-04-26 | 1995-05-01 | 日本エー・エス・エム株式会社 | ガス導入装置を有するｃｖｄ装置 |
| JPH0719143A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 燃料噴射弁付き点火プラグのプラグキャップ |
| JPH08310892A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-26 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造における供給素材 |
| US8963051B2 (en) * | 2004-09-16 | 2015-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing substrates |
| US20060185589A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Raanan Zehavi | Silicon gas injector and method of making |
| KR20120085745A (ko) * | 2009-09-25 | 2012-08-01 | 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 | 하이브리드 가스 인젝터 |
-
2015
- 2015-12-09 US US14/963,698 patent/US20170167023A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-12-07 KR KR1020160166038A patent/KR20170070827A/ko not_active Withdrawn
- 2016-12-08 CN CN201611122079.0A patent/CN106967963A/zh active Pending
- 2016-12-09 TW TW105140736A patent/TW201730369A/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113088931A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器 |
| CN115560597A (zh) * | 2022-09-16 | 2023-01-03 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 一种拼接式喷射管及其导气孔和本体的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201730369A (zh) | 2017-09-01 |
| US20170167023A1 (en) | 2017-06-15 |
| KR20170070827A (ko) | 2017-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106967963A (zh) | 用于衬底处理系统的硅或碳化硅气体喷射器 | |
| CN101425474B (zh) | 提供减小等离子体穿透和电弧的静电夹盘的方法和设备 | |
| US11417561B2 (en) | Edge ring for a substrate processing chamber | |
| CN112877675B (zh) | 具有漏斗状气体分散通道及气体分配板的原子层沉积腔室 | |
| JP6878616B2 (ja) | ボトムおよびミドルエッジリング | |
| JP5324627B2 (ja) | セラミック基体支持体 | |
| US11692732B2 (en) | Air cooled faraday shield and methods for using the same | |
| US8444926B2 (en) | Processing chamber with heated chamber liner | |
| CN112251734B (zh) | 衬底基座 | |
| US9202736B2 (en) | Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing | |
| TWI777975B (zh) | 用以減少泵抽排氣系統中之排出物積累的系統及方法 | |
| JP2001160479A (ja) | セラミックスヒーターおよびそれを用いた基板処理装置 | |
| US12191122B2 (en) | Electrostatic chuck with spatially tunable RF coupling to a wafer | |
| JP2014053645A (ja) | 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター | |
| TW200826746A (en) | Apparatus for porous material densification | |
| US10096471B2 (en) | Partial net shape and partial near net shape silicon carbide chemical vapor deposition | |
| CN118622684A (zh) | 配置用于布置在衬底处理设备的反应室内的注射器 | |
| WO2020117594A1 (en) | Substrate supports including metal-ceramic interfaces | |
| CN109075106B (zh) | 用于晶片放气的等离子体增强退火腔室 | |
| KR20210133302A (ko) | 높은 종횡비 홀들 및 높은 홀 밀도를 갖는 가스 분배 플레이트 | |
| EP2481082B1 (en) | Hybrid gas injector | |
| KR20230115304A (ko) | 중공 석영 실린더를 생산하기 위한 시스템 및 방법 | |
| US20210305017A1 (en) | Inductively coupled plasma chamber heater for controlling dielectric window temperature | |
| US20200251310A1 (en) | Multi channel splitter spool | |
| WO2025240237A1 (en) | Thermal interface material for substrate processing systems |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170721 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |