CN106959555A - 包括限定凹槽的取向层的显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种包括限定凹槽的取向层的显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，在基底上；像素电极，连接到薄膜晶体管；共电极，与像素电极叠置；绝缘层，位于像素电极与共电极之间；顶层，与像素电极分隔开；微腔，设置为多个，均被限定在彼此分隔开的顶层和像素电极之间；第一取向层，位于微腔与像素电极之间，并且限定其与微腔相邻的上表面，所述第一取向层的所述上表面限定第一取向层的第一凹槽；第二取向层，位于微腔与顶层之间，并且限定其与微腔相对的上表面，第二取向层的上表面限定第二取向层的第二凹槽；光学介质层，设置在多个微腔中。

Description

包括限定凹槽的取向层的显示装置及其制造方法

本申请要求于2016年1月8日提交的第10-2016-0002769号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明总体上涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示器作为平板显示装置中的一种类型被广泛地使用。液晶显示器具有设置有诸如像素电极和共电极的场产生电极的两个显示面板以及设置在两个显示面板之间的液晶层。对场产生电极施加电压以便在液晶层中产生电场，并由电场确定液晶层的液晶分子的取向。因此，通过液晶层的液晶分子的取向来控制入射光的偏振，从而执行图像显示。

液晶显示器的两个显示面板可以是薄膜晶体管阵列面板和对向显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线形成为彼此相交，可形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的像素电极。对向显示面板可包括阻光构件、滤色器、共电极等。在一些情况下，阻光构件、滤色器和共电极可设置在薄膜晶体管阵列面板中而不设置在对向显示面板中。

在具有两个显示面板的诸如液晶显示器的传统平板显示装置中，使用两个基础基底。在具有两个基础基底的情况下，传统的液晶显示器的构成元件分别设置在两个基础基底上，使得传统的液晶显示器相对重，成本相对高，并且其加工时间相对长。

发明内容

本发明的一个或更多个示例性实施例提供了具有减少了的重量、厚度、成本和加工时间的优势的仅包括一个基础基底的显示装置及其仅利用一个基础基底的制造方法。

当通过使用其中的一个单个基底制造显示装置时，在形成微腔之后执行用于将取向材料注入到微腔中的工艺。取向材料形成显示装置的取向层。对于微腔中由取向材料形成的取向层，因为取向层的上表面不暴露于微腔的外部，所以对取向层执行接触型摩擦工艺会是困难的。因此，已经开发出使用紫外(“UV”)光来形成取向层的光取向工艺。然而，由于在使用光取向工艺时设置在微腔上和下的厚层，造成设置在微腔中的光学介质的取向能力被劣化。因此，不期望地出现光泄漏缺陷。

所描述的技术已经致力于提供具有改善光学介质取向能力并减少或有效地防止光泄漏缺陷的优势的一种显示装置及其制造方法。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；像素电极，连接到薄膜晶体管；共电极，与像素电极叠置；绝缘层，设置在像素电极与共电极之间；顶层，与像素电极分隔开；微腔，设置为多个，均被限定在彼此分隔开的顶层与像素电极之间；第一取向层，设置在微腔与像素电极之间，并且限定其与微腔相邻的上表面，第一取向层的上表面限定第一取向层的第一凹槽；第二取向层，设置在微腔与顶层之间，并且限定其与微腔相对的上表面，第二取向层的上表面限定所述第二取向层的第二凹槽；光学介质层，设置在多个微腔中。

第一凹槽可以与像素电极和共电极中的至少一个叠置。

第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，并且第一凹槽的长度的延伸方向可以限定第一方向。

基底还可以包括多个像素，第一凹槽分别在多个像素中的每个像素内设置为多个。

多个第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，多个第一凹槽的长度彼此平行地延伸。

多个第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，多个第一凹槽中的各个第一凹槽的长度可以限定：第一长度部分，在第一方向上纵向延伸；第二长度部分，在不同于第一方向的第二方向上纵向延伸。

第二凹槽可以与像素电极和共电极中的至少一个叠置。

在多个微腔中的每个微腔可以分别被其上表面、其下表面以及将上表面和下表面彼此连接的其侧表面限定。第二凹槽可以设置为不与每个微腔的侧表面叠置。

第一取向层和第二取向层可以包括紫外(“UV”)可固化聚合物。

根据示例性实施例的显示装置的制造方法包括：在基底上形成第一电极；在基底上形成第二电极；在第一电极与第二电极之间形成绝缘层；在绝缘层和第二电极上形成第一取向层；在第一取向层上形成牺牲层；在牺牲层上形成顶层；通过去除牺牲层在第二电极与顶层之间形成微腔；通过将光学介质材料注入微腔中形成光学介质层。第一取向层的形成步骤包括限定与微腔相邻的其上表面以及在其上表面中形成第一取向层的第一凹槽。

在第一取向层的第一凹槽的形成步骤中，在第一取向层的上表面上设置第一模具，并将第一模具压制到上表面中以限定第一凹槽。

第一凹槽可以与第一电极和第二电极中的至少一个叠置。

第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，并且第一凹槽的长度的延伸方向可以限定第一方向。

所述方法还可以包括在基底上形成多个像素，第一凹槽可以分别在多个像素的每个像素内设置为多个。

多个第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，多个第一凹槽的长度可以彼此平行地延伸。

多个第一凹槽可以限定大于其宽度的其长度，多个第一凹槽中的各个第一凹槽的长度可以限定：第一长度部分，在第一方向上纵向延伸；第二长度部分，在不同于第一方向的第二方向上纵向延伸。

制造方法还可以包括：在第一取向层上的牺牲层上形成第二取向层。形成第二取向层的步骤可以包括限定与微腔相对的其上表面，并且在其上表面中形成第二取向层的第二凹槽。

在第二取向层的第二凹槽的形成步骤中，在第二取向层的上表面上设置第二模具，并且将第二模具压制到第二取向层的上表面中以限定第二凹槽，第二凹槽可以与第一电极和第二电极中的至少一个叠置。

多个微腔中的每个微腔可以分别被其上表面、其下表面以及将上表面和下表面彼此连接的其侧表面限定。第二凹槽可以形成为不与每个微腔的侧表面叠置。

第一取向层和第二取向层可以包括紫外可固化聚合物。

根据一个或更多个示例性实施例的显示装置具有下面的效果。

根据示例性实施例，通过仅使用一个基底来制造显示装置，从而减少了显示装置的总重量、厚度、成本和加工时间。

此外，显示装置通过由紫外(“UV”)可固化聚合物形成取向层以及诸如通过使用模具在取向层的表面中形成凹槽来改善液晶取向能力。

附图说明

通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其它优势和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明的显示装置的示例性实施例的俯视平面图。

图2是沿图1的线II-II截取的显示装置的示例性实施例的剖视图。

图3是沿图1的线III-III截取的显示装置的示例性实施例的剖视图。

图4至图17是根据本发明的显示装置的制造方法的工艺的示例性实施例的剖视图。

图18至图20是根据本发明的显示装置的第一凹槽和第二凹槽的各种形状的示例性实施例的俯视平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域的技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式来修改所描述的实施例。

在附图中，为了清晰，夸大层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿说明书，同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离在此的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。

这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式(包括“至少一个(种、者)”)。“至少一个(种、者)”不被解释为局限于“一个(种、者)”。“或(或者)”意味着“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，说明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，这里可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含除了附图中描绘的方位之外装置的不同的方位。例如，如果在附图中的一幅附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件“下”侧的元件随后将被定位为“在”所述其它元件“上”侧。示例性术语“下”可因此根据附图的具体方位包括“下”和“上”两种方位。相似地，如果在附图中的一幅附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件“下面”或“下方”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件“上面”。因此，示例性术语“在……下面”或“在……下方”可以包括上面和下面两种方位。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和本公开的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义来解释。

这里参照作为理想的实施例的示意性图的剖视图来描述示例性实施例。如此，例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化将是预期的。因此，这里描述的实施例不应该被理解为受限于如这里示出的区域的具体形状，而是包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状不意图示出区域的精确的形状并且不意图限制权利要求的范围。

首先，将参照图1至图3描述根据本发明的显示装置的示例性实施例。

图1是根据本发明的显示装置的示例性实施例的俯视平面图，图2是沿线II-II截取的图1的显示装置的示例性实施例的剖视图，图3是沿线III-III截取的图1的显示装置的示例性实施例的剖视图。

参照图1至图3，栅极线121以及从栅极线121的主体部分突出的栅电极124设置在包括透明的玻璃或塑料或者由透明的玻璃或塑料制成的基底110上。栅极线121可以被认为包括和/或限定栅电极124。基底110限定单基底显示装置的基础基底。基底110可以是显示装置的层之中唯一的基础基底。

在俯视平面图中，栅极线121的长度可以主要在水平方向上延伸。栅极线121传输经其的栅极信号。栅电极124从栅极线121的主体部分向上突出。然而，示例性实施例不限于此，栅电极124的突出的形状可以被各种地修改。可选择的是，栅电极124可以不从栅极线121的主体部分突出，并且可以与栅极线121的主体部分设置在同一线上。

栅极绝缘层140设置在栅极线121和栅电极124上。栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者由这种无机绝缘材料制成。此外，栅极绝缘层140可以包括单层或多层或者由单层或多层形成。

半导体154设置在栅极绝缘层140上。在俯视平面图中，半导体154可以位于栅电极124上并且与栅电极124叠置。在一些示例性实施例中，半导体154也可以在显示装置的厚度方向上位于数据线171下方。半导体154可以包括非晶硅、多晶硅或金属氧化物或者由非晶硅、多晶硅或金属氧化物形成。

欧姆接触件(未示出)还可以设置在半导体154上并且与半导体154叠置。欧姆接触件可以包括硅化物或以相对高浓度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅，或者由硅化物制成或由诸如以相对高浓度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅制成。

数据线171以及与数据线171分开的漏电极175设置在半导体154和栅极绝缘层140上。数据线171包括或限定源电极173，源电极173和漏电极175被定位为彼此分隔开以面对彼此。

数据线171传输经其的数据信号。在俯视平面图中，数据线的长度主要在竖直方向上延伸，从而与栅极线121相交。为了描述的目的，参照图1的俯视平面图，栅极线121的长度方向可以被限定为水平方向，数据线171的长度方向可以被限定为与水平方向相交的竖直方向。显示装置的厚度方向可以被限定为垂直于由上面描述的水平方向和竖直方向限定的平面。示出的是，数据线171在竖直方向上线性延伸。然而，示例性实施例不限于此，数据线171可以具有周期性弯曲的形状。在示例性实施例中，例如，数据线171可以具有显示装置的每个像素PX至少弯曲一次的形状。显示装置可以包括多个像素PX。像素PX可以设置或被限定在基底110上。

如图1中示出的，源电极173不从数据线171的主体部分突出，并且可以与数据线171的主体部分设置在同一线上。漏电极175可以包括其长度基本平行于源电极173延伸的棒状的第一端部以及与棒状的第一端部相对的延伸的第二端部。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起形成一个薄膜晶体管(“TFT”)。薄膜晶体管可以用作传输数据线171的数据电压的开关元件SW。开关元件SW的沟道被限定或形成在暴露在源电极173与漏电极175之间的半导体154中。

钝化层180设置在数据线171、源电极173、漏电极175以及半导体154的暴露部分上。钝化层180可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，或者由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可以包括单层或多层或者由单层或多层形成。

滤色器230可以在钝化层180上设置多个以设置在显示装置的每个像素PX中。

每个滤色器230可以显示来自红色、绿色和蓝色的颜色中的一种原色。滤色器230不限于显示红色、绿色和蓝色的三原色，并且还可以显示诸如蓝绿色、品红色、黄色和白色系颜色的其它颜色。

阻光构件220设置在相邻的滤色器230之间的区域处。阻光构件220设置在像素PX的边界上或者在像素PX的边界处，并且与栅极线121、数据线171和薄膜晶体管叠置以防止光在此处泄漏。然而，示例性实施例不限于此，阻光构件220可以与栅极线121和薄膜晶体管叠置，并且可以不与数据线171叠置。当阻光构件220不与数据线171叠置时，相邻的滤色器230在数据线171上或在数据线171处彼此叠置以防止光泄漏。滤色器230和阻光构件220可以在它们的部分区域中彼此叠置。

第一绝缘层240还可以设置在滤色器230和阻光构件220上。第一绝缘层240可以包括有机绝缘材料或者由有机绝缘材料形成，并且可以用来使滤色器230和阻光构件220的每个的上表面平坦化。第一绝缘层240可以包括具有由有机绝缘材料制成的层与由无机绝缘材料制成的层的双层，或者由所述双层制成。此外，在一些示例性实施例中可以省略第一绝缘层240。

共电极270设置在第一绝缘层240上。共电极270可以设置为多个。分别设置在多个像素PX中的共电极270通过连接桥276等彼此连接，以便将基本相同的电压传递到每个共电极270。设置在每个像素PX中的共电极270可以具有平面的形状。共电极270可以包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)和铟锌氧化物(“IZO”)的透明金属氧化物，或者由这种透明金属氧化物制成。

共电极270可以被施加有共电压。共电压可以是预定的电压。因为共电压通过共电极270以及其间的连接桥276来施加，所以共电极270和连接桥276的集合可以限定共电压施加构件。

第二绝缘层250设置在共电极270上。第二绝缘层250可以包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，或者由这种无机绝缘材料制成。

钝化层180、第一绝缘层240、阻光构件220和第二绝缘层250限定暴露漏电极175的至少一部分的接触孔185a。具体地，接触孔185a暴露漏电极175的延伸第二端部。

像素电极191设置在第二绝缘层250上。像素电极191可以包括或限定多个分支电极193以及设置在相邻的分支电极193之间的缝隙93。在俯视平面图中，多个分支电极193和缝隙93的长度根据一个方向延伸。在示例性实施例中，例如，多个分支电极193和缝隙93线性地延伸以平行于数据线171的线性长度。然而，示例性实施例不限于此。在另一个示例性实施例中，例如，数据线171、多个分支电极193和缝隙93可以具有每像素PX至少弯曲一次的形状。

在像素PX内，像素电极191的多个分支电极193与共电极270叠置。在显示装置的厚度方向上(例如，剖视图)，像素电极191和共电极270通过第二绝缘层250彼此分开。第二绝缘层250用作使像素电极191与共电极270彼此绝缘。

像素电极191可以包括或限定用于将像素电极191与显示装置的其它层连接的突出部195。像素电极191的突出部195通过接触孔185a并在接触孔185a处物理连接并电连接到漏电极175，从而接收来自漏电极175的电压。像素电极191可以包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)的透明金属氧化物或者由这种透明金属氧化物制成。

像素电极191被施加有数据电压。当开关元件SW导通时，数据电压通过数据线171传输到像素电极191。

上面描述的像素PX的布置、薄膜晶体管的形状以及像素电极191和共电极270的位置和形状可以改变。另外，像素电极191和共电极270的沉积位置可以在显示装置的厚度方向上交换。即，第二绝缘层250示出为设置在共电极270上(例如，上面)并且像素电极191示出为设置在第二绝缘层250上(例如，上面)，在示例性实施例中，第二绝缘层250可以设置在像素电极191上并且共电极270可以设置在第二绝缘层250上。另外，像素电极191可以用平面形状制成或者具有平面的形状，共电极270可以包括或限定多个分支电极以及在相邻的分支电极之间的缝隙。

第一取向层11设置在像素电极191和第二绝缘层250上。第一取向层11可以包括紫外(“UV”)固化聚合物或者由紫外(“UV”)固化聚合物制成。紫外(“UV”)固化聚合物是在紫外(“UV”)光照射到它时固化的材料。在示例性实施例中，例如，紫外(“UV”)固化聚合物包括诺兰光学胶65(Norland Optical Adhesive 65，NOA 65)。

第一凹槽510被限定在第一取向层11的上表面处或者被第一取向层11的上表面限定。第一凹槽510可以与像素电极191和共电极270中的至少一个叠置。在示出的示例性实施例中，第一凹槽510与像素电极191的缝隙93和共电极270叠置。然而，示例性实施例不限于此，第一凹槽510可以与像素电极191的分支电极193叠置，而不是与像素电极191的缝隙93叠置。在另一个示例性实施例中，第一凹槽510可以与像素电极191的分支电极193和缝隙93以及共电极270叠置。

多个第一凹槽510可以设置在一个像素PX中。多个第一凹槽510可以在其与其长度方向垂直的宽度方向上以规则的间距布置。多个第一凹槽510可以限定其根据预定方向延伸的长度，多个第一凹槽510的长度可以彼此平行地延伸。第一凹槽510的长度的延伸方向可以平行于数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度的延伸方向。可选择的是，第一凹槽510的长度的延伸方向可以与数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的延伸方向形成预定的角度。

第一凹槽510的宽度和深度以及多个第一凹槽510之间的间距可以改变。可以通过第一凹槽510的宽度和深度以及多个第一凹槽510之间的间距的改变来使诸如液晶取向能力的光学介质取向能力成为可控的。在示例性实施例中，例如，可以通过增加第一凹槽510的深度以及缩小相邻的第一凹槽510之间的间距来改善液晶取向能力。第一凹槽510的深度可以被限定为从第一取向层11的上表面至凹进的底表面，其中，第一凹槽510从第一取向层11的所述上表面凹进。所述深度可以是在这样的上表面与底表面之间的最大距离。

在显示装置的厚度方向上与像素电极191将分开预定距离的顶层360设置在像素电极191上。顶层360可以包括有机材料或者由有机材料制成。在俯视平面图中，顶层360可以限定它的比它的宽度大的长度。在俯视平面图中，顶层360的长度可以在水平方向上延伸。

微腔305设置或限定为多个，其中，每个在显示装置的厚度方向上设置在像素电极191与顶层360之间。每个微腔305被像素电极191与顶层360包围。顶层360覆盖微腔305的上表面并且从上表面延伸以覆盖微腔305的侧表面的一部分。在制造显示装置的示例性实施例中，顶层360的材料可以通过固化工艺来硬化以保持显示装置中的微腔305的最终形状。微腔305的尺寸(例如，长度、宽度和/或深度)可以根据显示装置的尺寸和分辨率来改变。

参照图2，例如，覆盖相邻的微腔305的上表面的顶层360没有延伸为覆盖在相邻的微腔305的第一边缘的侧表面与第二边缘的侧表面中的每个的一部分。相邻的微腔305的没有被顶层360覆盖的部分被称为微腔305的注入孔307a和307b。注入孔307和307b包括第一注入孔307a和第二注入孔307b，其中，第一注入孔307a在两个相邻的微腔305中的一个微腔305的第一边缘处在侧表面处暴露这一个微腔305的内部区域，第二注入孔307b在微腔305的第二边缘处在侧表面处暴露两个相邻的微腔305中的另一个的内部区域。一个微腔305的第一边缘面对相邻的微腔305的第二边缘。在示例性实施例中，例如，在俯视平面图中，第一边缘可以是下微腔305的上边缘，第二边缘可以是上微腔305的下边缘。在制造显示装置的示例性实施例中，相邻的微腔305的内部区域分别被注入孔307a和307b暴露，使得诸如液晶材料的光学介质可以通过注入孔307a和307b注入到微腔305中。

光学介质设置在位于像素电极191与顶层360之间的微腔305中。对于液晶显示装置，包括液晶分子310或由液晶分子310制成的液晶层设置在位于像素电极191与顶层360之间的微腔305中。液晶分子310具有正介电各向异性或负介电各向异性。可以布置液晶分子310，使得在不存在电场的情况下其长轴方向平行于基底110取向。即，可以实现水平取向。尽管作为示例描述了用于液晶显示装置的包括液晶分子310或由液晶分子310制成的液晶层，但是本发明不限于此。在示例性实施例中，对于仅使用一个基础基底的其它显示装置和/或显示面板，可以使用控制对其的入射光从而执行图像显示的其它光学介质。

通过开关元件SW被施加有数据电压的像素电极191与被施加有共电压的共电极270一起产生电场，从而确定设置在微腔305中的液晶层的液晶分子310的方向。具体地，像素电极191的分支电极193与共电极270一起在液晶层中产生边缘场，从而确定液晶分子310的排列方向。如此，穿过液晶层的光的亮度根据液晶分子310的确定的取向方向而改变，从而显示图像。

第二取向层21在显示装置的厚度方向上设置在顶层360的下方。第二取向层21可以包括紫外(“UV”)固化聚合物或者由紫外(“UV”)固化聚合物制成。在示例性实施例中，例如，第二取向层21包括诺兰光学胶65(“NOA65”)。

第二凹槽610被限定在第二取向层21的上表面处或者被第二取向层21的上表面限定。第二凹槽610可以与像素电极191和共电极270中的至少一个叠置。

多个第二凹槽610可以设置在一个像素PX中。多个第二凹槽610可以在其与其长度方向垂直的宽度方向上以规则的间距布置。多个第二凹槽610可以限定其根据预定方向延伸的长度，多个第二凹槽610可以彼此平行地延伸。第二凹槽610的长度的延伸方向可以平行于数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度的延伸方向。可选择的是，第二凹槽610的长度的延伸方向可以与数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度的延伸方向形成预定的角度。

第二凹槽610的长度延伸方向可以平行于第一凹槽510的长度延伸方向。第二凹槽610可以与第一凹槽510叠置。然而，示例性实施例不限于此，第二凹槽610的长度延伸方向可以不平行于第一凹槽510的长度延伸方向。在另一个示例性实施例中，第二凹槽610的长度延伸方向可以平行于第一凹槽510的长度延伸方向，并且第二凹槽610可以不与第一凹槽510叠置。

第二凹槽610的宽度和深度以及多个第二凹槽610之间的间距可以改变。可以通过第二凹槽610的宽度和深度以及相邻的第二凹槽610之间的间距的改变来使诸如液晶取向能力的光学介质取向能力成为可控的。第二凹槽610的深度可以被限定为从第二取向层21的上表面至凹进的底表面，其中，第二凹槽610从第二取向层21的所述上表面凹进。所述深度可以是在这样的上表面与底表面之间的最大距离。在液晶分子310的初始状态下，液晶层的液晶分子310可以通过由第一取向层11限定或形成的第一凹槽510以及由第二取向层21限定或形成的第二凹槽610根据预定的方向来取向。在示例性实施例中，例如，液晶分子310可以根据第一凹槽510和第二凹槽610的长度延伸方向取向。

在示出的示例性实施例中，第一凹槽510形成在第一取向层11的接触微腔305的下表面的部分处或者被第一取向层11的接触微腔305的下表面的部分限定，第二凹槽610形成在第二取向层21的接触微腔305的上表面的部分处或者被第二取向层21的接触微腔305的上表面的部分限定。第一凹槽510和第二凹槽610不设置在微腔305的侧表面(诸如第二取向层21的接触微腔305的侧表面的部分)处或者相邻的微腔305之间的区域处。

当诸如凹槽的预定图案形成在第二取向层21的接触微腔305的侧表面的部分处或者被第二取向层21的接触微腔305的侧表面的部分限定时，设置在微腔305的侧表面处的液晶分子310的取向方向变得扭曲。在示出的示例性实施例中，因为第二凹槽610不形成在第二取向层21的接触微腔305的侧表面的部分上，所以在微腔305的侧表面处的液晶分子310可以根据预定的方向取向并且不会不期望地扭曲。因此，可以减少或有效地防止在微腔305的边缘处的光泄漏。

第三绝缘层350还可以设置在顶层360与第二取向层21之间。第三绝缘层350可以包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。此外，在示例性实施例中可以省略第三绝缘层350。

第四绝缘层370还可以设置在顶层360上。第四绝缘层370可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。第四绝缘层370可以形成为覆盖顶层360的上表面和/或侧表面。第四绝缘层370保护包括有机材料或由有机材料制成的顶层360，在示例性实施例中可以省略第四绝缘层370。

包封层390设置在第四绝缘层370上。包封层390从微腔上面延伸至微腔305的侧表面以覆盖将微腔305的内部暴露于外部的注入孔307a和307b。即，包封层390可以密封微腔305，使得设置在微腔305内部的液晶分子310不能泄漏。因为包封层390接触诸如液晶分子310的光学介质，所以包封层390包括不与诸如液晶分子310的光学介质反应的材料或者由不与诸如液晶分子310的光学介质反应的材料制成。在示例性实施例中，例如，包封层390可以包括聚对二甲苯等或者由聚对二甲苯等制成。

示出的是，包封层390设置在顶层360上并且覆盖注入孔307a和307b。然而，示例性实施例不限于此。包封层390可以不设置在顶层360上并且可以仅设置为覆盖在微腔305的第一边缘和第二边缘处的注入孔307a和307b。

包封层390可以包括诸如作为双层结构或三层结构的多层。双层结构由用不同材料制成的两个层组成。三层结构由三个层组成，并且相邻层的材料彼此不同。在示例性实施例中，例如，包封层390可以包括具有有机绝缘材料或由有机绝缘材料制成的层以及具有无机绝缘材料或由无机绝缘材料制成的层。

尽管未示出，但是偏振器还可以设置在上述显示装置的上表面以及与显示装置的上表面相对的下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附着在基底110的下表面上，第二偏振器可以附着在包封层390上。

接下来，参照图4至图17，将如下描述根据本发明的显示装置的制造方法的示例性实施例。另外，将参照图1至图3进行描述。

图4至图17是根据本发明的显示装置的制造方法的工艺的示例性实施例的剖视图。图4、图6、图8、图10、图12、图14和图16可以是沿图1的线II-II的图，图5、图7、图9、图11、图13、图15和图17可以是沿图1的线III-III的图。

如图4和图5中示出的，在基底110上形成将其长度限定为在水平方向上延伸的栅极线121(参照图1)以及从栅极线121的主体部分突出的栅电极124。基底110包括玻璃或塑料或者由玻璃或塑料制成。在基底110的俯视平面图中，栅极线121的长度可以基本在水平方向上延伸。栅极线121和栅电极124从同一材料层形成并设置在形成在基底110上的层之中的同一层中。

使用诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，在栅极线121和栅电极124上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以包括单层或多层或者被单层或多层限定。

在栅极绝缘层140上沉积诸如非晶硅、多晶硅或金属氧化物的半导体材料，对半导体材料进行图案化以形成半导体154(参照图1)。半导体154可以位于栅电极124上。

在沉积金属材料之后，对金属材料图案化以形成数据线171、源电极173和漏电极175。数据线171、源电极173和漏电极175可以包括单层或多层或者被单层或多层限定。数据线171、源电极173和漏电极175由同一材料层形成并且设置在形成在基底110上的层之中的同一层中。数据线171传输经其的数据信号并限定其主要在竖直方向上延伸的长度，从而与栅极线121相交。源电极173的长度可以与数据线171设置在同一线上，漏电极175与源电极173分开预定的距离。

虽然在上面的描述中，描述了形成半导体154，随后沉积金属材料并对其图案化以形成数据线171、源电极173和漏电极175的方法，但是示例性实施例不限于此。即，在顺序地沉积半导体材料和金属材料之后，可以同时对它们进行图案化以形成半导体154、数据线171、源电极173和漏电极175。在对顺序地沉积的半导体材料和金属材料同时图案化的情况下，还可以在数据线171下方设置半导体154。栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起形成一个薄膜晶体管(“TFT”)。

在数据线171、源电极173、漏电极175以及在源电极173与漏电极175之间的半导体154的暴露部分上形成钝化层180。钝化层180可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料或者由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可以包括单层或多层或者被由单层或多层限定。

在钝化层180上形成滤色器230。滤色器230可以形成在每个像素(参照图1中的PX)内部，并且可以不形成在像素的边缘处。允许不同的波长经其透射的多个滤色器230可以形成在显示装置内，在基底110的俯视平面图中，同种颜色的滤色器230可以沿竖直方向形成。在形成三种颜色的滤波器时，可以首先形成第一颜色的滤色器230，可以移动掩模以形成第二颜色的滤色器，可以再次移动同一掩模以形成第三颜色的滤色器230。

随后，在钝化层180上使用阻光材料来形成阻光构件220。阻光构件220可以位于像素的边缘处，并且可以与栅极线121、数据线171和薄膜晶体管叠置以防止在此处光泄漏。然而，示例性实施例不限于此，阻光构件220可以与栅极线121和薄膜晶体管叠置，但是不与数据线171叠置。

在滤色器230和阻光构件220上形成第一绝缘层240。第一绝缘层240可以包括有机绝缘材料或者由有机绝缘材料形成，并且可以用来使滤色器230和阻光构件220的顶表面平坦化。可以通过顺序地沉积包括有机绝缘材料或由有机绝缘材料制成的层以及包括无机绝缘材料或由无机绝缘材料制成的层将第一绝缘层240形成为双层结构。

在第一绝缘层240上沉积诸如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)的透明金属氧化物材料，随后对其图案化以形成共电极270。可以在基底110上设置多个共电极270。分别设置在多个像素PX中的共电极270通过连接桥276(参照图1)等彼此连接，以便将基本相同的电压传递到共电极270。设置在每个像素PX中的共电极270可以具有平面的形状。

在共电极270上使用诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料来形成第二绝缘层250。对第二绝缘层250、第一绝缘层240、阻光构件220和钝化层180进行图案化以形成穿过它们延伸的暴露漏电极175的至少一部分的接触孔185a。

在第二绝缘层250上沉积诸如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)的透明金属材料，并随后对其图案化以形成像素电极191。像素电极191通过接触孔185a连接到漏电极175。像素电极191可以包括或限定多个分支电极193以及设置在相邻的分支电极193之间的缝隙93。

使用紫外(“UV”)固化聚合物，在像素电极191和第二绝缘层250上形成第一取向层11。紫外(“UV”)固化聚合物是在紫外(“UV”)光照射到它时固化的材料。在示例性实施例中，例如，紫外(“UV”)固化聚合物包括诺兰光学胶65(“NOA 65”)。形成的第一取向层11可以具有平坦化的上表面。

在第一取向层11形成在像素电极191和第二绝缘层250上的情况下，在第一取向层11之上设置第一模具1000。在第一模具1000设置在第一取向层11之上之后，向下移动第一模具1000(见图4和图5中的箭头)，形成的第一取向层11被第一模具1000压缩。如图6和图7中所示，通过第一模具1000压缩第一取向层11的平坦化的上表面，从而由第一取向层11的被压缩部分形成多个第一凹槽510。

第一模具1000的下表面包括或限定凸部1010和凹部1020。第一凹槽510形成在第一取向层11的与第一模具1000的凸部1010对应的部分处。

第一凹槽510可以与像素电极191和共电极270中的至少一个叠置。在示例性实施例中，第一凹槽510与像素电极191的缝隙93以及共电极270叠置。然而，示例性实施例不限于此，第一凹槽510可以与像素电极191的分支电极193叠置，而不是与像素电极191的缝隙93叠置。在另一个示例性实施例中，第一凹槽510可以与像素电极191的分支电极193、像素电极191的缝隙93和共电极270叠置。

多个第一凹槽510可以形成在一个像素PX(参照图1)中。多个第一凹槽510可以以规则的间距形成在像素PX内。多个第一凹槽510可以限定其根据预定方向延伸的长度，多个第一凹槽510的长度可以彼此平行地延伸。第一凹槽510的长度的延伸方向可以平行于数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度的延伸方向。在另一个示例性实施例中，第一凹槽510的长度的延伸方向可以与数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度延伸方向形成预定的角度。

第一凹槽510的垂直于其长度的宽度、第一凹槽510的在基底110的厚度方向上的深度和相邻的第一凹槽510之间的在它们的宽度方向上的间距可以改变。可以通过第一凹槽510的宽度和深度以及相邻的第一凹槽510之间的间距的改变来使液晶取向能力成为可控的。

如图8和图9中示出的，在其中限定有第一凹槽510的第一取向层11上形成牺牲层300。可以在其中限定有第一凹槽510的第一取向层11上沉积牺牲层材料，随后对其图案化以形成牺牲层300。牺牲层300可以形成为限定其在基底110的俯视平面图中沿垂直方向延伸的长度。牺牲层300可以与栅极线121、薄膜晶体管和像素电极191叠置，牺牲层300可以不与数据线171叠置。

如图10和图11中示出的，使用紫外(“UV”)固化聚合物，在牺牲层300以及在其中限定有第一凹槽510的第一取向层11上形成第二取向层21。形成的第二取向层21可以具有平坦化的上表面。

在第二取向层21形成在牺牲层300上以及在其中限定有第一凹槽510的第一取向层11上的情况下，在第二取向层21之上设置第二模具2000。在将第二模具2000设置在第二取向层21上之后，向下移动第二模具2000(见图10和图11中的箭头)，形成的第二取向层21被第二模具2000压缩。如图12和图13中所示，通过第二模具2000压缩第二取向层21的平坦化的上表面，从而由第二取向层21的被压缩部分形成多个第二凹槽610。

第二模具2000的下表面包括或限定凸部2010和凹部2020。第二凹槽610形成在第二取向层21的与第二模具2000的凸部2010对应的部分处。

第二凹槽610可以与像素电极191和共电极270中的至少一个叠置。

多个第二凹槽610可以形成在一个像素PX(参照图1)中。多个第二凹槽610可以形成在形成有第一凹槽510的同一像素PX(参照图1)中。多个第二凹槽610可以以规则的间距形成在像素PX内。多个第二凹槽610可以限定其根据预定的方向延伸的长度，多个第二凹槽610的长度可以彼此平行地延伸。第二凹槽610的长度的延伸方向可以平行于数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个的长度的延伸方向。在另一个示例性实施例中，第二凹槽610的长度的延伸方向可以与数据线171、分支电极193和缝隙93中的每个长度的延伸方向形成预定的角度。

第二凹槽610的长度的延伸方向可以平行于第一凹槽510的长度的延伸方向。第二凹槽610可以与第一凹槽510叠置。然而，示例性实施例不限于此，第二凹槽610的长度的延伸方向可以不平行于第一凹槽510的长度的延伸方向。在另一个示例性实施例中，第二凹槽610的长度的延伸方向可以平行于第一凹槽510的长度的延伸方向，第二凹槽610可以不与第一凹槽510叠置。

第二凹槽610的垂直于其长度的宽度、第二凹槽610的在基底110的厚度方向上的深度以及相邻的第二凹槽610之间的在它们的宽度方向上的间距可以改变。可以通过第二凹槽610的宽度和深度以及相邻的第二凹槽610之间的间距的改变来使液晶取向能力成为可控的。

第一凹槽510形成在第一取向层11的设置在牺牲层300的下表面处的部分处，第二凹槽610形成在第二取向层21的设置在牺牲层300的上表面处的部分处。第一凹槽510和第二凹槽610可以分别由第一取向层11的上表面和第二取向层21的上表面限定。参照图13，没有凹槽通过第一取向层11和第二取向层21的在牺牲层300的侧表面处的部分来形成。第一取向层11和第二取向层21分别限定与牺牲层300的侧面分隔开的第一凹槽510和第二凹槽610。

如图14和图15中示出的，使用诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，在其中限定有第二凹槽610的第二取向层21上形成第三绝缘层350。

在第三绝缘层350上涂覆有机材料，随后对其图案化以形成顶层360。可以执行图案化步骤，从而去除有机材料的与栅极线121和薄膜晶体管叠置的部分。因此，顶层360可以限定其沿基底110的俯视平面图中的水平方向延伸的长度。用于形成顶层360的有机材料的与栅极线121和薄膜晶体管叠置的部分去除步骤暴露了下层的第三绝缘层350。

在如上面描述的对顶层360进行图案化之后，将光照射到顶层360以对其形成材料执行固化工艺。因为顶层360在执行固化工艺之后硬化，所以即使在顶层360下方产生预定空间，顶层360也可以保持其形状。

通过使用顶层360作为掩模对第三绝缘层350的和第二取向层21的其下与栅极线121和薄膜晶体管叠置的部分进行图案化来去除暴露的第三绝缘层350的所述部分和第二取向层21的所述部分。第三绝缘层350和第二取向层21的部分的去除步骤使下层的牺牲层300暴露(参照图14)。

可以在图案化后的顶层360和暴露的牺牲层300上沉积诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，随后对其图案化以形成第四绝缘层370。可以执行图案化，从而用于形成第四绝缘层370的无机绝缘材料的与栅极线121和薄膜晶体管叠置的部分被去除并且使先前暴露的下层的牺牲层300暴露。如图14和图15中示出的，第四绝缘层370可以覆盖顶层360的顶表面，并且还可以覆盖顶层360的侧表面(参照图14)。

因为对顶层360、第三绝缘层350、第二取向层21和第四绝缘层370进行了图案化，所以牺牲层300的部分暴露于外部。当将显影剂或剥离溶液(striper solution)施用在暴露的牺牲层300上以完全地去除牺牲层300时，或者当在暴露的牺牲层300处使用灰化工艺以完全地去除牺牲层300时，如图16和图17中示出的，在先前设置有牺牲层300的位置处产生微腔305。

像素电极191和顶层360彼此分隔开，同时使微腔305置于像素电极191与顶层360之间。如图16和图17中示出的，顶层360覆盖微腔305的顶表面并且延伸为覆盖微腔305的两个侧表面(参照图17)。

在基底110上设置多个微腔305。微腔305的内部区域通过不存在顶层360的部分来暴露到其外部(参照图16)，微腔305的使微腔305的内部区域暴露的部分可以被限定为注入孔307a和307b。可以针对一个微腔305形成注入孔307a和307b。在示例性实施例中，例如，可以形成在一个微腔305的第一边缘的第一侧表面处暴露该微腔305的内部区域的第一注入孔307a以及在同一个微腔305的第二边缘的第二侧表面处暴露该微腔305的内部区域的第二注入孔307b，其中，所述第二边缘与其第一边缘相对。第一边缘和第二边缘可以相对于同一个微腔305的内部区域彼此相对并彼此面对。参照图1中的俯视平面图，例如，所述一个微腔305的第一边缘可以是该微腔305的上边缘，而同一个微腔305的第二边缘可以是该微腔305的下边缘。

当使用喷墨法或滴涂法来将诸如液晶(“LC”)材料的光学介质材料滴到其上形成有的微腔305的基底110上时，LC材料在毛细管力的作用下经过注入孔307a和307b注入到微腔305中。因此，在微腔305中形成诸如包括液晶分子310的液晶层的光学介质层。

在第四绝缘层370上沉积不与诸如液晶分子310的光学介质反应的材料以形成包封层390。参照图16和图17，包封层390形成为诸如从微腔305的上面延伸为覆盖注入孔307a和307b以密封微腔305(参照图16)，从而防止形成在微腔305中的液晶分子310泄漏到微腔305外部。形成基底110上的包封层390以及在基底110与包封层390之间的上述层一起形成了显示装置。

接下来，尽管未示出，但是还可以将偏振器附着到上述显示装置的顶表面和底表面。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可附着在基底110的下表面上，第二偏振器可附着在包封层390上。

将参照图18至图20描述形成在第一取向层11中或被第一取向层11限定的第一凹槽510以及形成在第二取向层21中或被第二取向层21限定的第二凹槽610的各种平面的形状。

图18至图20是根据本发明的显示装置的第一凹槽和第二凹槽的各种形状的示例性实施例的俯视平面图。

如图18中示出的，第一凹槽510形成在第一取向层11中或被第一取向层11限定，多个第一凹槽510形成在相应的像素PX中的每个中。多个第一凹槽510限定其根据第一方向D1延伸为彼此平行的长度。

第二凹槽610形成在第二取向层21中或被第二取向层21限定，多个第二凹槽610形成在相应的像素PX中的每个中。多个第二凹槽610限定其根据第一方向D1延伸为彼此平行的长度。

如图18中示出的，第一凹槽510和第二凹槽610完全地叠置。第一凹槽510和第二凹槽610整体在一个单一方向(即，第一方向D1)上延伸。然而，示例性实施例不限于此。第一凹槽510和第二凹槽610可以交替地形成。

如图19中示出的，第一凹槽510的长度根据第一方向D1和第二方向D2延伸。像素PX被划分成上区PXa和下区PXb。在上区PXa中，第一凹槽510的第一长度部分根据第一方向D1延伸，在下区PXb中，第一凹槽510的第二长度部分根据第二方向D2延伸。第一长度部分整体在单一的第一方向D1上延伸，第二长度部分整体在单一的第二方向D2上延伸。第一凹槽510的根据第一方向D1延伸的第一长度部分以及第一凹槽510的根据第二方向D2延伸的第二长度部分可以彼此连接。第一长度部分和第二长度部分可以形成单个的第一凹槽510。

此外，第二凹槽610的第一长度部分和第二长度部分分别根据第一方向D1和第二方向D2延伸。第一凹槽510和第二凹槽610可以彼此叠置。

因为在一个像素PX中，设置为多个的第一凹槽510和第二凹槽610均根据两个方向延伸，所以设置在上区PXa中的液晶分子以及设置在下区PXb中的液晶分子可以根据互不相同的方向取向。因此，一个像素PX可以被划分成两个域，可以改善可见性。此外，当第一凹槽510和第二凹槽610根据比上面描述的两种方向多的互不相同的各种方向来延伸时，所述一个像素PX可以被划分成三个或更多个域。

如图20中示出的，多个第一凹槽510形成在各个像素PX中。多个第一凹槽510中的第一组限定其根据第一方向D1延伸的长度，多个第一凹槽510中的第二组限定其根据第二方向D2延伸的长度。

一个像素PX划分成左区PXc和右区PXd。在左区PXc中，第一凹槽510的长度根据第一方向D1延伸，而在右区PXd中，第一凹槽510的长度根据第二方向D2延伸。

第二凹槽610的第一组和第二组也限定其分别根据第一方向D1和第二方向D2延伸的长度。第一凹槽510和第二凹槽610彼此叠置。

因为在一个像素PX中，设置为多个的第一凹槽510和第二凹槽610均根据两个方向延伸，所以设置在左区PXc中的液晶分子以及设置在右区PXd中的液晶分子可以根据互不相同的方向取向。因此，一个像素PX可以被划分成两个域，可以改善可见性。此外，当第一凹槽510和第二凹槽610的长度根据比上面描述的两种方向多的互不相同的各种方向来延伸时，所述一个像素PX可以被划分成三个或更多个域。

虽然已经结合目前被认为成可实施的示例性实施例描述了本公开，但是将理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

薄膜晶体管，设置在所述基底上；

像素电极，连接到所述薄膜晶体管；

共电极，与所述像素电极叠置；

绝缘层，设置在所述像素电极与所述共电极之间；

顶层，与所述像素电极分隔开；

微腔，设置为多个，均被限定在彼此分隔开的所述顶层和所述像素电极之间；

第一取向层，设置在所述微腔与所述像素电极之间，并且限定其与所述微腔相邻的上表面，所述第一取向层的所述上表面限定所述第一取向层的第一凹槽；

第二取向层，设置在所述微腔与所述顶层之间，并且限定其与所述微腔相对的上表面，所述第二取向层的所述上表面限定所述第二取向层的第二凹槽；以及

光学介质层，设置在多个微腔中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一取向层的所述第一凹槽与所述像素电极和所述共电极中的至少一个叠置。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述基底还包括多个像素，

所述第一凹槽分别在所述多个像素中的每个像素内设置为多个，

多个第一凹槽限定大于宽度的长度，

所述多个第一凹槽的所述长度彼此平行地延伸。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述多个第一凹槽限定大于宽度的长度，

所述多个第一凹槽中的各个第一凹槽的所述长度限定：第一长度部分，在第一方向上纵向延伸；第二长度部分，在不同于所述第一方向的第二方向上纵向延伸。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

在所述多个微腔中的每个微腔分别被其上表面、其下表面以及将所述上表面和所述下表面彼此连接的其侧表面限定，

所述第二取向层的所述第二凹槽设置为不与所述每个微腔的所述侧表面叠置。

6.一种显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法包括以下步骤：

在基底上形成第一电极；

在所述基底上形成第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间形成绝缘层；

在所述绝缘层和所述第二电极上形成第一取向层；

在所述第一取向层上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成顶层；

通过去除所述牺牲层在所述第二电极与所述顶层之间形成微腔；以及

通过将光学介质材料注入所述微腔中形成光学介质层，

其中，所述第一取向层的形成步骤包括限定其与所述微腔相邻的上表面以及在所述上表面中形成第一取向层的第一凹槽。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，

其中，在所述第一取向层的所述第一凹槽的形成步骤中，在所述第一取向层的所述上表面上设置第一模具，并将所述第一模具压制到所述上表面中以限定所述第一凹槽，

其中，所述第一凹槽与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个叠置。

8.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法还包括在所述基底上形成多个像素，

其中，所述第一凹槽分别在所述多个像素中的每个像素内设置为多个，

多个第一凹槽限定大于宽度的长度，

所述多个第一凹槽的所述长度彼此平行地延伸。

9.根据根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，

所述多个第一凹槽限定大于宽度的长度，

所述多个第一凹槽中的各个第一凹槽的所述长度限定：第一长度部分，在第一方向上纵向延伸；第二长度部分，在不同于所述第一方向的第二方向上纵向延伸。

10.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法还包括：在所述第一取向层上的所述牺牲层上形成第二取向层，

其中，所述形成第二取向层的步骤包括限定其与所述微腔相对的上表面，并且在所述第二取向层的所述上表面中形成所述第二取向层的第二凹槽，

在所述第二取向层的所述第二凹槽的形成步骤中，在所述第二取向层的所述上表面上设置第二模具，并且并将所述第二模具压制到所述第二取向层的所述上表面中以限定所述第二凹槽，

其中，所述第二凹槽与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个叠置。