CN106876408A - 微发光二极管显示面板及制作方法 - Google Patents
微发光二极管显示面板及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106876408A CN106876408A CN201710093979.5A CN201710093979A CN106876408A CN 106876408 A CN106876408 A CN 106876408A CN 201710093979 A CN201710093979 A CN 201710093979A CN 106876408 A CN106876408 A CN 106876408A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- emitting diode
- light
- sub
- pixel units
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Polymers C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种微发光二极管显示面板，所述阵列基板上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括三色的子像素单元，每个子像素单元中均设有至少一个与该子像素单元颜色相应的微发光二极管晶粒，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元的微发光二极管晶粒的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。本发明还提供了一种制作方法：在阵列基板的子像素单元内通过转印将对应颜色的微发光二极管晶粒从转印板上转印至相应的子像素单元中，每次转印的微发光二极管晶粒的颜色以及Bin级相同，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元内的微发光二极管晶粒的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。与现有技术相比，有效改善微发光二极管显示面板的颜色和亮度的均称性。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，特别是一种微发光二极管显示面板及制作方法。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED，μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，μLED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
微转印(Micro TransferPrinting)技术是目前制备μLED显示装置的主流方法，具体制备过程为：首先在蓝宝石类基板生长出微发光二极管，然后通过激光剥离技术(Laserlift-off，LLO)将微发光二极管裸芯片(bare chip)从蓝宝石类基板上分离开，随后使用一个图案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)传送头将微发光二极管裸芯片从蓝宝石类基板吸附起来，并将PDMS传送头与接收基板进行对位，随后将PDMS传送头所吸附的微发光二极管裸芯片贴附到接收基板上预设的位置，再剥离PDMS传送头，即可完成将微发光二极管裸芯片转移到接收基板上，进而制得μLED显示装置。
目前液晶显示面板等平板显示面板中的子像素的尺寸相对于微发光二极管的尺寸而言都是比较大的，若在相当于现有的子像素区域大小的面积空间对应填充一个小尺寸的微发光二极管，则需要多块具有微发光二极晶粒的转印板进行阵列排布从而形成子像素区，现有的一个关键问题在于，对于R/G/BμLED chip(微发光二极管晶粒),在生产过程中存在一致性偏离的问题，即通常LED的生产，有一个分Bin(Bin Code档次范围)级的过程，即根据微发光二极管晶粒的光电特性将微发光二极管晶粒进行分类，每一类叫做一个Bin级，一般情况下，分Bin级时会先对于同一批次中的微发光二极管的峰值波长订立一个固定值，然后将围绕该固定值±2nm的微发光二极管作为一个Bin级，在该范围值内的微发光二极管晶粒的色度和亮度的一致性较好，而在不同的Bin级中，峰值波长会发生大范围的移动，色度和亮度会存在一致性偏离的问题。
若采用Micro LED作为光源，制备Micro LED彩色显示器，则需要大规模生产R/G/BLED chip，这个过程中LED chip的一致性偏离是一个必然现象。不同硅晶片(Wafer)生长出的LED chip很大概率处于不同的Bin级中，若直接将不同Bin级中的微发光二极管直接一次转印至阵列基板上，会导致了微发光二极管显示面器颜色和亮度的均匀性差。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明提供一种微发光二极管显示面板及制作方法，有效改善整个微发光二极管显示面板的颜色和亮度的匀称性。
本发明提供了一种微发光二极管显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元，每个子像素单元中均设有至少一个与该子像素单元颜色相对应的微发光二极管晶粒，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元的微发光二极管晶粒的Bin级不同且峰值波长差值>2nm，从而将不同Bin级的微发光二极管晶粒混合排布。
进一步地，每个子像素单元至少由两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒混合排布而成。
进一步地，所述阵列基板上划分有n个排布区，每个排布区中R、G、B子像素单元分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。
进一步地，每个排布区中每种Bin级的微发光二极管晶粒的个数为m/n个。
进一步地，每个排布区中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒的峰值波长差值>2nm。
本发明还提供了一种微发光二极管显示面板的制作方法，包括如下步骤：
提供一阵列基板；
在阵列基板的像素单元中的R、G、B三色的子像素单元内通过转印将对应颜色的微发光二极管晶粒从转印板上转印至相应的子像素单元中，每次转印的微发光二极管晶粒的颜色以及Bin级相同，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元内的微发光二极管晶粒的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。
进一步地，每个子像素单元至少通过两次转印，将两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒混合排布在相应的子像素单元中。
进一步地，在转印前，将阵列基板划分为n个排布区，每个排布区中R、G、B子像素单元分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒混合排布，每一次转印将一块Bin级相同的转印板上的多个微发光二极管晶粒分别排布至每一个排布区中对应的子像素单元内，直到将每个排布区布满微发光二极管晶粒；其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。
进一步地，每个排布区中每种Bin级的微发光二极管晶粒的个数为m/n个。
进一步地，每个排布区中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒的峰值波长差值>2nm。
本发明与现有技术相比，通过在每个子像素单元中阵列排布有颜色相同且Bin级不同的微发光二极管晶粒，从而使不同色温、不同批次生产的同一颜色的微微发光二极管晶粒混合阵列排布在一起，通过多次转印，实现混合阵列排布，将不同Bin级的同一颜色的微微发光二极管晶粒分散在整个阵列基板中，能够有效改善微发光二极管显示面板的颜色和亮度的均称性。
附图说明
图1是本发明的排布方式的示意图；
图2是本发明的第一种排布方式的示意图；
图3是本发明的第二种排布方式的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明中分Bin级是微发光二极管生产企业中的一个常规做法，因为在一次微发光二极管生产中会出现同一批次或者是同一块衬底上形成的微发光二极管的光电特性都会存在差异，因此需要通过不同的光电特性将微放光二极管进行分类，每一类代表一个Bin(Bin Code档次范围)级，这里的档次范围指的不是质量高低档次，是指根据色度和亮度来分类，比如红色的颜色波长一般是620-625NM一个档或625-630NM一个档亮度350-450MCD一个档、450-580MCD一个档这个档就是Bin Code。
本发明中采用的是以微发光二极管的峰值波长作为主要参数进行分类。
如图1所示，本发明的微发光二极管显示面板包括阵列基板1，所述阵列基板1上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元4，每个子像素单元4中均设有至少一个与该子像素单元4颜色相对应的微发光二极管晶粒2，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元4的微发光二极管晶粒2来自不同的Bin级且相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒2的峰值波长差值>2nm。
由于常规的微发光二极管显示面板中微发光二极管晶粒2的排布方式是通过将一块转印板上的微发光二极管晶粒2整体转印到阵列基板1上，然后将其采用常规的连接方式与阵列基板1上的像素电极进行电连接，实现导通，而两块转印板上的微发光二极管晶粒2由于会存Bin级不同，存在差异性，通过计算发现，对于相邻的3-4个不同色温的微发光二极管晶粒，其色度差异性大，当峰值波长平移2nm，色度差异就超过了0.01，而一个色温的峰值波长范围往往由2.5nm。导致在将整块转印板上的微发光二极管晶粒2转印后，会导致局部颜色亮度不均匀的现象，因此，通过将相同颜色，Bin级不同且相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒2的峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2进行混合排布，使不同Bin级以及峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2分散在整块阵列基板1中，这样能够解决颜色亮度不均匀的问题。
如图2所示，微发光二极管晶粒2的第一种排布方式如下，本发明的微发光二极管显示面板包括阵列基板1，所述阵列基板1上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元4，每个子像素单元4中均设有至少一个与该子像素单元4颜色相对应的微发光二极管晶粒2，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元4的微发光二极管晶粒2的Bin级不同且峰值波长差值>2nm；具体地，每个子像素单元4至少由两个颜色相同、Bin级不同且相邻两个微发光二极管晶粒2的峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2混合排布而成。
以下以G子像素单元为例，进行说明，由于微发光二极管晶粒2的整板尺寸较小，当转印至阵列基板1上时，阵列基板1的尺寸有些会大于转印板的尺寸，而且微发光二极管晶粒2自身的尺寸也较小，因此需要多块不同Bin级的转印板进行转印，转印时，每个G子像素单元由至少两个颜色相同但是Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2混合排布而成，例如，如图2所示，每个G子像素单元由两个颜色相同但是Bin级不同且相邻两个微发光二极管晶粒2的峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2混合排布而成。
如图3所示，为微发光二极管晶粒2的另一种排布方式，图中仅显示出G子像素单元4中的微发光二极管晶粒2的排布方式，这种排布方式较第一种排布方式，不管从转印或颜色亮度上均较优，在阵列基板1上划分有n个排布区3，每个排布区3中R、G、B子像素单元4分别采用对应颜色的m种Bin级不同且相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒2的峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。
在本排布方式中，每个排布区3中每种Bin级的微发光二极管晶粒2的个数为m/n个。
所述每个排布区3中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒2的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。
本发明的微发光二极管显示面板的制作方法如下：
如图1所示，提供一阵列基板1；
在阵列基板1的像素单元中的R、G、B三色的子像素单元4内通过转印将对应颜色的微发光二极管晶粒2从转印板上转印至相应的子像素单元4中，每次转印的微发光二极管晶粒2的颜色相同以及Bin级相同，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元4内的微发光二极管晶粒2的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。
如图2所示，本发明的第一种排布方式的制作方法具体为，每个子像素单元4至少通过两次转印，将两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒2混合排布在相应的一个子像素单元4中。
如图3所示，本发明的另一种排布方式的微发光二极管显示面板的制作方法具体为，在转印前，将阵列基板1划分为n个排布区3，每个排布区3中R、G、B子像素单元4分别采用对应颜色的m种Bin级不同的微发光二极管晶粒2混合排布，每一次转印将一块Bin级相同的转印板上的多个微发光二极管晶粒2分别排布至每一个排布区3中对应的子像素单元4内，直到将每个排布区布满微发光二极管晶粒2；其中，2<n<m，所述m和n均为正整数；每个排布区3中每种Bin级的微发光二极管晶粒2的个数为m/n个；
具体地，每个排布区3中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒2的Bin级不同且峰值波长差值。
在现有的制作方法中，在一次转印后会将一块Bin级相同的转印板上携带的所有微发光二极管晶粒2都转移到阵列基板对应的子像素单元中，同一次转印的所有微发光二极管晶粒2都密集排布在一起。而在本发明，每次转印仅从一块Bin级相同的转印板上抓取部分微发光二极管晶粒2，将一块Bin级相同的转印板在阵列基板1上进行多次转印，也就是在阵列基板的不同位置都用同一块Bin级相同的转印板进行转印微发光二极管晶粒2，而不是一次将所有微发光二极管晶粒2转移完。
在上述过程中，原本一次转印的所有具有相同颜色、Bin级相同的微发光二极管晶粒2排布是相邻的，而采用一个Bin级的转印板多次转印意味着在显示器阵列基板1上存在多个分散的微发光二极管晶粒组，这种从同一Bin级的转印板上多次转印一致性较好、峰值波长差值较小的微发光二极管晶粒2，再将它们分散排布放置在阵列基板上的方法，可以有效改善整个微发光二极管显示面板的颜色和亮度的均匀性。
本发明的转印刻采用静电力控制的转印模板,仅对需要放下的LED进行静电力的解除；另一种是非静电力控制的转印模板，通过对阵列基板的局部加热，来控制仅加热融化对应区域的位置LED被转移到阵列基板上。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (10)
1.一种微发光二极管显示面板，包括阵列基板(1)，其特征在于：所述阵列基板(1)上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元(4)，每个子像素单元(4)中均设有至少一个与该子像素单元(4)颜色相对应的微发光二极管晶粒(2)，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm，从而将不同Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个子像素单元(4)至少由两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒(2)混合排布而成。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：所述阵列基板(1)上划分有n个排布区(3)，每个排布区(3)中R、G、B子像素单元(4)分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个排布区(3)中每种Bin级的微发光二极管晶粒(2)的个数为m/n个。
5.根据权利要求3或4所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个排布区(3)中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒(2)的峰值波长差值>2nm。
6.一种微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
提供一阵列基板(1)；
在阵列基板(1)的像素单元中的R、G、B三色的子像素单元(4)内通过转印将对应颜色的微发光二极管晶粒(2)从转印板上转印至相应的子像素单元(4)中，每次转印的微发光二极管晶粒(2)的颜色以及Bin级相同，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)内的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm。
7.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个子像素单元(4)至少通过两次转印，将两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒(2)混合排布在相应的子像素单元(4)中。
8.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：在转印前，将阵列基板(1)划分为n个排布区(3)，每个排布区(3)中R、G、B子像素单元(4)分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布，每一次转印将一块Bin级相同的转印板上的多个微发光二极管晶粒(2)分别排布至每一个排布区(3)中对应的子像素单元(4)内，直到将每个排布区布满微发光二极管晶粒(2)；其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。
9.根据权利要求8所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个排布区(3)中每种Bin级的微发光二极管晶粒(2)的个数为m/n个。
10.根据权利要求9所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个排布区(3)中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒(2)的峰值波长差值>2nm。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710093979.5A CN106876408B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 微发光二极管显示面板及制作方法 |
| PCT/CN2017/075837 WO2018152865A1 (zh) | 2017-02-21 | 2017-03-07 | 微发光二极管显示面板及制作方法 |
| US15/515,146 US10089908B2 (en) | 2017-02-21 | 2017-03-07 | Micro light-emitting diode display panel and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710093979.5A CN106876408B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 微发光二极管显示面板及制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106876408A true CN106876408A (zh) | 2017-06-20 |
| CN106876408B CN106876408B (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=59167224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710093979.5A Active CN106876408B (zh) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 微发光二极管显示面板及制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106876408B (zh) |
| WO (1) | WO2018152865A1 (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI624821B (zh) * | 2017-09-07 | 2018-05-21 | PlayNitride Inc. | 微型發光二極體顯示面板及其驅動方法 |
| CN108447407A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种微晶粒发光二极管显示面板 |
| CN109346430A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-02-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN109473047A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其驱动方法 |
| CN109950232A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-06-28 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管显示面板 |
| CN110308589A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-08 | 上海天马微电子有限公司 | 发光装置的制作方法、发光装置、背光模组和显示装置 |
| CN111864039A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-10-30 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种mini-LED固晶方法及其mini-LED灯板 |
| CN111933075A (zh) * | 2019-04-28 | 2020-11-13 | 华为技术有限公司 | 一种像素补偿方法及装置 |
| CN113745206A (zh) * | 2021-08-06 | 2021-12-03 | 武汉精测电子集团股份有限公司 | 一种led显示基板及其制作方法 |
| TWI768631B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-06-21 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 微發光二極體顯示系統 |
| CN116190409A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-05-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172541A (zh) * | 2022-07-27 | 2022-10-11 | 深圳市优界科技有限公司 | 一种芯片排列方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102007612A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-04-06 | Lg伊诺特有限公司 | 发光设备和使用该发光设备的显示设备 |
| CN102962174A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-13 | 松下电器产业株式会社 | 树脂涂布装置及树脂涂布方法 |
| CN105981094A (zh) * | 2013-12-06 | 2016-09-28 | 伊格尼斯创新公司 | Oled显示系统和方法 |
| CN106097900A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-11-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板 |
| US20160351539A1 (en) * | 2015-06-01 | 2016-12-01 | X-Celeprint Limited | Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix |
-
2017
- 2017-02-21 CN CN201710093979.5A patent/CN106876408B/zh active Active
- 2017-03-07 WO PCT/CN2017/075837 patent/WO2018152865A1/zh not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102007612A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-04-06 | Lg伊诺特有限公司 | 发光设备和使用该发光设备的显示设备 |
| CN102962174A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-13 | 松下电器产业株式会社 | 树脂涂布装置及树脂涂布方法 |
| CN105981094A (zh) * | 2013-12-06 | 2016-09-28 | 伊格尼斯创新公司 | Oled显示系统和方法 |
| US20160351539A1 (en) * | 2015-06-01 | 2016-12-01 | X-Celeprint Limited | Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix |
| CN106097900A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-11-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI624821B (zh) * | 2017-09-07 | 2018-05-21 | PlayNitride Inc. | 微型發光二極體顯示面板及其驅動方法 |
| CN109473047A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其驱动方法 |
| US10777123B2 (en) | 2017-09-07 | 2020-09-15 | PlayNitride Inc. | Micro light emitting diode display panel and driving method thereof |
| CN108447407A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种微晶粒发光二极管显示面板 |
| CN109346430A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-02-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN109346430B (zh) * | 2018-07-16 | 2021-04-27 | 友达光电股份有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN109950232A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-06-28 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管显示面板 |
| CN109950232B (zh) * | 2019-02-15 | 2021-11-05 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管显示面板 |
| CN111933075A (zh) * | 2019-04-28 | 2020-11-13 | 华为技术有限公司 | 一种像素补偿方法及装置 |
| CN110308589A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-08 | 上海天马微电子有限公司 | 发光装置的制作方法、发光装置、背光模组和显示装置 |
| CN110308589B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-05-05 | 上海天马微电子有限公司 | 发光装置的制作方法、发光装置、背光模组和显示装置 |
| TWI768631B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-06-21 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 微發光二極體顯示系統 |
| TWI812160B (zh) * | 2020-01-10 | 2023-08-11 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 微發光二極體顯示系統 |
| CN111864039A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-10-30 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种mini-LED固晶方法及其mini-LED灯板 |
| CN113745206A (zh) * | 2021-08-06 | 2021-12-03 | 武汉精测电子集团股份有限公司 | 一种led显示基板及其制作方法 |
| CN113745206B (zh) * | 2021-08-06 | 2024-06-18 | 武汉精测电子集团股份有限公司 | 一种led显示基板及其制作方法 |
| CN116190409A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-05-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN116190409B (zh) * | 2022-11-29 | 2025-05-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018152865A1 (zh) | 2018-08-30 |
| CN106876408B (zh) | 2019-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106876408B (zh) | 微发光二极管显示面板及制作方法 | |
| US11594456B2 (en) | Display module with improved electrical test and manufacturing method of the display module | |
| US10089908B2 (en) | Micro light-emitting diode display panel and manufacturing method | |
| US10096740B1 (en) | Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate | |
| US11362072B2 (en) | Light emitting diodes having different shapes with each having corresponding shape with respective pixel defining layer openings and a transfer method thereof | |
| CN108493209B (zh) | 一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法 | |
| US10380930B2 (en) | Heterogeneous light emitter display system | |
| TWI616116B (zh) | 顯示器及其修補方法 | |
| US11387383B2 (en) | Method of transferring light emitting device for display and display apparatus | |
| CN107017319A (zh) | 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法 | |
| CN106935608B (zh) | 微发光二极管阵列基板及显示面板 | |
| CN106098697A (zh) | 微发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| CN106097900A (zh) | 微发光二极管显示面板 | |
| US11450652B2 (en) | Display module manufactured by micro LED transferring method | |
| CN105976725A (zh) | 微发光二极管显示面板 | |
| CN108257516A (zh) | 显示器及其修补方法 | |
| US20180261647A1 (en) | Display device and epitaxial wafer | |
| CN113410368B (zh) | 高均匀性集成led显示模块芯片混编封装方法 | |
| US11587974B2 (en) | Micro LED transferring method and display module manufactured by the same | |
| TWI739099B (zh) | 顯示模組、顯示裝置及其驅動方法 | |
| Chaji et al. | 23‐1: Invited Paper: Essentials of MicroLED Display Production | |
| CN110998824A (zh) | 一种led晶粒转移方法 | |
| US20210151496A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| US20220416127A1 (en) | Display apparatus using semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
| TWI715323B (zh) | 顯示裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |