CN106783878A - 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 - Google Patents
显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106783878A CN106783878A CN201611180414.2A CN201611180414A CN106783878A CN 106783878 A CN106783878 A CN 106783878A CN 201611180414 A CN201611180414 A CN 201611180414A CN 106783878 A CN106783878 A CN 106783878A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- material layer
- region
- area
- cured
- display substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0212—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or coating of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/451—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;在所述第二面上形成固化材料层;对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。本发明提供的技术方案对第二区域对应的固化材料层部分进行区域固化,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备。
背景技术
柔性显示基板可以用于形成可穿戴显示产品,越来越受到显示领域技术人员的关注。目前,柔性显示基板的制备工艺有了较大发展,先将柔性基板固定在玻璃基板上,再进行背板制作工艺,上述工艺与现有的液晶显示设备相互兼容。柔性基板制备完成之后,将柔性基板与玻璃基板分离,然后在柔性基板的背面贴附背膜使得柔性基板平整化,之后进行邦定、切割等工艺。由于集成电路芯片的硬度高,柔性基板以及背膜的硬度低,尤其是背膜上用于贴附柔性基板的胶材,其厚度范围为10um至30um,硬度很低。因此,在集成电压板的压接过程之中上述胶材会发生流动,使得柔性基板下陷,造成线路断裂。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备,提高集成电压板的压接过程之中压接的稳定性。
为此,本发明提供一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;
所述显示基板的制备方法包括:
在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;
在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;
在所述第二面上形成固化材料层;
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。
可选的,所述固化材料层的构成材料包括紫外线固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。
可选的,所述固化材料层的构成材料包括热固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行热固化处理。
可选的,还包括:
在所述第二区域上对电路元件进行邦定。
可选的,所述显示基板还包括背膜基底,所述在所述第二面上形成固化材料层的步骤包括:
在所述柔性衬底与所述背膜基底之间形成固化材料层。
可选的,所述固化材料层的构成材料为背膜胶材,所述在所述第二面上形成固化材料层的步骤包括:在所述柔性衬底上帖附包括所述背膜胶材的所述背膜基底。
本发明还提供一种显示基板,包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线,所述第二面上设置有固化材料层和固化层,所述固化层与所述第二区域对应设置,所述固化层被配置为通过所述固化材料层的固化处理形成。
可选的,所述第二区域包括集成电路芯片区域和柔性电路板区域,所述固化层在所述柔性衬底上的投影区域包含所述集成电路芯片区域和/或所述柔性电路板区域。
可选的,还包括背膜基底,所述固化材料层和所述固化层设置在所述柔性衬底与所述背膜基底之间。
可选的,所述固化材料层为背膜胶材层,所述背膜胶材层包括光学胶。
本发明还提供一种显示面板,包括任一所述的显示基板。
本发明还提供一种压接设备,用于对显示基板进行压接处理,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线,所述第二面上设置有固化材料层;
所述压接设备包括固化单元和压接单元;
所述固化单元用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层;
所述压接单元用于在所述第二区域上对电路元件进行邦定。
可选的,所述热固化模块包括第一热压头,所述第一热压头设置在所述显示基板的上方,所述第一热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理,或者
所述热固化模块包括第二热压头,所述第二热压头设置在所述显示基板的下方,所述第二热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理。
可选的,所述热固化模块包括第一热压头和第二热压头,所述第一热压头设置在所述显示基板的上方,所述第二热压头设置在所述显示基板的下方,所述第一热压头和所述第二热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理。
可选的,所述电路元件包括集成电路元件或者柔性电路板。
本发明具有下述有益效果:
本发明提供的显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备之中,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;在所述第二面上形成固化材料层;对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。本发明提供的技术方案对第二区域对应的固化材料层部分进行区域固化,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的制备方法的流程图;
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的结构示意图;
图3为实施例二提供的第二区域与固化区域的一种结构示意图;
图4为实施例二提供的第二区域与固化区域的另一种结构示意图;
图5为本发明实施例四提供的一种压接设备的一种结构示意图;
图6为本发明实施例四提供的一种压接设备的另一种结构示意图;
图7为本发明实施例四提供的一种压接设备的又一种结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备进行详细描述。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的制备方法的流程图。如图1所示,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域。可选的,所述柔性衬底的构成材料包括聚酰亚胺材料。
所述显示基板的制备方法包括:
步骤1001、在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件。
步骤1002、在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线。
步骤1003、在所述第二面上形成固化材料层。
步骤1004、对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。
需要说明的是,本实施例中固化材料指的是,如通过紫外光照或者加热等方式,该材料会发生固化反应,从而呈现固态的材料。
本实施例中,所述固化材料层的构成材料包括紫外线固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。本实施例通过紫外线固化掩膜板对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。具体来说,所述紫外线固化掩膜板的透光区域与所述固化材料层对应所述第二区域的部分对应,所述紫外线固化掩膜板的遮光区域与所述固化材料层的其它部分对应。利用紫外线对所述紫外线固化掩膜板进行照射,所述固化材料层对应所述透光区域的部分固化,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
本实施例中,所述固化材料层的构成材料包括热固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行热固化处理。本实施例通过热压头对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行热固化处理。所述热压头与所述固化材料层对应所述第二区域的部分对应设置,具体来说,所述热压头可以设置在所述固化材料层的上方,也可以设置在所述固化材料层的下方。可选的,所述热压头也可以设置在所述固化材料层的上方和下方。本实施例利用热压头对所述固化材料层对应所述第二区域的部分加热,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
本实施例中,所述显示基板的制备方法还包括:在所述第二区域上邦定对电路元件进行邦定,所述电路元件包括集成电路元件或者柔性电路板。可选的,所述显示基板还包括背膜基底,本实施例在所述柔性衬底与所述背膜基底之间形成固化材料层。可选的,所述固化材料层的构成材料为背膜胶材,如OCA光学胶等,具体的,可以为紫外固化型光学胶或者热固化型光学胶。本实施例在所述柔性衬底与所述背膜基底之间形成背膜胶材层,由于直接对背膜胶材层进行了区域固化,因此柔性显示基板在压接过程之中不会出现胶材流动,防止了柔性显示基板下陷,减缓了线路发生的不良。
本实施例在所述第二区域进行集成电路芯片的压接处理,以形成集成电路芯片邦定。可选的,本实施例在所述第二区域进行柔性电路板的压接处理,以邦定柔性电路板邦定。
本实施例提供的显示基板的制备方法之中,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;在所述第二面上形成固化材料层。所述固化材料层的构成材料为背膜胶材,所述在所述第二面上形成固化材料层的步骤包括:在所述柔性衬底上帖附包括所述背膜胶材的所述背膜基底。如此可方便的在柔性衬底上帖附完成背膜基底后,对粘结所述柔性衬底以及背膜基底的背膜胶材进行特定区域的固化处理。对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。本实施例提供的技术方案对第二区域对应的固化材料层部分进行区域固化,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
实施例二
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的结构示意图。如图2所示,所述显示基板包括柔性衬底101,所述柔性衬底101包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有发光器件层102,所述发光器件层102包括薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线。所述第二面上设置有固化材料层201和固化层202,所述固化层202与所述第二区域对应设置,所述固化层202通过所述固化材料层201的固化处理形成,本实施例中在固化材料层中与第二区域的位置处设置固化层,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
本实施例中,所述固化材料层201和所述固化层202设置在柔性衬底101与背膜基底203之间,所述发光器件层102上设置有封装单元103。可选的,所述固化材料层201为背膜胶材层,如OCA光学胶等,具体的,可以为紫外固化型光学胶或者热固化型光学胶,由于直接将背膜胶材层中部分区域固化而形成固化层,因此柔性显示基板在压接过程之中不会出现胶材流动,防止了柔性显示基板下陷,减缓了线路发生的不良。
本实施例中,所述固化材料层201的构成材料包括紫外线固化材料,对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。本实施例通过紫外线固化掩膜板204对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。具体来说,所述紫外线固化掩膜板204的透光区域205与所述固化材料层201对应所述第二区域的部分对应,所述紫外线固化掩膜板204的遮光区域与所述固化材料层201的其它部分对应。利用紫外线对所述紫外线固化掩膜板204进行照射,所述固化材料层201对应所述透光区域的部分固化,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
本实施例中,所述固化材料层201的构成材料包括热固化材料,对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行热固化处理。本实施例通过热压头对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行热固化处理。所述热压头与所述固化材料层201对应所述第二区域的部分对应设置,具体来说,所述热压头可以设置在所述固化材料层201的上方,也可以设置在所述固化材料层201的下方。可选的,所述热压头也可以设置在所述固化材料层201的上方和下方。本实施例利用热压头对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分加热,从而在第二区域对应的区域增加了硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
图3为实施例二提供的第二区域与固化区域的一种结构示意图。如图3所示,所述第二区域包括集成电路芯片区域301和柔性电路板区域302,所述集成电路芯片区域301和所述柔性电路板区域302设置在第一区域304的一侧。所述固化层202在所述柔性衬底101上的投影区域包含所述集成电路芯片区域301。本实施例中,所述投影区域为固化区域303。
图4为实施例二提供的第二区域与固化区域的另一种结构示意图。如图4所示,所述第二区域包括集成电路芯片区域301和柔性电路板区域302,所述集成电路芯片区域301和所述柔性电路板区域302设置在第一区域304的一侧。所述固化层202在所述柔性衬底101上的投影区域包含所述集成电路芯片区域301和所述柔性电路板区域302。本实施例中,所述投影区域为固化区域303。
本实施例提供的显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上设置薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上设置用于电路邦定的引线;在所述第二面上设置固化材料层和固化层,所述固化层与所述第二区域对应设置,所述固化层通过所述固化材料层的固化处理形成。本实施例提供的技术方案在固化材料层中与第二区域的位置处设置固化层,从而增加第二区域的区域硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高(相比于未固化的固化材料层而言)的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
实施例三
本实施例提供一种显示面板,包括实施例二提供的显示基板,具体内容可参照实施例二的描述,此处不再赘述。
本实施例提供的显示面板之中,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上设置薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上设置用于电路邦定的引线;在所述第二面上设置固化材料层和固化层,所述固化层与所述第二区域对应设置,所述固化层通过所述固化材料层的固化处理形成。本实施例提供的技术方案在固化材料层中与第二区域的位置处设置固化层,从而增加第二区域的区域硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
实施例四
图5为本发明实施例四提供的一种压接设备的一种结构示意图。如图5所示,所述压接设备用于对显示基板进行压接处理。所述压接设备包括固化单元和压接单元。所述固化单元用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层;压接单元,用于在所述第二区域上对电路元件进行邦定,所述电路元件包括集成电路元件或者柔性电路板。在固化材料层中与第二区域的位置处设置固化层,从而增加第二区域的区域硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
参见图5,所述显示基板包括柔性衬底101,所述柔性衬底101包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有发光器件层102,所述发光器件层102包括薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线。所述第二面上设置有固化材料层201和固化层202,所述固化层202与所述第二区域对应设置,所述固化层202通过所述固化材料层201的固化处理形成,从而增加第二区域的区域硬度。
本实施例的工作过程描述如下:背膜贴附工艺完成之后进行切割工艺,切割工艺完成之后进行基板预对位工艺,基板预对位工艺完成之后先进入固化单元进行固化,再进入压接单元进行压接。具体为,先进行异方性导电胶(Anisotropic Conductive Film,ACF)贴附,再进入预邦定模块以及主邦定模块进行集成电路芯片压接,之后再进行柔性电路板压接。
本实施例中,所述固化材料层201和所述固化层202设置在柔性衬底101与背膜基底203之间,所述发光器件层102上设置有封装单元103。所述固化材料层201的构成材料包括热固化材料,对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行热固化处理。本实施例通过热压头对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分进行热固化处理,所述热压头与所述固化材料层201对应所述第二区域的部分对应设置。
图6为本发明实施例四提供的一种压接设备的另一种结构示意图,图7为本发明实施例四提供的一种压接设备的又一种结构示意图。参见图5-7,第一热压头401设置在所述固化材料层201的下方。可选的,第二热压头402设置在所述固化材料层201的上方。优选的,第一热压头401设置在所述固化材料层201的下方,同时第二热压头402设置在所述固化材料层201的上方。本实施例利用热压头对所述固化材料层201对应所述第二区域的部分加热,从而增加第二区域的区域硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
本实施例提供的压接设备之中,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;所述显示基板的制备方法包括:在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;在所述第二面上形成固化材料层;对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。本实施例提供的技术方案对第二区域进行区域固化,从而增加第二区域的区域硬度,使得柔性显示基板在后续压接(与电路元件进行邦定)过程之中因为硬度较高的固化层的存在,提高第二区域的稳定性,减缓了线路发生的不良。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域;
所述显示基板的制备方法包括:
在所述第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;
在所述第二区域上形成用于电路邦定的引线;
在所述第二面上形成固化材料层;
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述固化材料层的构成材料包括紫外线固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行紫外线固化处理。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述固化材料层的构成材料包括热固化材料,所述对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理的步骤包括:
对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行热固化处理。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述第二区域上对电路元件进行邦定。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板还包括背膜基底,所述在所述第二面上形成固化材料层的步骤包括:
在所述柔性衬底与所述背膜基底之间形成固化材料层。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述固化材料层的构成材料为背膜胶材,所述在所述第二面上形成固化材料层的步骤包括:在所述柔性衬底上帖附包括所述背膜胶材的所述背膜基底。
7.一种显示基板,其特征在于,包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线,所述第二面上设置有固化材料层和固化层,所述固化层与所述第二区域对应设置,所述固化层被配置为通过所述固化材料层的固化处理形成。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第二区域包括集成电路芯片区域和柔性电路板区域,所述固化层在所述柔性衬底上的投影区域包含所述集成电路芯片区域和/或所述柔性电路板区域。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,还包括背膜基底,所述固化材料层和所述固化层设置在所述柔性衬底与所述背膜基底之间。
10.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述固化材料层为背膜胶材层,所述背膜胶材层包括光学胶。
11.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求7至10任一所述的显示基板。
12.一种压接设备,用于对显示基板进行压接处理,其特征在于,所述显示基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括相对的第一面和第二面,所述第一面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设置有薄膜晶体管和发光器件,所述第二区域上设置有用于电路邦定的引线,所述第二面上设置有固化材料层;
所述压接设备包括固化单元和压接单元;
所述固化单元用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层;
所述压接单元用于在所述第二区域上对电路元件进行邦定。
13.根据权利要求12所述的压接设备,其特征在于,所述热固化模块包括第一热压头,所述第一热压头设置在所述显示基板的上方,所述第一热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理,或者
所述热固化模块包括第二热压头,所述第二热压头设置在所述显示基板的下方,所述第二热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理。
14.根据权利要求12所述的压接设备,其特征在于,所述热固化模块包括第一热压头和第二热压头,所述第一热压头设置在所述显示基板的上方,所述第二热压头设置在所述显示基板的下方,所述第一热压头和所述第二热压头用于对所述固化材料层对应所述第二区域的部分进行加热处理。
15.根据权利要求12所述的压接设备,其特征在于,所述电路元件包括集成电路元件或者柔性电路板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611180414.2A CN106783878A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
| PCT/CN2017/091630 WO2018113247A1 (zh) | 2016-12-19 | 2017-07-04 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
| US15/744,959 US10276592B2 (en) | 2016-12-19 | 2017-07-04 | Display substrate, method of fabricating the same, display panel and pressure welding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611180414.2A CN106783878A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106783878A true CN106783878A (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=58890745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611180414.2A Pending CN106783878A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10276592B2 (zh) |
| CN (1) | CN106783878A (zh) |
| WO (1) | WO2018113247A1 (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107665854A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背膜结构及其制备方法、柔性显示屏 |
| CN107768415A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件、显示装置以及制造方法 |
| WO2018113247A1 (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
| WO2020124416A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性面板及柔性面板制作方法 |
| CN114203746A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011126726A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-13 | Semprius, Inc. | Electrically bonded arrays of transfer printed active components |
| CN102456712A (zh) * | 2010-10-30 | 2012-05-16 | 乐金显示有限公司 | 制造柔性显示器的方法 |
| CN103094306A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN103400850A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用于微显示与照明的柔性led阵列器件及制作方法 |
| CN103837932A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 日东电工株式会社 | 光电混载基板及其制造方法 |
| CN105977400A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN206432264U (zh) * | 2016-12-19 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其显示面板、压接设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| CN103296056B (zh) | 2012-12-30 | 2015-10-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN106783878A (zh) | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
-
2016
- 2016-12-19 CN CN201611180414.2A patent/CN106783878A/zh active Pending
-
2017
- 2017-07-04 US US15/744,959 patent/US10276592B2/en active Active
- 2017-07-04 WO PCT/CN2017/091630 patent/WO2018113247A1/zh not_active Ceased
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011126726A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-13 | Semprius, Inc. | Electrically bonded arrays of transfer printed active components |
| US20130153277A1 (en) * | 2010-03-29 | 2013-06-20 | Etienne Menard | Electrically bonded arrays of transfer printed active components |
| CN102456712A (zh) * | 2010-10-30 | 2012-05-16 | 乐金显示有限公司 | 制造柔性显示器的方法 |
| CN103094306A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN103837932A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 日东电工株式会社 | 光电混载基板及其制造方法 |
| CN103400850A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用于微显示与照明的柔性led阵列器件及制作方法 |
| CN105977400A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN206432264U (zh) * | 2016-12-19 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其显示面板、压接设备 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018113247A1 (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 |
| US10276592B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-04-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method of fabricating the same, display panel and pressure welding device |
| CN107665854A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背膜结构及其制备方法、柔性显示屏 |
| CN107665854B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背膜结构及其制备方法、柔性显示屏 |
| CN107768415A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件、显示装置以及制造方法 |
| CN107768415B (zh) * | 2017-10-30 | 2024-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件、显示装置以及制造方法 |
| WO2020124416A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性面板及柔性面板制作方法 |
| CN113169189A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-07-23 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性面板及柔性面板制作方法 |
| CN114203746A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-18 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10276592B2 (en) | 2019-04-30 |
| US20190013335A1 (en) | 2019-01-10 |
| WO2018113247A1 (zh) | 2018-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI581133B (zh) | 觸控顯示裝置之製造方法 | |
| CN106783878A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备 | |
| CN106875851A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| WO2021004051A1 (zh) | 显示模组、显示装置及制备方法 | |
| CN109478580A (zh) | 微发光二极管转移方法、制造方法及器件 | |
| CN107665854B (zh) | 背膜结构及其制备方法、柔性显示屏 | |
| CN102692766B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| WO2021027194A1 (zh) | 一种柔性显示模组及柔性显示装置 | |
| TWI540591B (zh) | A connection method, a method of manufacturing a connector, and a linker | |
| CN106997882A (zh) | 一种邦定结构、具有该邦定结构的柔性屏体及其制备方法 | |
| WO2014000375A1 (zh) | 显示装置的组装方法 | |
| CN206432264U (zh) | 显示基板及其显示面板、压接设备 | |
| KR101978595B1 (ko) | 가요성 디스플레이 모듈 접합 방법 | |
| CN110707197A (zh) | Led基板及led显示面板的制作方法 | |
| CN105307416B (zh) | 一种柔性板器件回收方法及回收设备 | |
| JP2020167251A5 (zh) | ||
| JP5836830B2 (ja) | 接続体の製造方法、及び接続方法 | |
| CN110828327A (zh) | 组件的电性连接方法和设备 | |
| TWI751848B (zh) | 電子元件的接合方法 | |
| JP2015142120A (ja) | 接続体の製造方法、電子部品の接続方法及び接続装置 | |
| KR101458710B1 (ko) | Ic 칩 접착 장치 및 접착 방법 | |
| JPH0541091U (ja) | 異方導電圧着装置 | |
| TWI572488B (zh) | 防塵薄膜組件 | |
| CN114734620B (zh) | 凹面贴合方法 | |
| CN201549489U (zh) | Sip基板的封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |