CN106735000A - 一种三层包覆铸锭的半连铸装置及方法 - Google Patents

Abstract

一种三层包覆铸锭的半连铸装置及方法，装置包括内结晶器、中间结晶器、外结晶器、内分流盘、中间分流盘、外分流盘、支撑板及引锭块，三个结晶器内表面均设有石墨环，内结晶器和中间结晶器的外下表面均设有隔热护套，内结晶器吊装固定，引锭块上表面具有三层台阶。方法步骤为：控制引锭块上升，使三层台阶分别进入对应的石墨环内；向三个结晶器内分别浇注各层熔体，在结晶器和引锭块台阶的共同冷却作用下，各层熔体开始凝固并形成凝固壳；当各层熔体的凝固壳达到设定厚度时，控制引锭块下移，包覆层熔体开始与内层凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合；当铸锭达到预定尺寸时，由内向外依次停止熔体浇注，引锭块停止下移，铸造结束。

Description

一种三层包覆铸锭的半连铸装置及方法

技术领域

本发明属于层状复合材料制备技术领域，特别是涉及一种三层包覆铸锭的半连铸装置及方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，在冶金建筑、石油化工、航空航天、交通运输、电子信息及国防军工等领域内，对材料性能要求越来越高，多数情况下，单一材料的性能已经难以满足实际使用需求，而将性能不同的材料复合在一起，所形成的复合材料却可以提高材料的综合性能，以此来满足实际使用需求。

层状复合材料是通过在芯材上包覆一层或多层合金所制得，其兼具有各层合金的优点，而且可充分发挥各层合金的优异性能。

目前，层状复合材料的制备方法包括以下几种：

①固-固相复合法(如焊接成型法、直接轧制成型法、挤压复合法等)；

②液-固相复合法(如直接浇注复合法、侵入法、喷射成型法、半固态压力复合法等)；

③铸造复合法。

对于固-固相复合法和液-固相复合法来说，尽管其在层状复合材料的制备方面发挥了一定的积极作用，但也存在着明显的缺点，如生产率及成材率较低、产品质量稳定性差、生产流程长且工艺复杂、复合界面质量较差、包覆率受限且难以精确控制或生产成本较高等。

相比而言，铸造复合法优势明显，其不仅具有生产流程短、生产效率高、复合界面强度高及生产成本低等优点，并且易于实现连续化、自动化及批量化生产。

公开号为CN1229703A的中国专利申请，具体涉及一种多层复合材料一次铸造成形设备与工艺，其记载通过设置氧化防护罩，将水冷结晶器分别用于芯材和包覆层的凝固成形，从而实现多层复合材料一次铸造成形，可获得复合界面无氧化皮和油污杂质的高质量复合材料。但实际情况并非如此，由于凝固过程是由内向外的，其只适合制备芯材为高熔点且包覆层为低熔点的复合材料；再有，由于芯材的一次冷却距离整个结晶器的二次冷却距离太远，易导致已凝固的芯材因得不到继续冷却而被包覆层熔体重熔，从而发生混流。另外，设备中虽然设有氧化防护罩，但易受到包覆层熔体液面波动和温度波动的影响，实际很难获得无氧化皮和油污杂质的复合界面。

公开号为CN104959557A的中国专利申请，具体涉及一种双金属复层圆坯电磁连铸方法及设备，其记载通过对内结晶器施加脉冲电磁场，对外结晶器施加中频电磁场，可制备内外层金属凝固组织细化、外层金属表面质量高、复合界面清晰稳定地复层圆坯。但实际情况并非如此，由于内层金属液只靠内结晶器环形水腔的底部直接冷却以及外层凝固壳的间接冷却，其冷却能力是远远不够的，同时由于施加了脉冲电磁场，使熔体发生震荡，这会导致界面处不稳定，容易发生界面破坏，直接结果就是复合失败。

公开号为CN101549392A的中国专利申请，具体涉及一种复层铸坯的电磁连续铸造方法及其装置，包覆层熔体采用雨淋式浇注口进行浇水冷却，包覆层熔体液面需要裸露在空气中，这必然会将空气、夹杂物等卷入包覆层合金中；另外，其设备过于复杂，对于设备制造、人员操作技能、工艺水平以及自动化控制要求都很高，特别是正确控制并合理匹配工艺参数，以使两种金属界面结合良好且界面稳定是比较困难的，金属组合自由度也会受到很大程度的限制，其难以实现连续化、批量化生产，而且并不适用于层数大于两层的多层包覆铸锭的制备。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种三层包覆铸锭的半连铸装置及方法，具有工艺简单、易实现自动化、合金组合自由度高、生产成本低、生产效率高以及复合界面质量好的优点。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种三层包覆铸锭的半连铸装置，包括内结晶器、中间结晶器、外结晶器、内分流盘、中间分流盘、外分流盘、支撑板及引锭块；在所述支撑板上开设有引锭块通过孔，所述外结晶器固装在支撑板上，外结晶器与引锭块通过孔同心设置，在外结晶器内表面设置有第一石墨环，在第一石墨环下方的外结晶器内表面周向均布有若干二次冷却水眼；所述外分流盘固装在外结晶器上表面，外分流盘与外结晶器同心设置；所述中间结晶器固装在外分流盘盘内底面，在中间结晶器外表面及下表面设置有第一隔热护套，在中间结晶器内表面设置有第二石墨环；所述中间分流盘固装在中间结晶器上表面，中间分流盘与中间结晶器同心设置；所述内结晶器吊装在引锭块通过孔上方，内结晶器与引锭块通过孔同心设置，在内结晶器外表面及下表面设置有第二隔热护套，在内结晶器内表面设置有第三石墨环；所述内分流盘固装在内结晶器上表面，内分流盘与内结晶器同心设置；所述引锭块安装在铸造机上，引锭块与引锭块通过孔同心设置；所述引锭块上表面具有三层台阶，依次为外层台阶、中间层台阶及内层台阶；所述外层台阶侧立面与第一石墨环相对应，所述中间层台阶侧立面与第二石墨环相对应，所述内层台阶侧立面与第三石墨环相对应。

所述内结晶器通过支架机构吊装在引锭块通过孔上方，所述支架机构包括下固定盘、上固定盘、立杆及支腿，下固定盘与内结晶器上表面相固连，下固定盘与上固定盘之间通过立杆相固连，上固定盘通过支腿与支撑板相固连。

所述外分流盘依次设有外分流盘主流道、外分流盘次级流道及外分流盘末级流道，所述外分流盘次级流道为半圆弧形，外分流盘次级流道中部与外分流盘主流道相连；所述外分流盘末级流道为V形，外分流盘末级流道的V形尖顶与外分流盘次级流道的半圆弧形末端相连，外分流盘末级流道的V形双臂与外分流盘内表面相通；

所述中间分流盘依次设有中间分流盘主流道和中间分流盘次级流道，所述中间分流盘次级流道为圆形，中间分流盘次级流道的内圆侧直接与中间分流盘内表面相通；在所述中间分流盘次级流道的内圆侧下方设有第一圆柱筒形挡沿，第一圆柱筒形挡沿对第二石墨环进行遮挡配合；

所述内分流盘设有内分流盘主流道，内分流盘主流道末端与内分流盘内表面相通；在所述内分流盘内表面下方设有第二圆柱筒形挡沿，第二圆柱筒形挡沿对第三石墨环进行遮挡配合。

一种三层包覆铸锭的半连铸方法，采用了三层包覆铸锭的半连铸装置，包括如下步骤：

步骤一：启动铸造机，控制引锭块上升，使引锭块的外层台阶、中间层台阶及内层台阶分别进入第一石墨环、第二石墨环及第三石墨环内；

步骤二：通过内分流盘向内结晶器内浇注芯材熔体，通过中间分流盘向中间结晶器内浇注中间层熔体，通过外分流盘向外结晶器内浇注外层熔体；在内结晶器和引锭块内层台阶的共同冷却作用下，芯材熔体开始凝固并形成凝固壳，在中间结晶器和引锭块中间层台阶的共同冷却作用下，中间层熔体开始凝固并形成凝固壳，在外结晶器和引锭块外层台阶的共同冷却作用下，外层熔体开始凝固并形成凝固壳；

步骤三：当芯材熔体、中间层熔体及外层熔体的凝固壳达到设定厚度时，控制引锭块下移，中间层熔体开始与芯材熔体的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合，外层熔体开始与中间层熔体的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合；当三层包覆铸锭达到预定尺寸时，依次停止芯材熔体、中间层熔体及外层熔体的浇注，当三层包覆铸锭下移到支撑板的引锭块通过孔下方时，引锭块停止下移，铸造机停机，铸造结束。

所述引锭块的外层台阶、中间层台阶及内层台阶的高度分别由外结晶器、中间结晶器及内结晶器的位置决定，结晶器位置越低，与之对应的引锭块的台阶进入其石墨环的距离越大。

在铸造过程中，中间层熔体的液面要始终高于第三石墨环的下边沿，外层熔体的液面要始终高于第二石墨环的下边沿。

当芯材熔体的凝固壳及中间层熔体的凝固壳分别脱离第三石墨环及第二石墨环时，由中间层熔体形成的包覆层表面温度要控制在中间层熔体金属液相线温度的75％～90％，由外层熔体形成的包覆层表面温度要控制在外层熔体金属液相线温度的75％～90％。

在铸造前，对第一圆柱筒形挡沿及第二圆柱筒形挡沿的长度进行设定，实现对芯材熔体与第三石墨环的接触长度及中间层熔体与第二石墨环的接触长度进行控制，进而实现对芯材熔体的凝固壳及中间层熔体的凝固壳的厚度和温度进行控制。

在铸造前，对内结晶器的高度进行设定，实现对芯材熔体与第三石墨环的接触开始时间进行控制，进而实现对芯材熔体的凝固壳厚度及凝固壳脱离第三石墨环时的温度进行控制；对中间结晶器的高度进行设定，实现对中间层熔体与第二石墨环的接触开始时间进行控制，进而实现对中间层熔体的凝固壳厚度及凝固壳脱离第二石墨环时的温度进行控制。

三层包覆铸锭的半连铸工艺参数包括：浇注温度为710～760℃，铸造速度为50～300mm/min，外结晶器3的冷却水量为60～100L/min·m，中间结晶器2的冷却水量为40～80L/min·m，内结晶器1的冷却水量为20～60L/min·m。

本发明的有益效果：

本发明与现有技术相比，具有工艺简单、易实现自动化、合金组合自由度高、生产成本低、生产效率高以及复合界面质量好的优点。

附图说明

图1为本发明的一种三层包覆铸锭的半连铸装置(熔体浇注前)结构示意图；

图2为本发明的支架机构结构示意图；

图3为图2的俯视图；

图4为本发明的外分流盘俯视图；

图5为图4中A-A剖视图；

图6为本发明的中间分流盘俯视图；

图7为图6中B-B剖视图；

图8为本发明的内分流盘俯视图；

图9为图8中C-C剖视图；

图10为中间分流盘及外分流盘的固定装夹示意图；

图11为本发明的一种三层包覆铸锭的半连铸装置(铸造时)结构示意图；

图中，1-内结晶器，2-中间结晶器，3-外结晶器，4-内分流盘，5-中间分流盘，6-外分流盘，7-支撑板，8-引锭块，9-引锭块通过孔，10-第一石墨环，11-第一隔热护套，12-第二石墨环，13-第二隔热护套，14-第三石墨环，15-外层台阶，16-中间层台阶，17-内层台阶，18-二次冷却水眼，19-下固定盘，20-上固定盘，21-立杆，22-支腿，23-外分流盘主流道，24-外分流盘次级流道，25-外分流盘末级流道，26-中间分流盘主流道，27-中间分流盘次级流道，28-第一圆柱筒形挡沿，29-内分流盘主流道，30-第二圆柱筒形挡沿，31-螺杆，32-压板，33-紧固螺母，34-芯材熔体，35-中间层熔体，36-外层熔体，37-三层包覆铸锭。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的详细说明。

如图1～11所示，一种三层包覆铸锭的半连铸装置，包括内结晶器1、中间结晶器2、外结晶器3、内分流盘4、中间分流盘5、外分流盘6、支撑板7及引锭块8；在所述支撑板7上开设有引锭块通过孔9，所述外结晶器3固装在支撑板7上，外结晶器3与引锭块通过孔9同心设置，在外结晶器3内表面设置有第一石墨环10，在第一石墨环10下方的外结晶器3内表面周向均布有若干二次冷却水眼18；所述外分流盘6固装在外结晶器3上表面，外分流盘6与外结晶器3同心设置；所述中间结晶器2固装在外分流盘6盘内底面，在中间结晶器2外表面及下表面设置有第一隔热护套11，在中间结晶器2内表面设置有第二石墨环12；所述中间分流盘5固装在中间结晶器2上表面，中间分流盘5与中间结晶器2同心设置；所述内结晶器1吊装在引锭块通过孔9上方，内结晶器1与引锭块通过孔9同心设置，在内结晶器1外表面及下表面设置有第二隔热护套13，在内结晶器1内表面设置有第三石墨环14；所述内分流盘4固装在内结晶器1上表面，内分流盘4与内结晶器1同心设置；所述引锭块8安装在铸造机上，引锭块8与引锭块通过孔9同心设置；所述引锭块8上表面具有三层台阶，依次为外层台阶15、中间层台阶16及内层台阶17；所述外层台阶15侧立面与第一石墨环10相对应，所述中间层台阶16侧立面与第二石墨环12相对应，所述内层台阶17侧立面与第三石墨环14相对应。

所述内结晶器1通过支架机构吊装在引锭块通过孔9上方，所述支架机构包括下固定盘19、上固定盘20、立杆21及支腿22，下固定盘19与内结晶器1上表面相固连，下固定盘19与上固定盘20之间通过立杆21相固连，上固定盘20通过支腿22与支撑板7相固连。

所述外分流盘6依次设有外分流盘主流道23、外分流盘次级流道24及外分流盘末级流道25，所述外分流盘次级流道24为半圆弧形，外分流盘次级流道24中部与外分流盘主流道23相连；所述外分流盘末级流道25为V形，外分流盘末级流道25的V形尖顶与外分流盘次级流道24的半圆弧形末端相连，外分流盘末级流道25的V形双臂与外分流盘6内表面相通；

所述中间分流盘5依次设有中间分流盘主流道26和中间分流盘次级流道27，所述中间分流盘次级流道27为圆形，中间分流盘次级流道27的内圆侧直接与中间分流盘5内表面相通；在所述中间分流盘次级流道27的内圆侧下方设有第一圆柱筒形挡沿28，第一圆柱筒形挡沿28对第二石墨环12进行遮挡配合；

所述内分流盘4设有内分流盘主流道29，内分流盘主流道29末端与内分流盘4内表面相通；在所述内分流盘4内表面下方设有第二圆柱筒形挡沿30，第二圆柱筒形挡沿30对第三石墨环14进行遮挡配合。

所述中间分流盘5及外分流盘6均通过螺杆压板机构进行固定，所述螺杆压板机构包括螺杆31、压板32及紧固螺母33，螺杆31竖直固装在支撑板7上，压板32一端搭接在中间分流盘5或外分流盘6上，压板32通过通孔套装在螺杆31上，压板32与螺杆31之间通过紧固螺母33进行锁紧固定。

一种三层包覆铸锭的半连铸方法，采用了三层包覆铸锭的半连铸装置，包括如下步骤：

步骤一：启动铸造机，控制引锭块8上升，使引锭块8的外层台阶15、中间层台阶16及内层台阶17分别进入第一石墨环10、第二石墨环12及第三石墨环14内；

步骤二：通过内分流盘4向内结晶器1内浇注芯材熔体34，通过中间分流盘5向中间结晶器2内浇注中间层熔体35，通过外分流盘6向外结晶器3内浇注外层熔体36；在内结晶器1和引锭块8内层台阶17的共同冷却作用下，芯材熔体34开始凝固并形成凝固壳，在中间结晶器2和引锭块8中间层台阶16的共同冷却作用下，中间层熔体35开始凝固并形成凝固壳，在外结晶器3和引锭块8外层台阶15的共同冷却作用下，外层熔体36开始凝固并形成凝固壳；

步骤三：当芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的凝固壳达到设定厚度时，控制引锭块8下移，中间层熔体35开始与芯材熔体34的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合，外层熔体36开始与中间层熔体35的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合；当三层包覆铸锭37达到预定长度时，依次停止芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的浇注，当三层包覆铸锭37下移到支撑板7的引锭块通过孔9下方时，引锭块8停止下移，铸造机停机，铸造结束。

所述引锭块8的外层台阶15、中间层台阶16及内层台阶17的高度分别由外结晶器3、中间结晶器2及内结晶器1的位置决定，结晶器位置越低，与之对应的引锭块8的台阶进入其石墨环的距离越大。如此一来，可以避免在铸造过程中某一层熔体出现拉漏现象。

在铸造过程中，中间层熔体35的液面要始终高于第三石墨环14的下边沿，外层熔体36的液面要始终高于第二石墨环12的下边沿。如此一来，通过中间层熔体35和外层熔体36便可顺利的将复合界面与空气相隔绝，有效防止了凝固壳在铸造过程中发生氧化，同时避免了空气的卷入，确保了复合界面无气孔、无夹杂物以及无氧化物，进而保证了复合界面的质量。

当芯材熔体34的凝固壳及中间层熔体35的凝固壳分别脱离第三石墨环14及第二石墨环12时，由中间层熔体35形成的包覆层表面温度要控制在中间层熔体金属液相线温度的75％～90％，由外层熔体36形成的包覆层表面温度要控制在外层熔体金属液相线温度的75％～90％。

在铸造前，对第一圆柱筒形挡沿28及第二圆柱筒形挡沿30的长度进行设定，实现对芯材熔体34与第三石墨环14的接触长度及中间层熔体35与第二石墨环12的接触长度进行控制，进而实现对芯材熔体34的凝固壳及中间层熔体35的凝固壳的厚度和温度进行控制。如此一来，即使熔体不同且铸造速度不同，均可获得理想的凝固壳厚度和温度。

在铸造前，对内结晶器1的高度进行设定，实现对芯材熔体34与第三石墨环14的接触开始时间进行控制，进而对芯材熔体34的凝固壳厚度及凝固壳脱离第三石墨环14时的温度进行控制；对中间结晶器2的高度进行设定，实现对中间层熔体35与第二石墨环12的接触开始时间进行控制，进而对中间层熔体35的凝固壳厚度及凝固壳脱离第二石墨环12时的温度进行控制。如此一来，即使各层熔体进行更换时，也可适应因熔点不同及凝固特性不同而产生的铸造特性的变化。

三层包覆铸锭的半连铸工艺参数包括：浇注温度为710～760℃，铸造速度为50～300mm/min，外结晶器3的冷却水量为60～100L/min·m，中间结晶器2的冷却水量为40～80L/min·m，内结晶器1的冷却水量为20～60L/min·m。

实施例一

本实施例中，芯材熔体34的材料为3003铝合金(液相线温度为658℃，固相线温度为646℃)，中间层熔体35的材料为6069铝合金(液相线温度为647℃，固相线温度为511℃)，外层熔体36的材料为4045铝合金(液相线温度为595℃，固相线温度为577℃)，三层包覆铸锭的各层设计尺寸为φ164mm/φ152mm/φ80mm。

铸造前，芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36分别在三个独立的电阻炉中进行熔化，精炼除气后保温备用即可。

铸造时，外层熔体36的浇注温度控制在750℃，中间层熔体35的浇注温度控制在740℃，外层熔体36的浇注温度控制在710℃；外结晶器3的冷却水量为80L/min·m，中间结晶器2的冷却水量为60L/min·m，内结晶器1的冷却水量为30L/min·m；铸造速度为150mm/min。

铸造时，芯材熔体34首先浇注，并在内结晶器1内停置20秒，使芯材熔体34首先形成一定厚度的凝固壳；然后进行中间层熔体35的浇注，中间层熔体35需在中间结晶器2内停置15秒，最后将外层熔体36浇注到外结晶器3中，三层铝合金液全部到位后，此刻控制引锭块8下移，直到三层包覆铸锭37达到预定长度时，依次停止芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的浇注，当三层包覆铸锭37下移到支撑板7的引锭块通过孔9下方时，引锭块8停止下移，铸造机停机，铸造结束。

对于依次停止芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的浇注，则可以保证三层包覆铸锭37的完整性，进而提高铸锭的成材率。

实施例二

本实施例中，芯材熔体34的材料为7004铝合金(液相线温度为645℃，固相线温度为482℃)，中间层熔体35的材料为3003铝合金(液相线温度为658℃，固相线温度为646℃)，外层熔体36的材料为4045铝合金(液相线温度为595℃，固相线温度为577℃)，三层包覆铸锭的各层设计尺寸为φ164mm/φ152mm/φ100mm。

铸造前，芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36分别在三个独立的电阻炉中进行熔化，精炼除气后保温备用即可。

铸造时，外层熔体36的浇注温度控制在750℃，中间层熔体35的浇注温度控制在730℃，外层熔体36的浇注温度控制在720℃；外结晶器3的冷却水量为80L/min·m，中间结晶器2的冷却水量为60L/min·m，内结晶器1的冷却水量为40L/min·m；铸造速度为150mm/min。

铸造时，芯材熔体34首先浇注，并在内结晶器1内停置20秒，使芯材熔体34首先形成一定厚度的凝固壳；然后进行中间层熔体35的浇注，中间层熔体35需在中间结晶器2内停置15秒，最后将外层熔体36浇注到外结晶器3中，三层铝合金液全部到位后，此刻控制引锭块8下移，直到三层包覆铸锭37达到预定长度时，依次停止芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的浇注，当三层包覆铸锭37下移到支撑板7的引锭块通过孔9下方时，引锭块8停止下移，铸造机停机，铸造结束。

对于依次停止芯材熔体34、中间层熔体35及外层熔体36的浇注，则可以保证三层包覆铸锭37的完整性，进而提高铸锭的成材率。

实施例中的方案并非用以限制本发明的专利保护范围，凡未脱离本发明所为的等效实施或变更，均包含于本案的专利范围中。

Claims (10)

1.一种三层包覆铸锭的半连铸装置，其特征在于：包括内结晶器、中间结晶器、外结晶器、内分流盘、中间分流盘、外分流盘、支撑板及引锭块；在所述支撑板上开设有引锭块通过孔，所述外结晶器固装在支撑板上，外结晶器与引锭块通过孔同心设置，在外结晶器内表面设置有第一石墨环，在第一石墨环下方的外结晶器内表面周向均布有若干二次冷却水眼；所述外分流盘固装在外结晶器上表面，外分流盘与外结晶器同心设置；所述中间结晶器固装在外分流盘盘内底面，在中间结晶器外表面及下表面设置有第一隔热护套，在中间结晶器内表面设置有第二石墨环；所述中间分流盘固装在中间结晶器上表面，中间分流盘与中间结晶器同心设置；所述内结晶器吊装在引锭块通过孔上方，内结晶器与引锭块通过孔同心设置，在内结晶器外表面及下表面设置有第二隔热护套，在内结晶器内表面设置有第三石墨环；所述内分流盘固装在内结晶器上表面，内分流盘与内结晶器同心设置；所述引锭块安装在铸造机上，引锭块与引锭块通过孔同心设置；所述引锭块上表面具有三层台阶，依次为外层台阶、中间层台阶及内层台阶；所述外层台阶侧立面与第一石墨环相对应，所述中间层台阶侧立面与第二石墨环相对应，所述内层台阶侧立面与第三石墨环相对应。

2.根据权利要求1所述的一种三层包覆铸锭的半连铸装置，其特征在于：所述内结晶器通过支架机构吊装在引锭块通过孔上方，所述支架机构包括下固定盘、上固定盘、立杆及支腿，下固定盘与内结晶器上表面相固连，下固定盘与上固定盘之间通过立杆相固连，上固定盘通过支腿与支撑板相固连。

3.根据权利要求1所述的一种三层包覆铸锭的半连铸装置，其特征在于：所述外分流盘依次设有外分流盘主流道、外分流盘次级流道及外分流盘末级流道，所述外分流盘次级流道为半圆弧形，外分流盘次级流道中部与外分流盘主流道相连；所述外分流盘末级流道为V形，外分流盘末级流道的V形尖顶与外分流盘次级流道的半圆弧形末端相连，外分流盘末级流道的V形双臂与外分流盘内表面相通；

所述中间分流盘依次设有中间分流盘主流道和中间分流盘次级流道，所述中间分流盘次级流道为圆形，中间分流盘次级流道的内圆侧直接与中间分流盘内表面相通；在所述中间分流盘次级流道的内圆侧下方设有第一圆柱筒形挡沿，第一圆柱筒形挡沿对第二石墨环进行遮挡配合；

所述内分流盘设有内分流盘主流道，内分流盘主流道末端与内分流盘内表面相通；在所述内分流盘内表面下方设有第二圆柱筒形挡沿，第二圆柱筒形挡沿对第三石墨环进行遮挡配合。

4.一种三层包覆铸锭的半连铸方法，采用了权利要求1所述的三层包覆铸锭的半连铸装置，其特征在于包括如下步骤：

步骤一：启动铸造机，控制引锭块上升，使引锭块的外层台阶、中间层台阶及内层台阶分别进入第一石墨环、第二石墨环及第三石墨环内；

步骤二：通过内分流盘向内结晶器内浇注芯材熔体，通过中间分流盘向中间结晶器内浇注中间层熔体，通过外分流盘向外结晶器内浇注外层熔体；在内结晶器和引锭块内层台阶的共同冷却作用下，芯材熔体开始凝固并形成凝固壳，在中间结晶器和引锭块中间层台阶的共同冷却作用下，中间层熔体开始凝固并形成凝固壳，在外结晶器和引锭块外层台阶的共同冷却作用下，外层熔体开始凝固并形成凝固壳；

步骤三：当芯材熔体、中间层熔体及外层熔体的凝固壳达到设定厚度时，控制引锭块下移，中间层熔体开始与芯材熔体的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合，外层熔体开始与中间层熔体的凝固壳发生接触和润湿，通过元素扩散实现冶金结合；当三层包覆铸锭达到预定尺寸时，依次停止芯材熔体、中间层熔体及外层熔体的浇注，当三层包覆铸锭下移到支撑板的引锭块通过孔下方时，引锭块停止下移，铸造机停机，铸造结束。

5.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：所述引锭块的外层台阶、中间层台阶及内层台阶的高度分别由外结晶器、中间结晶器及内结晶器的位置决定，结晶器位置越低，与之对应的引锭块的台阶进入其石墨环的距离越大。

6.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：在铸造过程中，中间层熔体的液面要始终高于第三石墨环的下边沿，外层熔体的液面要始终高于第二石墨环的下边沿。

7.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：当芯材熔体的凝固壳及中间层熔体的凝固壳分别脱离第三石墨环及第二石墨环时，由中间层熔体形成的包覆层表面温度要控制在中间层熔体金属液相线温度的75％～90％，由外层熔体形成的包覆层表面温度要控制在外层熔体金属液相线温度的75％～90％。

8.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：在铸造前，对第一圆柱筒形挡沿及第二圆柱筒形挡沿的长度进行设定，实现对芯材熔体与第三石墨环的接触长度及中间层熔体与第二石墨环的接触长度进行控制，进而实现对芯材熔体的凝固壳及中间层熔体的凝固壳的厚度和温度进行控制。

9.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：在铸造前，对内结晶器的高度进行设定，实现对芯材熔体与第三石墨环的接触开始时间进行控制，进而实现对芯材熔体的凝固壳厚度及凝固壳脱离第三石墨环时的温度进行控制；对中间结晶器的高度进行设定，实现对中间层熔体与第二石墨环的接触开始时间进行控制，进而实现对中间层熔体的凝固壳厚度及凝固壳脱离第二石墨环时的温度进行控制。

10.根据权利要求4所述的一种三层包覆铸锭的半连铸方法，其特征在于：三层包覆铸锭的半连铸工艺参数包括：浇注温度为710～760℃，铸造速度为50～300mm/min，外结晶器3的冷却水量为60～100L/min·m，中间结晶器2的冷却水量为40～80L/min·m，内结晶器1的冷却水量为20～60L/min·m。