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CN106601650A - 加热部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents

加热部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 Download PDF

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CN106601650A
CN106601650A CN201610844366.6A CN201610844366A CN106601650A CN 106601650 A CN106601650 A CN 106601650A CN 201610844366 A CN201610844366 A CN 201610844366A CN 106601650 A CN106601650 A CN 106601650A
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梅川纯史
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木村一洋
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Abstract

本发明提供一种降低由加热器加热的气体管的温度不均的结构。具有：隔热部，其配置在发热体的与气体管相反的一侧；包围体，其将隔热部及发热体包围；固定部，其设在包围体的外侧，且在包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将一端侧和另一端侧固定；和温度检测部，其在比包围体靠气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将气体管侧作为主面而形成为板状。

Description

加热部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及加热部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
背景技术
半导体制造装置需要进行必要的气体的供给及排气等，考虑在气体的供给配管及排气配管上配备对该配管进行加热的加热部(以后也称为配管加热器)，保持加热状态而防止因在内部流通的气体等的冷却而导致的再液化、副产物的附着。
以往，作为对衬底处理装置内、附属设备或与它们连接的配管等被加热体进行加热的方法，设置具有通用性的加热带(tape heater)或电热带(ribbon heater)，并在外周设置绝缘体及隔热材料，但基于作业者而安装状态会产生偏差，温度均匀性变差。在此，在本说明书中，“气体管”这一术语是安装有配管加热器的对象配管的总称。
发明内容
本发明的目的在于提供一种降低由加热器加热的气体管的温度不均的结构。
根据本发明的一个方式，提供一种覆盖并加热气体管的结构，具有：隔热部，其配置在发热体的与上述气体管相反的一侧；包围体，其将上述隔热部及上述发热体包围；固定部，其设在上述包围体的外侧，且在上述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将上述一端侧和上述另一端侧固定；和温度检测部，其在比上述包围体靠上述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，且将上述气体管侧作为主面而形成为板状。
发明效果
根据本发明，能够降低气体管的温度不均。
附图说明
图1是用于说明在实施方式的衬底处理装置中优选使用的处理室的概略纵剖视图。
图2是用于说明在实施方式的衬底处理装置中优选使用的控制器的构造的框图。
图3是表示在实施方式的衬底处理装置中优选使用的衬底处理工序的流程图。
图4的(a)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的剖视图，(b)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的横剖视图，(c)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的详细情况的剖视图。
图5的(a)是表示优选用于实施方式的温度检测部的第一实施例的剖视图，(b)是表示优选用于实施方式的温度检测部的第二实施例的剖视图，(c)是表示优选用于实施方式的温度检测部的第三实施例的剖视图。
图6是用于说明将优选用于实施方式的配管加热器覆盖在气体配管上的结构的概观图。
图7的(a)是用于说明优选用于实施方式的固定部的结构的展开图，(b)是用于说明优选用于实施方式的固定部的罩部的剖视图，(c)是用于说明优选用于实施方式的固定部的辅助罩部的剖视图。
图8的(a)是将优选用于实施方式的配管加热器的固定部展开而得到的图，(b)是用于说明将优选用于实施方式的配管加热器覆盖在气体配管上的结构的概观图。
图9是优选用于其他实施方式的配管加热器的结构的剖视图。
图10的(a)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的剖视图，(b)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的横剖视图，(c)是用于说明优选用于实施方式的配管加热器的结构的详细情况的剖视图。
图11是表示将优选用于实施方式的配管加热器的包围体展开的一个例子的图。
附图标记说明
10…气体配管(挠性管)
22…气体配管用加热器(加热部)
200…晶片
201…处理室
202…处理炉
203…反应管
204…内管
207…加热器
210…入口法兰
217…舟皿
233…喷嘴
234…喷嘴
310…水套加热器(加热部)
321…控制器
具体实施方式
(1)衬底处理装置的结构
以下，使用附图来说明实施方式。但是，在以下的说明中，存在对相同的结构要素标注相同的附图标记并省略重复的说明的情况。此外，关于附图，为了使说明更加明确，而存在与实际的样态相比示意地示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但原则上是一个例子，并不限定本发明的解释。
使用图1到图3来说明使用了实施方式的加热器的实施例的衬底处理装置。在本说明书中，在使用“晶片”这一术语的情况下，存在表示“晶片其自身”的情况、和表示“晶片和形成在其表面上的规定的层和/或膜等构成的层叠体(集合体)”的情况、即将形成在表面上的规定的层和/或膜等包含在内而称为晶片的情况。另外，在本说明书中，在使用“晶片的表面”这一术语的情况下，存在表示“晶片其自身的表面(露出面)”的情况、和表示“形成在晶片上的规定的层和/或膜等的表面、即作为层叠体的晶片的最表面”的情况。
因此，在本说明书中，在记载为“对晶片供给规定的气体”的情况下，存在表示“对晶片其自身的表面(露出面)供给规定的气体”的情况、和表示“对形成在晶片上的层和/或膜等、即对作为层叠体的晶片的最表面供给规定的气体”的情况。另外，在本说明书中，在记载为“在晶片上形成规定的层(或膜)”的情况下，存在表示“在晶片其自身的表面(露出面)上形成规定的层(或膜)”的情况、和表示“在形成于晶片上的层和/或膜等上、即在作为层叠体的晶片的最表面上形成规定的层(或膜)”的情况。
另外，在本说明书中，在使用“衬底”这一术语的情况下，与使用“晶片”这一术语的情况同义。
(处理炉)
如图1所示，在作为加热机构的加热器207的内侧，作为对作为衬底的晶片200进行处理的处理容器而设有反应管203。在该反应管203的下端设有入口法兰(inlet flange)210，入口法兰210通过作为盖体的密封盖219并经由作为气密部件的O型环220而被气密地封堵。至少由反应管203、内管204、入口法兰210、密封盖219形成处理室201。另外，在入口法兰210上载置有内管204。在密封盖219上经由石英盖218而设有作为衬底保持部的舟皿217。石英盖218、舟皿217被向处理室201内外搬入搬出。在舟皿217上水平地且多层地装载有被批量处理的多个晶片200。加热器207将插入到处理室201中的晶片200加热到规定的温度。
在处理室201上连通有作为供给第1处理气体(原料气体)的气体管的气体配管10和供给第2处理气体(反应气体)的气体配管11。在气体配管10上，从上游侧设有供给作为第1处理气体的第1原料气体的气体供给器4、控制来自气体供给器4的第1原料气体的流量的流量控制器(质量流量控制器：MFC)41、对第1原料气体的流路进行开闭的阀34。从气体配管10经由气体供给器4、MFC41、阀34、并进一步经由设在处理室201内的喷嘴234来向处理室201内供给第1处理气体。由气体配管10、流量控制器41、阀34、喷嘴234构成第1气体供给系统。在气体配管11上，从上游侧起设有供给作为第2处理气体的第1反应气体的气体供给器5、控制来自气体供给器5的第1反应气体的流量的流量控制器32、对第1反应气体的流路进行开闭的阀35。从气体配管11经由气体供给器5、流量控制器32、阀35并进一步经由设在处理室201内的喷嘴233来向处理室201内供给第2处理气体。由气体配管11、MFC32、阀35、喷嘴233构成第2处理气体供给系统。在从气体供给器4到处理室201为止的气体配管10的周围设有对气体配管10进行加热的气体配管用加热器22。对气体配管用加热器22使用作为实施方式的加热部的水套加热器310(以后也称为第1配管加热器)。在气体配管10上，用于供给非活性气体的气体配管40经由阀39而连接在阀34的下游侧。在本实施方式中，虽然没有在第2处理气体供给系统上设置气体配管用加热器，但也可以根据第2处理气体来适当设置本实施方式中的水套加热器310。
气体配管10具有形成为直线状的多个直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部。另外，气体配管10的直管部与入口法兰210之间的气体配管10由成形为波纹状的无接缝的配管(以下也称为挠性管)构成。气体配管10经由入口法兰210而与喷嘴234连接。气体配管10的材质由SUS等金属材料构成。在此，图1中的A所示的气体配管10由直管部构成。图1中的B所示的气体配管10由挠性管构成。在此，在本说明书中，直管部、弯曲部及挠性管分别为气体配管10的一部分，且设有配管加热器(在本实施方式中为加热部310)，因此为气体管。
处理室201通过作为对气体进行排气的排气管的排气配管231并经由APC阀243而与真空泵246连接。由排气配管231、APC阀243、真空泵246构成气体排气系统。在从反应管203到真空泵246为止的排气配管231的周围设有对排气配管231进行加热的排气配管用加热器20(以后也称为第2配管加热器)。也可以对排气配管用加热器20使用实施方式的水套加热器310。另外，在本说明书中，排气管231也设有配管加热器(在本实施方式中为气体配管用加热器20)，因此为气体管。
从反应管203的下部向上部纵向延伸地设有喷嘴234。并且在喷嘴234上设有用于供给原料气体的多个气体供给孔。该气体供给孔经由内管204在相对的晶片200与晶片200之间的位置打开，对晶片200供给处理气体。在与喷嘴234的位置相比沿反应管203的内周方向远离的位置上与喷嘴234同样地设有喷嘴233。在该喷嘴233上也同样地设有多个气体供给孔。喷嘴234如上所述与气体配管10连通，向处理室201内供给第1处理气体及来自与气体配管10连接的气体配管40的非活性气体。另外，喷嘴233如上所述与气体配管11连通，向处理室201内供给第2处理气体及来自与气体配管11连接的气体配管6的非活性气体。从喷嘴234及喷嘴233交替地向处理室201内供给处理气体而进行成膜。
在内管204内设有以相同间隔多层地载置多片晶片200的舟皿217，该舟皿217能够通过舟皿升降机出入于处理室201内。另外，为了提高处理的均匀性，设有作为用于使舟皿217旋转的旋转机构的舟皿旋转机构267，通过使舟皿旋转机构267旋转来使保持在石英盖218上的舟皿217旋转。
(控制器)
使用图2来说明控制器。
作为控制部(控制机构)的控制器321与加热器207、气体配管用加热器22、排气配管用加热器20、流量控制器32、33、41、阀34、35、36、39、APC阀243、真空泵246、舟皿旋转机构267、舟皿升降机构等连接，进行加热器207、气体配管用加热器22、排气配管用加热器20的温度调节、流量控制器32、33、41的流量调节、阀34、35、36、39及APC阀243的开闭动作、真空泵246的起动、停止、舟皿旋转机构267的旋转速度调节、舟皿升降机构的升降动作控制等。
控制器321构成为具有CPU(Central Processing Unit)321a、RAM(Random AccessMemory)321b、存储装置321c、I/O端口321d的计算机。RAM321b、存储装置321c、I/O端口321d构成为能够经由内部总线321e而与CPU321a进行数据交换。在控制器321上连接有例如作为触摸面板等而构成的输入输出装置322。
存储装置321c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置321c内，能够读出地存储有对衬底处理装置的动作进行控制的控制程序、记载后述的衬底处理的步骤和/或条件等的程序控制方案(process recipe)等。此外，程序控制方案是以能够使控制器321执行后述的衬底处理工序中的各步骤并得到规定结果的方式进行组合而成的。另外，RAM321b构成为暂时保持由CPU321a读出的程序、数据等的存储区域(工作区域)。
I/O端口321d与上述的流量控制器32、33、阀34、35、36、39、压力传感器、APC阀243、真空泵246、加热器207、气体配管用加热器22、排气配管用加热器20、温度传感器、旋转机构267、舟皿升降机等连接。
CPU321a构成为，从存储装置321c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置322的操作指令的输入等从存储装置321c读出程序控制方案。并且，CPU321a构成为，以按照读出的程序控制方案的内容的方式，控制基于流量控制器32、41进行的各种气体的流量调整动作、阀34、35、36、39的开闭动作、APC阀243的开闭动作及基于APC阀243进行的基于压力传感器的压力调整动作、基于温度传感器进行的加热器207的温度调整动作、真空泵246的起动及停止、基于旋转机构267进行的舟皿217的旋转及旋转速度调节动作、基于舟皿升降机进行的舟皿217的升降动作等。
此外，控制器321能够通过将外部存储装置(例如磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器或存储器卡等半导体存储器)323中所存储的上述的程序安装到计算机上来构成。存储装置321c和外部存储装置323构成为计算机可读的记录介质。以下也将它们总括地简称为记录介质。在本说明书中，在使用记录介质这一术语的情况下，存在仅包含存储装置321c单方的情况、仅包含外部存储装置323单方的情况、包含该双方的情况。此外，向计算机提供程序也可以不使用外部存储装置323而使用因特网或专用线路等通信机构来进行。
(2)衬底处理工序
接下来，说明使用作为半导体制造装置的衬底处理装置1来对衬底进行处理的衬底处理工序的概略。该衬底处理工序为例如用于制造半导体器件的一个工序。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置1的各部分的动作和处理由控制器321控制。
在此，说明通过对作为衬底的晶片200交替地供给第1处理气体(原料气体)和第2处理气体(反应气体)来在晶片200上形成膜的例子。以下说明作为原料气体而使用六氯乙硅烷(Si2Cl6、略称：HCDS)气体、作为反应气体而使用NH3(氨气)来在晶片200上作为薄膜而形成SiN(氮化硅)膜的例子。此外，例如可以在晶片200上预先形成规定的膜，另外也可以在晶片200或规定的膜上预先形成规定的图案。
使用图3来说明衬底处理工序。
(衬底搬入工序S102)
首先，将晶片200装填到舟皿217内，并向处理室201内搬入，来进行衬底搬入工序S102。
(成膜工序S104)
接着，进行在晶片200的表面上形成薄膜的成膜工序S104。成膜工序依次执行如下的四个步骤。此外，在步骤1～4的期间通过加热器207将晶片200事先加热到规定的温度。另外，气体配管用加热器22将气体配管10加热到第1指定温度。第1指定温度根据原料气体来适当设定。在本实施方式中，作为原料气体而使用Si2Cl6，因此在后述的成膜工序S104的期间，例如作为第1指定温度而加热到180℃以上。此外，在本实施方式中，说明对于排气配管用加热器20至少也在后述的成膜工序S104的期间进行加热的情况。
[步骤1]
在步骤1中，使Si2Cl6气体流动。首先，将设在气体配管10上的阀34和设在排气配管231上的APC阀243均打开，使来自气体供给器4的由流量控制器41进行了流量调节的Si2Cl6气体在气体配管10中流通，从喷嘴234的气体供给孔向处理室201内供给，与此同时从排气配管231排气。此时，气体配管用加热器22对气体配管10进行加热，排气配管用加热器20对排气配管231进行加热。另外，此时将处理室201内的压力保持为规定的压力。
由此，在晶片200的表面上形成硅薄膜。
[步骤2]
在步骤2中，关闭气体配管10的阀34而停止Si2Cl6气体的供给。保持排气配管231的APC阀243打开的状态，通过真空泵246对处理室201内进行排气，将残留气体从处理室201内排除。另外，打开设在气体配管40上的阀39，从气体配管40将N2等非活性气体向处理室201内供给来进行处理室201内的吹扫，将处理室201内的残留气体排出到处理室201外。此时，气体配管用加热器22对气体配管10进行加热，排气配管用加热器20对排气配管231进行加热。而且，打开设在气体配管6上的阀36，还从气体配管6向处理室201内供给由流量控制器33进行了流量调节的N2等非活性气体。
[步骤3]
在步骤3中，使NH3气体流动。将设在配管11上的阀35和设在排气配管231上的APC阀243均打开，使来自气体供给器5的通过流量控制器32进行了流量调节的NH3气体在气体配管11中流通，从喷嘴233的气体供给孔向处理室201内供给，于此同时从排气配管231排气。此时，排气配管用加热器20对排气配管231进行加热。另外，将处理室201内的压力调整为规定的压力。通过NH3气体的供给，由Si2Cl6气体形成在晶片200的表面上的硅薄膜和NH3气体发生表面反应，而在晶片200上形成SiN膜。
[步骤4]
在步骤4中，再次通过非活性气体进行处理室201内的吹扫。关闭气体配管11的阀35，停止NH3气体的供给。保持排气配管231的APC阀243打开的状态，通过真空泵246对处理室201内进行排气，将残留气体从处理室201内排除。另外，打开设在气体配管6上的阀36，将由流量控制器33进行了流量调节的N2等非活性气体通过气体配管6向处理室201内供给来进行处理室201内的吹扫。此时，排气配管用加热器20对排气配管231进行加热。而且，打开设在气体配管40上的阀39，还从气体配管40将N2等非活性气体向处理室201供给。此时，气体配管用加热器22对气体配管10及气体配管40进行加热。
将上述步骤1～4作为一个循环，通过重复多次该循环来在晶片200上形成规定膜厚的SiN膜。
(衬底搬出工序S106)
接着，将载置有形成了SiN膜的晶片200的舟皿217从处理室201搬出。
根据本实施方式，构成为至少在由气体配管用加热器22进行了加热的状态下从气体配管10向处理室201供给原料(Si2Cl6)气体，并从该处理室201经由排气配管231对气体进行排气，因此，能够降低气体配管10及排气配管231的温度不均，从而处理室201内的气体温度及气体给排的稳定性提高。其结果为，能够以所期望的气体流量向处理室内供给原料气体，因此能够提高成膜的均匀性。此外，优选的是，在重复多次步骤1～4的循环的期间，最好是至少排气配管用加热器20持续对排气配管231进行加热，气体配管用加热器22持续对气体配管10及气体配管40进行加热。由此，向加热情况的强弱差减少的方向发挥作用，因此容易进行温度控制。
另外，在本实施例中，列举了将HCDS(Si2Cl6)作为原料气体来供给的例子，但并不限于此，能够构成为，在液体原料(TiCl4、Si2H6、TEOS等)或固体材料(AlCl3、HfCl4、ZrCl4等)中，从供给器(在本实施例中为流量控制器41)阶梯性地提高温度，并不会使之再液化、固化。像这样，根据本实施方式中的配管加热器，对于其他原料气体也能够避免产生加热不均地控制到液化及固化温度以上，因此能够进行原料气体的稳定供给。
实施例
以下，说明作为本发明的加热部310的气体配管用加热器22。
图4的(a)为将图1中的A所示的部分放大而得到的图，示出将通过加热部310安装了气体配管10的状态下的气体配管10的气体流动方向的剖视图放大的一个例子。图4的(b)是图4的(a)的A-1剖视图，示出在气体配管10的外周安装有加热部310的状况。图4的(c)是将图4的(b)的A-2部分放大而得到的图。在图4的(c)中，为了便于说明，容易理解地示出了使配管10为最下、加热部310为层叠构造的情况。以后，主要使用图4的(b)及图4的(c)来说明加热部310的结构。
如图4的(b)及图4的(c)所示，将由SUS等金属材料构成的气体配管覆盖并加热的加热部310构成为具有：发热体530；隔热部520，其配置在发热体530的与气体管相反的一侧；包围体，其将隔热部520及发热体530包围；固定部700，其设在包围体的外侧，在包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将一端侧和另一端侧固定；和温度检测部555，其在比包围体靠气体管侧配置在与气体管相对的位置上，将气体管侧作为主面而形成为板状。
优选的是，如图4所示，具有作为发热体的加热线材530、配置在与加热线材530相反的一侧的隔热部520、作为将加热线材530及隔热部520包围的包围体的内层部510和外层部500。另外，内层部510及外层部500具有在两者之间将发热部和隔热部520层叠而成的构造，其中该发热部包含加热线材530、和作为用于支承该加热线材的支承部的隔热部件540，隔热部520配置在发热体530的与气体配管10相反的一侧。而且，如图4的(c)所示，构成为在发热部与内层部510之间夹设有金属薄板400，另外在内层部510与气体配管10之间夹设有绝缘部件600。加热线材530为如纱线那样的纤维状的线，构成为通过缝制到隔热部件540上等来支承在隔热部件540上。并且，在图4的(b)中示出了在将加热部310安装到配管10的外周上时使包围体的一端侧和另一端侧相邻并通过固定部700覆盖一端侧与另一端侧之间的微小间隙的状况。此外，关于固定部700将在后叙述。
该隔热部件540的材质由玻璃纤维布材料构成。另外，关于包围体的材质，可以是内层部510及外层部500双方均由氟树脂材料构成，优选的是由作为氟树脂材料之一的聚四氟乙烯(PTFE)材料构成。绝缘部件600可以优选由材质与包围体不同的隔热材料构成。若对绝缘部件600使用热的蓄热度比包围体大的材质，则容易使气体配管10的加热情况均匀，因此是优选的。例如，隔热部件600也可以由蓄热度比玻璃纤维布材料大的氧化铝纤维布材料构成。另外，金属薄板400也不需要为金属，例如也可以为石墨。隔热部520的材料只要为用于抑制热从发热体530逸散的隔热材料即可，例如能够使用将玻璃纤维、陶瓷纤维、石英纤维等集成并实施了针式(needle)加工的无机纤维垫片。另外，也可以由胶态氧化硅、氧化铝溶胶、硅酸钠等无机粘结剂、或淀粉等有机粘结剂来成形为垫片状。或者也能够为芳香族聚酰胺、聚酰胺、聚酰亚胺等耐热性的有机树脂制的多孔质成形体。
另外，加热部310构成为具有温度检测部，该温度检测部在比包围体靠气体配管10侧配置在与气体配管10相对的位置上，且将气体配管侧作为主面而形成为板状。具体地说，具有在绝缘部件600与气体配管10的间隙中设有作为温度检测部的形成为板状的集热板555的温度检测器。例如可以构成为在集热板555上连接有热电偶550。优选的是，设置用于在气体配管10的温度成为规定的温度以上时将通电切断的作为温度开关的恒温器560为好。此外，在图中，恒温器560设在包围体的外侧，但也可以设在加热部310的内侧。
由此，在加热部310中，为了将气体配管10保持为规定的温度而使用包含恒温器560和/或热电偶550等在内的温度检测器来控制向发热体的通电。
构成为在加热部310覆盖气体配管10时温度检测部555与气体配管10接近。在图5中示出集热板555与气体配管10之间的位置关系。
图5的(a)～(c)所示的集热板555均形成为板状，构成为将气体配管10侧作为主面而形成为板状。
图5的(a)是表示集热板555形成为平坦的板状且其中央部分与气体配管10接触的第一实施例的剖视图。通过像这样构成，热容易直接从与气体配管10接触的部分向集热板555传递，且由于与气体配管10相对的主面的表面面积大，所以集热板555能够容易感知气体配管10的热状态，从而容易更准确地检测气体配管10的温度。因此，测定温度稳定，所以气体配管10整体的温度稳定，因此能够提高温度再现性，提高温度均匀性。
另外，图5的(b)是表示集热板555形成为板状并以沿着气体配管10的方式弯曲、且其大部分与气体配管10接触的第二实施例的剖视图。优选的是，构成为，集热板555的气体配管10侧的主面的弯曲情况与气体配管10的外周的弯曲情况相同，且集热板555的气体配管10侧的整个主面与气体配管10的外周接触。通过像这样构成，能够进一步增大与气体配管10之间的接触面积。因此，热容易直接从与气体配管10接触的部分向集热板555传递，获取温度的面积增大，由此能够稳定地获取更准确的温度，检测出的温度的可靠性提高。因此，测定温度稳定，所以气体配管10整体的温度稳定，因此温度再现性提高，温度均匀性提高。
另外，图5的(c)是表示集热板555形成为平坦的板状且与气体配管10分开而不接触的第三实施例的剖视图。当像这样构成时，表面面积大的集热板555测定与气体配管10接近的空隙部分的温度，从而能够容易测定气体配管10整体的温度。因此，测定温度稳定，所以气体配管10整体的温度稳定，因此温度再现性提高，温度均匀性提高。尤其是在气体配管10的大小根据部位而存在偏差、或热容量与直管相比较小、气体配管10内的温度容易急剧上升、下降的挠性管等的结构中是有用的。另外，优选的是，也可以在与气体配管10之间夹设中间材料。此外，集热板555的形状也可以构成为从圆状、椭圆状、多边形状中选择的一种形状。优选的是，当构成为以与气体配管10相对的面成为主面的方式使其厚度比主面尺寸小时，容易集热。
如后述的图11所示，加热部310若将包围体展开，则将气体配管10的延伸方向作为长度方向地构成为大致长方形。当将包围体安装到气体配管10的外周且成为包围体的长度方向的一端侧与另一端侧相邻的状态时，会覆盖气体配管10的外周整周。即，包围体构成为在安装到气体配管10上时，在包围体的一端侧与另一端侧相邻的状态下覆盖气体配管10的外周。
以上，如图4、图5所示，加热部310构成为在热电偶550上设有板状的集热板555且将该集热板555设在与气体配管10相对的位置上，因此，与不使用集热板555的情况相比，气体配管10的测定温度稳定，所以能够确保温度再现性及温度均匀性，能够将气体配管10均等地加热到规定温度左右。而且，通过使集热板555的形状与气体配管10的弯曲形状一致，而能够进一步确保气体配管10的测定温度的稳定性及温度再现性，气体配管10的温度控制的可靠性提高。
另外，如图4所示，加热部310构成为，蓄热度比内层部510大的绝缘部件600设在气体配管10与内层部510之间，来自发热体530的热能被该绝缘部件600吸收，并通过来自绝缘部件600的热传递对气体配管10进行加热。通过该结构，能够缓和因发热体530的形状而引起的加热不均，从而均等地对配管10进行加热，能够期待温度均匀性的提高。
图6是用加热部310覆盖气体配管10时的概观图。构成有在将包围体安装到气体配管10上时，以在包围体的一端侧与另一端侧相邻的状态下覆盖气体配管10的外周的方式将一端侧和另一端侧固定的固定部700。
优选的是，固定部700也可以以线705为基准并以使固定部700的前端部对齐的方式进行固定。通过像这样设置作为基准的线705，作业者以该线705为基准来进行安装作业，由此在抑制安装状态的偏差、提高作业性的同时提高加热部310的密接度的均匀性。
即使为图6那样具有形成为直线状的直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部的气体配管，在气体配管10的直管部中，通过以线705为基准来将固定部700的前端对齐，而能够不依靠作业者判断地使加热部310的密接情况均匀。由此，能够推测出集热板555与气体配管10的位置关系在多个直管部中配置在相同的位置上，所以能够期待在各直管部中均等地控制气体配管10的温度。
图6的被虚线包围的部分C示出气体配管10的弯曲部。图7的(a)示出将该图6中的弯曲部C周缘的固定部700展开而得到的图。另外，图7的(b)为罩部701的D-1剖视图，图7的(c)为辅助罩部702的D-2剖视图。
固定部700由罩部701、设在罩部701上的粘结部704和设在包围体的外层部500上的粘结部703构成。例如，粘结部704及粘结部703构成为搭扣，并构成为能够以如下方式粘贴、剥离自如：当将粘结部703和粘结部704合在一起按压时粘贴在一起，当抓住罩部701的一部分而以从外层部500拉离的方式拉拽时粘结部703和粘结部704剥离。罩部701的材质由PTFE等氟树脂材料构成。优选的是，罩部701由多张氟树脂材料720、721(在此为两张)构成，并构成为将粘结部704缝制并安装到氟树脂材料的外层部500侧，在作为与外层部500侧相反的一侧的加热部310的外侧看不到粘结部704的针脚。优选的是，如图7的(b)的剖视图所示，若构成为在氟树脂材料720、721中内置作为加强材料的玻璃纤维布材料722，则能够起到罩部701的强度提高、形状稳定、容易粘接、抑制热从相邻的状态下的一端侧与另一端侧之间的微小的间隙逸散等效果。
优选的是，为了容易抑制热从气体配管10的弯曲部逸散而构成为具有覆盖弯曲部的辅助罩部702。构成为将辅助罩部702卷入罩部701中来覆盖气体配管10的弯曲部。优选的是，关于辅助罩部702，在与处于相邻的各个直管部处的弯曲部临近的罩部701中的一方侧的罩部701的气体配管10侧固定有辅助罩部702的一端。若构成为通过使辅助罩部702的另一端向另一方侧的罩部701的气体配管10侧延伸并以各个罩部701卷入辅助罩部702来覆盖气体配管10的弯曲部，则能够进一步抑制热从气体配管10的弯曲部逸散。辅助罩部702的材质由PTFE等氟树脂材料构成。辅助罩部702由一张氟树脂材料构成，由此能够一边确保柔软性一边在进一步增加密接度的同时容易覆盖作为复杂形状部分的弯曲部，从而能够容易抑制热从气体配管10的弯曲部逸散。优选的是，若如图7的(c)所示由多张(在此为两张)氟树脂材料720、721构成辅助罩部702，则辅助罩部702构成为一边确保柔软性一边在进一步增加密接度的同时覆盖作为更加复杂形状部分的弯曲部，从而能够更进一步容易地抑制热从气体配管10的弯曲部逸散。
在此，罩部701在其内部设有用于维持强度的加强材料(玻璃纤维布材料)722，另一方面，用于防止气体配管10露出的辅助罩部702在其内部为了确保柔软性而没有设置隔热材料(玻璃纤维布)等。由此，辅助罩部702容易卷入罩部701中，即使是复杂的形状也能够覆盖，作业性良好。而且，若通过相邻的罩部701来夹入并固定辅助罩部702，则密接度进一步提高。此外，作为罩部701的加强材料722，优选片状的隔热材料。若隔热材料过厚，则有可能对罩部701的粘结部704与粘结部703的粘贴及剥离作业造成影响。另外，若为片状，则能够将多张隔热材料作为加强材料722内置在罩部701中，从而能够维持罩部701的强度。
像这样，即使为气体配管10弯曲的弯曲部，通过设置罩部701、辅助罩部702，也能够避免气体配管10露出，由于抑制了局部的温度降低，所以能够提高气体配管10整体的温度均匀性。
接下来，说明在覆盖波纹管(形成为波纹状的配管)等挠性配管的情况下所使用的加热部310的结构。
图10的(a)是将图1中的B所示的部分放大而得到的图。是覆盖气体配管10中的尤其是挠性管10的情况下所使用的加热部310安装到挠性管10上的状态下的挠性管10的气体流动方向的剖视图的一个例子。如图10的(b)所示，在B-1剖视图中，示出在将加热部310安装到挠性管10的外周上时，使包围体的一端侧与另一端侧相邻，并通过固定部700覆盖一端侧与另一端侧之间的微小间隙的状况。图10的(c)是将图10的(a)的B-2截面放大而得到的图。以后，通过图10的(b)及图10的(c)来说明加热部310。
从图10的(b)所示的剖视图可知，在加热部310与挠性管10之间形成有间隙。这是由于加热部310的内径比挠性管10的直径大。通过对形成的间隙进行加热来谋求确保温度稳定性。另外，通过增大内径也可谋求确保相对于弯曲的随从性。
如图10的(c)所示，安装在挠性管10上的加热部310主要在作为包围体的内层部510及外层部500之间将发热部和隔热部520层叠而构成，其中该发热部包含作为发热体的加热线材530和作为用于支承该加热线材的支承部的隔热部件540，隔热部520配置在发热体530的与气体配管10相反的一侧。此外，发热体530的支承部540的安装与图4的(c)所示的加热部530相同，因此省略说明。
挠性管10(图1所示的B)的热容量相对于作为气体配管10的一部分的直管部(图1所示的A)较小，因此当将温度检测部设置在挠性管10上来进行温度控制时，挠性管10的温度与直管部的温度相比上升，在一个气体配管10内产生温度差，温度均匀性恶化。因此，通过图10的(c)所示的加热部310来对挠性管10进行加热，热电偶550构成为设置在发热部上。例如，热电偶550与发热体530同样地被缝纫到支承部540上而安装。
另外，如图10的(c)所示，在包围体的内层材料510与挠性管10之间形成有间隙。该间隙由恒温器560、和用于将该恒温器560和挠性管10隔离的隔离部构成。此外，恒温器560设置在包围体的外侧，但也可以设置在加热部310的内侧，例如优选与热电偶550同样地被缝纫到支承部540上而安装。
像这样，本实施方式中的加热部310在挠性管10与加热部310的内层材料510之间设有间隙，将热电偶550设置在加热部310内部(设置在发热部上)，因此，因使热电偶550和挠性管10接触导致的局部温度变化的测定而引起的温度控制的不稳定性被消除，从而能够对挠性管10整体均等地进行加热。另外，由于是像这样将热电偶550与发热体530同样地安装到支承部540上的构造，所以能够相对于所有的弯曲形状而随从，加热部310的安装及拆下变得容易，作业性提高。
另外，由于是这样的热电偶550的构造，所以测定温度的稳定性提高，确保了温度再现性。由此，能够提高挠性管10内的温度均匀性。
另外，发热体530形成为一部分以挠性管10为基轴而与挠性管10的波纹状的山折部和谷折部平行。
优选的是，发热体530以其主要部分以挠性管10为基轴沿与挠性管10的折曲方向平行的方向延伸的方式形成为蛇行状，由此能够更进一步发挥抑制挠性管10可折曲的功能。
如图10的(c)的剖视图所示，覆盖发热体530的隔热部520为由多层隔热层构成的层叠构造(在本实施例中为两层)。在此，将上侧(外层材料500侧)的隔热层称为521，将下侧(发热体530侧)的隔热层称为522。而且，在各隔热层中，隔热部件分别为分割构造。在此，如图10所示，隔热层521被分割成521a、521b、521c、521d这四个隔热区域，隔热层522被分割成522a、522b、522c这三个隔热区域。
隔热层521、522分别在相对于挠性管10内的气体的流动方向垂直的方向上切断(分割)，而被切分成多个隔热区域。例如，当隔热层522被分割成522a、522b、522c这三个隔热区域时，能够吸收针对弯曲的应力，从而能够灵活地折曲加热部310。另外，其缺口(狭缝)在各个隔热层中位置错开地分别配置在隔热层521、522上。由此，能够抑制热逸散。优选的是，也可以代替分割隔热区域而在各个隔热区域之间设置狭缝。由此，虽然针对弯曲的应力的吸收力与分割构造相比减小，但能够提高制作效率，如不再需要进行用于使分割部分连接的缝纫作业等。优选的是，隔热层521、522的材质可以由玻璃纤维板材料构成。
如图11所示，用于挠性管10的加热部310当将包围体展开时，构成为将挠性管10的延伸方向作为长度方向的大致长方形。并且，当将包围体安装到挠性管10的外周并使包围体的长度方向的一端侧和另一端侧为相邻的状态时，包围体会覆盖挠性管10的外周整周。
在图11中以虚线示出发热体530，发热体530构成为，以其主要部分以挠性管10为基轴沿与挠性管10的折曲方向平行的方向延伸的方式形成为蛇行状。根据这样的结构，相对于挠性管10的弯曲形状的随从性提高。
另外，发热体530构成为，经由连接器308与在此未图示的控制器321连接，并与未图示的热电偶550及恒温器560一起由控制器321控制。
图8的(a)是将用于挠性管10的加热部310的固定部700展开时的图，图8的(b)是将加热部310安装到挠性管10上时的立体图。在此，标注与图6及图7相同的附图标记的部分的结构及材质等相同，由于已经记述，所以在此简化说明。
在包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将一端侧和另一端侧固定的固定部700由罩部701、设在罩部701上的粘结部704和设在包围体的外层部500上的粘结部703构成。通过这样的结构，能够抑制热从相邻的状态下的一端侧与另一端侧之间的微小间隙逸散。
在外层部500上设有沿相对于挠性管10内的气体流动方向垂直的方向延伸的折痕710。通过该折痕710，能够为了覆盖挠性管10而弯曲。
另外，根据本实施方式，通过固定部700来进行加热部310的固定，但在本实施方式中并没有特别限定，作为固定机构，除搭扣以外还能够使用勾扣(hook buckle)等公知的机构。
＜本实施方式的效果＞
根据本实施方式，起到以下的(a)至(h)中的至少一个或多个效果。
(a)根据本实施方式，由于构成为在热电偶上设有板状的温度检测部，并将该温度检测部设在与气体配管相对的位置上，所以能够使温度检测部与供给原料气体的气体配管接近来获取温度，因此能够对气体配管均等地进行加热。尤其是通过将温度检测部沿着气体配管的形状设置，对气体配管均等地进行加热的可靠性会提高。
(b)根据本实施方式，由于构成为将板状的温度检测部设在与气体配管相对的位置上，所以与没有温度检测部的情况相比，与气体配管相对的主面的表面面积大，因此能够容易感知气体配管的热状态，从而容易更加准确地检测气体配管的温度。因此，测定温度稳定，由此气体配管整体的温度稳定，从而能够提高温度再现性，提高温度均匀性。
(c)根据本实施方式，即使为具有形成为直线状的多个直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部的气体配管，在使包围体的一端侧和另一端侧相邻地固定加热部时，在气体配管的各直管部分中，能够不依靠作业者判断地使加热部的密接性均匀。
(d)根据本实施方式，即使为具有形成为直线状的多个直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部的气体配管，在气体配管的弯曲部中，在使包围体的一端侧和另一端侧相邻地固定加热部时，将辅助罩部卷入与该辅助罩部相邻的罩部中来覆盖弯曲部，因此能够在气体配管整体中均匀地进行加热。
(e)根据本实施方式，即使供给原料气体的气体配管是形成为波纹状的挠性管，也能够使温度检测部从气体配管分开地获取该气体配管的温度，因此能够可靠地控制气体配管的温度。
(f)根据本实施方式，即使供给原料气体的气体配管是形成为波纹状的挠性管，由于使其与加热部的包围体之间分开，所以能够不受温度变动影响地获取挠性管整体的温度，因此能够可靠地控制气体配管的温度。
(g)根据本实施方式，能够根据成膜用的液体原料来均匀地将气体配管加热到不会液化的温度，因此能够以控制为例如不会使气化后的液体原料气体发生液化的温度使气体流量稳定地向处理室供给。另外，同样地，能够以控制为不会使原料气体产生液化的温度对与原料气体发生反应的反应气体进行加热，因此能够防止混合时原料气体的温度降低并液化，能够稳定地将原料气体向处理室内供给，处理室内的气体温度稳定，而能够进行均匀的成膜。
(h)根据本实施方式，对于排气配管，能够均匀地将配管加热到规定的温度，因此能够在成膜时抑制未反应气体(未反应的原料气体)的残渣及副产物的附着。
(i)上述的效果在作为原料气体而使用HCDS气体以外的气体的情况、作为含N气体而使用NH3气体以外的气体的情况、作为吹扫气体而使用N2气体以外的非活性气体的情况下能够同样地得到。
在本实施例中，列举了通过加热器对气体配管及排气配管双方进行加热的例子，但并不限于此，也可以通过加热器对气体配管及排气配管的某一方进行加热。
此外，示出了对从原料供给器4到流量控制器41进行加热的结构，但不需要对从原料供给器4到流量控制器41始终进行加热，也可以在非常态作业时(维护、修理等)进行加热。
＜其他实施例＞
接下来使用图9来说明其他实施方式。
如图9所示，加热部311主要在作为包围体的内层部510及外层部500之间将发热部和隔热部520层叠而构成，其中该发热部包含作为发热体的加热线材530和作为用于支承该加热线材的支承部的隔热部件540，隔热部520配置在发热体530的与气体配管10相反的一侧。此外，发热体530的支承部540的安装与图4的(a)所示的加热部530相同，因此省略说明。
而且，隔热部520还为空隙部610与隔热部525的层叠构造，空隙部610为在上侧包围部511与下侧包围部512之间构成的空间。为像这样强化了来自发热部的热的隔热效果的形态。由此，通过抑制热逸散而谋求提高温度性能。
此外，外层部500、内层部510、上侧包围部511和下侧包围部512为隔热部件，可以分别为不相同的材质。另外，在本实施方式中，也可以构成为设置金属箔板400、绝缘材料600。
以上，具体地说明了本发明的实施方式及实施例，但本发明并不限定于上述的实施方式及实施例，在不脱离其要旨的范围内能够进行各种变更。
例如，在上述的实施方式中，说明了作为原料气体而使用HCDS气体的例子。但是，本发明并不限定于这样的方式。例如，作为原料气体，能够使用甲硅烷(SiH4、略称：MS)气体、乙硅烷(Si2H6、略称：DS)气体、丙硅烷(Si3H8、略称：TS)气体等不含卤基的无机类硅烷原料气体。另外，例如作为原料气体除HCDS气体以外，还能够使用氯硅烷(SiH3Cl、略称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2、略称：DCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3、略称：TCS)气体、四氯硅烷即四氯化硅(SiCl4、略称：STC)气体、八氯硅烷(Si3Cl8、略称：OCTS)气体等无机类卤代硅烷原料气体、三(二甲胺基)硅烷(Si[N(CH3)2]3H、略称：3DMAS)气体、四(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]4、略称：4DMAS)气体、双(二乙基氨基)硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、略称：BDEAS)气体、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2、略称：BTBAS)气体等不含卤基的氨基类(胺类)硅烷原料气体。
另外，例如在上述的实施方式中，说明了作为反应气体而使用NH3气体的例子。但是，本发明并不限定于这样方式。例如，作为反应气体除NH3气体以外还能够使用二亚胺(N2H2)气体、肼(N2H4)气体、N3H8气体等氮化氢类气体、包含它们的化合物的气体等。另外，作为反应气体而能够使用三乙胺((C2H5)3N、略称：TEA)气体、二乙胺((C2H5)2NH、略称：DEA)气体、乙醇胺(C2H5NH2、略称：MEA)气体等乙胺类气体、三甲胺((CH3)3N、略称：TMA)气体、二甲胺((CH3)2NH、略称：DMA)气体、一甲胺(CH3NH2、略称：MMA)气体等甲基胺类气体等。另外，作为反应气体而能够使用三甲基肼((CH3)2N2(CH3)H、略称：TMH)气体等有机肼类气体等。
另外，例如在上述的实施方式中，说明了形成SiN膜等含硅膜的例子。但是，本发明并不限定于这样的方式。例如本发明还能够优选适用于在晶片200上形成包含钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铌(Nb)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)等金属元素的膜、即金属类膜的情况。
例如，本发明也能够优选适用于在晶片200上形成TiN膜、TiO膜、TiON膜、TiOCN膜、TiOC膜、TiCN膜、TiBN膜、TiBCN膜、ZrN膜、ZrO膜、ZrON膜、ZrOCN膜、ZrOC膜、ZrCN膜、ZrBN膜、ZrBCN膜、HfN膜、HfO膜、HfON膜、HfOCN膜、HfOC膜、HfCN膜、HfBN膜、HfBCN膜、TaN膜、TaO膜、TaON膜、TaOCN膜、TaOC膜、TaCN膜、TaBN膜、TaBCN膜、NbN膜、NbO膜、NbON膜、NbOCN膜、NbOC膜、NbCN膜、NbBN膜、NbBCN膜、AlN膜、AlO膜、AlON膜、AlOCN膜、AlOC膜、AlCN膜、AlBN膜、AlBCN膜、MoN膜、MoO膜、MoON膜、MoOCN膜、MoOC膜、MoCN膜、MoBN膜、MoBCN膜、WN膜、WO膜、WON膜、WOCN膜、WOC膜、WCN膜、WBN膜、WBCN膜等的情况。另外除此以外，也能够优选适用于形成向它们中的某一个注入(添加)其他元素的膜，例如TiAlN膜、TaAlN膜、TiAlC膜、TaAlC膜、TiSiN、TiSiC膜等。
在形成金属类膜的情况下，作为原料气体而能够使用例如四氯化钛(TiCl4)气体、四氟化钛(TiF4)气体、四氯化锆(ZrCl4)气体、四氟化锆(ZrF4)气体、四氯化铪(HfCl4)气体、四氟化铪(HfF4)气体、五氯化钽(TaCl5)气体、五氟化钽(TaF5)气体、五氯化铌(NbCl5)气体、五氟化铌(NbF5)气体、三氯化铝(AlCl3)气体、三氟化铝(AlF3)气体、五氯化钼(MoCl5)气体、五氟化钼(MoF5)气体、六氯化钨(WCl6)气体、六氟化钨(WF6)气体等包含金属元素及卤族元素的无机金属原料气体。另外，作为原料气体也能够使用例如三甲基铝(Al(CH3)3、略称：TMA)气体等包含金属元素及碳元素的有机金属原料气体。作为反应气体，能够使用与上述的实施方式相同的气体。
即，本发明能够优选适用于形成包含半导体元素和金属元素等规定元素的膜的情况。
根据本实施方式，通过对构成经由喷嘴334将原料气体向处理室201供给的流路的气体配管10使用加热部310，来抑制因分别安装以往的电热带中的电热带、绝缘材料、隔热材料而引起的、基于作业者产生的安装状态的偏差所导致的每个衬底处理装置的温度再现性降低。
另外，在以往的电热带中，因此分别安装电热带、绝缘材料、隔热材料，所以基于作业者产生的安装状态存在偏差，因加热器的密接度的不同、气体配管10的露出等而发生温度均匀性恶化，但通过将本实施方式中的加热部310用于构成将原料气体向处理室201(或喷嘴334)供给的流路的气体配管10，作业性提高，配管加热器的密接性变均匀。而且，抑制因该加热器的密接性的不同、气体配管10的露出等而引起的气体配管10的温度均匀性降低。
根据本实施方式，与以往的电热带相比，不需要分别安装电热带、绝缘材料、隔热材料，因此能够缩短加热部310的安装时间。
另外，在上述的实施方式中，说明了在晶片2上使膜堆积的例子。但是，本发明并不限定于这样的方式。例如也能够优选适用于对晶片2或形成在晶片2上的膜等进行氧化处理、扩散处理、退火处理、蚀刻处理等处理的情况。
另外，在实施例中说明了批量处理的纵式衬底处理装置，但并不限定于此，能够适用于枚叶式处理的衬底处理装置。
另外，本发明并不限于本实施例的衬底处理装置那样的对半导体晶片进行处理的半导体制造装置等，也能够适用于对玻璃衬底进行处理的LCD(Liquid Crystal Display)制造装置。
＜本发明的优选方式＞
以下附记本发明的优选方式。
(附记1)
根据本发明的一个方式，提供一种加热部，覆盖并加热气体管，上述加热部具有：
隔热部，其配置在发热体的与上述气体管相反的一侧；
包围体，其将上述隔热部及上述发热体包围；
固定部，其设在上述包围体的外侧，且在上述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将上述一端侧和上述另一端侧固定；和
温度检测部，其比上述包围体靠上述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将上述气体管侧作为主面而形成为板状。
(附记2)
在附记1的加热部中，优选构成为，
上述温度检测部的上述主面沿着上述气体管的表面弯曲。
(附记3)
在附记1或附记2的加热部中，优选构成为，
上述温度检测部是从圆状、椭圆状、多边形状中选择的一种形状。
(附记4)
在附记1的加热部中，优选构成为，
在上述气体管中包含形成为波纹状的挠性管，
上述温度检测部设在上述加热部内且以不与上述挠性管接触的方式配置。
(附记5)
在附记4的加热部中，优选构成为，
设置具有上述发热体和安装上述发热体的隔热部件的发热部，
上述温度检测部与上述发热部同样地安装在上述隔热部件上。(附记6)
在附记4的加热部中，优选构成为，
将上述挠性管覆盖的上述加热部的上述发热体的一部分以上述挠性管为基轴而与挠性管的波纹状的山折部和谷折部平行。
(附记7)
在附记4的加热部中，优选构成为，
以在上述包围体与上述挠性管之间形成有间隙的方式使上述加热部的内径大于上述挠性管的内径。
(附记8)
在附记1或附记4的加热部中，优选的是，
上述隔热部由多个隔热层构成，上述各个隔热层为分割构造。(附记9)
在附记4的加热部中，优选构成为，
覆盖上述挠性管的上述加热部的上述隔热部由多个隔热层构成，
上述各个隔热层沿相对于上述挠性管内的气体的流动方向垂直的方向被切入，而被分割成多个部分。
(附记10)
在附记4的加热部中，优选构成为，
覆盖上述挠性管的上述加热部的上述隔热部由多个隔热层构成，
上述各个隔热层设有沿相对于上述挠性管内的气体的流动方向垂直的方向延伸的狭缝。
(附记11)
在附记10的加热部中，优选构成为，
相邻的上述隔热层各自的狭缝的位置错开地配置。
(附记12)
在附记4的加热部中，优选的是，
在上述包围体上设有沿相对于上述挠性管内的气体流动方向垂直的方向延伸的折痕。
(附记13)
在附记1的加热部中，优选构成为，
上述气体管具有形成为直线状的多个直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部，
将上述直管部和上述弯曲部覆盖的上述加热部的上述固定部，具有将上述直管部各自的上述一端部及上述另一端部覆盖的罩，且在上述弯曲部上设有卷入该罩中并覆盖上述弯曲部的辅助罩。
(附记14)
在附记13的加热部中，优选构成为，
上述罩在其内部设有提高该罩的强度的片材。
(附记15)
在附记14的加热部中，优选构成为，
上述辅助罩在其内部没有设置上述片材。
(附记16)
在附记3的加热部中，优选构成为，
与上述包围体最接近的上述隔热层在相对于上述挠性管内的流体流动的方向平行的方向上设有折痕。
(附记17)
根据本发明的其他方式，提供一种衬底处理装置，
具有：对衬底进行处理的处理室、具有向上述处理室内供给原料气体的气体管的气体供给系统、和覆盖并加热上述气体管的加热部，
上述加热部具有：
隔热部，其配置在发热体的与上述气体管相反的一侧；
包围体，其将上述隔热部及上述发热体包围；
固定部，其设在上述包围体的外侧，且在上述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将上述一端侧和上述另一端侧固定；和
温度检测部，其比上述包围体靠上述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将上述气体管侧作为主面而形成为板状。
(附记18)
根据本发明的另一其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有通过加热部来覆盖并加热气体管，且经由上述气体管向处理室内供给原料气体来对衬底进行处理的工序，其中该加热部具有：隔热部，其配置在发热体的与气体管相反的一侧；包围体，其将上述隔热部及上述发热体包围；固定部，其设在上述包围体的外侧，且在上述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将上述一端侧和上述另一端侧固定；和温度检测部，其比上述包围体靠上述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将上述气体管侧作为主面而形成为板状。
(附记19)
根据本发明的另一其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有：
经由气体管向处理室内供给原料气体来对衬底进行处理的工序；
经由排气侧的气体管从上述处理室排出包含上述原料气体在内的气体的工序；和
对供给侧的气体管及上述排气侧的气体管中的至少某一方的气体管的外壁进行加热的工序，
在上述进行加热的工序中，通过加热部来覆盖并加热上述气体管，其中该加热部具有：隔热部，其配置在上述发热体的与气体管相反的一侧；包围体，其将上述隔热部及上述发热体包围；固定部，其设在上述包围体的外侧，且在上述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将上述一端侧和上述另一端侧固定；和温度检测部，其比上述包围体靠上述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将上述气体管侧作为主面而形成为板状。

Claims (14)

1.一种加热部，其覆盖气体管，并对该气体管进行加热，所述加热部的特征在于，具有：
隔热部，其配置在发热体的与所述气体管相反的一侧；
包围体，其将所述隔热部及所述发热体包围；
固定部，其设在所述包围体的外侧，且在所述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将所述一端侧和所述另一端侧固定；和
温度检测部，其在比所述包围体靠所述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将所述气体管侧作为主面而形成为板状。
2.如权利要求1所述的加热部，其特征在于，
所述温度检测部构成为所述主面沿着所述气体管的表面弯曲。
3.如权利要求1所述的加热部，其特征在于，
在所述气体管中包含形成为波纹状的挠性管，
所述温度检测部设在所述加热部内且以不与所述挠性管接触的方式配置。
4.如权利要求3所述的加热部，其特征在于，构成为，
设置具有所述发热体和安装所述发热体的隔热部件的发热部，
所述温度检测部与所述发热体同样地安装在所述隔热部件上。
5.如权利要求3所述的加热部，其特征在于，
将所述挠性管覆盖的所述加热部的所述发热体形成为，该发热体的一部分以所述挠性管为基轴而与所述挠性管的波纹部的山折部和谷折部平行。
6.如权利要求3所述的加热部，其特征在于，
将所述挠性管覆盖的所述加热部的所述隔热部由多个隔热层构成，
所述隔热层分别沿相对于所述挠性管内的气体的流动方向垂直的方向被切入，而被分割成多个部分。
7.如权利要求6所述的加热部，其特征在于，
所述隔热层分别设有沿相对于所述挠性管内的气体的流动方向垂直的方向延伸的狭缝。
8.如权利要求7所述的加热部，其特征在于，
相邻的所述隔热层各自的狭缝的位置错开地配置。
9.如权利要求3所述的加热部，其特征在于，
在所述包围体上设有沿相对于所述挠性管内的气体流动方向垂直的方向延伸的折痕。
10.如权利要求1所述的加热部，其特征在于，
所述气体管具有形成为直线状的多个直管部和将该直管部之间连接的弯曲的弯曲部，
将所述直管部和所述弯曲部覆盖的所述加热部的所述固定部具有将所述直管部各自的所述一端部及所述另一端部覆盖的罩，且在所述弯曲部上设有卷入该罩中并覆盖所述弯曲部的辅助罩。
11.如权利要求10所述的加热部，其特征在于，
在所述罩的内部设有提高该罩的强度的片材。
12.如权利要求10或11所述的加热部，其特征在于，
所述辅助罩是在其内部没有设置所述片材的结构。
13.一种衬底处理装置，其特征在于，
具备对衬底进行处理的处理室、具有向所述处理室内供给原料气体的气体管的气体供给系统、和覆盖并加热所述气体管的加热部，
所述加热部具有：
隔热部，其配置在发热体的与所述气体管相反的一侧；
包围体，其将所述隔热部及所述发热体包围；
固定部，其设在所述包围体的外侧，且在所述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将所述一端侧和所述另一端侧固定；和
温度检测部，其在比所述包围体靠所述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将所述气体管侧作为主面而形成为板状。
14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有通过加热部来覆盖并加热气体管、且经由所述气体管向处理室内供给原料气体来对衬底进行处理的工序，其中该加热部具有：隔热部，其配置在发热体的与气体管相反的一侧；包围体，其将所述隔热部及所述发热体包围；固定部，其设在所述包围体的外侧，且在所述包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将所述一端侧和所述另一端侧固定；和温度检测部，其在比所述包围体靠所述气体管侧配置在与该气体管相对的位置上，并将所述气体管侧作为主面而形成为板状。
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