[go: up one dir, main page]

CN106605130A - 杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法 - Google Patents

杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106605130A
CN106605130A CN201580039107.XA CN201580039107A CN106605130A CN 106605130 A CN106605130 A CN 106605130A CN 201580039107 A CN201580039107 A CN 201580039107A CN 106605130 A CN106605130 A CN 106605130A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
light
sensor element
designed
ultraviolet light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580039107.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106605130B (zh
Inventor
T·雷谢尔
L·西弗纳
M·加尔扎罗利
M·桑迪格
L·格普费特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IDT Europe GmbH
Original Assignee
IDT Europe GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IDT Europe GmbH filed Critical IDT Europe GmbH
Publication of CN106605130A publication Critical patent/CN106605130A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106605130B publication Critical patent/CN106605130B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0295—Constructional arrangements for removing other types of optical noise or for performing calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/04—Casings
    • G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
    • G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • G01J5/068—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling parameters other than temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J2001/0276—Protection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/4446—Type of detector
    • G01J2001/446—Photodiode
    • H10W72/5445—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及在CMOS方法中产生的紫外光传感器，包括带有表面的基底，设计在上述基底中并检测射线的一个或多个传感器元件，至少一个置于上述基底表面上方的钝化层，以及置于上述钝化层上方并以至少一个滤光层形式设计的功能层。根据配置，通过直接设计在平坦钝化层上的滤光层，以及上述至少一个传感器元件周围和/或所述紫外光传感器周围的杂散光抑制装置，解决了通过本发明提供专门在紫外线波长范围内灵敏的紫外光传感器所处理的问题。根据上述方法，通过测量来自至少两个适用不同滤光层的光敏二极管的两个输出信号，并通过确定上述两个输出信号之间的数学关系，解决了上述问题。

Description

杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法
技术领域
本发明涉及一种由CMOS工艺生产的紫外线(UV)传感器，包括带有表面的基底，设计在基底中并检测射线的一个或多个传感器元件，至少一层置于基底表面上方的钝化层，以及置于钝化层上方的功能层，其中，该功能层设计为至少一个滤光层的形式。
本发明进一步涉及一种用紫外光传感器检测紫外光的方法，其中一个或多个传感器元件检测光线并由此响应以产生信号。
背景技术
紫外线传感器(紫外射线检测传感器)应用于许多产品中，其中传感器同时应用于作为独立紫外光敏二极管(单一元件光敏二极管)以及包括评估与控制单元的集成电路(IC)。应用的主要领域包括水灭菌，医药技术，紫外线固化，以及火焰检测。在医药技术中，紫外线传感器用于，例如，测定血中氧含量以及脉搏率。另一重要应用领域是紫外线指数和环境亮度的确定。在该应用中，日光射线的紫外线组分被测量并当上述组分超过日常推荐量以上的极限值时传达给用户。特别地，对于晒伤易感者或者皮肤敏感者，测量紫外线指数的传感器可以提供早期预警。紫外线指数是线性相关于入射到地面的日光强度的数字，且已经被世界卫生组织(WHO)标准化。
硅基紫外光敏二极管是公知的。然而，在紫外线波长范围内使用硅二极管的缺陷是灵敏度或响应性最大值在600-800纳米的波长范围内。术语灵敏度和响应性是同义使用的。硅二极管的灵敏度在280-400纳米的紫外线范围内比在VIS/IR波长范围(图1)内更低。此处，VIS描述了可见光，即电磁光谱的视觉范围，且IR描述了红外范围。为同样获得紫外线范围内的灵敏度，使用了仅对目标紫外线波长范围透明并对电磁波光谱的任何其他射线不透明的滤光层。
硅制传感器进一步具有缺陷，所测量射线的长波组分引起硅内的穿透深度加大，导致穿透光子在PN跃迁区产生电荷载流子发生和/或电荷载流子耗尽，其通常位于原材料的深处且远离待检测射线的进入位置，因此使测量值失真。图2示出了随入射射线波长变化的硅内穿透深度。
进一步，从现有技术来说，光谱优化紫外光敏二极管是公知的。光谱优化被理解为是指检测器的光谱灵敏度最大值在280-400纳米紫外线范围内，即，检测器被优化用于电磁射线光谱中的紫外线组分的测量。另一方面，受到所用光敏二极管的材料选择并因而受到预定光谱灵敏度特征的影响，同时，另一方面，可以使用附加滤光层，其仅对目标紫外线波长范围透明。例如，公知光敏二极管是基于碳化硅、氮化铟镓、氮化镓或氮化铝镓的。
此外，在光谱优化紫外光敏二极管中，对评估单元具有高要求。例如，对于可用测量，通常需要至少一个参考传感器。此外，可能没有与其他光学传感器的简单组合，例如，环境光传感器(ALS)，色彩传感器或色温传感器(RGB传感器)，或者距离传感器(PS)。
通常，紫外光敏二极管也集成在电路中，所谓的IC，包括评估和控制单元。公知IC设计的缺陷是，除了低紫外线灵敏度之外，它也在可见和红外范围具有高光谱灵敏度(图1)(也见DE 102012001481 A1和DE 102012001070 A1)。因此，在测量的光谱内，紫外线组分仅可以依据相关运算来确定，其要求光谱已知。而实际上，情况通常不是这样。因此，由于在人造光和日光的光谱中不同的波长组分，当在人造光中工作时，被标准化为例如日光光谱的光学传感器可能产生错误的测量值。一天中日光光谱中的瞬时变化也发挥了作用。如果不考虑瞬时变化，紫外光组分的测量仅能得出不精确值。因此，如果传感器专门在测量的紫外线范围内具有灵敏度或响应性，射线源的紫外光组分的精确测量才有可能。射线源被理解为在绝对零度以上的温度发射电磁射线的任何客体。在绝对零度以上的温度的任何客体都会发射随其温度变化的特征电磁光谱。
目标紫外线波长范围为280-400纳米。280-320纳米范围被称为UV-B且320-400纳米范围被称为UV-A，其中UV-A组分表示对人类皮肤更危险的组分。IR波长范围包括0.78-1000微米的波长范围。VIS波长范围包括在400-780纳米波长范围内的可见光谱。
发明内容
本发明的问题是要提供在CMOS工艺中产生的紫外光传感器，其消除了现有技术中的已知缺陷，其中紫外线传感器应当专门在紫外线波长范围内具有灵敏度，或者其中使用适当方式对紫外线范围以外的任何干扰射线进行抑制，由此传感器在其他波长范围内没有灵敏度，或者测量结果不会因干扰射线而失真，从而确定精确的紫外线指数值。
该问题由根据权利要求1的前序部分所述的紫外光传感器解决，其中钝化层为平坦设计，并且滤光层直接被设计在平坦钝化层上，同时杂散光抑制装置被设计在至少一个传感器元件周围和/或紫外光传感器的周围。
在现有CMOS技术工艺中，为了防止机械损伤并且作为针对湿气和离子的扩散屏障，在生产出最后的布线平面后使用由SiO2和Si3N4制成的钝化层。在工艺中，如图3a所示，在光敏传感器元件和接触表面之间的跃迁区形成阶跃(step)，因此无法生成平坦表面。在本发明的紫外光传感器中，在滤光层材料沉积之前，SiO2钝化由烧蚀工艺进行整平，例如，CMP和/或研磨，因此Si3N4钝化层以及滤光层材料的平坦沉积可出现在整个芯片表面上方(图3b)。在该工艺中，在苛刻环境影响下滤光层的使用寿命可以提高。由于事前进行的钝化层平坦化，滤光层材料可以沉积在平坦表面，由于在整个芯片表面上方的滤光层的均质层厚度，由此可以获得更多常规光学性能。
通过所提出的杂散光抑制装置，可以防止光的垂直以及侧向/横向穿透紫外光传感器的传感器元件。
在本发明的设计中，该杂散光抑制装置至少部分地由滤光层形成。在工艺中，滤光层至少完全覆盖了各自的传感器元件，其中该滤光层元件更适于进一步延伸到各自的传感器元件之外。如果滤光层被设计覆盖在整个紫外光传感器的整个表面之上则尤其有利，并且如果该滤光层延伸到整个IC之上则更为有利，即，直至其边沿。在其中集成紫外光传感器的IC的边沿被通过Si衬底尺寸首先确定。形成为至少一个滤光层的功能层，也可以由不同滤光材料形成，其中滤光层边缘重叠，因此杂散光的穿透被抑制。当将不同滤光层材料使用、排列在，例如传感器元件的矩阵上方时，如果不同滤光层材料的跃迁区被设计在非紫外光传感器元件的有源传感器表面的区域中尤为有利。由此，下方传感器元件的光学开口减小，而因此，耦连在传感器元件矩阵中的邻近紫外光传感器元件上的杂散光得到明显减少。紫外光传感器与下游电子器件或评估电路的接触焊点没有被功能层所覆盖。
在所提出的紫外光传感器的另一设计中，杂散光抑制装置至少部分地由置于紫外光传感器的整个表面和/或整个IC上方的金属层形成，不覆盖传感器元件。由此，防止了光穿透到没有被滤光层覆盖处的硅表面(例如，接合焊盘周围的表面)。另外，余光由于滤光层的有限阻带抑制可穿透进入IC，其可以在碰到硅表面之前被屏蔽。
在所提出的紫外光传感器的另一设计中，杂散光抑制装置至少部分地由侧向与紫外光传感器接界的光障形成。侧向接界的光障是由适合的光屏蔽材料构成的边界，其防止光侧向或斜向穿透进入紫外光传感器并由此进入紫外光传感器所集成的IC。
在所提出的紫外光传感器的另一设计中，杂散光抑制装置至少部分地由紫外光传感器嵌入不透明材料形成，其中该不透明材料围住紫外光传感器的边沿。不透明材料可以是在封装工艺中紧密符合IC周围的接合连接的成型材料。
另外，在所提出的紫外光传感器的设计中，杂散光抑制装置至少部分地由紫外光传感器背侧的不透明材料形成。在封装工艺中通过成型材料对IC的封包，防止了通过IC的背面的杂散光照射。
在所提出的紫外光传感器的另一设计中，杂散光抑制装置至少部分地由侧向接界各自传感器元件的填充不透明材料的沟槽形成。该沟槽可以通过蚀刻钝化层形成，由此形成所谓的蚀刻钝化沟槽。因此，可以抑制导入钝化面的光。
在所提出的紫外光传感器的另一设计中，在基底中形成的传感器元件之上的CMOS布线平面中，通过至少部分地使用垂直于基底表面的光障形成杂散光抑制装置，可防止IC金属成膜复合物中的金属间介电材料即布线平面间的氧化物中的反射和光导。在特殊设计中，在CMOS布线平面中的垂直光障通过闭合接触环或/和偏置配置通路环形成，延伸到CMOS工艺的顶层金属平面，其仅被光敏二极管即传感器元件的所需最小电触点遮断。在多步骤环结构的情况下，传感器元件连接线的通道开口(通路)是偏置配置的，因此没有连续光路形成。光路描述了从射线进入基底的入口位置到光敏传感器元件的路径。
在紫外光传感器的一个特殊设计中，数个传感器元件被置于矩阵中，其中传感器元件包括至少一个具有紫外线滤光层的光敏二极管，设计作为ALS传感器的光敏二极管，和带有多晶硅涂层和紫外线滤光层的光敏二极管。
优选地，矩阵可以被设计为优化半空间灵敏度的4x4矩阵，其中矩阵由四个不同的传感器元件形成。传感器元件可以被设计为具有紫外线滤光层和/或ALS传感器和/或具有多晶硅涂层和紫外线滤光层的光敏二极管。紫外光传感器的半空间包括紫外光传感器，即，基底平面之上的整个空间，其中，在优化半空间灵敏度的情况下，紫外光传感器的灵敏度在半空间的每个空间方向应当尽可能相等。
优化半空间灵敏度被设置在达到以下配置标准的不同传感器元件中：
-每个传感器元件在矩阵的角点中配置一次，
-每个传感器元件在矩阵的侧边上配置两次，
-每个传感器元件在矩阵的每行中配置一次
-每个传感器元件在矩阵的每列中配置一次，
-每个传感器元件在矩阵的4个2x2子象限中配置一次。
这样配置的优点是，由此进入阵列的杂散光可以以受控制的方式均匀分布在所有传感器元件上方，即，每个传感器元件在尽可能程度上有相同的杂散光组分，这甚至对不同照射角度的光是可能的。这样，例如，可以抑制由于对粒子或者紫外光传感器上的制造残留对测量信号的影响。确实，正是通过光组分在紫外光传感器之上的所有空间方向的配置以及尽可能的平均而使半空间灵敏度大大优化。
进一步地，对于不同传感器元件，为了获得低光谱角度依赖，也可以使用高度折射材料的基于干扰的滤光层。
依据该方法，本发明的问题通过用所提出的紫外光传感器检测紫外光的方法得以解决，其中一个或多个传感器元件检测光并由此响应产生信号，由此测量被设计为光敏二极管的传感器元件的第一输出信号，由此测量并通过因数加权被设计为带有多晶硅涂层的光敏二极管的传感器元件的第二输出信号，并且确定第一和第二输出信号之间的数学关系。作为数学关系，可以，例如，计算第一和第二输出信号之间的差异。在该过程中，第一输出信号由紫外线组分、VIS/IR组分，以及泄漏电流组分形成，且第二输出信号由加权VIS/IR组分和加权泄漏电流组分形成。通过使用差异原则，紫外光传感器的VIS/IR组分灵敏度可以得以补偿，由此仅VIS/IR组分和泄漏电流组分被带有多晶硅涂层的光敏二极管测量，且光敏二极管的测量信号被这些组分校正。
根据本发明的根据本发明用紫外光传感器检测紫外光的另一方法，本发明的问题得以解决，由此测量被设计为光敏二极管的传感器元件的第一输出信号，测量并通过因数加权被设计为暗二极管的传感器元件的第二输出信号，其中在暗二极管中涂覆了不透明金属，并且确定第一和第二输出信号之间的数学关系。作为数学关系，可以计算，例如，第一和第二输出信号之间的差异。使用差异原则，通过因不透明金属涂层而成的暗二极管的方式仅测量泄漏电流，可以补偿紫外光传感器的温度依赖的暗电流(泄漏电流)，并且由此光敏二极管的测量信号可以被这些组分校正。
也可以结合上述提及的补偿方法，其中由此可以同时补偿VIR/IR灵敏度以及暗电流(泄漏电流)，且由此确定精确的紫外线指数值。
使用以上描述的紫外光传感器和上述评估方法，带有评估单元的独立或多通道紫外光传感器的单片集成可以以非常简单的方式在CMOS工艺中实现。在紫外线波长范围内，传感器灵敏度的光谱适应可以通过专用光学过滤器的简单应用来适用。由于在CMOS工艺中的集成，可能形成紫外光传感器功能以及附加环境传感器之间的关系，诸如ALS，RGB，PS，压力，气体，湿敏传感器，此处并不构成完全列举。通过根据本发明的配置，可以防止杂散光穿透在所使用的光学滤光器周围穿透进入IC的紫外光传感器。
附图说明
以下，本发明将参照实施例进行详细解释。
在相关附图中
图1示出了已知IC结构的光谱灵敏度；
图2示出了随入射射线波长变化的在硅中的射线穿透深度；
图3示出了钝化工艺a)根据现有技术b)根据本发明；
图4示出了带有紫外光传感器的IC顶视图，其中整个IC带有紫外线滤光层(阴影)，已去除焊盘，并且，如果可行，涂覆其他滤光层位置(密集阴影)；
图5示出了滤光层的重叠，为了使得尽可能少的杂散光穿透边界点；在工艺中，紫外线滤光器尽可能置于其他传感器元件的光学开口处，用于将紫外线滤光器的覆盖度最大化；a)顶视，b1)第二滤光层材料覆盖紫外线滤光层，b2)紫外线滤光层覆盖第二滤光层材料；
图6示出了紫外线滤光层(阴影)延伸进入ALS传感器的光学开口，a)顶视，b)侧视；
图7示出了带有紫外光传感器的IC的顶视图，除传感器元件以外，整个IC涂覆金属；
图8示出了带有在外壳中的紫外光传感器的IC的图示，a)不带有以及b)带有杂散光抑制装置，除此之外，带有侧向接界IC的光障；
图9示出了带有在外壳中的带有光障的紫外光传感器的IC的图示，嵌入在不透明的成型材料中，将不透明成型材料置于IC的背面之上；
图10示出了杂散光抑制装置的图示，其通过闭合接触环和/或偏置配置通路环形成，由此防止杂散光通过光导或通过反射的穿透；
图11示出了光敏二极管的补偿的图示，其对于a)无紫外线滤光层和b)有紫外线滤光层的情况下涂覆了多晶硅；
图12示出了有不同滤光层以及有不同功能的二极管的矩阵图示。
具体实施方式
图4示出了本发明的设计，其中滤光层4形成于带有相关信号处理20的集成紫外光传感器1的IC 2的整个表面上方。由此，可以防止一个或多个传感器元件13外的光的垂直穿透。在工艺中，IC的接触焊点3没有被滤光层4覆盖。同样也可以将不同滤光层4，5置于独立传感器元件13上方，其中不同射线组分则可以通过传感器元件13检测。在设计中，可以设计数个传感器元件，诸如暗二极管DD，其上没有任何射线入射。
如果不同滤光层4、5被用于紫外光传感器1中，则，在滤光层4、5的跃迁区域，同样没有干扰射线可以达到传感器元件13。为了防止这样，在跃迁区域的不同滤光层材料被设计为重叠的，正如图5b1)，b2)所图示。
图6示出了本发明的设计，其中杂散光抑制装置通过两种不同的滤光层材料4、5形成。一方面，它们通过紫外线滤光层4形成，另一方面，通过第二滤光层材料5形成。滤光层置于传感器元件13的矩阵上方，其中传感器元件13包括紫外线和ALS传感器元件。配置两种滤光层材料4、5，由此紫外线滤光层4位于紫外线传感器元件之上，且第二滤光层材料5位于ALS传感器元件之上。在工艺中，尤其有利的是如果紫外线滤光层4延伸进入ALS传感器元素的光学开口9(图6b)。在工艺中，ALS传感器元件的光圈或者光孔或者光学开口通过紫外线滤光层4减小，且因此灵敏度降低，例如，1/3表面对应ALS传感器元件13的灵敏度1/3的减小。而，该降低的灵敏度可以容受，因为由于重叠，耦合在临近紫外线传感器元件13上的杂散光可以得到明显减少。确实，由于紫外线滤光层4扩张进入ALS传感器元件(即，在有源传感器表面14之上的投影中)的有源传感器表面14，明显少量杂散光穿过ALS滤光层5到顶层金属上。在顶层，耦合在杂散光7中实际上再次能够继续，如同在光波导中，到紫外线传感器元件13。这通过所述设计可以明显减少。
图7示出了带有集成紫外光传感器1的整个IC 2的大表面金属涂层6。由此，在没有被滤光层覆盖的位置可以防止光前进到硅表面(例如，独立传感器元件的接合焊盘31周围的表面(未示出))。此外，由于滤光层的有限阻带抑制，这样可能穿透进入IC 2的任何余光可以被屏蔽而不碰到硅表面。
图8示出了带有在外壳8中的紫外光传感器1的IC 2的图示。此处，图8a示出了因无杂散光抑制装置，干扰射线穿透紫外光传感器1，然而，在图8b中，配置了侧向接界IC 2的光障10，用以防止干扰射线穿透进入光敏传感器表面1之外的紫外光传感器1。
图9示出了可能的杂散光抑制装置的概要。光7从IC 2或紫外光传感器1的背面垂直穿透，可以通过带有不透明材料11的封包来防止，例如，在封装工艺中有适合的成型材料。而且，在封装工艺中，经由IC芯片边缘的光7的水平穿透可以通过适当光屏蔽材料11的芯片边缘涂层来获得，其中，例如，配置了侧向接界IC 2的光障10，或者整个IC 2嵌入在不透明的成型材料11中。
图10示出了杂散光抑制装置的图示，其通过闭合接触环12和/或偏置配置通路环形成，由此防止杂散光由于反射或光导穿透进入IC 2的金属成膜复合物(布线平面间氧化物)或钝化板中的金属间介电材料。
图11示出了通过补偿涂覆多晶硅的光敏二极管的Si光敏二极管的VIS/IR灵敏度的补偿结果的图示，对于情况a)无紫外线滤光层和b)有紫外线滤光层，其目的是根据本发明的该方法用于使用紫外光传感器1进行紫外光的检测。例如，在包括至少一个光敏二极管的带有紫外线滤光层(紫外线多晶二极管(UV poly diode))的紫外光传感器1中，硅二极管的VIS/IR灵敏度被以下典型的方法步骤抑制：测量紫外线二极管的输出信号。该输出信号包括紫外线+VIS/IR杂散光+泄漏电流组分。第二输出信号由多晶紫外线二极管测量。该第二输出信号包括a1*VIS/IR杂散光+a2*泄漏电流组分。两个二极管的杂散光不相同，通过因数a1不等于1表示。由此，差异不会完全是预期的紫外线组分，换言之补偿不会是最优的。由加权差异确定来获得最优化，例如，紫外线多晶二极管首先通过1/(a1)加权，然后确定差异。在a2等于(几乎)1时，泄漏电流得到补偿。
对于Si二极管的VIR/IR灵敏度的抑制，垂直堆叠的PN跃迁区(箍缩型二极管)也可以使用，用以减少来自所用光电流的VIS/IR灵敏度。
这里原则上出现了由电荷载流子发生进入通过长波光在硅中的更大深度产生的组分，以及由表面短波光产生的组分造成的光电流的划分。
在另一实施例中，为了抑制温度依赖和制造引起的泄漏电流，也使用了补偿方法，其中，在紫外光传感器(1)中包括至少一个带有紫外线滤光层的光敏二极管(紫外线二极管)和至少一个涂覆金属层的暗二极管(DD)，Si二极管的温度依赖和制造引起的泄漏电流通过以下典型方法步骤抑制：测量紫外线二极管的输出信号。该输出信号包括UV+泄漏电流组分。在暗二极管中，测量第二输出信号。该第二输出信号包括a2*泄漏电流组分。其后，例如，通过确定两种所测量的输出信号的差异实现补偿。在a2不等于1的情况下，由加权差异确定来获得最优化，例如，暗二极管首先通过1/(a2)加权，然后确定差异。例如，修正值的存储也可能出现，为了实现基于芯片和基于二极管的可编程暗电流校准。
如果紫外光传感器1包括至少一个带有紫外线滤光器的光敏二极管(紫外线二极管)，至少一个带有紫外线滤光层(紫外线多晶二极管)的涂覆多晶硅层的光敏二极管，以及至少一个涂覆金属层的暗二极管DD，然后Si光敏二极管的VIS/IR灵敏度和泄漏电流的补偿可以同时出现。如果，例如，紫外光传感器1包括带有紫外线滤光器(D1)的光敏二极管，带有涂覆多晶硅层的紫外线滤光器(D2)，以及涂覆金属的紫外线暗二极管
(D3)，然后三个二极管的输出信号具有以下成分：
D1＝紫外线+VIS/IR杂散光+泄漏电流；
D2＝a1*VIS/IR杂散光+a2_2*泄漏电流；
D3＝+a2_3*泄漏电流。
在第一步骤中，泄漏电流的加权补偿通过计算D13＝(D1-x1*D3)和D23＝(D2-x2*D3)以及考虑a2_2和a2_3确定x1和x2来实现。
在第二步骤中，该VIS/IR灵敏度的加权补偿通过计算UV＝D13-x3*D23并考虑a1确定x3来实现。泄漏电流的均质化也可以通过在制造工艺中优化焊合来实现。
如果紫外光传感器1包括数个传感器元件的矩阵(图12)，于是，借助于根据特定配置标准组成的滤光层配置，其中滤光层包括功能依赖滤光层材料，残余杂散光，或者不同泄漏电流影响，可以被均质化。例如，这样，紫外光传感器1的最优半空间灵敏度以及在某些情形下，在紫外光传感器1上的粒子或制造残留的抑制也可以被补偿。此处，形成紫外光传感器1的传感器元件13被置于矩阵结构中，其中，借助于几何学重力中心的形成，实现了来自紫外光传感器上所有空间方向的光组分的等值平均。如果，在具有总数16个光敏二极管的4x4矩阵配置中，四种不同滤光层材料与这些16个光敏二极管相关，即，该光敏二极管根据它们的相关滤光层发挥不同功能，于是该滤光层配置必须达到以下标准：该四种不同滤光层在角处配置一次，在侧边处配置两次，每行一次，每列一次，在4个2x2子象限中一次。该四种不同滤光层于是也与不同测量通道相关。图12示出了这样不同滤光层的配置。此处，尤为有利的是，杂散光到达该阵列中，例如，当该标记G的滤光层不是用紫外线滤光层覆盖，而代替用另一滤光层，例如，光学照相滤光层，可见光按照预期到达穿过这些滤光层，可见光于是可以向紫外线二极管和紫外线多晶二极管散射。为了由此不对杂散光补偿造成负面影响，这些二极管应尽可能见诸于相同的杂散光组分，甚至在光的不同入射角度情况下。
附图标记列表
1 紫外光传感器
2 IC(集成电路)
3 接触焊点
31 通路，传感器元件的接合焊盘
4 紫外线滤光层
5 第二滤光层材料
6 金属层
7 入射射线
8 外壳
9 光学开口
10 光障
11 不透明材料
12 闭合接触环
13 传感器元件
14 有源传感器元件表面
15 基底
16 基底表面
17 钝化层
18 功能层
19 杂散光抑制装置
20 IC的处理单元
DD 暗二极管

Claims (22)

1.一种通过CMOS工艺生产的紫外光传感器(1)，包括具有表面的基底，一个或多个检测射线并设计在所述基底(15)中的传感器元件(13)，至少一个置于所述基底表面(16)上方的钝化层(17)，和置于所述钝化层(17)上方的功能层(18)，其中所述功能层(18)设计为至少一个滤光层(4、5)，其特征在于所述钝化层(17)为平坦设计，且所述滤光层(4、5)直接设计在所述平坦钝化层(17)上，且杂散光抑制装置(19)设计在所述至少一个传感器元件(13)周围和/或所述紫外光传感器(1)周围。
2.根据权利要求1所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过所述滤光层(4、5)形成。
3.根据权利要求1或2所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过置于所述紫外光传感器(1)的整个表面上方的金属层形成，所述传感器元件(13)不被覆盖。
4.根据上述权利要求至少一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过侧向接界所述紫外光传感器(1)的光障(10)形成。
5.根据上述权利要求至少一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过所述紫外光传感器(1)嵌入不透明材料(11)形成，其中所述不透明材料(11)围住所述紫外光传感器(1)的边缘。
6.根据上述权利要求至少一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过在所述紫外光传感器(1)背面的不透明材料(11)形成。
7.根据上述权利要求至少一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过侧向接界所述对应传感器元件(13)的填充不透明材料(11)的沟槽形成。
8.根据上述权利要求至少一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述杂散光抑制装置(19)至少部分地通过光障(10)形成，其在所述基底(15)中形成的所述传感器元件(13)之上的所述CMOS布线平面中垂直于所述基底表面(16)。
9.根据权利要求8所述的紫外光传感器，其特征在于CMOS垂直布线平面中的垂直光障(10)通过闭合接触环(12)和/或通过偏置设计的延伸至CMOS工艺的顶部金属平面中的通路环形成。
10.根据上述权利要求任一项所述的紫外光传感器，其特征在于所述射线检测传感器元件(13)设置在一矩阵中。
11.根据上述权利要求任一项所述的紫外光传感器，其特征在于，在所述射线检测传感器元件(13)上方，滤光层(4、5)由不同滤光层材料形成，其中所述滤光层(4、5)部分地彼此重叠和/或所述两层滤光层(4、5)设计为部分地重叠有源传感器元件表面(14)。
12.根据上述权利要求任一项所述的紫外光传感器，其特征在于，所述传感器元件(13)被设计为光敏二极管或/和ALS传感器或/和暗电流补偿传感器。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的紫外光传感器，其特征在于，数个传感器元件(13)被配置在一矩阵中，其中所述传感器元件(13)包括至少一个带有紫外线滤光层的光敏二极管，ALS传感器，以及带有多晶硅涂层和紫外线滤光层(4)的光敏二极管。
14.根据权利要求13所述的紫外光传感器，其特征在于所述矩阵被设计为具有优化半空间灵敏度的4x4矩阵，包括四个不同的传感器元件(13)。
15.根据权利要求14所述的紫外光传感器，其特征在于所述优化半空间灵敏度被设置在达到以下配置标准的不同传感器元件(13)中：
-每个传感器元件在二极管矩阵的角点中配置一次，
-每个传感器元件在二极管矩阵的侧边上配置两次，
-每个传感器元件在二极管矩阵的每行中配置一次，
-每个传感器元件在二极管矩阵的每列中配置一次，
-每个传感器元件在二极管矩阵的4个2x2子象限中配置一次。
16.一种根据上述权利要求用紫外光传感器检测紫外光的方法，其中所述一个或多个传感器元件(13)检测光线并由此响应产生信号，其特征在于：
-测量被设计为光敏二极管的传感器元件的第一输出信号，
-测量并通过一因数加权被设计为具有多晶硅涂层的光敏二极管的传感器元件的第二输出信号，
-以及确定所述第一和第二输出信号之间的数学关系。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，作为数学关系，计算所述第一和第二输出信号之间的差异。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于所述第一输出信号通过紫外线组分、VIS/IR组分，以及泄漏电流组分形成。
19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于所述第二输出信号通过加权VIS/IR组分以及加权泄漏电流组分形成。
20.一种根据权利要求1-14用紫外光传感器检测紫外光的方法，其中所述一个或多个传感器元件能够检测光线并由此响应产生信号，其特征在于：
-测量被设计为光敏二极管的传感器元件的第一输出信号，
-测量被设计为暗二极管的传感器元件的第二输出信号，其中所述暗二极管被涂覆不透明金属，并通过一因数加权，
-并且确定所述第一和第二输出信号之间的数学关系。
21.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，作为数学关系，计算所述第一和第二输出信号之间的差异。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于权利要求16-19中至少一项的特征。
CN201580039107.XA 2014-05-19 2015-05-19 杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法 Active CN106605130B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014107062.3 2014-05-19
DE102014107062 2014-05-19
PCT/EP2015/060969 WO2015177129A1 (de) 2014-05-19 2015-05-19 Uv-licht-sensor mit streulichtunterdrückung und verfahren zur detektion von uv-licht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106605130A true CN106605130A (zh) 2017-04-26
CN106605130B CN106605130B (zh) 2019-06-28

Family

ID=52814057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580039107.XA Active CN106605130B (zh) 2014-05-19 2015-05-19 杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10041829B2 (zh)
EP (1) EP3146568B1 (zh)
KR (1) KR102315874B1 (zh)
CN (1) CN106605130B (zh)
DE (2) DE102014111945A1 (zh)
TW (3) TWI578397B (zh)
WO (3) WO2015176834A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109946778A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 张家港康得新光电材料有限公司 光学膜片及具有其的环境光传感器
CN110243469A (zh) * 2018-03-08 2019-09-17 梅斯法国公司 辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法
WO2021102950A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 深圳市大疆创新科技有限公司 光探测器、探测模组和探测装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105047674B (zh) * 2015-08-06 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
DE102018130510A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-04 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlungssensor und Herstellungsverfahren hierfür
US11373967B2 (en) * 2019-11-14 2022-06-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method for packaging the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1532938A (zh) * 2003-02-28 2004-09-29 ������������ʽ���� 半导体装置及其制造方法
CN101044622A (zh) * 2005-06-17 2007-09-26 凸版印刷株式会社 摄像元件
CN101201896A (zh) * 2006-12-13 2008-06-18 日立麦克赛尔株式会社 生物体认证用摄像模块、生物体认证装置及棱镜
US20100178018A1 (en) * 2007-09-06 2010-07-15 Augusto Carlos J R P Photonic Via Waveguide for Pixel Arrays
CN101894849A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 索尼公司 二维固体摄像器件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821810B1 (en) 2000-08-07 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers
US6911392B2 (en) * 2001-08-24 2005-06-28 Schott Glas Process for making contact with and housing integrated circuits
DE10258509B4 (de) * 2002-12-14 2005-10-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines dünnen bruchfesten Halbleiterwafers
US20040200975A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Brown Dale Marius Ultraviolet sensors for monitoring energy in the germicidal wavelengths
JP5006040B2 (ja) * 2003-09-04 2012-08-22 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 異なる検査パラメータを使用する試験片の検査のための方法とシステム
US7294827B2 (en) * 2004-09-21 2007-11-13 Delphi Technologies, Inc. Electronic module with light-blocking features
JP4761505B2 (ja) * 2005-03-01 2011-08-31 キヤノン株式会社 撮像装置、ならびに撮像システム
WO2006134740A1 (ja) * 2005-06-17 2006-12-21 Toppan Printing Co., Ltd. 撮像素子
GB2446821A (en) * 2007-02-07 2008-08-27 Sharp Kk An ambient light sensing system
US7727875B2 (en) * 2007-06-21 2010-06-01 Stats Chippac, Ltd. Grooving bumped wafer pre-underfill system
JP5344336B2 (ja) * 2008-02-27 2013-11-20 株式会社ザイキューブ 半導体装置
CN101661943B (zh) * 2008-08-26 2011-01-26 北京大学 一种单片集成紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法
CN101393922B (zh) * 2008-10-30 2011-06-15 旭丽电子(广州)有限公司 镜头模组及其制作方法
JP5498684B2 (ja) * 2008-11-07 2014-05-21 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体モジュール及びその製造方法
US8803068B2 (en) 2011-01-26 2014-08-12 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having a contiguous IR suppression filter and a transparent substrate
US8598672B2 (en) 2011-01-26 2013-12-03 Maxim Integrated Products, Inc Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip
TWI528533B (zh) * 2012-07-06 2016-04-01 恆景科技股份有限公司 光偵測器及其製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1532938A (zh) * 2003-02-28 2004-09-29 ������������ʽ���� 半导体装置及其制造方法
CN101044622A (zh) * 2005-06-17 2007-09-26 凸版印刷株式会社 摄像元件
CN101201896A (zh) * 2006-12-13 2008-06-18 日立麦克赛尔株式会社 生物体认证用摄像模块、生物体认证装置及棱镜
US20100178018A1 (en) * 2007-09-06 2010-07-15 Augusto Carlos J R P Photonic Via Waveguide for Pixel Arrays
CN101894849A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 索尼公司 二维固体摄像器件

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109946778A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 张家港康得新光电材料有限公司 光学膜片及具有其的环境光传感器
CN110243469A (zh) * 2018-03-08 2019-09-17 梅斯法国公司 辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法
CN110243469B (zh) * 2018-03-08 2024-01-02 梅斯法国公司 辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法
WO2021102950A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 深圳市大疆创新科技有限公司 光探测器、探测模组和探测装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106605130B (zh) 2019-06-28
TW201600834A (zh) 2016-01-01
KR20170009926A (ko) 2017-01-25
KR102315874B1 (ko) 2021-10-20
DE102014111945A1 (de) 2015-11-19
TW201545236A (zh) 2015-12-01
US10041829B2 (en) 2018-08-07
WO2015177115A1 (de) 2015-11-26
DE112015002389A5 (de) 2017-02-09
TWI578397B (zh) 2017-04-11
DE112015002389B4 (de) 2024-01-11
TWI580935B (zh) 2017-05-01
EP3146568B1 (de) 2018-07-11
WO2015177129A1 (de) 2015-11-26
EP3146568A1 (de) 2017-03-29
TW201544800A (zh) 2015-12-01
US20170108372A1 (en) 2017-04-20
WO2015176834A1 (de) 2015-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106605130B (zh) 杂散光抑制式紫外光传感器及紫外光检测方法
US8274051B1 (en) Method and device for optoelectronic sensors with IR blocking filter
KR20110101054A (ko) 분광 센서 장치 및 전자 기기
US20230080013A1 (en) Improvements in spad-based photodetectors
US8309924B2 (en) Circuit arrangement and imaging pyrometer for generating light- and temperature-dependent signals
US10006806B2 (en) Light sensor arrangement and method for temperature compensation in a light sensor arrangement
EP3404379B1 (en) Optical device for angle measurements
US9683889B2 (en) Ultraviolet semiconductor sensor device and method of measuring ultraviolet radiation
CN104515598B (zh) 具有补偿光谱响应的光电二极管
EP0566569A1 (en) Light detector
US12211868B2 (en) Optical crosstalk mitigation for a detector array in an optical receiver
JP4443390B2 (ja) 半導体光検出装置
CN115104012B (zh) 集成式光电检测半导体光电部件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant