CN106569359A - 粘合基板切断方法及利用该方法的粘合基板切断系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种粘合基板切断方法及利用该方法的粘合基板切断系统。所述粘合基板切断方法包括：沿着第一切断线同时切断上部基板及下部基板的步骤；从母基板分离子基板的步骤，其中所述子基板由沿第一切断线切断上部基板形成的上部子基板及沿第一切断线切断下部基板形成的下部子基板粘合形成；沿第二切断线切断上部子基板及下部子基板中任意一个基板的步骤；以及，从任意一个基板分离需要沿第二切断线切断去除的部分的步骤。由于将切断母基板工序分为一起切断所述两个基板进行分离的第一切断工序与仅切断所述两个基板中的一个基板进行分离的第二切断工序进行，因此能够简单、安全地进行切断加工。
Description
技术领域
本发明涉及粘合基板切断方法及利用该方法的粘合基板切断系统，尤其涉及一种用于切断液晶显示板(LCD Panel)等粘合脆性基板的粘合基板切断方法及利用该方法的粘合基板切断系统。
背景技术
液晶显示板是典型的粘合脆性基板，可通过沿切断线切断(cutting)由多个单元(Cell)构成的母(mother)基板分成各子单元形成。如上，可通过沿切断线切断的工序形成液晶显示板。
所述母基板具有形成有滤色片(color filter)的上部基板及形成有薄膜晶体管的下部基板彼此粘合的结构。此处，所述上部基板形成有上部切断线，所述下部基板形成有下部切断线，大部分情况下所述下部基板还形成有执行电极连接部的作用的垫片部，因此所述上部切断线及所述下部切断线之间不一致。
图1为用于说明现有的粘合基板切断方法的概念图。
参见图1，由于所述上部切断线及所述下部切断线之间不一致，因此以往会沿着所述上部切断线照射激光束切断所述上部基板，沿着所述下部切断线照射激光束切断所述下部基板。
然而，根据图1所示的粘合基板切断方法，由于所述上部切断线及所述下部切断线之间不一致，因此切断工序相当复杂，而且切断所述上部基板时激光束的一部分透过射到形成于所述下部基板的垫片部的电极图案或相邻部分的情况下，能够引起所述电极图案的热变形。此处，这些热变形最终造成产品发生通电不良，从而能够造成利用其的显示装置无法点亮或无法正常输出影像等不良。
另外，还可以通过直接接触不同于激光束的金刚石砂轮(Diamond wheel)进行切断加工。然而，这些切断加工也因为所述上部切断线及所述下部切断线之间不一致而使得相互作用的物理压力点不一致，因此粘合基板的剖面直角不垂直会发生破碎。尤其在粘合基板的厚度薄的情况下这种现象会加剧。
发明内容
技术问题
本发明用于解决这些问题，本发明的目的在于提供一种能够更加简单、安全地进行切断加工的粘合基板切断方法。
并且，本发明的目的在于提供一种利用所述粘合基板切断方法的粘合基板切断系统。
技术方案
根据本发明一个实施例的粘合基板切断方法用于切断由上部基板及下部基板粘合而成的母基板，包括：沿着第一切断线同时切断(cutting)所述上部基板及所述下部基板的步骤；从所述母基板分离子基板的步骤，其中所述子基板由沿所述第一切断线切断所述上部基板形成的上部子基板及沿所述第一切断线切断所述下部基板形成的下部子基板粘合形成；沿第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板的步骤；以及从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线切断去除的部分的步骤。
沿着第一切断线切断的所述步骤中可以利用超短脉冲激光(ultra-short pulselaser))的细丝(filamentation)沿着所述第一切断线同时切断所述上部基板及所述下部基板。
或者，沿着第一切断线切断的所述步骤中可以利用分别配置在所述上部基板及所述下部基板的上下的两个折断(scribing)装置沿着所述第一切断线同时切断所述上部基板及所述下部基板，此处，各所述折断装置包括激光及金刚石砂轮(diamond wheel)中任意一个。
从所述母基板分离所述子基板的步骤中可通过选择机(picker)吸附所述子基板从所述母基板分离所述子基板。
或者，从所述母基板分离所述子基板的步骤中可通过断料条(breaking bar)及断料辊(breaking roller)加压所述子基板从所述母基板分离所述子基板。
沿着第二切断线切断的所述步骤可以利用CO2激光沿着所述第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板。
从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分的步骤可以通过由条(bar)及辊(roller)中任意一个构成的加压单元加压需要去除的所述部分沿所述第二切断线折断(break)后，从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分。
所述加压单元可以具有宽度从需要去除的所述部分的外侧向所述第二切断线逐渐变窄的锥子(taper)形状。
并且，根据本发明一个实施例的粘合基板切断系统用于切断由上部基板及下部基板粘合而成的母基板，包括第一切断设备、第二切断设备及控制设备。
所述第一切断设备沿着第一切断线切断(cutting)所述上部基板及所述下部基板，从所述母基板分离子基板，其中所述子基板由沿所述第一切断线切断所述上部基板形成的上部子基板及沿所述第一切断线切断所述下部基板形成的下部子基板粘合形成。所述第二切断设备沿第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板，从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线切断去除的部分。所述控制设备控制所述第一切断设备及所述第二切断设备。
所述第一切断设备可包括第一工作台、第一切断装置、第一移动装置及第一分离装置。所述第一工作台能够支撑所述母基板。所述第一切断装置能够切断所述母基板。所述第一移动装置能够移动所述第一切断装置及所述第一工作台中至少一个使得所述第一切断装置能够沿着所述第一切断线切断所述上部基板及所述下部基板。所述第一分离装置能够从所述母基板分离所述子基板。
所述第一切断装置可包括激光及金刚石砂轮(diamond wheel)中至少一个。或者，所述第一切断装置包括能够利用细丝(filamentation)同时切断所述上部基板及所述下部基板的超短脉冲激光。
所述第一分离装置包括能够通过吸附所述子基板从所述母基板分离所述子基板的选择机(picker)。
或者，所述第一分离装置可包括能够通过加压所述子基板从所述母基板分离所述子基板的断料条(breaking bar)及断料辊(breaking roller)中至少一个。
所述控制设备可以控制所述第一切断装置及所述第一移动装置使得沿着所述第一切断线切断所述上部基板及所述下部基板中任意一个基板后沿着所述第一切断线切断另一个基板，或者同时切断所述上部基板及所述下部基板。
所述第二切断设备可包括第二工作台、第二切断装置、第二移动装置及第二分离装置。所述第二工作台能够支撑所述子基板。所述第二切断装置能够切断所述子基板。所述第二移动装置能够移动所述第二切断装置及所述第二工作台中至少一个使得所述第二切断装置能够沿着所述第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个。所述第二分离装置能够从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分。
所述第二切断装置包括激光及金刚石砂轮(diamond wheel)中至少一个。并且，所述第二切断装置可包括吸收率高于透过率的激光。并且，所述第二切断装置可包括CO2激光。
所述第二分离装置可包括能够加压需要去除的所述部分使得需要去除的所述部分能够从所述任意一个基板分离的加压单元。
所述第二分离装置还可以包括：一侧支撑单元，其支撑对应于所述上部子基板及所述下部子基板中另一个基板的所述第二切断线的部分；以及另一侧支撑单元，其支撑所述任意一个基板。
所述加压单元可包括条(bar)及辊(roller)中任意一个。
所述加压单元可具有宽度从需要去除的所述部分的外侧向所述第二切断线逐渐变窄的锥子(taper)形状。
所述粘合基板切断系统还可以包括能够在所述控制设备的控制下向所述第二切断设备移送在所述第一切断设备分离的所述子基板的移送设备。
技术效果
如上所述，根据本发明的粘合基板切断方法及利用该方法的粘合基板切断系统，将切断由两个基板粘合而成的母基板以分离子基板的工序分为一起切断所述两个基板进行分离的第一切断工序与仅切断所述两个基板中的一个基板进行分离的第二切断工序进行，因此能够简化设备结构，而且工序变数管理也能够变得更加容易。
并且，即使母基板或子基板的大小发生变化，作业人员仍可以在未向设备上添加其他装置的情况下轻松应对。
并且，所述第二切断工序只切断所述两个基板中的一个基板时，利用吸收率高于透过率的CO2激光或无热学性质的金刚石砂轮进行切断，因此能够抑制或最小化向所述两个基板中的另一个基板造成热损伤。
附图说明
图1为用于说明现有的粘合基板切断方法的概念图；
图2为显示根据本发明一个实施例的粘合基板切断系统的框图；
图3为显示需要通过图2的粘合基板切断系统切断的母基板的平面图；
图4为显示图2的粘合基板切断系统中第二切断设备的第二分离装置的剖面图；
图5为用于说明根据本发明一个实施例的粘合基板切断方法的流程图；
图6为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第一切断线切断的过程的平面图；
图7为从概念上说明图5的粘合基板切断方法中沿第一切断线切断后进行分离的过程的立体图；
图8为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第二切断线切断的过程的平面图；
图9为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第二切断线切断的过程的立体图；
图10为从概念上显示通过图9的过程分离后的状态的立体图。
附图标记说明
10：母基板 20：子基板
100：第一切断设备 110：第一工作台
120：第一切断装置 130：第一移动装置
140：第一分离装置 200：移送设备
300：第二切断设备 310：第二工作台
320：第二切断装置 330：第二移动装置
340：第二分离装置 342：一侧支撑单元
344：另一侧支撑单元 336：加压单元
具体实施方式
本发明可做多种变更，可以具有多种形态，以下在附图中显示特定实施例并在说明书中进行具体说明。
但其目的并非将本发明限定于所公开的形态，实际上应该理解为包括本发明思想及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。第一、第二等用语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素不得限定于所述用语。所述用语只是用于区分一个构成要素与其他构成要素。例如，在不脱离本发明技术方案的前提下，可以把第一构成要素命名为第二构成要素，同样也可以把第二构成要素命名为第一构成要素。
本申请中所使用的用语只是用于说明特定实施例，而并非限定本发明。单数的表现形式在无特殊说明的情况下还包括复数。应该将本申请中的“包括”或“具有”等用语理解为存在说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部分或其组合，而不应理解为预先排除一个或多个其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部分或其组合
以下参见附图具体说明本发明的优选实施例。
图2为显示根据本发明一个实施例的粘合基板切断系统的框图，图3为显示需要通过图2的粘合基板切断系统切断的母基板的平面图。
参见图2及图3，本实施例的粘合基板切断系统是切断上部基板及下部基板粘合而成的母基板10的切断装置。
本实施例中，所述母基板10可包括至少一个子基板20，例如可包括排列成二行四列的八个子基板20。并且，所述母基板10上可以形成有用于执行第一切断工序的第一切断线CL1及用于执行第二切断工序的第二切断线CL2。此处，所述第一切断线CL1及第二切断线CL2可以是直接标在所述母基板10的线，但也可以是没有直接标在所述母基板10但只在所述控制设备400的控制过程显示的假想线。
另外，通过所述母基板10将要生成的各所述子基板20例如可以是液晶显示板、有机发光显示板。举具体例子而言，所述下部基板可形成有多个像素、各种驱动电路及垫片部，所述上部基板还可以形成有滤色片。并且，所述上部基板及所述下部基板可以由作为脆性材料的玻璃材料构成。
所述粘合基板切断系统可包括第一切断设备100、移送设备200、第二切断设备300及控制设备400。
所述第一切断设备100可以在所述控制设备400的控制下执行切断所述母基板10的第一切断工序。具体来讲，所述第一切断设备100可以在沿着所述第一切断线CL1切断(cutting)所述上部基板及所述下部基板后，执行从所述母基板10分别分离所述子基板20的动作。此处，分离的各所述子基板20是沿所述第一切断线CL1切断所述上部基板形成的上部子基板及沿所述第一切断线CL1切断所述下部基板形成的下部子基板粘合的结构。
所述移送设备200在所述控制设备400控制下驱动。所述移送设备200可将从所述第一切断设备100分离的各所述子基板20移送到所述第二切断设备300。例如，所述移送设备200可具有传送带、移送机器人等移送部件。
所述第二切断设备300可以在所述控制设备400的控制下执行切断通过所述移送设备200移送的所述子基板20的第二切断工序。具体来讲，所述第二切断设备300可以执行沿所述第二切断线CL2切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板，从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线CL2切断去除的部分的动作。此处，可以使所述任意一个基板为所述上部子基板，另一个基板为所述下部子基板。
所述控制设备400可分别控制所述第一切断设备100、所述移送设备200及所述第二切断设备300。所述控制设备400可以是安装有执行切断工序的程序的计算机装置。
以下对所述第一切断设备100进行具体说明。
所述第一切断设备100可包括第一工作台110、第一切断装置120、第一移动装置130及第一分离装置140。此处，所述第一切断装置120，所述第一移动装置130及所述第一分离装置140可以分别由所述控制设备400控制。
所述第一工作台110可支撑所述母基板10。
所述第一切断装置120相隔地位于所述第一工作台110的上部，能够切断配置于所述第一工作台110上的所述母基板10。所述第一切断装置120例如可以包括激光及金刚石砂轮(diamond wheel)中至少一个。此处，所述第一切断装置120由激光构成的情况下，可以包括能够通过向焦点施加强热进行切断的一般激光，或者可以包括能够利用细丝(filamentation)同时切断所述上部基板及所述下部基板的超短脉冲激光(ultra-shortpulselaser)。
所述第一移动装置130能够移动所述第一切断装置120及所述第一工作台110中至少一个使得所述第一切断装置120能够沿所述第一切断线CL1切断所述上部基板及所述下部基板。例如，所述第一移动装置130可包括设置于所述第一工作台110沿着X轴移动所述第一工作台110的X轴移动部及设置于所述第一切断装置120沿着Y轴移动所述第一切断装置120的Y轴移动部。另外，所述X轴移动部及所述Y轴移动部可以全部设置于所述第一切断装置120沿着X轴及Y轴移动所述第一切断装置120，或可以全部设置于所述第一工作台110沿着X轴及Y轴移动所述第一工作台110。
所述第一分离装置140可以从所述母基板10分离通过所述第一切断装置120切断的所述子基板20。例如，所述第一分离装置140可包括吸附所述子基板20从所述母基板10分离所述子基板20的选择机(picker)。即，所述选择机可在吸附所述子基板20后略施外力从所述母基板10分离所述子基板20。或者，所述第一分离装置140可包括能够通过加压所述子基板20从所述母基板10分离所述子基板20的断料条(breaking bar)及断料辊(breakingroller)中至少一个。
以下具体说明所述第二切断设备300。
所述第二切断设备300可包括第二工作台310、第二切断装置320、第二移动装置330及第二分离装置340。
所述第二工作台310可支撑所述子基板20。
所述第二切断装置320相隔地位于所述第二工作台310的上部，能够切断配置于所述第二工作台310上的所述子基板20。所述第二切断装置320例如可包括激光及金刚石砂轮(diamond wheel)中至少一个。此处，所述第二切断装置320由激光构成的情况下，可以包括透过率高于吸收率的激光，例如可以包括CO2激光。举具体例子而言，所述第二切断装置320可包括中心波长为约9um～11um且玻璃的表面吸收率为87.3％以上、反射率为12.7％、透过率为0.01％以下的CO2激光。
所述第二移动装置330可以移动所述第二切断装置320及所述第二工作台310中至少一个使得所述第二切断装置320能够切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板，例如使得能够沿着所述第二切断线CL2切断所述上部子基板。例如，所述第二移动装置330可包括设置于所述第二工作台310且沿一轴移动所述第二工作台310的一轴移动部及设置于所述第二切断装置320且沿垂直于所述一轴的另一轴移动所述第二切断装置320的另一轴移动部。另外，可以使所述一轴移动部及所述另一轴移动部全部设置于所述第二切断装置320且沿着所述一轴及所述另一轴移动所述第二切断装置320，或者使全部设置于所述第二工作台310且沿着所述一轴及所述另一轴移动所述第二工作台310。
所述第二分离装置340可以从所述任意一个基板，例如从所述上部子基板分离需要沿着所述第二切断线CL2切断去除的部分。
图4为显示图2的粘合基板切断系统中第二切断设备的第二分离装置的剖面图。
参见图4，所述第二分离装置340可包括一侧支撑单元342、另一侧支撑单元344及加压单元336。
所述一侧支撑单元342可支撑所述上部子基板及所述下部子基板中另一个基板，例如可以支撑对应于所述下部子基板的所述第二切断线CL2的部分。此处，所述一侧支撑单元342可包括能够按压对应于所述下部子基板的所述第二切断线CL2的部分进行支撑的压辊。
所述另一侧支撑单元344可按压支撑所述任意一个基板，例如所述上部子基板。此处，所述另一侧支撑单元344可配置在所述任意一个基板中从所述第二切断线CL2向内侧相隔的位置加压支撑所述任意一个基板。
所述加压单元336可以加压所述任意一个基板，例如可以加压所述需要去除的部分使得所述需要去除的部分从所述上部子基板分离。所述加压单元336例如可以包括条(bar)及辊(roller)中任意一个。此处，所述加压单元336可以具有宽度从所述需要去除部分的外侧向所述第二切断线CL2逐渐变窄的锥子(taper)形状，使得能够有效地分离所述需要去除的部分。
以下具体说明利用所述粘合基板切断系统切断粘合基板的方法。
图5为用于说明根据本发明一个实施例的粘合基板切断方法的流程图，图6为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第一切断线切断的过程的平面图，图7为从概念上说明图5的粘合基板切断方法中沿第一切断线切断进行分离的过程的立体图。
图5、图6及图7显示本实施例的粘合基板切断方法，在步骤S10，所述控制设备400可通过分别控制所述第一切断装置120及所述第一移动装置130沿着所述第一切断线CL1切断配置于所述第一工作台110上的所述母基板10。具体来讲，可以沿着所述第一切断线CL1同时切断所述上部基板及所述下部基板。
本实施例中，所述第一切断装置120包括超短脉冲激光(ultra-short pulselaser)的情况下，可以利用细丝(filamentation)沿着所述第一切断线CL1同时切断所述上部基板及所述下部基板。
相反，所述第一切断装置120包括分别配置于所述上部基板及所述下部基板的上下的两个折断(scribing)装置的情况下，可以利用所述折断装置沿着所述第一切断线CL1同时切断所述上部基板及所述下部基板。此处，各所述折断装置可包括向焦点施加强热进行切断的一般激光及通过接触进行切断的金刚石砂轮(diamond wheel)中任意一个。
之后，在步骤S20中，所述控制设备400可通过控制所述第一分离装置140，从所述母基板10分离沿所述第一切断线CL1切断的所述子基板20。例如，所述第一分离装置140包括所述选择机(picker)的情况下，所述选择机吸附所述子基板20后略施外力即可从所述母基板10分离所述子基板20。或者，所述第一分离装置140包括所述断料条及所述断料辊中任意一个的情况下，可以通过加压所述子基板20从所述母基板10分离所述子基板20。
另外，如上分离的所述子基板可以是沿着所述第一切断线CL1切断所述上部基板形成的所述上部子基板及沿着所述第一切断线CL1切断所述下部基板形成的所述下部子基板粘合的结构。
然后，在步骤S30，所述控制设备400可以通过控制所述移送设备200将通过所述第一分离装置140分离的所述子基板20移送到所述第二工作台310。
图8为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第二切断线切断的过程的平面图，图9为用于说明图5的粘合基板切断方法中沿第二切断线切断的过程的立体图，图10为从概念上显示通过图9的过程分离后的状态的立体图。
参见图5及图8至图10，在步骤S40，所述子基板20移送到所述第二工作台310的情况下，所述控制设备400可通过分别控制所述第二切断装置320及所述第二移动装置330，沿着所述第二切断线CL2切断配置于所述第二工作台310上的所述子基板20。具体来讲，可以切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板，例如可以沿着所述第二切断线CL2切断所述上部子基板。
本实施例中，所述第二切断装置320例如可以包括激光及金刚石砂轮(diamondwheel)中至少一个。此处，所述激光可以是吸收率高于透过率的激光，例如可以是CO2激光。
然后，在步骤S50，所述控制设备400可以通过控制所述第二分离装置340从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线CL2切断去除的部分。
举具体例子而言，所述一侧支撑单元342支撑所述上部子基板及所述下部子基板中另一个基板，例如支撑对应于所述下部子基板的所述第二切断线CL2的部分，所述另一侧支撑单元344按压支撑所述任意一个基板，例如所述上部子基板时，所述加压单元336加压所述需要去除的部分以沿着所述第二切断线CL2折断(break)后从所述任意一个基板分离所述需要去除部分。
根据上述本实施例，将切断由所述上部基板及所述下部基板粘合而成的所述母基板10以分离所述子基板10的工序分为一起切断所述两个基板进行分离的第一切断工序与仅切断所述两个基板中的一个基板进行分离的第二切断工序进行，因此能够简化设备结构，而且工序变数管理也能够变得更加容易。
并且，即使所述母基板10或子基板20的大小随种类发生变化，作业人员仍可以在未向设备上添加其他装置的情况下轻松应对。
并且，所述第二切断工序只切断所述两个基板中的一个基板时，利用吸收率高于透过率的CO2激光或无热学性质的金刚石砂轮进行切断，因此能够抑制或最小化向所述两个基板中的另一个基板造成热损伤。
以上参照本发明的优选实施例对本发明进行了具体说明，但本领域的普通技术人员应当理解其依然可以在不脱离技术方案记载的本发明思想及领域的范围内对本发明进行多种修改及变形。
Claims (24)
1.一种粘合基板切断方法，用于切断由上部基板及下部基板粘合而成的母基板，其特征在于，包括：
沿着第一切断线同时切断所述上部基板及所述下部基板的步骤；
从所述母基板分离子基板的步骤，其中所述子基板由沿所述第一切断线切断所述上部基板形成的上部子基板及沿所述第一切断线切断所述下部基板形成的下部子基板粘合形成；
沿第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板的步骤；以及
从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线切断去除的部分的步骤。
2.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
沿着第一切断线切断的所述步骤中，利用超短脉冲激光的细丝沿着所述第一切断线同时切断所述上部基板及所述下部基板。
3.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
沿着第一切断线切断的所述步骤中，利用分别配置在所述上部基板及所述下部基板的上下的两个折断装置沿着所述第一切断线同时切断所述上部基板及所述下部基板，
各所述折断装置包括激光及金刚石砂轮中任意一个。
4.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
从所述母基板分离所述子基板的步骤中，选择机通过吸附所述子基板从所述母基板分离所述子基板。
5.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
从所述母基板分离所述子基板的步骤中，断料条及断料辊通过加压所述子基板从所述母基板分离所述子基板。
6.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
沿着第二切断线切断的所述步骤中，利用CO2激光沿着所述第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板。
7.根据权利要求1所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分的步骤中，由条及辊中任意一个构成的加压单元加压需要去除的所述部分沿所述第二切断线折断后，从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分。
8.根据权利要求7所述的粘合基板切断方法，其特征在于：
所述加压单元具有宽度从需要去除的所述部分的外侧向所述第二切断线逐渐变窄的锥子形状。
9.一种粘合基板切断系统，用于切断由上部基板及下部基板粘合而成的母基板，其特征在于，包括：
第一切断设备，其沿着第一切断线切断所述上部基板及所述下部基板，并从所述母基板分离子基板，其中所述子基板由沿所述第一切断线切断所述上部基板形成的上部子基板及沿所述第一切断线切断所述下部基板形成的下部子基板粘合形成；
第二切断设备，其沿第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个基板，并从所述任意一个基板分离需要沿所述第二切断线切断去除的部分；以及
控制设备，其控制所述第一切断设备及所述第二切断设备。
10.根据权利要求9所述的粘合基板切断系统，其特征在于，所述第一切断设备包括：
第一工作台，其能够支撑所述母基板；
第一切断装置，其能够切断所述母基板；
第一移动装置，其能够移动所述第一切断装置及所述第一工作台中至少一个使得所述第一切断装置能够沿着所述第一切断线切断所述上部基板及所述下部基板；以及
第一分离装置，其能够从所述母基板分离所述子基板。
11.根据权利要求10所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第一切断装置包括激光及金刚石砂轮中至少一个。
12.根据权利要求10所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第一切断装置包括能够利用细丝同时切断所述上部基板及所述下部基板的超短脉冲激光。
13.根据权利要求10所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第一分离装置包括能够通过吸附所述子基板从所述母基板分离所述子基板的选择机。
14.根据权利要求10所述的粘合基板切断系统，其特征在于，所述第一分离装置包括：
能够通过加压所述子基板从所述母基板分离所述子基板的断料条及断料辊中至少一个。
15.根据权利要求10所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述控制设备控制所述第一切断装置及所述第一移动装置使得沿着所述第一切断线切断所述上部基板及所述下部基板中任意一个基板后沿着所述第一切断线切断另一个基板，或者同时切断所述上部基板及所述下部基板。
16.根据权利要求9所述的粘合基板切断系统，其特征在于，所述第二切断设备包括：
第二工作台，其能够支撑所述子基板；
第二切断装置，其能够切断所述子基板；
第二移动装置，其能够移动所述第二切断装置及所述第二工作台中至少一个使得所述第二切断装置能够沿着所述第二切断线切断所述上部子基板及所述下部子基板中任意一个；以及
第二分离装置，其能够从所述任意一个基板分离需要去除的所述部分。
17.根据权利要求16所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第二切断装置包括激光及金刚石砂轮中至少一个。
18.根据权利要求16所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第二切断装置包括吸收率高于透过率的激光。
19.根据权利要求16所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述第二切断装置包括CO2激光。
20.根据权利要求16所述的粘合基板切断系统，其特征在于，所述第二分离装置包括：
加压单元，其能够加压需要去除的所述部分使得需要去除的所述部分能够从所述任意一个基板分离。
21.根据权利要求20所述的粘合基板切断系统，其特征在于，所述第二分离装置还包括：
一侧支撑单元，其支撑对应于所述上部子基板及所述下部子基板中另一个基板的所述第二切断线的部分；以及
另一侧支撑单元，其支撑所述任意一个基板。
22.根据权利要求20所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述加压单元包括条及辊中任意一个。
23.根据权利要求20所述的粘合基板切断系统，其特征在于：
所述加压单元具有宽度从需要去除的所述部分的外侧向所述第二切断线逐渐变窄的锥子形状。
24.根据权利要求9所述的粘合基板切断系统，其特征在于，还包括：
移送设备，其能够在所述控制设备的控制下向所述第二切断设备移送在所述第一切断设备分离的所述子基板。
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