CN106531869A - 一种凸型led芯片结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种凸型LED芯片结构，包括衬底、反射层、缓冲层和LED发光结构；所述衬底的上表面覆盖有发射层，所述反射层上覆盖有缓冲层，所述缓冲层的上设置有LED发光结构；所述LED发光结构为凸台结构，凸台两侧面与水平面间的夹角小于45°，所述LED发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电膜；所述第一半导体层覆盖在缓冲层上，且所述有源层覆盖在第一半导体层上，所述缓冲层上覆盖有第二半导体层。本发明通过在衬底上覆盖有反射层，且在反射层上覆盖有缓冲层，避免对衬底进行图形化，降低生产成本以及提高生产效率；通过将LED发光结构的侧面设计成凸台结构，能够有效减少全发射现象，增加LED灯的出光亮。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及到一种凸型LED芯片结构及其制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED灯发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品己具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命长，且不含汞，具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。LED灯是广泛应用于人们的日常生活，例如交通红绿灯、车头灯、户外显示器、手机背光源，电器的指示灯、部分照明路灯等都广泛采用尤其而言，在节能环保方面，LED灯相比普通白炽灯和荧光灯具有明显的优势，因此未来LED光源代替传统光源成为主要照明光源己经成为共识。
然而要代替传统光源，LED的成本要尽可能低，目前LED发光结构通常都是采用金属有机物化学气相沉积(M0CVD)技术异质外延制备。其中,常用的异质衬底目前主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，然而硅衬底以其便宜的价格，大尺寸等优势，在LED照明上具有极其明显的优势。但是，由于硅衬底具有吸光特性，因此硅衬底上的外延层需要转移到另外的衬底上以制备成垂直结构LED芯片。虽然通过砝衬底转移得到的垂直结构LED芯片有很多的优势，但是芯片的成本会升高。
另外现有技术中LED灯采用黄光制程，采用黄光制成导致LED灯的出光量比较小，为解决LED芯片的制造成本高且出光量低的问题，先设计一种凸型LED芯片结构。
发明内容
本发明提供的一种凸型LED芯片结构及其制造方法，通过在衬底上覆盖有反射层，且在反射层上覆盖有缓冲层；通过将LED发光结构的侧面设计成凸台结构，凸台两侧面与水平面间的夹角小于45°，解决了LED芯片制造成本高、生产效率低且LED灯的出光量低的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种凸型LED芯片结构，包括衬底、反射层和LED发光结构；
所述衬底的上表面覆盖有发射层，所述反射层的上方设置有LED发光结构；
所述LED发光结构为凸台结构，所述LED发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电膜；所述第一半导体层覆盖在缓冲层上，且所述有源层覆盖在第一半导体层上，所述缓冲层上覆盖有第二半导体层。
进一步地，还包括缓冲层，所述缓冲层设置在反射层和LED发光结构之间，所述缓冲层的厚度为100-300nm。
进一步地，所述LED发光结构两倾斜面与水平面间的夹角小于45°。
进一步地，所述第二半导体上覆盖有透明导电膜；所述透明导电膜上设置有第一电极；所述第一半导层上设置有第一电极。
进一步地，所述制备反射层的材料为氧化硅，且反射层采用反射镜结构设计，所述反射层的厚度为1-3um。
进一步地，所述第一半导体层为P型掺杂，第二半导体层为N型掺杂，或第一半导体层为N型掺杂，第二半导体层为P型掺杂。
一种LED的制造方法，包括以下步骤：
S1、提供衬底；
S2、在衬底的上表面通过蒸发的方式形成反射层；
S3、在反射层的上表面通过溅射法形成缓冲层；
S4、在反射层的表面上形成LED发光结构，其中LED发光结构(40)包括包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电膜；依次在反射层的表面上沉积第一半导体层、有源层和第二半导体层；
S5、在第二半导体层的上表面贴有透明导电膜；
S6、提供凹模板，通过将凹模板倒置在LED发光结构，并采用蚀刻的方式将LED发光结构蚀刻成凸台状；
S7、在凸台状LED发光结构上的第一半导体层上设置有第一电极；在透明导电膜上设置有第一电极。
进一步地，所述缓冲层的形成工艺，采用铝靶，工作气压为1.3Pa，功率为100W，所述衬底的温度为400℃，溅射气氛中的氮气浓度为60％。
进一步地，所述凹模板的第一斜边和第二斜边与水平面的夹角分别小于45°。
本发明的有益效果：本发明通过在衬底上覆盖有反射层，且在反射层上覆盖有缓冲层，避免对衬底进行图形化，降低生产成本以及提高生产效率；通过将LED发光结构的侧面设计成凸台结构，能够有效减少全发射现象，增加LED灯的出光亮。
附图说明
为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明一种LED局部结构示意图；
图2为本发明一种凸型LED芯片结构示意图；
图3为本发明LED发光结构制作的凹模板结构示意图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
10-衬底，20-反射层，30-缓冲层，40-LED发光结构，100-凹模板，101-第一斜边，102-第二斜边，401-第一半导体层，402-有源层，403-第二半导体层，404-透明导电膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1、2所示，一种凸型LED芯片结构，包括衬底10、反射层20、缓冲层30和LED发光结构40,在衬底10的上表面覆盖有发射层20，反射层20的上表面覆盖有缓冲层30，缓冲层30上方覆盖有LED发光结构40；
LED发光结构40包括第一半导体层401、有源层402、第二半导体层403和透明导电膜404；第一半导体层401覆盖在缓冲层30上，且有源层402覆盖在第一半导体层401上，缓冲层30上覆盖有第二半导体层403，第二半导体403上覆盖有透明导电膜404；
其中第一半导体层401为P型掺杂，第二半导体层403为N型掺杂，或第一半导体层401为N型掺杂，第二半导体层403为P型掺杂；
反射层20为氧化硅材料制成，且采用反射镜结构设计，反射层20的厚度为1-3um。
如图3所示，为一凹模板100，凹模板100的第一斜边101和第二斜边102与水平面的夹角分别小于45°，通过凹模板100对LED发光结构40进行制作，形成具有凸台结构的LED发光结构；凸台LED发光结构40的一边具有部分厚度的第一半导体层401，在部分厚度的第一半导体401上设置有第一电极201；在透明导电膜404上设置有第一电极201。
呈凸台结构的LED发光结构40，凸台的倾斜面与水平面的夹角分别小于45°。
一种LED的制作方法，包括如下步骤：
S1、提供衬底10；
S2、在衬底10的上表面通过蒸发的方式形成1-3um的氧化硅的结构，即为反射层20；
S3、在反射层20的上表面通过溅射法形成缓冲层30；
S4、在反射层20的表面上形成LED发光结构40，其中LED发光结构40包括包括第一半导体层401、有源层402、第二半导体层403和透明导电膜404；依次在反射层20的表面上沉积第一半导体层401、有源层402和第二半导体层403；
S5、在第二半导体层403的上表面贴有透明导电膜404；
S6、提供一个凹模板100，通过将凹模板100倒置在LED发光结构40，并采用蚀刻的方式将LED发光结构40蚀刻成凸台状，形成的LED发光结构40的两侧面为为倾斜面，且倾斜面与水平面的夹角小于45°；
S7、凸台状的LED发光结构40上的第一半导体层401上设置有第一电极201；在透明导电膜404上设置有第一电极201。
采用溅射法形成缓冲层30的具体工艺：采用铝靶，工作气压为1.3Pa，功率为100W，衬底11的温度为400℃，溅射气氛中的氮气浓度为60％。
第一半导体层401采用P-GaN进行沉积，且沉积的厚度为2um；第二半导体层403采用N-GaN进行沉积，且沉积的厚度为200nm。
本发明通过在衬底上覆盖有反射层，且在反射层上覆盖有缓冲层，避免对衬底进行图形化，降低生产成本以及提高生产效率；通过将LED发光结构的侧面设计成凸台结构，能够有效减少全发射现象，增加LED灯的出光亮。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种凸型LED芯片结构，其特征在于：包括衬底(10)、反射层(20)和LED发光结构(50)；
所述衬底(10)的上表面覆盖有发射层(20)，所述反射层(20)的上方设置有LED发光结构(40)；
所述LED发光结构(40)为凸台结构，所述LED发光结构(40)包括第一半导体层(401)、有源层(402)、第二半导体层(403)和透明导电膜(404)；所述第一半导体层(401)覆盖在缓冲层(30)上，且所述有源层(402)覆盖在第一半导体层(401)上，所述缓冲层(30)上覆盖有第二半导体层(403)。
2.根据权利要求1所述的一种凸型LED芯片结构，其特征在于：还包括缓冲层(30)，所述缓冲层(30)设置在反射层(20)和LED发光结构(50)之间，所述缓冲层(30)的厚度为100-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种凸型LED芯片结构，其特征在于：所述LED发光结构(40)两倾斜面与水平面间的夹角小于45°。
4.根据权利要求1所述的一种凸型LED芯片结构，其特征在于：所述第二半导体(403)上覆盖有透明导电膜(404)；所述透明导电膜(404)上设置有第一电极(201)；所述第一半导层(401)上设置有第一电极(201)。
5.根据权利要求1所述的一种凸型LED芯片结构，其特征在于：所述制备反射层(20)的材料为氧化硅，且反射层(20)采用反射镜结构设计，所述反射层(20)的厚度为1-3um。
6.根据权利要求1所述的一种凸型LED芯片结构，其特征在于：所述第一半导体层(401)为P型掺杂，第二半导体层(403)为N型掺杂，或第一半导体层(401)为N型掺杂，第二半导体层(403)为P型掺杂。
7.一种LED的制造方法，包括以下步骤：
S1、提供衬底(10)；
S2、在衬底(10)的上表面通过蒸发的方式形成反射层(20)；
S3、在反射层(20)的上表面通过溅射法形成缓冲层(30)；
S4、在反射层(20)的表面上形成LED发光结构(40)，其中LED发光结构(40)包括包括第一半导体层(401)、有源层(402)、第二半导体层(403)和透明导电膜(404)；依次在反射层(20)的表面上沉积第一半导体层(401)、有源层(402)和第二半导体层(403)；
S5、在第二半导体层(403)的上表面贴有透明导电膜(404)；
S6、提供凹模板(100)，通过将凹模板(100)倒置在LED发光结构(40)，并采用蚀刻的方式将LED发光结构(40)蚀刻成凸台状；
S7、在凸台状LED发光结构(40)上的第一半导体层(401)上设置有第一电极(201)；在透明导电膜(404)上设置有第一电极(201)。
8.根据权利要求1所述的一种LED的制造方法，其特征在于：所述缓冲层(30)的形成工艺，采用铝靶，工作气压为1.3Pa，功率为100W，所述衬底(11)的温度为400℃，溅射气氛中的氮气浓度为60％。
9.根据权利要求1所述的一种LED的制造方法，其特征在于：所述凹模板(100)的第一斜边(101)和第二斜边(102)与水平面的夹角分别小于45°。
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|---|---|
| CN (1) | CN106531869A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108393102A (zh) * | 2018-02-10 | 2018-08-14 | 北京工业大学 | 一种可实现正面侧面同时观测的微流控芯片及制备方法 |
| CN109728146A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-05-07 | 郑州师范学院 | 一种包含反射材料的氮化镓二极管 |
| CN110943150A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-03-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解led芯片及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872821A (zh) * | 2010-05-24 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法 |
| CN103413874A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-11-27 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
| CN103682006A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led结构及其制造方法 |
| CN104347770A (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-11 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| CN206364054U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-28 | 合肥市华达半导体有限公司 | 一种凸型led芯片结构 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611260230.7A patent/CN106531869A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872821A (zh) * | 2010-05-24 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法 |
| CN104347770A (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-11 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| CN103413874A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-11-27 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
| CN103682006A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led结构及其制造方法 |
| CN206364054U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-28 | 合肥市华达半导体有限公司 | 一种凸型led芯片结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108393102A (zh) * | 2018-02-10 | 2018-08-14 | 北京工业大学 | 一种可实现正面侧面同时观测的微流控芯片及制备方法 |
| CN109728146A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-05-07 | 郑州师范学院 | 一种包含反射材料的氮化镓二极管 |
| CN110943150A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-03-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解led芯片及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170322 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |