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CN106504971B - 一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置 - Google Patents

一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置，涉及显示技术领域，可提高基板良率。所述等离子刻蚀方法包括：从刻蚀腔室中实时采集获取波长‑光强图，并根据所述波长‑光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。用于刻蚀待刻蚀基板。

Description

一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置。
背景技术
基板的制备过程中，常采用等离子体刻蚀的方式来形成基板上的预定图案。等离子体刻蚀是利用高频电源和反应气体生成低温等离子体，其包含离子和自由基，该离子和自由基与待刻蚀基板上未被光刻胶覆盖的物质反应生成挥发性物质，从而达到刻蚀的效果。
现有技术是根据待刻蚀膜层的成分，分析出反应生成物化学式，再查找该生成物对应的温度与蒸汽压曲线，找到该生成物固态和气态临界点所对应的温度，作为刻蚀腔室的温度，对待刻蚀基板进行刻蚀。在整个刻蚀过程中，腔室内的温度是固定不变的。
然而，由于刻蚀过程中刻蚀腔室内生成物的成分会有所变化，设置的固定腔室温度不能与每种生成物的蒸汽压完全匹配，导致部分生成物无法以气态被抽出刻蚀腔室，而会以固态沉积在刻蚀腔室上部电极板或者刻蚀腔室内壁板等部件上，沉积物达到一定重量时会脱落掉在待刻蚀基板表面，导致基板产生异物类不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置，可提高基板良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种等离子刻蚀方法，包括：从刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。
优选的，根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物，具体包括：根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
进一步优选的，所述方法还包括：采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
优选的，根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度，具体包括：根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
进一步优选的，根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度，具体包括：根据所述生成物，通过所述生成物的温度与蒸汽压曲线，得到所述生成物的固气临界温度。
或者，根据所述生成物，通过查找生成物-固气临界温度对照表，得到所述生成物的固气临界温度。
另一方面，提供一种等离子刻蚀装置，包括：刻蚀腔室、终点探测结构、以及温度控制结构；所述刻蚀腔室，用于对待刻蚀基板进行刻蚀；所述终点探测结构，用于从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；所述温度控制结构，用于根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。
优选的，所述终点探测结构，具体用于：从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图；根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
进一步优选的，所述终点探测结构，还用于：采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
优选的，所述温度控制结构，具体用于：根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
基于上述，优选的，所述终点探测结构包括：光强采集器、光纤、以及控制器；所述光强采集器用于采集所述刻蚀腔室内各波长的光强信号，并通过所述光纤将所述光强信号传输至所述控制器；所述控制器将所述光强信号转化为数字信号，获取所述波长-光强图。
本发明实施例提供一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置，通过实时采集刻蚀腔室内的生成物，并根据生成物实时监控刻蚀腔室内的温度，使得刻蚀腔室内的主要生成物能以气态被抽出刻蚀腔室，而不会以固态沉积在刻蚀腔室内部，因此不会有沉积物脱落掉在待刻蚀基板表面，从而确保基板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种刻蚀腔室中各波长的波长-光强图；
图2为本发明实施例提供的一种各波长的光强随时间变化图；
图3为本发明实施例提供的一种等离子刻蚀方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的一种预设波长的光强随时间变化图；
图5为本发明实施例提供的一种等离子刻蚀装置。
附图标记：
10-刻蚀腔室；20-终点探测结构；30-温度控制结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
等离子刻蚀的原理为：利用高频电源和反应气体生成低温等离子体，其包含离子和自由基，该离子和自由基与待刻蚀基板上未被光刻胶覆盖的物质反应生成挥发性物质，控制刻蚀腔室内的温度等于含量最多的生成物的固气临界温度，使该生成物转化为气体，被真空泵抽出刻蚀腔室，完成对待刻蚀基板的刻蚀。
本发明实施例提供一种等离子刻蚀方法，包括：
S10、从刻蚀腔室中实时采集获取如图1所示的波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到刻蚀腔室内含量最多的生成物。
其中，不对波长-光强图的采集方式进行限定，例如，可以但不限于采用终点探测装置实时采集刻蚀腔室中各波长的波长-光强图。终点探测装置是一种用于对刻蚀反应进行程度进行监控和判断的光学分析仪器。
此处，图1为某一时刻，刻蚀腔室中各波长的波长-光强图，图1中横坐标表示波长的长度，单位为nm；纵坐标表示光强的强度。图1中与A、B、C、D、E五点对应的波长，其光强度较强，但相比之下，与E点对应的波长的光强最强。一种生成物对应一个波长，光强最强，则说明刻蚀腔室中，与该波长对应的生成物的含量最多。从而可根据波长-光强图直接得到刻蚀腔室内含量最多的生成物。
S20、根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。
其中，一种生成物对应一个固气态临界温度，根据刻蚀腔室内生成物的不同，实时监控刻蚀腔室内的温度。
本发明实施例提供一种等离子刻蚀方法，通过实时采集刻蚀腔室内的生成物，并根据生成物实时监控刻蚀腔室内的温度，使得刻蚀腔室内各个阶段的主要生成物均能以气态被抽出刻蚀腔室，而不会以固态沉积在刻蚀腔室内部，因此不会有沉积物脱落掉在待刻蚀基板表面，从而确保基板的良率。
优选的，所述方法还包括：
S30、采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
其中，每一种材料的膜层在刻蚀过程中会产生多种生成物，根据多种生成物可以采集获取得到如图2所示的各波长的时间-光强图。其中，横坐标表示刻蚀时间，单位为s；纵坐标表示强度，每一条曲线代表一种波长。在调试过程中，从图2中选取出强度突变较为明显的曲线所对应的波长作为刻蚀反应过程中的预设波长。在刻蚀反应过程中，采集获取预设波长对应的时间-光强图，预设波长光强的突变点即为刻蚀结束的时刻，从而检测出与预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
本发明实施例通过采集获取预设波长对应的时间-光强图，可直接检测出刻蚀终点，无需增加新结构，远离简单，成本较低。
下面结合具体的实施例，对本发明实施例提供的等离子刻蚀方法进行说明：
实施例一
本发明提供一种等离子刻蚀方法，如图3所示，包括：
S100、从刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，根据所述波长-光强图，得到刻蚀腔室内光强最强的波长。
其中，如图1所示，某一时刻的波长-光强图中，该时刻E点对应的波长的光强最强。
S200、根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
其中，波长与生成物为一一对应关系。
S300、根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度。
其中，生成物与固气临界温度为一一对应关系。根据所述生成物，可以通过查找该生成物的温度与蒸汽压曲线，得到所述生成物的固气临界温度。也可以通过查找预先输入的生成物-固气临界温度对照表，得到所述生成物的固气临界温度。
S400、控制刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
其中，光强最强的波长发生变化，则含量最多的生成物会相应的发生变化，与生成物对应的固气临界温度就会发生变化，基于此，刻蚀腔室的控制温度也要随之发生变化。在刻蚀过程中，时刻保持刻蚀腔室的温度与各个时刻得到的所述固气临界温度相等。
S500、采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
其中，如图4所示，为预设波长对应的时间-光强图，该波长的光强在刻蚀开始33s后发生突变，因此与该预设波长对应的膜层在刻蚀开始33s后结束。
例如，在多层刻蚀时，在同一个刻蚀腔室中依次对A-Si、光刻胶、金属Mo(钼)、A-Si进行刻蚀。完成对A-Si的刻蚀后，刻蚀腔室中通入新的反应气体，刻蚀产生新的生成物，此时需要对刻蚀腔室的温度进行调整，以使新的生成物能够以气态被真空泵抽出。
此处，通过根据生成物的不同，对刻蚀腔室的温度进行实时控制，使得刻蚀腔室内的温度与每个成分最多的生成物的固气临界温度完全匹配，以使新的生成物能够以气态被真空泵抽出，避免待刻蚀基板产生异物类不良。此外，根据光强最强的波长得到含量最多的生成物，并根据生成物对应的温度与蒸汽压曲线或者生成物-固气临界温度对照表可直接得到生成物的固气临界温度，原理简单，易于实现，且效率高。
本发明实施例还提供一种等离子刻蚀装置，如图5所示，包括：刻蚀腔室10、终点探测结构20、以及温度控制结构30；所述刻蚀腔室10，用于对待刻蚀基板进行刻蚀；所述终点探测结构20，用于从刻蚀腔室10中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到刻蚀腔室10内含量最多的生成物；所述温度控制结构30，用于根据生成物实时控制刻蚀腔室10内的温度。
其中，终点探测结构20通过对刻蚀腔室10内反应过程中的生成物进行采集分析，得到刻蚀腔室10内含量最多的生成物的化学式组成，并将生成物发送至与其连接的温度控制结构30。温度控制结构30根据生成物的不同，对刻蚀腔室10内的反应温度进行调控。
本发明实施例提供一种等离子刻蚀装置，通过实时采集刻蚀腔室10内的生成物，并根据生成物实时监控刻蚀腔室10内的温度，使得刻蚀腔室10内的主要生成物能以气态被抽出刻蚀腔室10，而不会以固态沉积在刻蚀腔室10内部，因此不会有沉积物脱落掉在待刻蚀基板表面，从而确保基板的良率。
优选的，所述终点探测结构20，具体用于：从刻蚀腔室10中实时采集获取波长-光强图；根据所述波长-光强图，得到刻蚀腔室10内光强最强的波长；根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
其中，在终点探测结构20中输入生成物与波长的对应表，终点探测结构20采集获取到波长-光强图后，分析得到光强最强的波长，根据生成物与波长对应表得到含量最多的生成物，并将生成物信号传输至温度控制结构30。
本发明实施例通过终点探测结构20得到含量最多的生成物，操作方便，原理简单，技术成熟。
进一步优选的，所述终点探测结构20，还用于：采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
本发明实施例通过采用终点探测结构20检测膜层的刻蚀终点，无需增加新的结构，节省空间，降低成本。
优选的，所述温度控制结构30，具体用于：根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制刻蚀腔室10的温度等于所述固气临界温度。
其中，在温度控制结构30中输入生成物的温度与蒸汽压曲线或者生成物-固气临界温度对照表，根据终点探测结构20输送的生成物，查找所述曲线或所述对照表得到所述生成物的固气临界温度，并实时控制刻蚀腔室10内的温度等于所述固气临界温度。
本发明实施例通过采用温度控制结构30得到生成物的固气临界温度，并控制刻蚀腔室10的温度等于所述固气临界温度，实现实时监测实时控制，原理简单，易于实现。
基于上述，优选的，所述终点探测结构20包括：光强采集器、光纤、以及控制器；光强采集器用于采集刻蚀腔室10内各波长的光强信号，并通过光纤将光强信号传输至控制器；控制器将光强信号转化为数字信号，获取波长-光强图。
其中，光强采集器伸入到刻蚀腔室10内，对各波长的光强信号进行采集，并通过光纤将光强信号传输至控制器，控制器内的电荷耦合元件对光强信号进行模数转换，转换为数字信号，以获取波长-光强图。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，包括：
从刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；
根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；
控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物，具体包括：
根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；
根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，还包括：
采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度，具体包括：
根据所述生成物，通过所述生成物的温度与蒸汽压曲线，得到所述生成物的固气临界温度；或者，
根据所述生成物，通过查找生成物-固气临界温度对照表，得到所述生成物的固气临界温度。
5.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室、终点探测结构、以及温度控制结构；
所述刻蚀腔室，用于对待刻蚀基板进行刻蚀；
所述终点探测结构，用于从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；
所述温度控制结构，用于根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
6.根据权利要求5所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构，具体用于：
从所述刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图；
根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内光强最强的波长；
根据光强最强的波长，得到与其对应的生成物。
7.根据权利要求6所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构，还用于：
采集获取预设波长对应的时间-光强图，并根据所述时间-光强图，检测与所述预设波长对应的膜层的刻蚀终点。
8.根据权利要求5-7任一项所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述终点探测结构包括：光强采集器、光纤、以及控制器；
所述光强采集器用于采集所述刻蚀腔室内各波长的光强信号，并通过所述光纤将所述光强信号传输至所述控制器；
所述控制器将所述光强信号转化为数字信号，获取所述波长-光强图。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111029239A (zh) * 2019-12-27 2020-04-17 上海华力集成电路制造有限公司 一种估算干刻设备中等离子体气体温度的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200023A (en) * 1991-08-30 1993-04-06 International Business Machines Corp. Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control
CN1619788A (zh) * 2003-06-18 2005-05-25 应用材料有限公司 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统
CN1812066A (zh) * 2005-01-27 2006-08-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
CN101128910A (zh) * 2005-01-18 2008-02-20 点35微结构有限公司 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置
CN101572219A (zh) * 2008-04-29 2009-11-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种腔室状态监控系统、方法以及半导体处理设备
CN104078398A (zh) * 2014-07-25 2014-10-01 上海华力微电子有限公司 一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔
CN104091758A (zh) * 2014-07-25 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法
CN104183514A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 中微半导体设备(上海)有限公司 改善tsv刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法
CN104733336A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法
CN105336563A (zh) * 2014-07-24 2016-02-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 刻蚀装置及刻蚀方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176815A (ja) * 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置
WO2003081216A2 (en) * 2002-03-20 2003-10-02 Tokyo Electron Limited Process monitoring using infrared optical diagnostics
US20060261036A1 (en) * 2005-04-11 2006-11-23 Stmicroelectronics S.R.L. Method for patterning on a wafer having at least one substrate for the realization of an integrated circuit

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200023A (en) * 1991-08-30 1993-04-06 International Business Machines Corp. Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control
CN1619788A (zh) * 2003-06-18 2005-05-25 应用材料有限公司 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统
CN101128910A (zh) * 2005-01-18 2008-02-20 点35微结构有限公司 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置
CN1812066A (zh) * 2005-01-27 2006-08-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
CN101572219A (zh) * 2008-04-29 2009-11-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种腔室状态监控系统、方法以及半导体处理设备
CN104183514A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 中微半导体设备(上海)有限公司 改善tsv刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法
CN104733336A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法
CN105336563A (zh) * 2014-07-24 2016-02-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 刻蚀装置及刻蚀方法
CN104078398A (zh) * 2014-07-25 2014-10-01 上海华力微电子有限公司 一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔
CN104091758A (zh) * 2014-07-25 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法

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