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CN106449917A - 发光二极管及其形成方法 - Google Patents

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CN106449917A
CN106449917A CN201611037506.5A CN201611037506A CN106449917A CN 106449917 A CN106449917 A CN 106449917A CN 201611037506 A CN201611037506 A CN 201611037506A CN 106449917 A CN106449917 A CN 106449917A
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Abstract

本发明提供一种发光二极管及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成量子阱结构；在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；在所述应力释放层上形成第二电极层。所述形成方法能够降低量子阱结构因晶格失配产生的应力对所述第二电极层的影响，从而能够提高所述第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。

Description

发光二极管及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其形成方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于具有寿命长、耗能低等优点，广泛应用于各种领域。尤其随着发光二极管照明性能指标的大幅度提高，发光二极管常用于发光装置。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光功率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电器件等领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。
氮化镓(GaN)发光二级管的基本结构包括P型氮化镓层和N型氮化镓层构成的PN结。发光效率和光波长是发光二极管的重要性质。为了增加发光二极管的发光效率，量子阱结构被引入发光二极管中，即在P型氮化镓层和N型氮化镓层之间形成一层量子阱结构。
量子阱结构是由两种不同材料薄层相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的量子阱，这两种不同材料薄层分别为垒层和阱层。量子阱结构能够有效提高发光二级管的发光效率，并可以形成波长可调的二极管。
然而，现有的发光二级管中量子阱结构中的应力较大，导致发光二级管抗静电能力差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种发光二极管及其的形成方法，能够提高发光二极管的性能。
为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成量子阱结构；在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；在所述应力释放层上形成第二电极层。
可选的，所述掺杂离子为碳离子。
可选的，所述应力释放层的材料为含有掺杂离子的GaN、含有掺杂离子的GaAs或含有掺杂离子的GaP。
可选的，形成所述应力释放层的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
可选的，所述应力释放层的材料为含有碳离子的GaN；形成所述应力释放层的反应气体包括镓源气体和氮源气体，所述镓源气体包括三甲基镓和三乙基镓中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气；载气包括氮气和氢气中的一种或两种组合。
可选的，所述应力释放层中还含有镁；所述反应气体还包括镁源气体，所述镁源气体包括二茂镁。
可选的，形成所述应力释放层的工艺参数包括：反应温度为600℃～900℃；三甲基的流量为50sccm～70sccm；二茂镁的流量为450sccm～550sccm；氨气的流量为45L/min～55L/min；氮气的流量为55L/min～75L/min；氢气的流量为115L/min～125L/min。
可选的，所述应力释放层的厚度为1nm～2000nm。
可选的，所述第一电极层中具有N型离子，所述第二电极层中具有P型离子，所述应力释放层中具有P型离子。
可选的，所述P型离子为镁离子，所述应力释放层中镁离子的浓度为1E18atoms/cm3～2E20atoms/cm3。
可选的，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述第一电极层表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层。
可选的，所述阱层的材料为InGaN；所述垒层的材料为GaN。
可选的，所述阱层的层数为2层～30层；所述垒层的层数为3层～31层。
可选的，形成所述垒层与所述阱层的工艺包括金属有机化学气相沉积工艺。
可选的，形成所述第二电极层的工艺包括金属有机化学气相沉积工艺。
可选的，形成所述第一电极层之前，还包括：在所述衬底上形成成核层；在所述成核层上形成缓冲层。
相应的，本发明还提供一种发光二极管，包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层上的量子阱结构；位于所述量子阱结构上的应力释放层，所述应力释放层中具有掺杂离子；位于所述应力释放层上的第二电极层。
可选的，所述掺杂离子为碳离子。
可选的，所述应力释放层的材料为含有掺杂离子的GaN、含有掺杂离子的GaAs或含有掺杂离子的GaP。
可选的，所述第一电极层中具有N型离子，所述第二电极层中具有P型离子，所述应力释放层中含有P型离子。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的发光二极管的形成方法中，形成所述量子阱结构的过程中，由于晶格失配容易在所述量子阱结构中产生应力。形成所述量子阱结构之后，在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层的晶格结构与量子阱结构顶部表面之间的晶格结构差异较大，使应力释放层与所述量子阱结构产生晶格失配，从而所述量子阱结构晶格不容易受到所述应力释放层原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构中的应力得以释放。因此，所述形成方法能够降低量子阱结构中的应力对所述第二电极层的影响，从而能够提高所述第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。
进一步，所述应力释放层中具有P型离子，所述P型离子能够为所述应力释放层提供空穴，从而降低所述应力释放层的电阻，从而改善所形成发光二级管的性能。
本发明技术方案提供的发光二极管中，由于所述量子阱结构存在由于晶格失配产生的应力。所述应力释放层中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层与所述量子阱结构产生晶格失配，从而所述量子阱结构晶格不容易受到所述应力释放层原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构中的应力得以释放。因此，所述量子阱结构中的应力对所述第二电极层的影响较小，从而所述第二电极层的晶格质量较好，进而改善发光二极管的性能。
附图说明
图1至图8是本发明的发光二极管的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
具体实施方式
发光二极管的形成方法存在诸多问题，例如，所形成的发光二极管的性能较差。
现结合发光二极管，分析所述发光二极管性能较差的原因：
所述发光二极管的包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成多量子阱结构；在所述多量子阱结构上形成第二电极层。
其中，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述第一电极层表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层。由于所述阱层与垒层的晶格常数不相同，所述阱层与垒层存在晶格失配，导致所述多量子阱结构中存在较大的应力。形成所述第二电极层之后，所述多量子阱结构中的应力容易传递至所述第二电极层中，从而使所述第二电极层的晶格质量较差。具体的，当形成的发光二级管在受到静电干扰时，由于所述第二电极层受到应力的影响，使所述第二电极层中的静电电场分布不均匀，静电场较大区域的第二电极层容易受到损伤，从而使所述发光二极管失效。因此，所形成的发光二极管的抗静电能力较差。
为解决所述技术问题，本发明提供了一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成量子阱结构；在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；在所述应力释放层上形成第二电极层。
其中，形成所述量子阱结构的过程中，由于晶格失配容易在所述量子阱结构中产生应力。形成所述量子阱结构之后，在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层的晶格结构与量子阱结构顶部表面之间的晶格结构差异较大，使应力释放层与所述量子阱结构产生晶格失配，从而所述量子阱结构晶格不容易受到所述应力释放层原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构中的应力得以释放。因此，所述形成方法能够降低量子阱结构中的应力对所述第二电极层的影响，从而能够提高所述第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图8是本发明发光二极管的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
请参考图1，提供衬底100。
本实施例中，所述衬底100的材料为蓝宝石。在其他实施例中，所述衬底100的材料还可以为GaN、硅、氧化锌或碳化硅。
请参考图2，在所述衬底100上形成成核层101。
所述成核层101用做后续形成缓冲层的籽晶。
本实施例中，所述成核层101的材料为GaN。在其他实施例中，所述成核层的材料还可以为GaAs或GaP。
本实施例中，形成所述成核层101的工艺包括：金属有机化合物气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述成核层101的反应气体包括：镓源气体和氮源气体。所述镓源气体包括三甲基镓和三乙基镓中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气；载气包括氮气和氢气中的一种或两种组合。
如果形成所述成核层101的温度过低，容易使形成的成核层101晶格质量较差；如果形成所述成核层101的温度过高，容易增加成核层101与所述衬底100之间的失配度，从而在所述成核层101中产生较大的应力。具体的，本实施例中，形成所述成核层101的工艺参数包括：反应温度为400℃～700℃。
如果所述成核层101的厚度过小，不容易改善后续形成的缓冲层的晶格质；如果所述成核层101的厚度过大，容易产生材料浪费。具体的，本实施例中，所述成核层101的厚度为1nm～50nm。
请参考图3，在所述成核层101上形成缓冲层102。
所述缓冲层102用于改善后续形成的第一电极层与所述成核层101之间的晶格失配，改善后续形成的第一电极层的晶格质量。
本实施例中，所述缓冲层102的材料为GaN。
本实施例中，形成所述缓冲层102的工艺包括：金属有机化合物气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述缓冲层102的反应气体包括：镓源气体和氮源气体。所述镓源气体包括三甲基镓和三乙基镓中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气；载气包括氮气和氢气中的一种或两种组合。
本实施例中，如果形成所述缓冲层102的温度过低，容易使形成的缓冲层102晶格质量较差；如果形成所述缓冲层102的温度过高，容易增加缓冲层102与所述成核层101之间的失配度，从而在所述缓冲层102中产生较大的应力。具体的，形成所述缓冲层102的工艺参数包括：反应温度为800℃～1200℃。
本实施例中，如果所述缓冲层102的厚度过小，不容易改善后续形成的第一电极层的晶格质；如果所述缓冲层102的厚度过大，容易产生材料浪费。具体的，所述缓冲层102的厚度为0.5μm～8μm。
请参考图4，在所述衬底100上形成第一电极层110。
本实施例中，所述第一电极层110用于形成发光二极管的负极。在其他实施例中，所述第一电极层还可以用于形成发光二极管的正极。
本实施例中，所述第一电极层110位于所述缓冲层102上。
本实施例中，所述第一电极层110的材料为N型半导体材料。在其他实施例中，所述第一电极层的材料还可以为P型半导体材料。
具体的，所述第一电极层110为含有N型离子的GaN。在其他实施例中，所述第一电极层还可以为含有N型离子的GaAs或GaP。
本实施例中，所述N型离子为硅离子。所述第一电极层110中的硅离子的掺杂浓度为1E17atoms/cm3～3E19atoms/cm3。
本实施例中，形成所述第一电极层110的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述第一电极层110的反应气体包括：镓源气体、氮源气体和硅源气体，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)和三乙基镓(TEGa)中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气(NH3)，所述硅源气体包括硅烷(SiH4)；载气包括氮气(N2)和氢气(H2)中的一种或两种组合。
如果形成所述第一电极层110的温度过低，容易使形成的第一电极层110晶格质量较差；如果形成所述第一电极层110的温度过高，容易增加第一电极层110与所述缓冲层102之间的失配度，从而在所述第一电极层110中产生较大的应力。具体的，本实施例中，形成所述第一电极层110反应温度为800℃～1200℃。
本实施例中，所述第一电极层110的厚度为0.5μm～8μm。
请参考图5和图6，图6是图5中区域1部分的局部放大图，在所述第一电极层110上形成量子阱结构120。
本实施例中，所述量子阱结构120为多量子阱结构。在其他实施例中，所述量子阱结构还可以为单量子阱结构。
所述量子阱结构120能够形成多个分离的量子阱，从而增加所形成发光二级管的量子效率，提高发光二级管的发光效率。
本实施例中，所述量子阱结构120包括阱层121和多层垒层122，所述垒层122在垂直于所述第一电极层110表面的方向上层叠设置，相邻垒层122之间具有所述阱层121。
本实施例中，所述阱层121的材料为InGaN，所述垒层122的材料为GaN。
需要说明的是，由于所述阱层121与所述垒层122的晶格常数差距较大，所述阱层121与所述垒层122的晶格失配较严重，从而导致所述量子阱结构120中的应力较大。
本实施例中，所述阱层121的层数为2层～30层。所述垒层122比阱层121多一层。所述垒层122的层数为3层～31层。
本实施例中，形成所述阱层121与所述垒层122的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述阱层121的反应气体包括：镓源气体、氮源气体和铟源气体，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)和三乙基镓(TEGa)中的一种或两种组合，所述铟源气体包括三甲基铟(TMIn)，所述氮源气体包括氨气(NH3)；载气包括氮气(N2)和氢气(H2)中的一种或两种组合。
本实施例中，形成所述阱层121的工艺参数包括：反应温度为600℃～900℃。
如果所述阱层121的厚度过大，容易增加量子阱结构120中量子阱的宽度，从而减小对量子阱中电子的束缚作用，容易增加电子的逃逸，降低所形成发光二极管的发光效率；如果所述阱层121的厚度过小，容易增加工艺难度。具体的，本实施例中，所述阱层121的厚度为0.5nm～5nm。
本实施例中，所述阱层121中铟的含量为15％～50％。
本实施例中，形成所述势垒122的反应气体包括：镓源气体和氮源气体，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)和三乙基镓(TEGa)中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气(NH3)；载气包括氮气(N2)和氢气(H2)中的一种或两种组合。
如果所述垒层122的厚度过小，容易使阱层121的能带发生耦合，从而增加电子的逃逸，降低发光效率；如果所述垒层122的厚度过大容易增加量子阱结构120的导电性，影响所形成发光二极管的性能。具体的，本实施例中，所述阱层121的厚度为0.5nm～5nm。
本实施例中，形成所述阱层121的工艺参数包括：反应温度为600℃～900℃。
请参考图7，在所述量子阱结构120上形成应力释放层130，所述应力释放层130中含有掺杂离子。
需要说明的是，形成所述量子阱结构120的过程中，由于晶格失配容易在所述量子阱结构120中产生应力。形成所述量子阱结构120之后，在所述量子阱结构120上形成应力释放层130，所述应力释放层130中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层130的晶格结构与量子阱结构顶部表面之间的晶格结构差异较大，使应力释放层130与所述量子阱结构120产生晶格失配，从而所述量子阱结构120晶格不容易受到所述应力释放层130原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构120中的应力得以释放。因此，所述形成方法能够降低量子阱结构120中的应力后续形成的第二电极层的影响，从而能够提高第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。
本实施例中，所述掺杂离子为碳离子。
本实施例中，所述应力释放层130中掺杂离子的含量高于后续形成的第二电极层中掺杂离子的含量。
本实施例中，所述应力释放层130的材料为含有碳离子的GaN。在其他实施例中，所述第一电极层的材料为GaAs，所述应力释放层的材料为含有碳离子的GaAs；或者所述第一电极层的材料为GaP，所述应力释放层的材料为含有碳离子的GaP。
需要说明的是，本实施例中，所述应力释放层130中还具有P型离子。具体的，所述P型离子为镁离子。所述P型离子能够为所述应力释放层130提供载流子，从而降低所述应力释放层130的电阻，从而改善所形成发光二级管的性能。
本实施例中，所述应力释放层130中镁离子的掺杂浓度为1E18atoms/cm3～2E20atoms/cm3。
本实施例中，形成所述应力释放层130的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述应力释放层130的反应气体包括：镓源气体、氮源气体，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)和三乙基镓(TEGa)中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气(NH3)；载气包括氮气(N2)和氢气(H2)中的一种或两种组合。
需要说明的是，本实施例中，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)，三甲基镓(TMGa)中具有碳。在形成所述应力释放层130的过程中，可以通过调节反应温度或镓源气体的流量，减少所述三甲基镓(TMGa)中的碳镓键的断裂，从而增加所述应力释放层130中碳离子的含量。
本实施例中，可以通过调节所述反应温度和三甲基镓(TMGa)的流量，对所述应力释放层130中的碳离子含量进行调节。在其他实施例中，所述镓源气体还包括三乙基镓(TEGa)，还可以通过调节所述三乙基镓(TEGa)的流量对所述应力释放层中的碳离子含量进行调节。
本实施例中，所述应力释放层130中还具有P型离子，因此，所述反应物还包括镁源气体。具体的，所述镁源气体包括二茂镁(Cp2Mg)。
本实施例中，形成所述应力释放层130的工艺参数包括：反应温度为600℃～900℃；三甲基的流量为50sccm～70sccm；二茂镁的流量为450sccm～550sccm；氨气的流量为45L/min～55L/min；氮气的流量为55L/min～75L/min；氢气的流量为115L/min～125L/min。
本实施例中，如果所述应力释放层130的厚度过小，不利于所述量子阱结构120中应力的释放；如果所述应力释放层130的厚度过大，容易增加所述应力释放层130的电阻，从而影响所形成发光二级管的性能。具体的，所述应力释放层130的厚度为1nm～2000nm。
如果所述应力释放层130中掺杂离子的浓度过高，容易使所述应力释放层130成为非晶态，从而增加厚度形成的第二电极层的晶格质量；如果所述应力释放层130中掺杂离子的浓度过低，不利于所述量子阱结构120中应力的释放。因此，所述应力释放层130中掺杂离子的质量分数为10％～20％
请参考图8，在所述应力释放层130上形成第二电极层140。
本实施例中，所述第二电极层140用做所形成发光二极管的正极。在其他实施例中，所述第二电极层用做所形成发光二极管的负极。
本实施例中，所述第二电极层140的材料为P型半导体材料。在其他实施例中，所述第一电极层的材料还可以为P型半导体材料，所述第二电极层的材料为N型半导体材料。
具体的，所述第二电极层140为含有P型离子的GaN。在其他实施例中，所述第二电极层还可以为含有P型离子的GaAs或GaP。
本实施例中，所述P型离子为镁离子。所述第二电极层140中的硅的掺杂浓度为1E18atoms/cm3～2E20atoms/cm3。
本实施例中，形成所述第二电极层140的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
本实施例中，形成所述第二电极层140的反应气体包括：镓源气体、氮源气体和镁源气体，所述镓源气体包括三甲基镓(TMGa)和三乙基镓(TEGa)中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气(NH3)，所述镁源气体包括二茂镁(Cp2Mg)；载气包括氮气(N2)和氢气(H2)中的一种或两种组合。
本实施例中，形成所述第二电极层140的工艺参数包括：反应温度为800℃～1100℃。
本实施例中，所述第二电极层140的厚度为30nm～500nm。
综上，本发明实施例提供的发光二极管的形成方法中，形成所述量子阱结构的过程中，由于晶格失配容易在所述量子阱结构中产生应力。形成所述量子阱结构之后，在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层的晶格结构与量子阱结构顶部表面之间的晶格结构差异较大，使应力释放层与所述量子阱结构产生晶格失配，从而所述量子阱结构晶格不容易受到所述应力释放层原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构中的应力得以释放。因此，所述形成方法能够降低量子阱结构中的应力对所述第二电极层的影响，从而能够提高所述第二电极层的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。
进一步，所述应力释放层中具有P型离子，所述P型离子能够为所述应力释放层提供空穴，从而降低所述应力释放层的电阻，从而改善所形成发光二级管的性能。
请参考图8，本发明的实施例还提供一种发光二极管，包括：衬底100；位于衬底100上的第一电极层110；位于所述第一电极层110上的量子阱结构120；位于所述量子阱结构120上的应力释放层130，所述应力释放层130中具有掺杂离子；位于所述量子阱结构120上的第二电极层140。
需要说明的是，所述应力释放层130中掺杂离子的含量大于所述量子阱结构120中的掺杂离子含量，使所述应力释放层120的晶胞取向的一致性较差，从而对所述量子阱结构120中晶胞取向的约束性差，进而能够使所述量子阱结构120中的应力得以释放。因此，所述形成方法能够降低量子阱结构120因晶格失配产生的应力对所述第二电极层140的影响，从而能够提高所述第二电极层140的晶格质量，进而改善所形成发光二极管的性能。
本实施例中，所述应力释放层130中的掺杂离子含量大于所述量子阱结构120中的掺杂离子含量
本实施例中，所述衬底100与发光二极管的形成方法实施例中的衬底相同。
本实施例中，所述发光二极管还包括：位于所述衬底100上的成核层101；位于所述成核层101上的缓冲层102。所述成核层101和缓冲层102与所述发光二极管的形成方法实施例中的成核层101和缓冲层102相同。
本实施例中，所述第一电极层110位于所述缓冲层102上。
本实施例中，所述应力释放层130中的碳离子含量大于所述第二电极层140中的碳离子含量。
本实施例中，所述第一电极层110、应力释放层130和所述第二电极层140与发光二极管的形成方法实施例中的第一电极层110、应力释放层130和所述第二电极层140相同，在此不再赘述。
综上，本发明实施例提供的发光二极管中，由于所述量子阱结构存在由于晶格失配产生的应力。所述应力释放层中具有掺杂离子。所述掺杂离子能够使所述应力释放层与所述量子阱结构产生晶格失配，从而所述量子阱结构晶格不容易受到所述应力释放层原子的束缚，进而能够使所述量子阱结构中的应力得以释放。因此，所述量子阱结构中的应力对所述第二电极层的影响较小，从而所述第二电极层的晶格质量较好，进而改善发光二极管的性能
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一电极层；
在所述第一电极层上形成量子阱结构；
在所述量子阱结构上形成应力释放层，所述应力释放层中含有掺杂离子；
在所述应力释放层上形成第二电极层。
2.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为碳离子。
3.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述应力释放层的材料为含有掺杂离子的GaN、含有掺杂离子的GaAs或含有掺杂离子的GaP。
4.如权利要求3所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，形成所述应力释放层的工艺包括：金属有机化学气相沉积工艺。
5.如权利要求3所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述应力释放层的材料为含有碳离子的GaN；形成所述应力释放层的反应气体包括镓源气体和氮源气体，所述镓源气体包括三甲基镓和三乙基镓中的一种或两种组合，所述氮源气体包括氨气；载气包括氮气和氢气中的一种或两种组合。
6.如权利要求5所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述应力释放层中还含有镁；所述反应气体还包括镁源气体，所述镁源气体包括二茂镁。
7.如权利要求6所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，形成所述应力释放层的工艺参数包括：反应温度为600℃～900℃；三甲基的流量为50sccm～70sccm；二茂镁的流量为450sccm～550sccm；氨气的流量为45L/min～55L/min；氮气的流量为55L/min～75L/min；氢气的流量为115L/min～125L/min。
8.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述应力释放层的厚度为1nm～2000nm。
9.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述第一电极层中具有N型离子，所述第二电极层中具有P型离子，所述应力释放层中具有P型离子。
10.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述P型离子为镁离子，所述应力释放层中镁离子的浓度为1E18atoms/cm3～2E20atoms/cm3。
11.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述第一电极层表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层。
12.如权利要求11所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述阱层的材料为InGaN；所述垒层的材料为GaN。
13.如权利要求11所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，所述阱层的层数为2层～30层；所述垒层的层数为3层～31层。
14.如权利要求11所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，形成所述垒层与所述阱层的工艺包括金属有机化学气相沉积工艺。
15.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，形成所述第二电极层的工艺包括金属有机化学气相沉积工艺。
16.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，形成所述第一电极层之前，还包括：在所述衬底上形成成核层；在所述成核层上形成缓冲层。
17.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底上的第一电极层；
位于所述第一电极层上的量子阱结构；
位于所述量子阱结构上的应力释放层，所述应力释放层中具有掺杂离子；
位于所述应力释放层上的第二电极层。
18.如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂离子为碳离子。
19.如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述应力释放层的材料为含有掺杂离子的GaN、含有掺杂离子的GaAs或含有掺杂离子的GaP。
20.如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层中具有N型离子，所述第二电极层中具有P型离子，所述应力释放层中含有P型离子。
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