CN106373850A - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包括具有等离子体耐性且轻量的金属窗的等离子体处理装置。对处理空间(100)内的被处理基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)包括在接地的金属制的处理容器(10)、(11)内载置有被处理基板(G)的载置台，将多个导电性的部分窗(3)排列而成的金属窗(3)封闭处理容器(10)、(11)上表面侧的开口而形成处理空间(100)，在相邻的部分窗(30)彼此之间设置有树脂制的绝缘部件(31)。陶瓷制的绝缘部件盖(20)覆盖绝缘部件(31)的处理空间侧的面，在金属窗(3)的上方侧设置有用于由感应耦合使处理气体等离子体化的等离子体天线(5)。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及利用等离子体化的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的等离子体处理装置。

背景技术

在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对载置在处理空间内的作为被处理基板的玻璃基板供给等离子体化的处理气体，进行蚀刻处理、成膜处理等等离子体处理的工序。这些等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。近年来，作为将处理气体等离子体化的方法，备受关注的是具有在高真空度下能够获得获得高密度的等离子体的巨大优点的感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma：ICP)。

另一方面，玻璃基板的尺寸不断大型化。例如，在LCD用的矩形玻璃基板中，需要能够处理短边×长边的长度为约2200mm×2400mm，甚至约2800mm×约3000mm的尺寸的等离子体处理装置。

随着这样的玻璃基板的大型化，等离子体处理装置的大型化也不断推进。然而，利用感应耦合等离子体的等离子体处理装置中，设置在处理空间的顶面的由石英等构成的电介质窗的刚性低，阻碍装置的大型化。

于是，在专利文献1中记载有通过将刚性比石英高的金属窗分割为多个分割片(部分窗)并将分割片彼此绝缘来实现金属窗的大型化的感应耦合等离子体方式的等离子体处理装置。

然而，专利文献1没有记载在选择适用于将分割片彼此绝缘的绝缘部件的材料或选择特定的材料时要注意的技术事项相关内容。

另外，专利文献2中记载有：同样在感应耦合等离子体方式的等离子体处理装置中，在利用多个分割介电部件构成的电介质窗的下表面，设置用于保护电介质窗的可装卸的电介质盖，并将该电介质盖分割为多个分割片段的技术。在该电介质盖中，设置有用于防止在分割片段的热膨胀时伴随分隔片段间的间隙开口所致的电介质窗的损伤、沉积物向间隙的沉积的盖板。

然而，对比文件2不是利用彼此绝缘的多个导电性的部分窗构成金属窗的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-22806：权利要求1、段落0028～0029、图1

专利文献2：日本特开2013-149377号公报：权利要求1、段落0042/0057、图3

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于如上所述的情况而做出的，其目的在于提供一种包括具有耐等离子体性且轻量的金属窗的等离子体处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的等离子体处理装置对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行利用等离子体化的处理气体进行的等离子体处理，上述等离子体处理装置的特征在于，包括：包括用于载置上述被处理基板的载置台，与该载置台相对的上表面开口并且电接地的金属制的处理容器；金属窗，其包括以封闭上述处理容器的开口来形成上述处理空间的方式排列的多个导电性的部分窗；被设置在上述处理容器和部分窗之间以及相邻的部分窗彼此之间的树脂制的绝缘部件；陶瓷制的绝缘部件盖，其覆盖上述绝缘部件的处理空间侧的面；和用于利用感应耦合将上述处理气体等离子体化的等离子体天线，其被设置成在上述金属窗的上方侧与该金属窗相对。

上述等离子体处理装置也可以具有如下结构。

(a)上述绝缘部件盖被分割成多个部分盖，并设置有从上述处理空间侧覆盖相邻的部分盖彼此的间隙的陶瓷制的间隙盖。上述部分盖和间隙盖通过金属制的螺栓紧固到上述部分窗，并设置有从处理空间侧覆盖上述螺栓的陶瓷制的螺栓盖。

(b)在(a)中，上述金属窗兼作向上述处理空间内供给处理气体的气体喷淋头，上述间隙盖至少设置于对处理空间内的被处理基板进行处理气体的供给的区域内的部分盖上。

(c)为了扩大处理容器与部分窗或相邻的部分窗彼此的电距离，在上述绝缘部件的下表面形成有沿着上述绝缘部件的下表面的延伸方向延伸并且截面形状向处理空间侧突出的突状部，在覆盖盖绝缘部件的绝缘部件盖上形成有与上述突状部嵌合的槽部。

(d)在处理容器和部分窗的彼此相对的侧壁面或相邻的部分窗彼此的彼此相对的侧壁面形成有台阶部，上述绝缘部件盖以其侧缘部卡止在上述台阶部的状态安装在金属窗。此时，在比上述台阶部靠下方侧的处理容器或部分窗的侧壁面，形成有用于扩大处理容器与部分窗或相邻的部分窗彼此的电距离的切口面。另外，上述绝缘部件盖被分割成多个部分盖，相邻的部分盖的一方的端部重叠在另一方的部分盖的上表面。

(e)上述部分窗的处理空间侧的面通过阳极氧化处理或陶瓷喷镀形成耐等离子体涂层。

(f)上述绝缘部件由体积电阻率比构成上述绝缘部件盖的陶瓷的体积电阻率大的树脂构成。

发明效果

本发明利用轻量且高绝缘性能的树脂制的绝缘部件进行处理容器和部分窗之间以及相邻的部分窗之间的绝缘，并且利用陶瓷制的绝缘部件盖来保护树脂制的绝缘部件免受等离子体的影响，所以能够维持将供给到处理空间内的处理气体等离子体化所需的金属窗的功能，并且能够实现金属窗的轻量化。

附图说明

图1是实施方式的等离子体处理装置的纵截侧视图。

图2是设置在上述等离子体处理装置上的金属窗的平面图。

图3是设置在上述金属窗上的绝缘部件盖的放大平面图。

图4是除去上述绝缘部件盖的状态下的金属窗的放大平面图。

图5是上述金属窗的第一放大纵截面图。

图6是上述金属窗的第二放大纵截面图。

图7是上述金属窗的第三放大纵截面图。

图8是金属窗的外周侧的绝缘部件盖的放大平面图。

图9是第二实施方式的金属窗的第一放大纵截面图。

图10是第二实施方式的金属窗的第二放大纵截面图。

图11是第二实施方式的金属窗的第三放大纵截面图。

图12是第三实施方式的金属窗的放大平面图。

图13是第三实施方式的金属窗的第一放大纵截面图。

图14是第三实施方式的金属窗的第二放大纵截面图。

附图标记说明

G 玻璃基板

1 等离子体处理装置

10 容器本体

100 处理空间

11 金属框

13 载置台

20 绝缘部件盖

2、2a～2m、2A、2B 部分盖

21、21a～21c 间隙盖

22 螺栓盖

30、30a～30c 部分窗

31、31a～31d、31A、31B 绝缘部件

5 高频天线

8 控制部。

具体实施方式

首先，参考图1、图2，对本发明的实施方式的等离子体处理装置1的整体结构进行说明。

等离子体处理装置1能够用于在作为被处理基板的矩形基板，例如FPD用的玻璃基板(以下记作“基板G”)上形成薄膜晶体管时的形成金属膜、ITO膜、氧化膜等成膜处理、对这些膜进行蚀刻的蚀刻处理、抗蚀剂膜的灰化处理等各种等离子体处理。此处，作为FPD，可以例示液晶显示器(LCD)、场致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。另外，等离子体处理装置1不限于FPD用的基板G，还能够用于对太阳能电池板用的基板G的上述各种等离子体处理。

如图1的纵截侧视图所示，等离子体处理装置1包括由导电性材料例如由内壁面被阳极氧化处理过的铝构成的方筒形状的容器本体10，该容器本体10电接地。在容器本体10的上表面形成有开口，该开口被与该容器本体10绝缘设置的矩形状的金属窗3气密地封闭。被这些容器本体10和金属窗3包围的空间成为基板G的处理空间100，金属窗3的上方侧的空间成为配置高频天线(等离子体天线)5的天线室50.另外，在处理空间100的侧壁设置有用于搬出和搬入玻璃基板G的搬出搬入口101和用于打开和关闭搬出搬入口101的闸阀102。

在处理空间100的下部侧，与上述金属窗3相对地设置有用于载置基板G的载置台13。载置台13由导电性材料例如表面被阳极氧化处理过的铝构成。载置在载置台13上的基板G被未图示的静电吸盘吸附保持。载置台13收纳在绝缘体框14内，隔着该绝缘体框设置在容器本体10的底面。

在载置台13经由匹配器151与第二高频电源152连接。第二高频电源152对载置台13施加偏置用的高频电力，例如频率为3.2MHz的高频电力。由该偏置用的高频电力生成的自偏置能够向基板G引入在处理空间100内生成的等离子体中的离子。

另外，在载置台13内，设置有用于控制基板G的温度的由陶瓷加热器等加热单元和制冷剂流路构成的温度控制机构、温度传感器、和用于对基板G的背面供给传热用的He气体的气体流路(均未图示)。

另外，在容器本体10的底面形成有排气口103，在该排气口103连接有包括真空泵等的真空排气部12。处理空间100的内部被该真空排气部12真空排气为等离子体处理时的压力。

如图1和作为从处理空间100侧观察金属窗3的平面图的图2所示，在容器本体10的侧壁的上表面侧，设置有作为由铝等金属构成的矩形状的框体的金属框11。在容器本体10与金属框11之间设置有用于气密地保持处理空间100的密封部件110。此处，容器本体10和金属框11构成本实施方式的处理容器。

另外，本例的金属窗3被分割为多个部分窗30，这些部分窗30被配置在金属框11的内侧，整体构成矩形状的金属窗3。各部分窗30例如由非磁性体且导电性的金属、铝或含铝的合金等构成。

另外，各部分窗30兼作处理气体供给用的喷淋头。例如，如图5所示，各部分窗30采用从下侧起依次重叠形成有用于对处理空间100供给处理气体的多个处理气体排出孔302的喷喷淋板305和在与该喷淋板305之间用于形成使处理气体扩散的处理气体扩散室301的金属窗本体303的结构。喷淋板305通过金属制的螺栓201紧固在构成处理气体扩散室301的凹部的外侧的区域的下表面侧。包括这些结构的部分窗经由未图示的保持部保持在处理空间100的顶面侧。

另外，为了提高部分窗30的耐等离子体性，各部分窗30的处理空间100侧的面(喷淋板305的下表面)被实施耐等离子体涂层。耐等离子体涂层的具体例能够列举利用阳极氧化处理或陶瓷喷镀的电介质膜的形成。

如图1所示，各部分窗30的处理气体扩散室301经由气体供给管41与处理气体供给部42连接。从处理气体供给部42供给上述的成膜处理、蚀刻处理、灰化处理等所需的处理气体。另外，为了图示方便起见，图1示出了一个部分窗30与处理气体供给部42连接的状态，但实际上各部分窗30的处理气体扩散室301与处理气体供给部42连接。

另外，如图1和图5等所示，在各部分窗30的例如金属窗本体303内，形成有使温度调节用的温调流体流通的温调流路307。该温调流路307与温调流体供给部连接，基于设置在部分窗30的温度传感器的温度检测结果，利用从该温调流体供给部供给的温调流体进行温度调节，以使部分窗30成为预先设定的温度(温调流体供给部、温调传感器均未图示)。

彼此分割的部分窗30通过绝缘部件31与金属框11或其下方侧的容器本体10电连接，并且相邻的部分窗30彼此也通过绝缘部件31彼此绝缘。例如，如图5所示，绝缘部件31具有与相邻的部分窗30之间的间隙嵌合的纵截面形状，被形成于各部分窗30的相对的侧面的台阶部(图5的例子中是从金属窗本体303的侧壁面突出的喷淋板305)支承。

此处，图2是从处理空间100侧看到金属窗3的图，绝缘部件31被后述的部分盖2覆盖而不可见，但在这些部分窗2的配置位置的上方侧设置有绝缘部件31。

在本例的等离子体处理装置1中，绝缘部件31采用PTFE(polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)等氟树脂。例如PTFE的体积电阻率为10¹⁸[Ω·cm(23℃)]，密度为2.1～2.2[g/cm³]左右。采用这样的树脂制的绝缘部件31，与例如作为绝缘部件31的材料采用氧化铝(体积电阻率＞10¹⁴左右[Ω·cm(23℃)]左右、密度3.9左右[g/cm³])的情况相比，能够同时实现高的绝缘性能和包含绝缘部件31的金属窗3的轻量化。

另外，如图1所示，在金属窗3的上方侧配置有顶板部61，该顶板部61由设置在金属框11的侧壁部63支持。

被以上说明的金属窗3、侧壁部63和顶板部61包围的空间构成天线室50，在天线室50的内部，面向部分窗30配置有高频天线5(图1)。高频天线5例如经由由未图示的绝缘部件构成的间隔件与部分窗30隔开配置。高频天线5以在与各部分窗30对应的面内沿着矩形状的金属窗3的轴向围绕的方式形成为涡旋状(省略平面图示)。另外，高频天线5的形状不限于涡旋状，也可以是令一条或多条天线线路形成为环状的环状天线。另外，也可以采用一边错开角度一边卷绕多个天线而线路整体形成为涡旋状的多重天线。像这样，只要在金属窗3或与构成金属窗3的各部分窗30对应的面内，以沿着其周向围绕的方式设置有天线线路，就不管采用何种高频天下5的结构均可。

在各高频天线5，经由匹配器511与第一高频电源512连接。在各高频天线5从第一高频电源512经由匹配器511例如供给13.56MHz的高频电力。由此，在等离子体处理期间，在部分窗30各自的表面感应出涡电流，由该涡电流在处理空间100的内部形成感应电场。从气体排出孔302排出的处理气体通过感应电场在处理空间100内等离子体化。

另外，如图1所示，在该等离子体处理装置1设置有控制部8。控制部8包括具有未图示的CPU(Central Processing Unit；中央处理器)和存储部的计算机，在该存储部记录有组合有用于输出执行对配置有基板G的处理空间100内进行真空排气并利用高频天线5将处理气体等离子体化而处理基板G的动作的控制信号的步骤(命令)组的程序。该程序保存在例如硬盘、压缩盘(CD)、磁光盘、存储卡等存储介质中，由此安装到存储部中。

在包括以上说明的结构等离子体处理装置1中，部分窗30为了抑制处理空间100内发生的等离子体所致的损伤，被实施利用阳极氧化处理或陶瓷喷镀的耐等离子体涂层。另一方面，使金属框11和部分窗30以及相邻的部分窗30彼此绝缘的绝缘部件31，采用高绝缘性能且轻的PTFE等树脂。然而，树脂的耐等离子体性没有氧化铝等陶瓷的耐等离子体性高。进而，这些树脂也难以进行利用阳极氧化处理或陶瓷喷镀的耐等离子体涂层。

因此，本例的等离子体处理装置1，通过设置覆盖绝缘部件31的处理空间100侧的面的陶瓷制的绝缘部件盖20来保护绝缘部件31免受等离子体的影响。

以下，参照图2～图8，对绝缘部件盖20的具体结构进行说明。

如图2所示，部分窗30根据需要被分割为各种形状。根据这些部分窗30的分割形状，配置在金属框11和部分窗30之间以及相邻的部分窗30彼此之间的绝缘部件31的配置区域的形状变复杂。绝缘部件盖20需要覆盖绝缘部件31的处理空间100侧的所有面，但利用形成为一体的绝缘部件盖20来覆盖这种复杂形状的区域是困难的。

因此，本例的绝缘部件盖20被分割为多个部分盖2。例如，各部分盖2由成形为细长的平板状的铝等陶瓷制的部件构成。通过排列这些多个部分盖2来构成覆盖绝缘部件31的配置区域的绝缘部件盖20。

然而，仅排列多个部分盖2，会导致在相邻配置的部分盖2彼此之间形成间隙。这样的间隙，由于等离子体处理时的温度上升所引起的部分盖2的膨胀而开口宽度变大，由此等离子体进入其中，导致绝缘部件31损伤，或者伴随间隙的开口宽度的变化，间隙内沉积的沉积物被剥离，有可能污染基板G。

因此，本例的绝缘部件20，在将多个部分盖2组合而构成绝缘部件盖20时，成为能够抑制由于上述的间隙导致的绝缘部件31的损伤和沉积物的剥离的发生的结构。

例如，在图2所示的绝缘部件盖20中，形成部分盖2间的间隙的区域是多个部分盖2彼此汇流的区域。图2中，用虚线包围形成这样的间隙的区域并标注附图标记(i)～(v)。在以下说明的图3～图8中，图3～图7是表示设置在区域(i)的部分盖2的结构，图8表示设置在区域(iv)的部分盖2的结构。

图3是区域(i)的部分盖2(同时标注了根据配置位置的标识符“2a～2c”。下面，对“2d～2m”也一样。)的平面图，图4是拆除这些部分盖2a～2c的状态下的部分窗30(同时标注了根据配置位置的标识符“30a～30c”)和绝缘部件31(同时标注了根据配置位置的标识符“31a、31b”。下面，对“31c、31d”也一样。)的平面图。另外，图5～图7分别为图3、图4中沿着以点划线表示的A-A’线、B-B’线、C-C’线向示的纵截侧视图。

如图3、图4所示，在区域(i)中，以嵌合到相邻配置的部分窗30a～30c的间隙的方式，从处理空间100看呈T字状地配置有绝缘部件31a、31b。在区域(i)中，通过将三个部分盖2a～2c排列在绝缘部件31a、31b下表面，从处理空间100侧覆盖这些绝缘部件31a、31b。

如图4中的虚线、图5～图7所示，各部分盖2a～2c的短边方向的宽度尺寸形成为能够覆盖跨绝缘部件31a、31b的下表面以及部分窗30a～30c的下表面侧周缘部的区域的尺寸。像这样，利用宽度宽的部分盖2a～2c覆盖绝缘部件31a、31b，即便等离子体从部分盖2a～2c的侧面进入的情况下，也能够抑制等离子体到达绝缘部件31a、31b。

然而，如图3所示，在与部分盖2b、2c的端部相邻配置的部分盖2a的端部，部分盖2a的一部分形成缺口。并且，部分盖2b、2c配置成嵌合到该缺口内。像这样形成缺口减小部分盖2a的宽度尺寸，由此使形成部分盖2b-2a、2c-2a间的间隙的区域彼此靠近，能够收纳在更紧凑的区域内。

另外，如图3、图6、图7所示，这些间隙的形成区域被由陶瓷制的平板构成的间隙盖21(同时标注了依照配置位置的标识符“21a”。下面，对“21b、21c”也一样。)从处理空间侧覆盖。如图7所示，间隙盖21a由具有多级头的金属制的螺栓202紧固在部分窗30a的下表面侧。结果是，夹在间隙盖21a和部分窗30a之间的部分盖2a～2c也紧固在部分窗30a的下表面。

此处，如图7所示，金属制的螺栓202的头部从间隙盖21的下表面向处理空间100侧突出，该头部被陶瓷制的螺栓盖22覆盖。例如头部的侧周面和收纳该头部的螺栓盖22的凹部的内周面之间，切削形成有能够彼此螺合的螺纹，通过该螺栓，螺栓盖22被固定在上述头部。

另外，省略了纵截面图的图示，但将部分窗30a的喷淋板305紧固在金属窗本体303的螺栓201的头部，其一部分从喷淋板305的下表面向下方侧突出。另一方面，在部分盖2b、2c形成有能够插入该头的凹部，利用间隙该21a固定部分盖2b、2c时，通过这些头与凹部嵌合而防止部分盖2b、2c的横向的位置发生偏移。

图2中的区域(ii)、(iii)中也一样设置有覆盖部分盖2汇流的区域的间隙盖21。

此处，利用图3～图7说明的部分盖2的结构不限于应用于设置在金属窗3的所有部分盖2的情况。例如，图2中由点划线包围示出的气体排出孔形成区域300(仅示出气体排出孔302的一部分)是进行处理气体的供给的区域，以与该区域相对的方式配置基板G。

因此，配置在气体排出孔形成区域300内的部分盖2间的间隙向处理空间100露出时，容易成为等离子体经由该间隙进入，并且沉积在该间隙中的沉积物落到基板G上的原因。因此，针对配置在气体排出孔形成区域300内的部分盖2(图2中的区域(i)～(iii)中设置的部分盖2)设置有从处理空间100侧覆盖间隙的间隙盖21。

另一方面，设置在气体排出孔形成区域300的外侧、在图2所示的例子中的金属框11侧(容器本体10的内壁侧)的部分盖2从与基板G相对的位置离开地配置，并且有时还与形成等离子体的区域隔开。这种情况下，如图2的区域(iv)～(v)所示的部分盖2所示，也可以不设置覆盖相邻配置的部分盖2的间隙的间隙盖21，而简化部分盖2的结构(图8中放大显示区域(iv)的部分盖2j、2k)。此时，部分盖2通过螺栓202直接紧固在部分窗30的下表面。

以下，对上述的实施方式的等离子体处理装置1的作用进行说明。

首先，打开闸阀102，利用搬送机构从相邻的真空搬送室(均未图示)经由搬入搬出口101将基板G搬入到处理空间100内。接着，将基板G载置在载置台13上，利用未图示的静电吸盘进行固定，另一方面，使上述搬送机构从处理空间100退出，关闭闸阀102。另外，金属窗3通过对各部分窗30的温调流路307供给的温调流体被调节为预先设定的温度。

然后，从处理气体供给部42经由各部分窗30的处理气体扩散室301向处理空间100内供给处理气体并且从真空排气部12进行处理空间100内的真空排气，将处理空间100内调节为例如0.66～26.6Pa左右的压力气氛。另外，对基板G的背面侧供给传热用的He气体。

接着，从第一高频电源512对高频天线5施加高频电力，由此隔着金属窗3在处理空间100内生成均匀的感应电场。其结果，通过感应电场，处理气体在处理空间100内被等离子体化，生成高密度的感应耦合等离子体。然后，通过从第二高频电源152对载置台13施加的偏置用的高频电力，等离子体中的例子被引入到基板G，进行基板G的等离子体处理。

然后，进行预先设定的时间的等离子体处理后，停止来自各高频电源512、152的电力供给、来自处理气体供给部42的处理气体供给以及处理空间100内的真空排气，以与搬入时相反的顺序搬出基板G。

在以上进行动作说明的处理空间100的内部利用等离子体进行基板G的等离子体处理时，在部分窗30内，相邻的部分盖2的间隙从处理空间100侧被间隙盖21覆盖。结果是，能够抑制等离子体经由上述间隙进入，能够防止绝缘部件31的损伤。

另外，由于上述间隙被间隙盖21覆盖，能够抑制沉积物沉积在该间隙内、沉积物的剥离、剥离物掉落到与该间隙相对配置的基板G上等。

进一步，通过将设置绝缘部件盖20的区域限定在金属窗3的配置区域，与例如将金属窗3的下表面侧整体用陶瓷制的盖覆盖的情况相比，能够实现包含绝缘部件31和绝缘部件盖20的金属窗3的轻量化。除此之外，因为与金属相比比热更大的陶瓷制的部分盖2的配置区域被限定在能够覆盖绝缘部件31的程度的有限的面积范围，所以还能够提高利用温调流体的金属窗3在温度调节时的响应性。

根据本实施方式的等离子体处理装置1，具有以下的效果。利用轻量且绝缘性能高的树脂制的绝缘部件31进行金属框11或容器本体10(处理容器)与部分窗30之间以及相邻的部分窗彼此30之间的绝缘，并且利用陶瓷制的绝缘部件盖20保护绝缘部件31免受等离子体的影响，所以能够维持将供给到处理空间100内的处理气体等离子体化所需的金属窗3的功能，并且能够使金属窗3轻量化。

接着，图9～图11所示的第二实施方式是为了防止金属框11(处理容器)与部分窗30或相邻的部分窗30彼此的短路而在配置在这些金属框11与部分窗30和相邻的部分窗30彼此之间的绝缘部件31a与部分盖2a之间设置迷宫结构的例子。

图9～图11的纵截面图示出将上述迷宫结构应用于图2的区域(i)(图3、图4)中的绝缘部件31a、31b和部分盖2a～2c的例子。在本例中，在各绝缘部件31a、31b的下表面，沿着该绝缘部件31的延伸方向延伸，形成有截面形状相处理空间100侧突出的突状部311(绝缘部件31A)。另一方面，在构成绝缘部件盖20的部分盖2a～2c(部分盖2A)的上表面，形成有与上述突状部311嵌合的槽部23(图9～图11仅示出了部分盖2a的槽部23)。

像这样，在金属框11与部分窗30或相邻的部分窗30彼此之间设置迷宫结构，由此彼此的电距离加宽，能够防止随着短路的发生而发生无法形成足够的感应耦合等离子体的不良。

另外，形成迷宫结构的突状部311和槽部23不限于沿着绝缘部件31的延伸方向设置一列的情况，也可以设置多列。

接着，图12～图14所示的第三实施方式与将部分盖2夹在间隙盖21和部分窗30之间的第一实施方式的绝缘部件盖21相比较，部分盖2B的安装方法不同。即，在本例中，在金属框11(处理容器)与部分窗30的彼此相对的侧壁面或相邻的部分窗30彼此的彼此相对侧壁面形成台阶部308，利用该台阶部308卡止部分盖2B的侧缘部，由此将部分盖2B安装在金属窗3上。

例如，图12示出以覆盖设置于图2的区域(i)的绝缘部件31a、31b的方式安装部分盖2l、2m(部分盖2B)的例子。图13、图14是在图12中沿着以点划线所示的A-A’线、B-B’线观看而得到的纵截侧视图。

如图13、图14所示，在本例的部分窗30a～30c中，下表面侧的喷淋板305A突出到比金属窗本体303的侧壁靠外方的位置，从而形成有台阶部308。图12所示的两个部分盖2m、2l(2B)，其两侧的侧缘部被台阶部308卡止(图12中长的虚线所示的区域为载置在台阶部308上的侧缘部)。另外，绝缘部件31c、31d(31B)以嵌合在相邻的部分窗30之间的间隙的状态载置在这些部分盖2m、2l上。

另外，如图12中短的虚线以及图14所示，位于相邻配置的部分盖2l、2m的一方的部分盖2m，其端部重叠在另一方的部分盖2l的上表面。通过采用这样的层叠结构，即使不设置间隙盖2l，也能够避免部分盖2l、2m之间形成间隙。另外，如图13、图14所示，在层叠相邻配置的部分盖2l、2m的情况下，也与各部分盖2l、2m的高度位置一致地，调节卡止其侧缘部的台阶部308的高度位置。

除此之外，在将部分盖2l、2m卡止在形成于部分窗30的侧壁面的中途的台阶部308上并且将绝缘部件31c、31d设置在这些部分盖2l、2m上的第三实施方式中，还在部分盖2l、2m的下方侧形成没有插入绝缘部件31c、31d的区域。因此，为了防止没有插入绝缘部件31c、31d的区域中的部分窗30之间发生短路，在部分盖2l、2m的下方侧的部分窗30a～30c的侧壁面，形成有用于增加相邻配置的部分窗30a～30c的电距离的切口面306。

在以上说明的各实施方式中，示出了作为被处理基板利用FPD基板的例子，但只要是矩形基板，也能够用于太阳能电池板用的基板等其他种类的基板。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，其对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行利用等离子体化的处理气体进行的等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：

包括用于载置所述被处理基板的载置台，与该载置台相对的上表面开口并且电接地的金属制的处理容器；

金属窗，其包括以封闭所述处理容器的开口来形成所述处理空间的方式排列的多个导电性的部分窗；

被设置在所述处理容器和部分窗之间以及相邻的部分窗彼此之间的树脂制的绝缘部件；

陶瓷制的绝缘部件盖，其覆盖所述绝缘部件的处理空间侧的面；和

用于利用感应耦合将所述处理气体等离子体化的等离子体天线，其被设置成在所述金属窗的上方侧与该金属窗相对。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部件盖被分割成多个部分盖，并设置有从所述处理空间侧覆盖相邻的部分盖彼此的间隙的陶瓷制的间隙盖。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述部分盖和间隙盖通过金属制的螺栓紧固到所述部分窗，并设置有从处理空间侧覆盖所述螺栓的陶瓷制的螺栓盖。

4.如权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述金属窗兼作向所述处理空间内供给处理气体的气体喷淋头，所述间隙盖至少设置于对处理空间内的被处理基板进行处理气体的供给的区域内的部分盖上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

为了扩大处理容器与部分窗或相邻的部分窗彼此的电距离，在所述绝缘部件的下表面形成有沿着所述绝缘部件的下表面的延伸方向延伸并且截面形状向处理空间侧突出的突状部，在覆盖盖绝缘部件的绝缘部件盖上形成有与所述突状部嵌合的槽部。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在处理容器和部分窗的彼此相对的侧壁面或相邻的部分窗彼此的彼此相对的侧壁面形成有台阶部，所述绝缘部件盖以其侧缘部卡止在所述台阶部的状态安装在金属窗。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在比所述台阶部靠下方侧的处理容器或部分窗的侧壁面，形成有用于扩大处理容器与部分窗或相邻的部分窗彼此的电距离的切口面。

8.如权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部件盖被分割成多个部分盖，相邻的部分盖的一方的端部重叠在另一方的部分盖的上表面。

9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述部分窗的处理空间侧的面通过阳极氧化处理或陶瓷喷镀形成耐等离子体涂层。

10.如权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述绝缘部件由体积电阻率比构成所述绝缘部件盖的陶瓷的体积电阻率大的树脂构成。