CN106207976A - 电源供应器的过电流保护芯片及过电流保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电源供应器的过电流保护芯片及过电流保护电路。过电流保护芯片包含三个输入端、第一存储器模块、第二存储器模块以及切换选择电路。三个输入端分别用以接收校正数据、第一电流负载电位及第二电流负载电位。切换选择电路用以比较校正数据及第一电流负载电位,并比较校正数据及第二电流负载电位。其中当校正数据与第一电流负载电位相符时,校正数据被存储到第一存储器模块的一个存储器单元中。当校正数据与第二电流负载相符时,校正数据被存储到第二存储器模块的一个存储器单元中。
Description
技术领域
本发明涉及一种电源供应器的过电流保护芯片及过电流保护电路,尤其涉及一种可设定多组过电流保护值的电源供应器的过电流保护芯片及过电流保护电路。
背景技术
电源供应器用来供应电源给电子装置,为了避免电子装置的负载过大而超过电源供应器的安全负载范围,电源供应器通常会设置一过电流保护(overcurrent protection;OCP)电路,用来检测负载电流,并于负载电流高于负载上限时输出一过电流保护信号,以通知电源供应器进行相对应的保护措施,例如关机。
请参考图1,图1为已知电源供应器的过电流保护电路10耦接于校正工具及负载机120时的示意图。过电流保护电路10设置于电源供应器中,用于提供电源供应器的过电流保护。过电流保护芯片100则是用以提供过电流保护值140,以设定过电流保护电路10于启动过电流保护机制时的电流值。当电源供应器所输出的电流超过所设定的过电流保护值140时,过电流保护电路10即会启动其过电流保护机制。为因应不同的电源供应器的过电流保护的需要,过电流保护芯片100被设计成可对其过电流保护值140进行校正。当进行过电流保护值140的校正时,过电流保护芯片100会与校正工具110及负载机120耦接,以使校正工具110及负载机120对过电流保护芯片100进行校正,并于完成校正时使过电流保护芯片100产生校正数据130。校正数据130会被存储在过电流保护芯片100当中,而当过电流保护芯片100出厂并被设置于电源供应器后,过电流保护芯片100即可依据所存储的校正数据130即时地产生过电流保护值140,以设定过电流保护电路10于启动过电流保护机制时的电流值。
然而,因当过电流保护芯片100出厂后,被存储在过电流保护芯片100中的校正数据130即无法再更改,而导致当电源供应器厂于生产其电源供应器后须变更其规格、设计时,电源供应器内的过电流保护芯片100并无法再重新被校正以回收使用。再者,当电源供应器需要有多组的过电流保护设定时,因过电流保护芯片100只能提供一组过电流保护值140,而有不敷使用的情况。此外,若电源供应器有多组过电流保护值140需要校正时,负载机120必须配合多个过电流保护芯片100的校正顺序,而无法随意地变更其校正顺序,而缺乏弹性。
发明内容
本发明提供一种电源供应器的过电流保护芯片。过电流保护芯片包含第一输入端、第二输入端、第三输入端、第一存储器模块、第二存储器模块以及切换选择电路。第一输入端用以接收校正数据。第二输入端用以接收第一电流负载电位。第三输入端用以接收第二电流负载电位。第一存储器模块及第二存储器模块各包含至少一存储器单元,而每一存储器单元用以记录一过电流保护值。切换选择电路耦接于第一输入端、第二输入端及第三输入端,用以比较校正数据及第一电流负载电位,并比较校正数据及第二电流负载电位。其中当校正数据与第一电流负载电位相符时,校正数据被存储到第一存储器模块的一个存储器单元中。当校正数据与第二电流负载电位相符时,校正数据被存储到第二存储器模块的一个存储器单元中。
本发明还提供一种电源供应器的过电流保护电路。过电流保护电路包含多个过电流保护芯片,其中每一个过电流保护芯片包含第一输入端、第二输入端、第三输入端、第一存储器模块、第二存储器模块、切换选择电路、槽位比对单元、第一选择开关以及第二选择开关。第一输入端用以接收校正数据。第二输入端用以接收第一电流负载电位。第三输入端用以接收第二电流负载电位。第一存储器模块及第二存储器模块各包含至少一存储器单元,而每一存储器单元用以记录一过电流保护值。切换选择电路耦接于第一输入端、第二输入端及第三输入端,用以比较校正数据及第一电流负载电位,并比较校正数据及第二电流负载电位。其中当校正数据与第一电流负载电位相符时,校正数据被存储到第一存储器模块的一个存储器单元中。当校正数据与第二电流负载电位相符时,校正数据被存储到第二存储器模块的一个存储器单元中。槽位比对单元用以比对槽位比对命令及槽位位置,以输出致能信号并决定致能信号的电位。第一选择开关用以依据致能信号控制第一输入端至切换选择电路及第一存储器模块之间的电性连接。第二选择开关用以依据致能信号控制第一输入端至切换选择电路及第二存储器模块之间的电性连接。其中上述多个过电流保护芯片的槽位比对单元彼此耦接,而各自地接收槽位比对命令及槽位位置。
附图说明
图1为已知电源供应器的过电流保护电路耦接于校正工具及负载机时的示意图。
图2为本发明一实施例的电源供应器的过电流保护电路耦接于校正工具及负载机时的示意图。
图3为本发明一实施例的过电流保护芯片的切换选择电路的示意图。
图4为本发明另一实施例的电源供应器的过电流保护电路耦接于校正工具及负载机时的示意图。
图5为对图2的过电流保护芯片进行校正时的流程图。
图6为对图4的多个过电流保护芯片进行校正时的流程图。
图7为对安装有图2的过电流保护芯片的电源供应器由校正设定到出厂的流程图。
【符号说明】
10、20、30 过电流保护电路
110 校正工具
120 负载机
130、130A、130B、130C、130D、DS 校正数据
140、240A、240B、240C、240D 过电流保护值
100、200、200_1、200_2 过电流保护芯片
210 切换选择电路
212A、212B 负载比较单元
214 校正组选择器
216 比较器
217 电位调整单元
218 解码器
220 槽位比对单元
224A 第一存储器模块
224B 第二存储器模块
230A、230B 重工选择器
A1至AX、B1至BX 存储器单元
EN1、EN2 致能信号
IA1 负载电流
IA2 电流
Iv1至Ivn 电流源
P1至P3 输入端
VA1 第一电流负载电位
VA2 第一校正电流感应电位
VB1 第二电流负载电位
VB2 第二校正电流感应电位
VC1 第三电流负载电位
VC2 第三校正电流感应电位
VD1 第四电流负载电位
VD2 第四校正电流感应电位
VS1 第一输出电平
VS2 第二输出电平
Vcs 电压输入端
V1至Vn 开关控制信号
RA1、RA2、RB2、RC2、RD2 电阻
S1、S2 槽位位置
SCOM 槽位比对命令
SW1、SW2 选择开关
SW、SWA、SWB 开关
S410至S460、S510至S550、S610至S670 步骤
T1至T3 输入端
具体实施方式
请参考图2。图2为本发明一实施例的电源供应器的过电流保护电路20耦接于校正工具110及负载机120时的示意图。过电流保护电路20设置于电源供应器中,用于提供电源供应器多组的过电流保护值。在本实施例中,过电流保护电路20具有一个过电流保护芯片200,而过电流保护芯片200可提供电源供应器两组的过电流保护值240A及240B。然而,本发明并不以此为限,每一个过电流保护芯片200也可设计成提供三组或更多组的过电流保护值。
藉由所提供的两组过电流保护值240A及240B,过电流保护芯片200即可设定过电流保护电路20于启动过电流保护机制时的两组电流值。当电源供应器的两组电源输出其输出电流有任一组超过所设定的过电流保护值240A或240B时,过电流保护电路20即会启动其过电流保护机制。同样地,为因应不同的电源供应器的过电流保护的规格需要,过电流保护芯片200被设计成可对其过电流保护值240A及240B分别进行校正。当进行过电流保护值240A及240B的校正时,过电流保护芯片200会与校正工具110及负载机120耦接,以使校正工具110及负载机120对过电流保护芯片200进行校正,并于完成校正时使过电流保护芯片200产生校正数据130A及130B。校正数据130A及130B会分别被存储在过电流保护芯片200的第一存储器模块224A及第二存储器模块224B中,而当过电流保护芯片200出厂并被设置于电源供应器后,过电流保护芯片200即可依据第一存储器模块224A及第二存储器模块224B所存储的校正数据130A及130B即时地产生过电流保护值240A及240B,以设定过电流保护电路20于启动过电流保护机制时的两组电流值。
在本实施例中,过电流保护芯片200包含三个输入端P1至P3、第一存储器模块224A、第二存储器模块224B以及切换选择电路210。三个输入端P1至P3分别用以从校正工具110接收校正数据DS,并从负载机120接收第一电流负载电位VA1及第二电流负载电位VB1。切换选择电路210耦接过电流保护芯片200的三个输入端P1至P3,用以比较校正数据DS及第一电流负载电位VA1,并比较校正数据DS及第二电流负载电位VB1。在本实施例中,第一存储器模块224A及第二存储器模块224B各包含多个存储器单元A1至AX及B1至BX,而每一存储器单元用以记录一过电流保护值。其中,第一存储器模块224A及第二存储器模块224B所包含的存储器单元的数目可视需要调整,例如第一存储器模块224A及第二存储器模块224B可分别仅具有一个存储器单元。
此外,过电流保护芯片200的过电流保护校正是通过切换选择电路210对校正数据DS、第一电流负载电位VA1及第二电流负载电位VB1进行比较的方式来达成。详言之,在对过电流保护芯片200进行过电流保护校正的过程中,在尚未完成电流保护芯片200的校正之前,校正工具110会持续地输出不同的校正数据DS,而当校正数据DS与第一电流负载电位VA1相符时,即完成过电流保护值240A的校正;且当校正数据DS与第二电流负载电位VB1相符时,即完成过电流保护值240B的校正。至于如何判断校正数据DS是否与负载机120所提供的电流负载电位(如VA1和/或VB1)相符,则可参考申请人于2012年10月26日所提出的第101139698号专利申请案,或是稍后参考对于图3的说明。此外,当校正数据DS与第一电流负载电位VA1相符时(如:此时的校正数据DS为校正数据130A),校正数据DS会被存储到第一存储器模块224A的存储器单元A1至AX中的一个存储器单元;而当校正数据DS与第二电流负载电位VB1相符时(如:此时的校正数据DS为校正数据130B),校正数据DS会被存储到第二存储器模块224B的存储器单元B1至BX中的一个存储器单元。之后,过电流保护芯片200即可依据分别存储于第一存储器模块224A及第二存储器模块224B的校正数据,输出两组过电流保护值240A及240B。由于过电流保护芯片200可提供两组的电流保护值240A及240B,故相较于已知技术中的过电流保护芯片100只能提供一组过电流保护值140,过电流保护芯片200更适合用于可提供多组电力输出(如多组不同的电压)的电源供应器。此外,由于可各别地设定负载机120所提供的第一电流负载电位VA1及第二电流负载电位VB1,且当校正数据DS与第一电流负载电位VA1或第二电流负载电位VB1相符时,即完成过电流保护值240A或240B的校正,故过电流保护芯片200所要校正的电流保护值240A及240B的先后顺序可依据实际情况而有所不同,而不受特定校正顺序的限制。详言之,可以先完成电流保护值240A的校正再完成电流保护值240B的校正,亦或是先完成电流保护值240B的校正再完成电流保护值240A的校正。另外,倘若第一电流负载电位VA1被设定成与第二电流负载电位VB1一样的话,则可同时完成电流保护值240A及240B的设定。
在本发明一实施例中,切换选择电路210包含两个负载比较单元212A及212B、校正组选择器214以及两个开关SWA及SWB。负载比较单元212A及212B分别通过电阻RA2及RB2耦接于电压输入端Vcs。负载比较单元212A可依据校正数据DS调整负载比较单元212A的第一校正电流感应电位VA2。类似地,负载比较单元212B可依据校正数据DS调整负载比较单元212B的第二校正电流感应电位VB2。至于负载比较单元212A及212B如何依据校正数据DS分别调整第一校正电流感应电位VA2及第二校正电流感应电位VB2,下面将会有进一步的说明。此外,开关SWA用以控制校正工具110与第一存储器模块224A之间的电性连接,而开关SWB用以控制校正工具110与第二存储器模块224B之间的电性连接。校正组选择器214耦接于两负载比较单元212A及212B的输出端。其中当第一校正电流感应电位VA2等于第一电流负载电位VA1时,校正组选择器214开启SWA,以使校正数据DS被存储到第一存储器模块224A的一个存储器单元中。类似地,当第二校正电流感应电位VB2等于第二电流负载电位VB1时,校正组选择器214开启SWB,以使校正数据DS被存储到第二存储器模块224B的一个存储器单元中。
以下将就如何判断校正数据DS是否与负载机120所提供的电流负载电位(如VA1和/或VB1)相符作进一步的说明。请参考图3,图3为本发明一实施例的过电流保护芯片的切换选择电路212A的示意图。负载比较单元212A耦接于电阻RA1及RA2,并包含三个输入端T1至T3、比较器216、电位调整单元217以及解码器218。其中,三个输入端T1至T3分别耦接于过电流保护芯片200的输入端P2、电压输入端Vcs及输入端P1,以分别接收第一电流负载电位VA1、系统电压以及校正数据DS。电阻RA1(电流检测电阻)的第一端耦接至电压输入端Vcs,而电阻RA1的第二端耦接至负载机120。电阻RA2的第一端耦接至电压输入端Vcs。输入端T1所接收的第一电流负载电位VA1亦为电阻RA1的第二端的电压信号。由于负载电流IA1会流经电阻RA1,因此电阻RA1的第一端及第二端之间的电压降会正比于负载电流IA1的大小,所以电阻RA1的第二端的电压信号(即第一电流负载电位VA1)可作为负载电流检测信号。输入端T2则用以接收第一校正电流感应电位VA2,亦即电阻RA2的第二端的电压信号。第一校正电流感应电位VA2的大小由电位调整单元217所决定。比较器216的第一输入端耦接至输入端T1,比较器216的第二输入端耦接至输入端T2,比较器216用以比较第一电流负载电位VA1及第一校正电流感应电位VA2以在其输出端输出第一输出电平VS1。在本实施例中,当第一电流负载电位VA1低于第一校正电流感应电位VA2时,第一输出电平VS1从低电压电平升到高电压电平,亦即在输出端输出一过电流保护信号,以通知电源供应器进行相对应的保护措施,例如关机或其他操作等。
电位调整单元217耦接于输入端T2,在本实施例中,电位调整单元217包含多个电流源Iv1至Ivn以及多个开关SW。多个开关SW分别耦接至多个电流源Iv1至Ivn及接地端之间,用以根据开关控制信号V1至Vn进行开启与关闭,以控制流经电阻RA2的电流IA2的大小,进而调整第一校正电流感应电位VA2。解码器218用以根据接收到的校正数据DS输出多个开关控制信号V1至Vn至多个开关SW,以控制多个开关SW的开启与关闭。举例来说,在本发明电源供应器的过电流保护设定状态中,校正工具110会提供一预定负载,使通过电阻RA1的负载电流IA1为负载上限。校正工具110会经由输入端T3传送校正数据DS至解码器218。校正数据DS包含多个设定值,每个设定值可被解码器218解码为多个开关控制信号V1至Vn,以控制多个开关SW的开启与关闭,并进而控制流经电阻RA2的电流IA2的大小(亦即控制第一校正电流感应电位VA2)。电位调整单元217根据多个设定值逐渐调整第一校正电流感应电位VA2,直到比较器216所输出的第一输出电平VS1转态时(例如从低电压电平升到高电压电平,或从高电压电平降到低电压电平),此时代表第一校正电流感应电位VA2等于或相当接近负载上限时的电压电平,第一输出电平VS1可反馈至校正工具110以使校正工具110可得知第一输出电平VS1的转态时机,并将相对应的校正数据DS写入并存储在第一存储器模块224A中,而成为校正数据130A。至于负载比较单元212B的第二输出电平VS2的转态方式,因与负载比较单元212A的第一输出电平VS1的转态方式类似,故不再赘述。
在本发明一实施例中,过电流保护芯片200可还包含两个重工选择器230A及230B。重工选择器230A用以从第一存储器模块224A的多个存储器单元A1至AX中选出第一存储器模块224A所存储的最近一笔校正数据,而重工选择器230B则用以从第二存储器模块224B的多个存储器单元B1至BX中选出第二存储器模块224B所存储的最近一笔校正数据。换句话说,重工选择器230A及230B只会分别从第一存储器模块224A及第二存储器模块224B选出最新记录的校正数据,而其他旧的校正数据并不会被选出。当重工选择器230A及230B分别选出最新记录的校正数据后,过电流保护电路20即可依据所选出的校正数据产生上述的两组过电流保护值240A及240B。此外,值得注意地,重工选择器230A及230B是分别因应第一存储器模块224A及第二存储器模块224B有多个存储器单元A1至AX及B1至BX而设置的。换句话说,在本发明其他实施例中,倘若第一存储器模块224A及第二存储器模块224B各仅有一个存储器单元的话,则不必设置重工选择器230A及230B。
此外,虽然在本实施例中的电流保护芯片200设计成提供两组的过电流保护值240A及240B。然而,本发明并不以此为限,每一个过电流保护芯片200也可设计成提供三组或更多组的过电流保护值。其中,每增加一组过电流保护值,只需再配置一个负载比较单元及存储器模块,并使负载机120再提供另一电流负载电位至此额外配置的负载比较单元,再完成对应的布线(如:开关控制、信号传输…等)即可。详言之,倘若在本发明一实施例中,电流保护芯片被设计成可提供三组电流保护值的话,则电流保护芯片除了上述的三个输入端P1至P3之外,可再另新增一个输入端以接收负载机120所提供的第三电流负载电位。此外,切换选择电路210可再包含另一个负载比较单元,用以比较校正数据Ds及上述的第三电流负载电位,而当校正数据Ds与上述的第三电流负载电位相符时,校正数据Ds即被存储到上述所额外配置的存储器模块的一个存储器单元中。单一过电流保护芯片提供四组或四组以上的过电流保护值的电路设置也可以以此类推。
在本发明一实施例中,过电流保护芯片200可还包含槽位比对单元220以及两个选择开关SW1及SW2。槽位比对单元220主要是用来与其他的过电流保护芯片200并接,以扩增电源供应器可校正的电力输出的组数,以下将以图4来作说明。请参考图4,图4为本发明另一实施例的电源供应器的过电流保护电路30耦接于校正工具110及负载机120时的示意图。过电流保护电路30包含两个过电流保护芯片200_1及200_2。过电流保护芯片200_1及200_2与图2中的过电流保护芯片200的电路结构是一样的。其中,过电流保护芯片200_1用以依据校正数据DS、第一电流负载电位VA1及第二电流负载电位VB1产生两组过电流保护值240A及240B,而过电流保护芯片200_2则是用以依据校正数据DS、第三电流负载电位VC1及第四电流负载电位VD1产生两组过电流保护值240C及240D。基本上,过电流保护芯片200_1的操作方式与图2中的过电流保护芯片200的操作方式一样。至于过电流保护芯片200_2其操作方式亦类似,只是过电流保护芯片200_2所输入的是第三电流负载电位VC1及第四电流负载电位VD1,并产生校正数据130C及130D及对应地输出另外两组的过电流保护值240C及240D。此外,过电流保护芯片200_2的负载比较单元212A及212B则分别通过电阻RC2及RD2耦接于电压输入端Vcs。过电流保护芯片200_2的负载比较单元212A可依据校正数据DS调整第三校正电流感应电位VC2,而过电流保护芯片200_2的负载比较单元212B可依据校正数据DS调整第四校正电流感应电位VD2。由于过电流保护芯片200_1及200_2的操作方式与过电流保护芯片200类似,故对于过电流保护芯片200_1及200_2的操作方式,在以下说明中将只对槽位比对单元220及两个选择开关SW1及SW2的部分作说明,而其他元件的操作方式将不再赘述。
过电流保护芯片200_1及200_2会接收槽位比对命令SCOM及槽位位置S1和S2,并比较槽位比对命令SCOM及槽位位置S1和S2,以分别输出致能信号EN1及EN2,及决定致能信号EN1及EN2的电位。在本发明一实施例中,可藉由对过电流保护芯片200_1及200_2的槽位比对单元220的多个引脚的状态(例如:是否接地或耦接至特定电压)进行设置,以分别地设定槽位位置S1和S2。此外,当收槽位比对命令SCOM与槽位位置S1一致时,致能信号EN1会为第一电位,以开启过电流保护芯片200_1的选择开关SW1及SW2。当收槽位比对命令SCOM与槽位位置S1不一致时,致能信号EN1则为第二电位,以关闭过电流保护芯片200_1的选择开关SW1及SW2。类似地,当收槽位比对命令SCOM与槽位位置S2一致时,致能信号EN2会为第一电位,以开启过电流保护芯片200_2的选择开关SW1及SW2。当收槽位比对命令SCOM与槽位位置S2不一致时,致能信号EN2则为第二电位,以关闭过电流保护芯片200_2的选择开关SW1及SW2。因此,过电流保护芯片200_1的选择开关SW1会依据致能信号EN1控制校正工具110至切换选择电路210及第一存储器模块224A之间的电性连接,而过电流保护芯片200_1的选择开关SW2会依据致能信号EN1控制校正工具110至切换选择电路210及第二存储器模块224B之间的电性连接。类似地,过电流保护芯片200_2的选择开关SW1会依据致能信号EN2控制校正工具110至过电流保护芯片200_2的切换选择电路210及第一存储器模块224A之间的电性连接,而过电流保护芯片200_1的选择开关SW2会依据致能信号EN2控制校正工具110至过电流保护芯片200_2的切换选择电路210及第二存储器模块224B之间的电性连接。因此,藉由上述串接多个过电流保护芯片的方式,即可扩增电源供应器可校正的电力输出的组数。此外,图4中虽以串接两颗过电流保护芯片200_1及200_2的方式作说明,但本发明并不以此为限。换句话说,通过上述比较槽位比对命令SCOM及多个电流保护芯片的槽位位置的方式,本发明可另应用于串接三颗或更多颗过电流保护芯片的电源供应器中。
请参考图5,图5为对图2的过电流保护芯片200进行校正时的流程图。在步骤S410中,通过校正工具110设定校正目标组别,以决定负载机120后续输出至校正目标的电流负载电位。在步骤S420中,通过负载机120给予校正目标电流负载电位。在步骤S430中,藉由切换选择电路210判断应校正的组别,以决定后续校正数据DS应该存储至存储器模块224A及224B中的哪一个存储器模块。在步骤S440中,藉由负载比较单元212A或212B对应校正的组别进行校正。在步骤S450中,通过校正工具110,判断是否还有其他组别需要校正。若还有其他组别需要校正,则回到步骤S410;反之,则完成过电流保护芯片200的校正(步骤S460)。
请参考图6,图6为对图4的多个过电流保护芯片200_1及200_2进行校正时的流程图。在步骤S510中,通过每个过电流保护芯片的槽位比对单元220连接多个过电流保护芯片。在步骤S520中,校正工具110送出槽位比对命令SCOM至各过电流保护芯片的槽位比对单元220。在步骤S530中,各槽位比对单元220比对槽位比对命令SCOM与槽位位置S1及S2。在步骤S540中,各槽位比对单元220判断槽位比对命令SCOM与槽位位置S1或S2是否匹配。若匹配,则执行步骤S550,以进行如图5的校正程序。反之,若不匹配,则回到步骤S520。
请参考图7,图7为对安装有图2的过电流保护芯片200的电源供应器由校正设定到出厂的流程图。在步骤S610中,藉由校正工具110进行校正规格的设定。在步骤S620中,藉由校正工具110及负载机120开始进行如图5的校正程序。在步骤S630中,将校正后所决定的校正数据130A及130B分别被存储在第一存储器模块224A及第二存储器模块224B的一个存储器单元中。在步骤S640中,藉由重工选择器230A及230B分别自第一存储器模块224A及第二存储器模块224B选出最新记录的校正数据。在步骤S650中,依据所选出的最新记录的校正数据,对电源供应器进行测试。在步骤S660中,判断测试结果是否符合规格。若符合规格,则进行步骤S670的出货程序。反之,若不符合规格,则回到步骤S610,以重新进行校正。
综上所述,通过本发明的过电流保护芯片及过电流保护电路,可很方便地对电源供应器进行多组的过电流保护设定。再者,每组可校正的电力输出可搭配一个包含多个存储器单元的存储器模块,以方便电源供应器制造厂于生产其电源供应器后如须变更其规格、设计时,可轻易地回收电源供应器且通过更新存储器模块所存储的校正数据,完成新规格的过电流校正的设定。此外,可通过槽位比对单元来串接多个槽位比对单元,而使电源供应器的可校正电力输出的组数得以轻易地扩增,而不须再另外设计新的过电流保护芯片,故使用上具有极高的弹性。
以上所述仅为本发明的优选实施例,凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (9)
1.一种电源供应器的过电流保护芯片,包含:
第一输入端,用以接收校正数据;
第二输入端,用以接收第一电流负载电位;
第三输入端,用以接收第二电流负载电位;
第一存储器模块,包含至少一存储器单元,该第一存储器模块的每一存储器单元用以记录过电流保护值;
第二存储器模块,包含至少一存储器单元,该第二存储器模块的每一存储器单元用以记录过电流保护值;以及
切换选择电路,耦接于该第一输入端、该第二输入端及该第三输入端,用以比较该校正数据及该第一电流负载电位,并比较该校正数据及该第二电流负载电位;
其中当该校正数据与该第一电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第一存储器模块的一个存储器单元中;
其中当该校正数据与该第二电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第二存储器模块的一个存储器单元中。
2.如权利要求1所述的过电流保护芯片,还包含:
第四输入端,用以接收第三电流负载电位;以及
第三存储器模块,包含至少一存储器单元,该第三存储器模块的每一存储器单元用以记录一过电流保护值;
其中该切换选择电路还耦接于该第四输入端,并另用以比较该校正数据及该第三电流负载电位,而当该校正数据与该第三电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第三存储器模块的一个存储器单元中。
3.如权利要求1所述的过电流保护芯片,其中该切换选择电路包含:
第一负载比较单元,用以依据该校正数据调整该第一负载比较单元的第一校正电流感应电位;
第二负载比较单元,用以依据该校正数据调整该第二负载比较单元的第二校正电流感应电位;
校正组选择器,耦接于该第一负载比较单元的输出端及该第二负载比较单元的输出端;
第一开关,耦接于该第一输入端、该校正组选择器及该第一存储器模块,用以控制该第一输入端与该第一存储器模块之间的电性连接;以及
第二开关,耦接于该第一输入端、该校正组选择器及该第二存储器模块,用以控制该第二输入端与该第二存储器模块之间的电性连接;
其中当该第一校正电流感应电位等于该第一电流负载电位,该校正组选择器开启该第一开关,以使该校正数据被存储到该第一存储器模块的一个存储器单元中;
其中当该第二校正电流感应电位等于该第二电流负载电位,该校正组选择器开启该第二开关,以使该校正数据被存储到该第二存储器模块的一个存储器单元中。
4.如权利要求1所述的过电流保护芯片,其中该第一存储器模块及该第二存储器模块各包含多个存储器单元,而该过电流保护芯片还包含:
第一重工选择器,用以从该第一存储器模块的多个存储器单元中选出该第一存储器模块所存储的最近一笔校正数据;以及
第二重工选择器,用以从该第二存储器模块的多个存储器单元中选出该第二存储器模块所存储的最近一笔校正数据。
5.如权利要求1所述的过电流保护芯片,还包含:
槽位比对单元,用以比对一槽位比对命令及一槽位位置,以输出一致能信号;
第一选择开关,用以依据该致能信号控制该第一输入端至该切换选择电路及该第一存储器模块之间的电性连接;以及
第二选择开关,用以依据该致能信号控制该第一输入端至该切换选择电路及该第二存储器模块之间的电性连接。
6.一种电源供应器的过电流保护电路,包含多个过电流保护芯片,其中每一个过电流保护芯片包含:
第一输入端,用以接收一校正数据;
第二输入端,用以接收第一电流负载电位;
第三输入端,用以接收一第二电流负载电位;
第一存储器模块,包含至少一存储器单元,该第一存储器模块的每一存储器单元用以记录一过电流保护值;
第二存储器模块,包含至少一存储器单元,该第二存储器模块的每一存储器单元用以记录过电流保护值;
切换选择电路,耦接于该第一输入端、该第二输入端及该第三输入端,用以比较该校正数据及该第一电流负载电位,并比较该校正数据及该第二电流负载电位,其中当该校正数据与该第一电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第一存储器模块的一个存储器单元中,且当该校正数据与该第二电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第二存储器模块的一个存储器单元中;
槽位比对单元,用以比对槽位比对命令及槽位位置,以输出致能信号并决定该致能信号的电位;
第一选择开关,用以依据该致能信号控制该第一输入端至该切换选择电路及该第一存储器模块之间的电性连接;以及
第二选择开关,用以依据该致能信号控制该第一输入端至该切换选择电路及该第二存储器模块之间的电性连接;
其中这些过电流保护芯片的该槽位比对单元彼此耦接,而各自地接收该槽位比对命令及该槽位位置。
7.如权利要求6所述的过电流保护电路,其中每一个过电流保护芯片还包含:
第四输入端,用以接收第三电流负载电位;以及
第三存储器模块,包含至少一存储器单元,该第三存储器模块的每一存储器单元用以记录过电流保护值;
其中该切换选择电路还耦接于该第四输入端,并另用以比较该校正数据及该第三电流负载电位,而当该校正数据与该第三电流负载电位相符时,该校正数据被存储到该第三存储器模块的一个存储器单元中。
8.如权利要求6所述的过电流保护电路,其中每一个过电流保护芯片的该切换选择电路包含:
第一负载比较单元,用以依据该校正数据调整该第一负载比较单元的第一校正电流感应电位;
第二负载比较单元,用以依据该校正数据调整该第二负载比较单元的第二校正电流感应电位;
校正组选择器,耦接于该第一负载比较单元的输出端及该第二负载比较单元的输出端;
第一开关,耦接于该第一输入端、该校正组选择器及该第一存储器模块,用以控制该第一输入端与该第一存储器模块之间的电性连接;以及
第二开关,耦接于该第一输入端、该校正组选择器及该第二存储器模块,用以控制该第二输入端与该第二存储器模块之间的电性连接;
其中当该第一校正电流感应电位等于该第一电流负载电位,该校正组选择器开启该第一开关,以使该校正数据被存储到该第一存储器模块的一个存储器单元中;
其中当该第二校正电流感应电位等于该第二电流负载电位,该校正组选择器开启该第二开关,以使该校正数据被存储到该第二存储器模块的一个存储器单元中。
9.如权利要求6所述的过电流保护电路,其中每一个过电流保护芯片的该第一存储器模块及该第二存储器模块各包含多个存储器单元,而每一个过电流保护芯片还包含:
第一重工选择器,用以从该第一存储器模块的多个存储器单元中选出该第一存储器模块所存储的最近一笔校正数据;以及
第二重工选择器,用以从该第二存储器模块的多个存储器单元中选出该第二存储器模块所存储的最近一笔校正数据。
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